CN110061722A - 一种由mos型器件变频驱动的负载功率调整电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
Description
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，涉及一种负载功率调整电路，具体地说是一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路。
背景技术
在工业生产和生活的许多领域，人们需要对单相负载的功率进行稳定的控制和调整，以实现电子电器产品的节能和档位可调的功能。目前单相负载的功率调整方法主要是利用可控硅调节负载上的电压来调节负载的功率。可控硅调整功率是通过改变导通角的方法来改变负载电压波形，从而改变负载功率的平均值达到功率调节的目的。这就使得可控硅调整功率的负载电压波形不完整，并且存在漏电流大，不能随时关断和电路复杂等缺点。
单相交流电动机类的负载可以通过绕组抽头法、串联电抗法和串联电阻法等传统机械式方法调整功率，但是这种方法只能进行固定档位的功率调整。此外电动机还可以通过改变工作电源频率的方式控制和调整功率。变频调节功率的方法需要增加额外的电机驱动芯片，致使电路结构复杂，增加成本，同时由于需要进行交流电和直流电的转换，所以存在能量损耗。如何有效控制和调整单相负载的功率而不增加电路复杂程度是目前急需解决的问题。
发明内容
为解决现有技术中存在的上述缺陷，本发明旨在提供一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，直接通过MOS管控制负载功率，使得电路结构简单，节省成本，并且负载的电压波形较为完整，负载功率调整范围宽。
本发明为实现上述目的，所采用的技术方案如下：
一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、PWM信号模块、栅极驱动电路、功率控制电路，其中，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；所述供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。
作为对本发明中供电电路的限定：所述供电电路包括第一变压器、第一二极管至第四二极管构成的第一整流桥、第一电容至第三电容、第一稳压芯片与第二稳压芯片，所述第一变压器的原边绕组连接交流市电，副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端分别连接第一电容的正极、第一稳压芯片的输入端和第二稳压芯片的输入端，第一整流桥的负极输出端连接第一电容至第三电容的负极、第一稳压芯片的公共端和第二稳压芯片的公共端；第二电容的正极连接第二稳压芯片的输出端，第三电容的正极连接第一稳压芯片的输出端，第一稳压芯片的输出端作为供电电路的第一路正极输出端，第二稳压芯片的输出端作为供电电路的第二路正极输出端，第一整流桥的负极输出端作为供电电路的负极输出端。
作为对本发明中供电电路的另一种限定：所述供电电路包括第一变压器、第一二极管至第四二极管构成的第一整流桥、第三电阻、第四电阻、第七至第九电容、第一稳压二级管、第二稳压二极管，所述第一变压器的原边绕组连接交流市电，副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端串接第四电阻后，作为供电电路的第一路正极输出端；第一整流桥的正极输出端串接第三电阻后，作为供电电路的第二路正极输出端；所述第一整流桥的负极输出端分别连接第七电容的负极、第一稳压二极管与第二稳压二极管的正极后作为供电电路的负极输出端，第七电容的正极连接第一整流桥的正极输出端，第一稳压二极管与第二稳压二极管的负极分别连接供电电路的第二路正极输出端，第八电容并接于第一稳压二级管两端，第九电容并接于第二稳压二级管两端。
