CN110061413A - 带有折叠腔的自倍频晶体、激光发生装置及激光器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种带有折叠腔的自倍频晶体、激光发生装置及激光器,涉及自倍频晶体激光设备技术领域,自倍频晶体包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴和第二轴,第一轴延伸方向为泵浦光吸收最强方向,第二轴延伸方向为倍频转换效率最高方向;自倍频晶体包括入射面、内反射面和出射面,入射面镀有第一膜,第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;出射面镀有第二膜,第二膜能够反射基频光,以及透射倍频光;内反射面镀有第三膜,第三膜能够反射基频光和倍频光;入射面位于第一轴上,内反射面位于第二轴上,且内反射面垂直于第二轴,出射面位于第一轴和第二轴的交点,以使沿第一轴射入的基频光能够被出射面沿第二轴方向反射至内反射面。
Description
技术领域
本发明涉及自倍频晶体激光设备技术领域,尤其是涉及一种带有折叠腔的自倍频晶体、激光发生装置及激光器。
背景技术
激光二极管泵浦固体激光器具有效率高、光束质量好、寿命长、结构紧凑、重复频率高等优点而得到广泛应用。
现有的激光二极管泵浦固体激光器中设置有折叠腔,折叠腔通过多个晶体形成,折叠腔能有效提高倍频效率,且基频光与倍频光分开,减少激光增益介质对倍频光的吸收,有效改善光束质量、提高寿命。
但现有的折叠腔一般都为分离腔,是通过多个晶体组成形成的,结构复杂,体积较大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带有折叠腔的自倍频晶体、激光发生装置及激光器,以缓解了现有的带有折叠腔的激光器的结构复杂、体积大的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供的一种带有折叠腔的自倍频晶体,所述自倍频晶体包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴和第二轴,所述第一轴延伸方向为泵浦光吸收最强方向,所述第二轴延伸方向为倍频转换效率最高方向;
所述自倍频晶体包括入射面、内反射面和出射面,所述入射面镀有第一膜,所述第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;所述出射面镀有第二膜,所述第二膜能够反射基频光,以及透射倍频光;所述内反射面镀有第三膜,所述第三膜能够反射基频光和倍频光;
所述入射面位于所述第一轴上,所述内反射面位于所述第二轴上,且所述内反射面垂直于所述第二轴,所述出射面位于所述第一轴和第二轴的交点,以使沿第一轴射入的基频光能够被所述出射面沿第二轴方向反射至内反射面。
进一步的,所述入射面垂直于所述第一轴。
进一步的,所述出射面上的第二膜和第三膜能够反射泵浦光。
进一步的,所述自倍频晶体为片状。
进一步的,所述自倍频晶体的基模束腰位置位于所述第二轴延伸方向中心位置。
进一步的,所述自倍频晶体基质材料为GdCOB或YCOB,且掺杂离子为Nd和Yb中的一种。
第二方面,本发明实施例提供的一种激光发生装置,包括泵浦光源和上述的带有折叠腔的自倍频晶体,所述泵浦光源朝向所述自倍频晶体的入光面。
进一步的,所述泵浦光源发出的泵浦光沿所述第一轴射入所述自倍频晶体内。
进一步的,所述泵浦光源包括激光二极管和耦合单元,所述耦合单元用于将所述激光二极管发出的光耦合后发送至所述自倍频晶体的入射面。
第三方面,本发明实施例提供的一种激光器,包括上述的激光发生装置。
有益效果:
本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体,所述自倍频晶体包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴和第二轴,所述第一轴延伸方向为泵浦光吸收最强方向,所述第二轴延伸方向为倍频转换效率最高方向,也就是说,当泵浦光沿着第一轴方向运动时,泵浦光被吸收转化为基频光的效率最高,当基频光沿着第二轴方向运动时,基频光转化为倍频光的效率最高;所述自倍频晶体包括入射面、内反射面和出射面,所述入射面镀有第一膜,所述第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;所述出射面镀有第二膜,所述第二膜能够反射基频光,以及透射倍频光;所述内反射面镀有第三膜,所述第三膜能够反射基频光和倍频光;所述入射面位于所述第一轴上,所述内反射面位于所述第二轴上,且所述内反射面垂直于所述第二轴,所述出射面位于所述第一轴和第二轴的交点,以使沿第一轴射入的基频光能够被所述出射面沿第二轴方向反射至内反射面。