CN102843844B - 一种led控制电路及led照明装置 - Google Patents

Abstract

本发明属于LED控制领域，提供了一种LED控制电路及LED照明装置。本发明通过在LED控制电路中采用开关管、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块、二极管D1、相位采样保持模块、电流整形模块及脉冲发生模块，由脉冲发生模块根据开关管的输出端电压控制分压采样模块的工作状态，并由分压采样模块和电流整形模块分别对整流桥的输出直流电进行交流电压同相采样和对电感L1第一端的输入电压进行采样后，通过相位采样保持模块输出采样保持电压信号和电流整形模块输出过零比较信号与峰值比较信号驱动脉冲发生模块相应地输出具有特定占空比的脉冲信号以控制开关管的开关状态，从而使电路结构更加小型化，易于集成，提高了功率因数，且对LED负载实现了恒流驱动。

Description

一种LED控制电路及LED照明装置

技术领域

本发明属于LED控制领域，尤其涉及一种LED控制电路及LED照明装置。

背景技术

LED作为一种新型光源，因其具备亮度高、功耗小且寿命长的优点而被广泛应用于各个领域。随着LED照明技术的发展，对于LED控制电路的要求也越来越高，如电路尺寸大小、电压转换效率、功率因数及输出电流等，都有严格的要求。而出于目前全球主导的环保节能概念，LED控制电路中都需要配备相应的功率因数校正电路以满足节能需求。因此，现有技术是通过在传统的电源转换电路的基础上增加相应的无源功率因数校正电路以满足上述对LED控制电路的各项要求，然而由于无源功率因数校正电路的电路结构复杂且成本高，不利于提升LED控制电路的集成度和小型化。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED控制电路，旨在解决现有的LED控制电路所存在的电路结构复杂、成本高而导致不利于提升LED控制电路的集成度和小型化的问题。

本发明是这样实现的，一种LED控制电路，与交流电源及LED负载连接，包括整流桥、电感L1和电容C3，所述电感L1的第二端与所述电容C3的第一端相连接，所述电感L1的第二端输出驱动电流至所述LED负载；其特征在于，所述LED控制电路还包括：

开关管、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块、二极管D1、相位采样保持模块、电流整形模块及脉冲发生模块；

所述开关管的输入端与所述分压采样模块的输入端共接于所述整流桥的输出端，所述开关管的输出端与所述电容C1的第一端共接于所述采样电阻R1的第一端，所述电流整形模块的过零电压采样端和输出电压采样端分别连接所述采样电阻R1的第一端和第二端，且所述采样电阻R1的第一端为信号参考地，所述采样电阻R1的第二端与所述电感L1的第一端相连接，所述电流整形模块的过零比较信号输出端和峰值比较信号输出端分别与所述脉冲发生模块的过零比较信号端和峰值比较信号端连接，所述脉冲发生模块的电源端和脉冲输出端分别连接所述电容C1的第二端和所述开关管的控制端，所述脉冲发生模块的采样控制信号输出端接所述相位采样保持模块的采样控制信号输入端，所述相位采样保持模块的交流信号输入端连接所述分压采样模块的输出端，所述相位采样保持模块的输出端同时连接所述电流整形模块的采样保持电压输入端及脉冲发生模块的交流电压信号输入端，所述二极管D1的阳极与所述LED负载的输出端、所述整流桥的接地端及所述电容C3的第二端共接于电源参考地，且所述二极管D1的阴极同时与所述分压采样模块的接地端及所述信号参考地连接；

所述脉冲发生模块根据电流整形模块所输出的过零比较信号生成采样控制信号以控制所述相位采样保持模块在所述开关管的输出端的电压为零时开始对所述分压采样模块所输出的采样电压信号进行采样，所述相位采样保持模块根据所述采样电压信号分别输出采样保持电压信号至所述脉冲发生模块和所述电流整形模块，所述电流整形模块根据所述采样电阻R1的第二端的电压及所述采样保持电压信号输出峰值比较信号至所述脉冲发生模块，所述脉冲发生模块根据所述采样保持电压信号和所述峰值比较信号输出具有特定占空比的脉冲信号控制所述开关管的关断。