作为的本发明中PWM信号模块的限定：所述PWM信号模块包括单片机、第一晶振、第四电容与第五电容、第一按键至第四按键，所述第一晶振两端连接单片机的时钟输入两端，且第一晶振的一端串接第四电容、另一端串接第五电容后均连接到单片机的公共端；所述的四个按键分别串接于单片机的四个按键端口与公共端之间，所述单片机的电源输入端作为PWM信号模块的电源输入端连接供电电路的第二路正极输出端，单片机的公共端作为PWM信号模块的电源输出端连接供电电路的负极输出端，单片机的信号输出端作为PWM信号模块的信号输出端。
作为对本发明中栅极驱动电路的限定：所述栅极驱动电路包括第一电阻与第二电阻、第一三极管与第二三极管、第六电容、第五二极管，所述第二电阻并接于第一三极管的发射极与集电极两端，第五二极管并接于第一三极管的基极与发射极两端，所述第一三极管的基极通过第六电容与第二三极管的基极连接后，串接第一电阻作为栅极驱动电路的信号输入端连接单片机的信号输出端，所述第一三极管的集电极与第二三极管的集电极相连作为栅极驱动电路的信号输出端；所述第一三极管的发射极作为栅极驱动电路的电源输入端连接供电电路的第一路正极输出端，第二三极管的发射极作为栅极驱动电路电源输出端连接供电电路的负极输出端。
作为对本发明中功率控制电路的限定：所述功率控制电路包括第六二极管至第九二极管构成的第二整流桥与第一MOS管，所述第六二极管和第七二极管的中点连接交流市电端口，第八二极管和第九二极管的中点与单相负载连接，第六二极管和第八二极管的中点连接第一MOS管的漏极，第七二极管和第九二极管的中点与第一MOS管的源极相连作为功率控制电路的信号输出端连接供电电路的负极输出端，第一MOS管的栅极作为功率控制电路的信号输入端与栅极驱动电路的信号输出端相连。
作为对本发明中功率控制电路的另一种限定：所述功率控制电路包括第六二极管至第九二极管构成的第二整流桥与第一IGBT管，所述第六二极管和第七二极管的中点连接交流市电端口，第八二极管和第九二极管的中点与单相负载连接，第六二极管和第八二极管的中点连接第一IGBT管的集电极，第七二极管和第九二极管的中点与第一IGBT管的发射极相连作为功率控制电路的信号输出端连接供电电路的负极输出端，第一IGBT管的栅极作为功率控制电路的信号输入端与栅极驱动电路的信号输出端相连。
作为对本发明中单项负载的限定：所述单相负载包括白炽灯、电动机、电阻丝和LED灯组。
本发明由于采用了上述的结构，其与现有技术相比，所取得的技术进步在于：
（1）本发明将功率控制电路的信号输出端、栅极驱动电路的电源输出端、PWM信号模块的电源输出端、供电电路的负极输出端拉至同一电位，令功率控制电路仅仅包括一个整流桥和一个MOS管，供电电路的负极必须连接到功率控制电路的信号输出端，保证MOS管处于导通条件，且通过整流桥整流保证MOS管两端漏极和源极电压始终为正，进而能够通过控制MOS管导通和截止来控制单相负载的功率，无需使用驱动芯片或额外电路，结构简单，降低了负载功率调整的成本。
（2）本发明设有栅极驱动电路，通过第二三极管和第三电阻分压控制MOS管栅极电压，利用PWM信号发生变化时，第一三极管短暂导通，增大电流，提高了MOS管功率调整的开关速度。
（3）本发明采用PWM信号经过栅极驱动电路控制MOS管导通时间，调节PWM信号占空比和周期，进而控制单相负载的功率，使得单相负载两端电压接近于完整的正弦电压波形，并且本发明功率调整范围宽，可以调节PWM信号的频率。
综上所述，本发明电路简单，无需添加额外的驱动芯片，即可令MOS管直接用于交流电路中有效调整单相负载的功率。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
在附图中：
图1为本发明1的原理框图；
图2为本发明实施例的电路原理图；
图3a～3e分别为本发明实施例中单相负载的电路原理图；
图4为本发明实施例中供电电路的另一种形式的电路图；
图5为本发明实施例中IGBT替代MOS管的功率控制电路示意图；
图6为本发明实施例中PWM信号和MOS管栅源极电压波形图；
图7位本发明实施例中调节PWM信号占空比的负载电压波形图
图8为本发明实施例中调节PWM信号频率的负载电压波形图。