由入射面射入到自倍频晶体内的泵浦光可以顺着第一轴的方向射向出射面,并在行进时,泵浦光可以转变为基频光,因为出射面上的第二膜能够反射基频光,所以,被反射的基频光能够沿着第二轴的方向射入到内反射面上,因为内反射面上的第三膜能够反射基频光,并且内反射面与第二轴垂直,所以,沿着第二轴入射到内反射面上的基频光能够被内反射面原路反射,多次反复后,基频光在内反射面和出射面之间振荡形成倍频光,倍频光从出射面射出。通过对一块完整的自倍频晶体进行加工以形成的本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体,实现在一个自倍频晶体内可以实现泵浦光吸收最强和倍频光转化效率最好的效果。其不仅具有折叠腔的多种优点,而且结构更加简单,体积更小,拓宽了自倍频晶体的使用领域。
本发明实施例提供的激光发生装置,包括泵浦光源和上述的带有折叠腔的自倍频晶体,所述泵浦光源朝向所述自倍频晶体的入光面。因为本发明实施例提供的激光发生装置引用了上述的带有折叠腔的自倍频晶体,所以,本发明实施例提供的激光发生装置也具备带有折叠腔的自倍频晶体的优点。通过对一块完整的自倍频晶体进行加工以形成的带有折叠腔的自倍频晶体,实现在一个自倍频晶体内可以实现泵浦光吸收最强和倍频光转化效率最好的效果。其不仅具有折叠腔的多种优点,而且结构更加简单,体积更小,拓宽了激光发生装置的使用领域。
本发明实施例提供的激光器,包括上述的激光发生装置。因为本发明实施例提供的激光器引用了上述的激光发生装置,所以,本发明实施例提供的激光器也具备激光发生装置的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的自倍频晶体的示意图;
图2为本发明实施例提供的激光发生装置的示意图。
图标:100-激光二极管;200-耦合单元;300-自倍频晶体;310-入射面;320-出射面;330-内反射面;410-第一轴;420-第二轴。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体300,所述自倍频晶体300包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴410和第二轴420,所述第一轴410延伸方向为泵浦光吸收最强方向,所述第二轴420延伸方向为倍频转换效率最高方向,也就是说,当泵浦光沿着第一轴410方向运动时,泵浦光被吸收转化为基频光的效率最高,当基频光沿着第二轴420方向运动时,基频光转化为倍频光的效率最高。所述自倍频晶体300包括入射面310、内反射面330和出射面320,所述入射面310镀有第一膜,所述第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;所述出射面320镀有第二膜,所述第二膜能够反射基频光,以及透射倍频光;所述内反射面330镀有第三膜,所述第三膜能够反射基频光和倍频光;所述入射面310位于所述第一轴410上,所述内反射面330位于所述第二轴420上,且所述内反射面垂直于所述第二轴420,所述出射面320位于所述第一轴410和第二轴420的交点,以使沿第一轴410射入的基频光能够被所述出射面320沿第二轴420方向反射至内反射面330。
由入射面310射入到自倍频晶体300内的泵浦光可以顺着第一轴410的方向射向出射面320,并在行进时,泵浦光可以转变为基频光,因为出射面320上的第二膜能够反射基频光,所以,被反射的基频光能够沿着第二轴420的方向射入到内反射面330上,因为内反射面330上的第三膜能够反射基频光,并且内反射面330与第二轴420垂直,所以,沿着第二轴420入射到内反射面330上的基频光能够被内反射面330原路反射,多次反复后,基频光在内反射面330和出射面320之间振荡形成倍频光,倍频光从出射面320射出。
通过对一块完整的自倍频晶体300进行加工以形成的本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体300,实现在一个自倍频晶体300内可以实现泵浦光吸收最强和倍频光转化效率最好的效果。其不仅具有折叠腔的多种优点,而且结构更加简单,体积更小,拓宽了自倍频晶体300的使用领域。
GdCOB为硼酸氧钙钆的通用简称,其具体化学式为GdCa4O(BO3)3,YCOB为硼酸氧钙钇的通用简称,其具体化学式为YCa4O(BO3)3。