本发明的另一目的还在于提供一种包括所述LED控制电路的LED照明装置。

在本发明中，通过在LED控制电路中采用所述开关管、所述电容C1、所述采样电阻R1、所述分压采样模块、所述二极管D1、所述相位采样保持模块、所述电流整形模块及所述脉冲发生模块，由所述脉冲发生模块根据所述开关管的输出端电压控制所述分压采样模块的工作状态，并由所述分压采样模块和所述电流整形模块分别对所述整流桥的输出直流电进行交流电压同相采样和对所述电感L1的第一端的输入电压进行采样后，通过所述相位采样保持模块输出采样保持电压信号和所述电流整形模块输出峰值比较信号驱动所述脉冲发生模块相应地输出具有特定占空比的脉冲信号以控制所述开关管的开关状态，从而使LED控制电路的结构更加小型化，易于集成，并同时提高了功率因数和电压转换效率，且在宽电压范围内对LED负载实现了恒流驱动。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的LED控制电路的模块结构图；

图2是本发明实施例所提供的LED控制电路的示例电路结构图；

图3是本发明实施例所提供的LED控制电路的功率因数校正原理中所涉及的信号波形图；

图4是本发明实施例所提供的LED控制电路的恒流驱动原理中所涉及的信号波形图.

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明实施例中，通过在LED控制电路中采用开关管、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块、二极管D1、相位采样保持模块、电流整形模块及脉冲发生模块，由脉冲发生模块根据开关管的输出端电压控制分压采样模块的工作状态，并由分压采样模块和电流整形模块分别对整流桥的输出直流电进行交流电压同相采样和对电感L1的第一端的输入电压进行采样后，通过相位采样保持模块输出采样保持电压信号和电流整形模块输出过零比较信号与峰值比较信号驱动脉冲发生模块相应地输出具有特定占空比的脉冲信号以控制开关管的开关状态，从而使LED控制电路的结构更加小型化，易于集成，并同时提高了功率因数和电压转换效率，且在宽电压范围内对LED负载实现了恒流驱动。

图1示出了本发明实施例所提供的LED控制电路的模块结构，为了便于说明，仅示出了与本发明相关的部分，详述如下：

LED控制电路100与交流电源200及LED负载300连接，包括整流桥BD和电感L1和电容C3，电感L1的第二端与电容C3的第一端相连接，电感L1的第二端输出驱动电流至LED负载300。

LED控制电路100还包括：

开关管101、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块102、二极管D1、相位采样保持模块103、电流整形模块104及脉冲发生模块105；

开关管101的输入端与分压采样模块102的输入端共接于整流桥BD的输出端，开关管101的输出端与电容C1的第一端共接于采样电阻R1的第一端，电流整形模块104的过零电压采样端和输出电压采样端分别连接采样电阻R1的第一端和第二端，采样电阻R1的第一端为信号参考地，采样电阻R1的第二端与电感L1的第一端相连接，电流整形模块104的过零比较信号输出端和峰值比较信号输出端分别与脉冲发生模块105的过零比较信号端和峰值比较信号端连接，脉冲发生模块105的电源端和脉冲输出端分别连接电容C1的第二端和开关管101的控制端，脉冲发生模块105的采样控制信号输出端接相位采样保持模块103的采样控制信号输入端，相位采样保持模块103的交流信号输入端连接分压采样模块102的输出端，相位采样保持模块103的输出端同时连接电流整形模块104的采样保持电压输入端及脉冲发生模块105的交流电压信号输入端，二极管D1的阳极与LED负载300的输出端、整流桥BD的接地端及电容C3的第二端共接于电源参考地，且二极管D1的阴极同时与分压采样模块102的接地端及信号参考地连接；

脉冲发生模块105根据电流整形模块104所输出的过零比较信号生成采样控制信号以控制相位采样保持模块103在所述开关管101的输出端的电压为零时开始对分压采样模块102所输出的采样电压信号进行采样，相位采样保持模块103根据所述采样电压信号分别输出采样保持电压信号至脉冲发生模块105和电流整形模块104，电流整形模块104根据采样电阻R1的第二端的电压及所述采样保持电压信号输出峰值比较信号至脉冲发生模块105，脉冲发生模块105根据所述采样保持电压信号和所述峰值比较信号输出具有特定占空比的脉冲信号控制开关管101的关断。

在本发明实施例中，整流桥BD的第一输入端和第二输入端分别接交流电源的正半周信号输出端和负半周信号输出端，整流桥BD用于将交流电转换为直流电；电感L1与电容C3组合起来用于从开关管101的输出端获取驱动电流，并对该驱动电流进行滤波后输出至LED负载。