图中：1、供电电路，2、PWM信号模块，3、栅极驱动电路，4、功率控制电路，5、单相负载，51、白炽灯负载，52、单相交流电动机负载，53、电阻丝负载，54、双排LED灯组负载，55、单排LED灯组负载。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明。应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例 一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路
参照图1、图2，本实施例包括供电电路1、PWM信号模块2、栅极驱动电路3、功率控制电路4和单相负载5，所述功率控制电路4与单相负载5串接后，与供电电路1并接于交流市电中，所述供电电路1的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路1的第二路正极输出端连接PWM信号模块2的电源输入端，供电电路1的负极输出端连接PWM信号模块2的电源输出端、栅极驱动电路3的电源输出端和功率控制电路4的信号输出端，PWM信号模块2的信号输出端连接栅极驱动电路3的信号输入端，栅极驱动电路3的信号输出端连接功率控制电路4的信号输入端。
其中，本实施例中的供电电路1如图2所示，包括第一变压器T1、第一二极管D1至第四二极管D4构成的第一整流桥、第一电容C1至第三电容C3、第一稳压芯片IC1与第二稳压芯片IC2（本实施例采用现有技术中的LM7812型号和LM7805型号的稳压芯片），所述第一变压器T1的原边绕组连接交流市电，其副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端分别连接第一电容C1的正极、第一稳压芯片IC1的输入端和第二稳压芯片IC2的输入端，第一整流桥的负极输出端分别连接第一电容C1至第三电容C3的负极、第一稳压芯片IC1的公共端和第二稳压芯片IC2的公共端；而第二电容C2的正极连接第二稳压芯片IC2的输出端，第三电容C3的正极连接第一稳压芯片IC1的输出端，第一稳压芯片IC1的输出端作为供电电路1的第一路正极输出端V1，第二稳压芯片IC2的输出端作为供电电路1的第二路正极输出端V2，第一整流桥的负极输出端作为供电电路1的负极输出端S。
本实施例的供电电路1还可以采用如图4所示的电路，具体包括第一变压器T1、第一二极管D1至第四二极管D4构成的第一整流桥、第三电阻R3、第四电阻R4、第七电容C7至第九电容C9、第一稳压二级管Z1、第二稳压二级管Z2，所述第一变压器T1的原边绕组连接交流市电，副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端串接第四电阻R4后，作为供电电路1的第一路正极输出端V1；第一整流桥的正极输出端串接第三电阻R3后，作为供电电路1的第二路正极输出端V2；所述第一整流桥的负极输出端分别连接第七电容C7的负极、第一稳压二极管Z1与第二稳压二级管Z2的正极后作为供电电路1的负极输出端S，第七电容C7的正极连接第一整流桥的正极输出端，第一稳压二级管Z1与第二稳压二级管Z2的负极分别连接供电电路1的第二路正极输出端V2，第八电容C8并接于第一稳压管Z1两端，第九电容C9并接于第二稳压二极管Z2两端。
本实施例中的PWM信号模块2如图2所示，包括单片机（采用现有技术中的STM32F103C8T6型号单片机）、第一晶振Y1、第四电容C4与第五电容C5、第一按键K1至第四按键K4，所述第一晶振Y1两端连接单片机的时钟输入端OSCIN和OSCOUT，且第一晶振Y1的一端串接第四电容C4、另一端串接第五电容C5后均连接到单片机的公共端GND，所述的第一按键K1至第四按键K4分别串接于单片机的四个按键端口与公共端GND之间；所述单片机的电源输入端VDD作为PWM信号模块2的电源输入端连接供电电路1的第二路正极输出端V2，单片机的公共端GND作为PWM信号模块2的电源输出端连接供电电路1的负极输出端S，单片机的信号输出端PA6作为PWM信号模块2的信号输出端连接栅极驱动电路的信号输入端P。