具体的,当自倍频晶体300为Nd:GdCOB晶体时;其中之一种镀膜方式可以为,第一膜可以为808nm高透过率(>95%),1060nm高反射率(>99.9%),和530nm高反射率的介质膜;第二膜可以为808nm高反射率,1060nm高反射率,530nm高透过率介质膜。第三膜可以为808nm高反射率、1060nm高反射率,530nm高反射率的介质膜。
通过在自倍频晶体300内加工出折叠腔,可以提高第一轴410方向基模模体积,增大泵浦光有效吸收。
入射面310和内反射面330均为平面,出射面320可以为曲面,入射面310和内反射面330位于自倍频晶体300的一侧,出射面320为自倍频晶体300的另一侧,入射面310和内反射面330均倾斜地朝向出射面320。
通过对自倍频晶体300进行切割加工得到本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体300,其中,入射面310、内反射面330和出射面320为加工面。自倍频晶体300的其他面不做限制。
所述入射面310垂直于所述第一轴410,方便泵浦光源的对焦,以使入射光沿第一轴410延伸方向射入。
进一步的,所述出射面320上的第二膜和第三膜能够反射泵浦光。
为了增加泵浦光的利用率,减少泵浦光源从出射面320射出影响出射光的品质,选取现有技术中的膜,以实现出射面320上的第二膜不仅能够反射基频光,以及透射倍频光,还可以反射泵浦光,以将泵浦光限制在自倍频晶体300内。
为了增加自倍频晶体300的散热能力,所述自倍频晶体300为片状,第一轴410和第二轴420形成的平面与自倍频晶体300的上、下侧面平行,较窄的自倍频晶体300与外界的接触面积增加,散热能力增加。
所述自倍频晶体300的基模束腰位置位于所述第二轴420延伸方向中心位置,增大基频光到倍频光的转换效率。
进一步的,所述自倍频晶体300基质材料为Gdcob或Ycob,且掺杂离子为Nd和Yb中的一种,但不限于上述组合。
在本实施例中,所述自倍频晶体300可以为红光自倍频晶体300,所述红光自倍频晶体300为四硼酸铝钇钕(简称NYAB)或掺钕三硼酸钙氧钆(简称Nd:GdCOB)。
所述自倍频晶体300可以为绿光自倍频晶体300,所述绿光自倍频晶体300为NYAB、Nd:GdCOB。
所述自倍频晶体300可以为蓝光自倍频晶体300,所述蓝光自倍频晶体300为Nd:YCOB。
巧妙的利用单一自倍频晶体300设计成折叠腔,即解决了自倍频晶体300输出光斑质量差的问题,又解决了分离式折叠腔结构复杂的问题。拓宽了自倍频晶体300的使用领域。
综上所述,本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体300,所述自倍频晶体300包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴410和第二轴420,所述第一轴410延伸方向为泵浦光吸收最强方向,所述第二轴420延伸方向为倍频转换效率最高方向,也就是说,当泵浦光沿着第一轴410方向运动时,泵浦光被吸收转化为基频光的效率最高,当基频光沿着第二轴420方向运动时,基频光转化为倍频光的效率最高;所述自倍频晶体300包括入射面310、内反射面330和出射面320,所述入射面310镀有第一膜,所述第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;所述出射面320镀有第二膜,所述第二膜能够反射基频光和泵浦光,以及透射倍频光;所述内反射面330镀有第三膜,所述第三膜能够反射基频光、倍频光和泵浦光;所述入射面310位于所述第一轴410上,且入射面310垂直于第一轴410;所述内反射面330位于所述第二轴420上,且所述内反射面垂直于所述第二轴420,所述出射面320位于所述第一轴410和第二轴420的交点,以使沿第一轴410射入的基频光能够被所述出射面320沿第二轴420方向反射至内反射面330。由入射面310射入到自倍频晶体300内的泵浦光可以顺着第一轴410的方向射向出射面320,并在行进时,泵浦光可以转变为基频光,因为出射面320上的第二膜能够反射基频光,所以,被反射的基频光能够沿着第二轴420的方向射入到内反射面330上,因为内反射面330上的第三膜能够反射基频光,并且内反射面330与第二轴420垂直,所以,沿着第二轴420入射到内反射面330上的基频光能够被内反射面330原路反射,多次反复后,基频光在内反射面330和出射面320之间振荡形成倍频光,倍频光从出射面320射出。通过对一块完整的自倍频晶体300进行加工以形成的本发明实施例提供的带有折叠腔的自倍频晶体300,实现在一个自倍频晶体300内可以实现泵浦光吸收最强和倍频光转化效率最好的效果。其不仅具有折叠腔的多种优点,而且结构更加简单,体积更小,拓宽了自倍频晶体300的使用领域。