图2示出了本发明实施例所提供的LED控制电路的示例电路结构，为了便于说明，仅示出了与本发明相关的部分，详述如下：

作为本发明一优选实施例，开关管101为NMOS管Q1，NMOS管Q1的漏极、源极和栅极分别为开关管101的输入端、输出端和控制端。在本发明其他实施例中，开关管101还可以为PMOS管、三极管、场效应管以及其他具备开关特性的半导体开关器件。

作为本发明一优选实施例，分压采样模块102包括电阻R2和电阻R3，电阻R2的第一端为分压采样模块102的输入端，电阻R2的第二端与电阻R3的第一端共接形成分压采样模块102的输出端，电阻R3的第二端为分压采样模块102的接地端。

作为本发明一优选实施例，相位采样保持模块103包括：

NMOS管Q2、缓冲器U1、电容C2、电阻R4、运算放大器U2、电阻R5、NPN型三极管Q3及运算放大器U3；

NMOS管Q2的漏极和缓冲器U1的输入端分别为相位采样保持模块103的交流信号输入端和采样控制信号输入端，缓冲器U1的输出端接NMOS管Q2的栅极，NMOS管Q2的源极接运算放大器U2的同相输入端，电容C2和电阻R4均连接于NMOS管Q2的源极与信号参考地之间，运算放大器U2的正电源端和负电源端分别接+5V直流电源和信号参考地，运算放大器U2的反相输入端与输出端共接于电阻R5的第一端，电阻R5的第二端与NPN型三极管Q3的集电极共接于运算放大器U3的同相输入端，NPN型三极管Q3的基极与运算放大器U3的反相输入端和负电源端均接信号参考地，运算放大器U3的正电源端接+5V直流电源，且运算放大器U3的输出端与NPN型三极管Q3的发射极共接形成相位采样保持模块103的输出端。

作为本发明一优选实施例，电流整形模块104包括：

比较器U4、NMOS管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、比较器U5及比较器U6；

比较器U4的同相输入端为电流整形模块104的过零电压采样端，比较器U4的输出端接NMOS管Q4的栅极，NMOS管Q4的漏极和源极分别接+5V直流电源和电阻R6的第一端，电阻R6的第二端与电阻R7的第一端共接于比较器U5的反相输入端，电阻R7的第二端与电阻R8的第一端共接于比较器U4的反相输入端，电阻R8的第二端为电流整形模块104的输出电压采样端，比较器U5的同相输入端接比较器U4的同相输入端，比较器U5的输出端为电流整形模块104的过零比较信号输出端，比较器U6的同相输入端连接比较器U5的反相输入端，比较器U6的反相输入端和输出端分别为电流整形模块104的采样保持电压输入端和峰值比较信号输出端。

作为本发明一优选实施例，脉冲发生模块105包括：

比较器U7、缓冲器U8、与门U9、RS触发器RS1、二极管D2、反相器U10、NMOS管Q5、NMOS管Q6、延时电路1051、反相器U11以及与门U12；

比较器U7的同相输入端和缓冲器U8的输入端分别为脉冲发生模块105的交流电压信号输入端和过零比较信号端，比较器U7的反相输入端接信号参考地，与门U9的第一输入端接比较器U7的输出端，与门U9的第二输入端为脉冲发生模块105的峰值比较信号端，缓冲器U8的输出端和与门U9的输出端分别连接RS触发器RS1的第一输入端S和第二输入端R，RS触发器RS1的同相输出端Q同时连接反相器U10的输入端、NMOS管Q5的栅极、与门U12的第一输入端及延时电路1051的输入端，二极管D2的阴极连接NMOS管Q5的栅极，RS触发器RS1的反相输出端空接，二极管D2的阳极接信号参考地，NMOS管Q5的漏极为脉冲发生模块105的电源端，NMOS管Q5的源极与NMOS管Q6的漏极共接形成脉冲发生模块105的脉冲输出端，NMOS管Q6的栅极和源极分别连接反相器U10的输出端和信号参考地，延时电路1051的输出端连接反相器U11的输入端，反相器U11的输出端接与门U12的第二输入端，与门U12的输出端为脉冲发生模块105的采样控制信号输出端。其中，延时电路1051是由偶数个反相器串联构成的延时器。