本实施例中的栅极驱动电路3如图2所示，包括第一电阻R1与第二电阻R2、第一三极管Q1与第二三极管Q2、第六电容C6、第五二极管D5，所述第二电阻R2并接于第一三极管Q1的发射极与集电极两端，第五二极管D5并接于第一三极管Q1的基极与发射极两端，所述第一三极管Q1的基极通过第六电容C6与第二三极管Q2的基极连接后，串接第一电阻R1作为栅极驱动电路3的信号输入端连接PWM信号模块2的信号输出端P，所述第一三极管Q1的集电极与第二三极管Q2的集电极相连作为栅极驱动电路3的信号输出端，而第一三极管Q1的发射极作为栅极驱动电路3的电源输入端与对应供电电路1的第一路正极输出端V1相连，第二三极管Q2的发射极则作为栅极驱动电路3的电源输出端，与对应供电电路1的负极输出端S相连。
本实施例中的功率控制电路4如图2所示，包括第六二极管D6至第九二极管D9构成的第二整流桥与第一MOS管M1，所述第六二极管D6和第七二极管D7的中点连接交流市电端口，第八二极管D8和第九二极管D9的中点与单相负载连接，第六二极管D6和第八二极管D8的中点连接第一MOS管M1的漏极，第七二极管D7和第九二极管D9的中点与第一MOS管M1的源极相连作为功率控制电路4的信号输出端，第一MOS管M1的栅极作为功率控制电路4的信号输入端与栅极驱动电路3的信号输出端G相连，第一MOS管M1的源极连接供电电路1的负极输出端S。
本实施例中所述第一MOS管M1可以用第一IGBT管VT1代替，替代后的电路如图5所示, 包括第六二极管D6至第九二极管D9构成的第二整流桥与第一IGBT管VT1，所述第六二极管D6和第七二极管D7的中点连接交流市电端口，第八二极管D8和第九二极管D9的中点与单相负载5连接，第六二极管D6和第八二极管D8的中点连接第一IGBT管VT1的集电极，第七二极管D7和第九二极管D9的中点与第一IGBT管VT1的发射极相连作为功率控制电路4的信号输出端连接供电电路1的负极输出端S，第一IGBT管VT1的栅极作为功率控制电路4的信号输入端G与栅极驱动电路3的信号输出端相连。
本实施例中的单相负载如图3a～3e所示，可以对白炽灯负载51、单相交流电动机负载52、电阻丝负载53、单排LED灯组负载54和双排LED灯组负载55中的任意一种负载进行驱动。
本实施例的具体工作原理为：功率控制电路4与单相负载5串接于交流电中，交流电经过第二整流桥整流使得第一MOS管M1的漏极、源极电压差或第一IGBT管VT1的集电极、发射极的电压差始终为正。第一MOS管M1或第一IGBT管VT1满足导通条件时，总是能正向导通。第一MOS管M1的栅极信号或第一IGBT管VT1的栅极信号由PWM信号模块2产生，调节PWM信号的占空比和频率可以控制第一MOS管M1或第一IGBT管VT1的导通截止时间，进而控制单相负载的功率。
本实施例中的PWM信号模块2由单片机及其外围电路组成，为功率控制电路4提供可调的PWM信号。第一晶振Y1、第四电容C4和第五电容C5组成晶振电路为单片机提供频率为8MHz的时钟输入。通过编程设置内部计时器，配置单片机PA1至PA4四个端口为按键输入来控制计时器翻转的值，从而控制PWM信号的占空比和频率。单片机需要5V直流电压供电，其PA6端口输出5V的PWM信号虽然能够使第一MOS管M1或第一IGBT管VT1导通，但不能完全开启，此时MOS管或IGBT管导通电阻大，两端压降大。本实施例通过加入电源输入端为12V栅极驱动电路3将PWM信号经过放大后输出到第一MOS管M1的栅极G或第一IGBT管VT1的栅极上，可以减小MOS管或IGBT管的导通压降和开关响应时间。当PWM信号输出端P为0V稳态时，第一三极管Q1和第二三极管Q2截止，第一MOS管M1的栅极电压或第一IGBT管VT1的栅极电压由第二电阻R2上拉到栅极驱动电路3的电源输入端V1,V1的电压为供电电路1的第一路正极输出12V，第一MOS管M1或第一IGBT管VT1导通；当PWM信号输出端V3为5V稳态时，第一三极管Q1截止，第二三极管Q2导通。G点电压由第二电阻R2和第二三极管Q2分压得到，由于第二电阻R2取值较大，第二三极管Q2的放大倍数较小，导通电压为0.1V左右，第一MOS管M1的栅源极电压或第一IGBT管VT1的发射极电压为0.1V左右，管子截止；当PWM信号输出端P由5V跳变到0V时，由于第一电容C1两端的电压不变，第一三极管Q1导通，第一MOS管M1的栅极电压迅速增大，直至第一电容C1被充电至11.3V，第一三极管Q1截止，第一MOS管M1或第一IGBT管VT1迅速导通，开关响应时间减小。栅极驱动电路3保证了第一MOS管M1或第一IGBT管VT1完全导通且提高了单相负载的功率调节速度。