如图2所示,本发明实施例提供的激光发生装置,包括泵浦光源和上述的带有折叠腔的自倍频晶体300,所述泵浦光源朝向所述自倍频晶体300的入光面。因为本发明实施例提供的激光发生装置引用了上述的带有折叠腔的自倍频晶体300,所以,本发明实施例提供的激光发生装置也具备带有折叠腔的自倍频晶体300的优点。通过对一块完整的自倍频晶体300进行加工以形成的带有折叠腔的自倍频晶体300,实现在一个自倍频晶体300内可以实现泵浦光吸收最强和倍频光转化效率最好的效果。其不仅具有折叠腔的多种优点,而且结构更加简单,体积更小,拓宽了激光发生装置的使用领域。
进一步的,所述泵浦光源发出的泵浦光沿所述第一轴410射入所述自倍频晶体300内。
进一步的,所述泵浦光源包括激光二极管100和耦合单元200,所述耦合单元200用于将所述激光二极管100发出的光耦合后发送至所述自倍频晶体300的入射面310。
激光二极管100可以是C封装、F封装、或者光纤耦合输出等形式。
所述耦合单元200包括耦合镜片。耦合单元200可以为单耦合镜、双耦合镜或者其它形式的组合镜。
本发明实施例提供的激光器,包括上述的激光发生装置。因为本发明实施例提供的激光器引用了上述的激光发生装置,所以,本发明实施例提供的激光器也具备激光发生装置的优点。
整个激光器采用的是泵浦激光二极管100加耦合镜加自倍频晶体300,无需复杂的聚焦系统和谐振腔设计,整体尺寸可以做的很小。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述带有折叠腔的自倍频晶体包括延伸方向不同且彼此交叉的第一轴和第二轴,所述第一轴延伸方向为泵浦光吸收最强方向,所述第二轴延伸方向为倍频转换效率最高方向;
所述带有折叠腔的自倍频晶体包括入射面、内反射面和出射面,所述入射面镀有第一膜,所述第一膜能够透射泵浦光、反射基频光和倍频光;所述出射面镀有第二膜,所述第二膜能够反射基频光,以及透射倍频光;所述内反射面镀有第三膜,所述第三膜能够反射基频光和倍频光;
所述入射面位于所述第一轴上,所述内反射面位于所述第二轴上,且所述内反射面垂直于所述第二轴,所述出射面位于所述第一轴和第二轴的交点,以使沿第一轴射入的基频光能够被所述出射面沿第二轴方向反射至内反射面。
2.根据权利要求1所述的带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述入射面垂直于所述第一轴。
3.根据权利要求1所述的带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述出射面上的第二膜和第三膜能够反射泵浦光。
4.根据权利要求1所述的带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述带有折叠腔的自倍频晶体为片状。
5.根据权利要求1所述的带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述带有折叠腔的自倍频晶体的基模束腰位置位于所述第二轴延伸方向中心位置。
6.根据权利要求1所述的带有折叠腔的自倍频晶体,其特征在于,所述带有折叠腔的自倍频晶体基质材料为GdCOB或YCOB,且掺杂离子为Nd和Yb中的一种。
7.一种激光发生装置,其特征在于,包括泵浦光源和权利要求1-6任意一项所述的带有折叠腔的自倍频晶体,所述泵浦光源朝向所述带有折叠腔的自倍频晶体的入光面。
8.根据权利要求7所述的激光发生装置,其特征在于,所述泵浦光源发出的泵浦光沿所述第一轴射入所述带有折叠腔的自倍频晶体内。
9.根据权利要求7所述的激光发生装置,其特征在于,所述泵浦光源包括激光二极管和耦合单元,所述耦合单元用于将所述激光二极管发出的光耦合后发送至所述带有折叠腔的自倍频晶体的入射面。
10.一种激光器,其特征在于,包括权利要求7-9任意一项所述的激光发生装置。
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- 2019-05-27 CN CN201910450439.7A patent/CN110061413A/zh active Pending
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