以下结合工作原理对上述的LED控制电路100作进一步说明：

当交流电源（输出电压为85V~265V）输出交流电Vac至整流桥BD，由整流桥BD对Vac进行全波整流并输出与Vac同相位的直流电Vin至NMOS管Q1的漏极，且电阻R2和电阻R3对Vin进行分压采样后输出一个与前述交流电同相位的采样电压信号Vs至NMOS管Q2的漏极，与门12会输出一采样控制信号CTR至缓冲器U1的输出端以控制NMOS管Q2的开关状态，然后由相位采样保持模块103根据CTR对采样电压信号Vs进行相位采样并输出一采样保持电压信号Vkp至比较器U6的反相输入端和比较器U7的同相输入端。与此同时，由比较器U4、NMOS管Q4、电阻R6、电阻R7及电阻R8组成的电流倒相整形电路对电阻R1的第二端的电压进行相位倒转和整形处理后输出一倒相整形电压信号Vp至比较器U5的反相输入端和比较器U6的同相输入端，然后由比较器U5将电阻R1的第一端的电压与Vp进行过零比较后输出一过零比较电压信号Vz至缓冲器U8的输入端，且比较器U6同时将Vp和Vkp进行比较以输出一峰值比较电压信号Vf至与门U9的第二输入端，则脉冲发生模块105根据Vkp、Vz及Vf调整与门12所输出的CTR，并从NMOS管Q5的源极与NMOS管Q6的漏极的共接点输出一具有特定占空比的脉冲信号S控制NMOS管Q1的开关状态，进而使NMOS管Q1的平均电流的相位和幅值跟随整流桥BD的输出脉动直流电Vin的电压变化而变化，从而实现了提高功率因数。

对于上述提高功率因数部分，详述如下：

整流桥BD所输出的直流电Vin（其电流Iin的波形和电压Uin的波形如图3所示）进入由NMOS管Q1、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块102、二极管D1、相位采样保持模块103、电流整形模块104、脉冲发生模块105及电感L1组成的降压式变换电路，则由电流整形模块104对采样电阻R1的第二端的电压CS进行峰值比较后，经脉冲发生模块105的脉冲输出端输出的脉冲信号S（其脉冲波形Ug如图3所示）控制NMOS管Q1的导通时间和关断时间。当CS的电压峰值达到设定最高值时，脉冲信号S为‘0’，NMOS管Q1关断；当CS的电压峰值为0V时，脉冲信号S为‘1’，NMOS管Q1导通，以此类推，形成一个临界导通模式。在此过程中，流过电感L1的电流从0上升到最高值，然后再降低至0（如图3所示的IL）；NMOS管Q1的导通电流Im的波形如图3所示，图3中的虚线部分为Im的平均电流波形。因此，结合图3可知，电感L1的电流波形是一直跟随直流电Vin的电压波形的变化而同步变化的（包括相位和幅值），如此所实现的功率因数可达到0.9以上。

对于前述对LED负载实现恒流驱动部分，详述如下：

根据降压式变换电路的工作原理和临界导通模式，得到输出电流与电感L1的峰值电流及系统效率的关系如下式所示：

$\mathrm{Iout}=\frac{1}{2}\·I_{L-\mathrm{pri}}\·\mathrm{\η}$

其中，I_L-pri为流过电感L1的峰值电流，η是LED控制电路的系统效率。

从上式可知，只要保证每个交流周期内通过电感L1的峰值电流保持一致，那么在多个交流周期的输出平均电流即可保持恒定。如图4所示，NMOS管Q1的漏极电压Uin（即整流桥BD的输出直流电Vin的电压Uin）的波形与交流电源200输出的交流电压同相，IL是流过电感L1的电流波形（虚线部分为IL的平均电流波形），Iout为电感L1的第二端的输出电流的波形，因此，输出电流的大小是由流过电感L1的电流决定的。为了达到控制输出电流的目的，就需要对流过电感L1的电流进行控制，而此处电流是由采样电阻R1控制的。首先采样电阻R1对流过电感L1的电流进行采样以得到相应的采样电压，该采样电压通过电流整形模块104进行倒相并整形后，所获得的倒相整形电压信号Vp与采样电阻R1的两端电压成Y轴镜像关系。倒相整形电压信号Vp分别进入比较器U5和比较器U6，并得到过零比较电压信号Vz和峰值比较电压信号Vf，与此同时，由电容C2、电阻R4和运算放大器U2组成的采样保持电路对采样电压信号Vs进行相位采样保持，并由电阻R5、运算放大器U3和NPN型三极管Q3构成的限幅电路对所得到的采样信号进行幅度限制（此处进行限幅主要是为了得到交流电压的相位信号，避免交流电压的变化对电感L1的峰值电流的影响），并输出采样保持电压信号Vkp至比较器U6和脉冲发生模块105中，最后由脉冲发生模块105根据Vkp、Vz及Vf生成脉冲信号S和采样控制信号CTR，而NMOS管Q1的导通和关断使得电感L1工作于临界模式，如此周而复始，便能实现了对电感L1的输入端电压的阈值控制，从而达到了恒流驱动LED负载的目的。