交流电由第一变压器T1降压到12V，经过第二整流桥整流和第一电容C1滤波后分别输入到稳压芯片IC1和IC2。第三电容C3与第二电容C2为输出直流电的滤波电容。稳压芯片IC1输出12V直流电，稳压芯片IC2输出5V直流电，为本实施例的其他电路模块进行供电。
本实施例还可以应用另一种供电电路，具体电路如图4所示，在第一整流桥的基础上，由第三电阻R3与第四电阻R4限流，经过第一稳压二极管Z1与第二稳压二极管Z2稳压以及第八电容C8与第九电容C9滤波后得到5V和12V两路直流电压。本实施例中，由于栅极驱动电路3需要12V的直流电源输入，PWM信号模块4需要5V直流电源输入，而供电电路1的第一路正极输出端输出12V直流电，第二路正极输出端输出5V直流电，因此供电电路1能够提供栅极驱动电路3、PWM信号模块4所需的电压，且供电电路1的负极输出端S与上述两个模块的负极输出端连接，构成回路。而由于市电的零线和火线接入无法固定，导致输入到功率控制电路4的市电也无法确定，如果功率控制电路4接入的是火线，在火线输入电压的正半周时，随着输入电压的增大，第一MOS管M1的源极或第一IGBT管VT1的发射极的电压也会随之增大，当第一MOS管M1的栅源极电压差或第一IGBT管VT1的栅极与发射极的电压差小于MOS管或IGBT管开启的阈值电压时，第一MOS管M1或第一IGBT管VT1会截止，电路无法正常工作。因此，为了实现对第一MOS管M1的栅极控制或第一IGBT管VT1的栅极控制，本实施例将第一MOS管M1的源极或第一IGBT管VT1的发射极与供电电路1的负极S相连，使栅极驱动电路3的信号输出端连接于第一MOS管M1的栅极或第一IGBT管VT1的栅极，保证了第一MOS管M1或第一IGBT管VT1在可控时一直处于导通状态。
本实施例的PWM信号电压波形和第一MOS管M1的栅源极电压波形如图6所示，PWM信号为低有效，其周期和低电平时间分别为T2和T1。PWM信号为0V低电平时，VGS为12V高电平；PWM信号为5V高电平时，VGS为0.1V左右的低电平。PWM信号的低电平时间T1最小为0.2s,最大为T2。本实施例的功率调整方式有两种：一是调节PWM信号占空比（如图7所示, VL为负载电压波形），保持T2不变，通过按键K1增加T1,按键K2减小T1；二是调节PWM信号频率（如图8所示），保持T1不变，通过按键K3增加T2,按键K4减小T2。因此通过调节PWM信号占空比和频率,可以灵活的实现单相负载的功率调节。
Claims (9)
1.一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，其特征在于：包括供电电路、PWM信号模块、栅极驱动电路、功率控制电路，其中，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；所述供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。
2.根据权利要求1所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述供电电路包括第一变压器、第一二极管至第四二极管构成的第一整流桥、第一电容至第三电容、第一稳压芯片与第二稳压芯片，所述第一变压器的原边绕组连接交流市电，副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端分别连接第一电容的正极、第一稳压芯片的输入端和第二稳压芯片的输入端，第一整流桥的负极输出端连接第一电容至第三电容的负极、第一稳压芯片的公共端和第二稳压芯片的公共端；第二电容的正极连接第二稳压芯片的输出端，第三电容的正极连接第一稳压芯片的输出端，第一稳压芯片的输出端作为供电电路的第一路正极输出端，第二稳压芯片的输出端作为供电电路的第二路正极输出端，第一整流桥的负极输出端作为供电电路的负极输出端。
3.根据权利要求1所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述供电电路包括第一变压器、第一二极管至第四二极管构成的第一整流桥、第三电阻、第四电阻、第七至第九电容、第一稳压二级管、第二稳压二极管，所述第一变压器的原边绕组连接交流市电，副边绕组连接第一整流桥的输入端，第一整流桥的正极输出端串接第四电阻后，作为供电电路的第一路正极输出端；第一整流桥的正极输出端串接第三电阻后，作为供电电路的第二路正极输出端；所述第一整流桥的负极输出端分别连接第七电容的负极、第一稳压二极管与第二稳压二极管的正极后作为供电电路的负极输出端，第七电容的正极连接第一整流桥的正极输出端，第一稳压二极管与第二稳压二极管的负极分别连接供电电路的第二路正极输出端，第八电容并接于第一稳压二级管两端，第九电容并接于第二稳压二级管两端。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述PWM信号模块包括单片机、第一晶振、第四电容与第五电容、第一按键至第四按键，所述第一晶振两端连接单片机的时钟输入两端，且第一晶振的一端串接第四电容、另一端串接第五电容后均连接到单片机的公共端；所述的四个按键分别串接于单片机的四个按键端口与公共端之间，所述单片机的电源输入端作为PWM信号模块的电源输入端连接供电电路的第二路正极输出端，单片机的公共端作为PWM信号模块的电源输出端连接供电电路的负极输出端，单片机的信号输出端作为PWM信号模块的信号输出端。
5.根据权利要求4所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述栅极驱动电路包括第一电阻与第二电阻、第一三极管与第二三极管、第六电容、第五二极管，所述第二电阻并接于第一三极管的发射极与集电极两端，第五二极管并接于第一三极管的基极与发射极两端，所述第一三极管的基极通过第六电容与第二三极管的基极连接后，串接第一电阻作为栅极驱动电路的信号输入端连接单片机的信号输出端，所述第一三极管的集电极与第二三极管的集电极相连作为栅极驱动电路的信号输出端；所述第一三极管的发射极作为栅极驱动电路的电源输入端连接供电电路的第一路正极输出端，第二三极管的发射极作为栅极驱动电路电源输出端连接供电电路的负极输出端。
6.根据权利要求5所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述功率控制电路包括第六二极管至第九二极管构成的第二整流桥与第一MOS管，所述第六二极管和第七二极管的中点连接交流市电端口，第八二极管和第九二极管的中点与单相负载连接，第六二极管和第八二极管的中点连接第一MOS管的漏极，第七二极管和第九二极管的中点与第一MOS管的源极相连作为功率控制电路的信号输出端连接供电电路的负极输出端，第一MOS管的栅极作为功率控制电路的信号输入端与栅极驱动电路的信号输出端相连。
7.根据权利要求5所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述功率控制电路包括第六二极管至第九二极管构成的第二整流桥与第一IGBT管，所述第六二极管和第七二极管的中点连接交流市电端口，第八二极管和第九二极管的中点与单相负载连接，第六二极管和第八二极管的中点连接第一IGBT管的集电极，第七二极管和第九二极管的中点与第一IGBT管的发射极相连作为功率控制电路的信号输出端连接供电电路的负极输出端，第一IGBT管的栅极作为功率控制电路的信号输入端与栅极驱动电路的信号输出端相连。
8.根据权利要求1至3、5至7中任意一项所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述单相负载包括白炽灯、电动机、电阻丝和LED灯组。
9.根据权利要求4所述的一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，其特征在于：所述单相负载包括白炽灯、电动机、电阻丝和LED灯组。
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