在本发明实施例中，开关管101、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块102、相位采样保持模块103、电流整形模块104及脉冲发生模块105可集成于一芯片中，且通过采用对整流桥BD的输出直流电进行虚地交流信号相位采样方式（即通过接信号参考地的方式），避免了采用成本较高的实地相位采样方式，从而降低了电路成本。

此外，开关管101、分压采样模块102、相位采样保持模块103、电流整形模块104及脉冲发生模块105可集成作为一个控制开关，或者分压采样模块102、相位采样保持模块103、电流整形模块104及脉冲发生模块105集成作为一个控制器，两者均可有效地提高LED控制电路的集成度，增强LED控制电路的可靠性和稳定性，并进一步简化电路结构，使整个LED控制电路更加小型化以适应不同尺寸的模具设计。

本发明实施例的另一目的还在于提供一种包括上述LED控制电路的LED照明装置。

在本发明实施例中，通过在LED控制电路中采用开关管、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块、二极管D1、相位采样保持模块、电流整形模块及脉冲发生模块，由脉冲发生模块根据开关管的输出端电压控制分压采样模块的工作状态，并由分压采样模块和电流整形模块分别对整流桥的输出脉动直流电进行交流电压同相采样和对电感L1的第一端的输入电压进行采样后，通过相位采样保持模块输出采样保持电压信号和电流整形模块输出过零比较信号与峰值比较信号驱动脉冲发生模块相应地输出具有特定占空比的脉冲信号以控制开关管的开关状态，从而使LED控制电路的结构更加小型化，易于集成，并同时提高了功率因数和电压转换效率，且在宽电压范围内对LED负载实现了恒流驱动。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种LED控制电路，与交流电源及LED负载连接，包括整流桥、电感L1和电容C3，所述电感L1的第二端与所述电容C3的第一端相连接，所述电感L1的第二端输出驱动电流至所述LED负载；其特征在于，所述LED控制电路还包括：

开关管、电容C1、采样电阻R1、分压采样模块、二极管D1、相位采样保持模块、电流整形模块及脉冲发生模块；

所述开关管的输入端与所述分压采样模块的输入端共接于所述整流桥的输出端，所述开关管的输出端与所述电容C1的第一端共接于所述采样电阻R1的第一端，所述电流整形模块的过零电压采样端和输出电压采样端分别连接所述采样电阻R1的第一端和第二端，且所述采样电阻R1的第一端为信号参考地，所述采样电阻R1的第二端与所述电感L1的第一端相连接，所述电流整形模块的过零比较信号输出端和峰值比较信号输出端分别与所述脉冲发生模块的过零比较信号端和峰值比较信号端连接，所述脉冲发生模块的电源端和脉冲输出端分别连接所述电容C1的第二端和所述开关管的控制端，所述脉冲发生模块的采样控制信号输出端接所述相位采样保持模块的采样控制信号输入端，所述相位采样保持模块的交流信号输入端连接所述分压采样模块的输出端，所述相位采样保持模块的输出端同时连接所述电流整形模块的采样保持电压输入端及脉冲发生模块的交流电压信号输入端，所述二极管D1的阳极与所述LED负载的输出端、所述整流桥的接地端及所述电容C3的第二端共接于电源参考地，且所述二极管D1的阴极同时与所述分压采样模块的接地端及所述信号参考地连接；

所述脉冲发生模块根据电流整形模块所输出的过零比较信号生成采样控制信号以控制所述相位采样保持模块在所述开关管的输出端的电压为零时开始对所述分压采样模块所输出的采样电压信号进行采样，所述相位采样保持模块根据所述采样电压信号分别输出采样保持电压信号至所述脉冲发生模块和所述电流整形模块，所述电流整形模块根据所述采样电阻R1的第二端的电压及所述采样保持电压信号输出峰值比较信号至所述脉冲发生模块，所述脉冲发生模块根据所述采样保持电压信号和所述峰值比较信号输出具有特定占空比的脉冲信号控制所述开关管的关断；

所述脉冲发生模块包括：

比较器U7、缓冲器U8、与门U9、RS触发器RS1、二极管D2、反相器U10、NMOS管Q5、NMOS管Q6、延时电路、反相器U11以及与门U12；

所述比较器U7的同相输入端和所述缓冲器U8的输入端分别为所述脉冲发生模块的交流电压信号输入端和过零比较信号端，所述比较器U7的反相输入端接所述信号参考地，所述与门U9的第一输入端接所述比较器U7的输出端，所述与门U9的第二输入端为所述脉冲发生模块的峰值比较信号端，所述缓冲器U8的输出端和所述与门U9的输出端分别连接所述RS触发器的第一输入端和第二输入端，所述RS触发器的同相输出端同时连接所述反相器U10的输入端、所述NMOS管Q5的栅极、所述与门U12的第一输入端及所述延时电路的输入端，所述RS触发器的反相输出端空接，所述二极管D2的阴极连接所述NMOS管Q5的栅极，所述二极管D2的阳极接所述信号参考地，所述NMOS管Q5的漏极为所述脉冲发生模块的电源端，所述NMOS管Q5的源极与所述NMOS管Q6的漏极共接形成所述脉冲发生模块的脉冲输出端，所述NMOS管Q6的栅极和源极分别连接所述反相器U10的输出端和所述信号参考地，所述延时电路的输出端连接所述反相器U11的输入端，所述反相器U11的输出端接所述与门U12的第二输入端，所述与门U12的输出端为所述脉冲发生模块的采样控制信号输出端。

2.如权利要求1所述的LED控制电路，其特征在于，所述开关管为NMOS管Q1，所述NMOS管Q1的漏极、源极和栅极分别为所述开关管的输入端、输出端和控制端。

3.如权利要求1所述的LED控制电路，其特征在于，所述分压采样模块包括电阻R2和电阻R3，所述电阻R2的第一端为所述分压采样模块的输入端，所述电阻R2的第二端与所述电阻R3的第一端共接形成所述分压采样模块的输出端，所述电阻R3的第二端为所述分压采样模块的接地端。

4.如权利要求1所述的LED控制电路，其特征在于，所述相位采样保持模块包括：

NMOS管Q2、缓冲器U1、电容C2、电阻R4、运算放大器U2、电阻R5、NPN型三极管Q3及运算放大器U3；

所述NMOS管Q2的漏极和所述缓冲器U1的输入端分别为所述相位采样保持模块的交流信号输入端和采样控制信号输入端，所述缓冲器U1的输出端接所述NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2的源极接所述运算放大器U2的同相输入端，所述电容C2和所述电阻R4均连接于所述NMOS管Q2的源极与所述信号参考地之间，所述运算放大器U2的正电源端和负电源端分别接+5V直流电源和所述信号参考地，所述运算放大器U2的反相输入端与输出端共接于所述电阻R5的第一端，所述电阻R5的第二端与所述NPN型三极管Q3的集电极共接于所述运算放大器U3的同相输入端，所述NPN型三极管Q3的基极与所述运算放大器U3的反相输入端和负电源端均接所述信号参考地，所述运算放大器U3的正电源端接+5V直流电源，且所述运算放大器U3的输出端与所述NPN型三极管Q3的发射极共接形成所述相位采样保持模块的输出端。

5.如权利要求1所述的LED控制电路，其特征在于，所述电流整形模块包括：

比较器U4、NMOS管Q4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、比较器U5及比较器U6；

所述比较器U4的同相输入端为所述电流整形模块的过零电压采样端，所述比较器U4的输出端接所述NMOS管Q4的栅极，所述NMOS管Q4的漏极和源极分别接+5V直流电源和所述电阻R6的第一端，所述电阻R6的第二端与所述电阻R7的第一端共接于所述比较器U5的反相输入端，所述电阻R7的第二端与所述电阻R8的第一端共接于所述比较器U4的反相输入端，所述电阻R8的第二端为所述电流整形模块的输出电压采样端，所述比较器U5的同相输入端接所述比较器U4的同相输入端，所述比较器U5的输出端为所述电流整形模块的过零比较信号输出端，所述比较器U6的同相输入端连接所述比较器U5的反相输入端，所述比较器U6的反相输入端和输出端分别为所述电流整形模块的采样保持电压输入端和峰值比较信号输出端。

6.一种LED照明装置，其特征在于，所述LED照明装置包括如权利要求1至5任一项所述的LED控制电路。