CN110055500A - 磁控溅射装置及磁控溅射方法 - Google Patents
磁控溅射装置及磁控溅射方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110055500A CN110055500A CN201910283832.1A CN201910283832A CN110055500A CN 110055500 A CN110055500 A CN 110055500A CN 201910283832 A CN201910283832 A CN 201910283832A CN 110055500 A CN110055500 A CN 110055500A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- distance
- target
- driving member
- interval
- supporting part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 33
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009123 feedback regulation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N norethisterone Chemical compound O=C1CC[C@@H]2[C@H]3CC[C@](C)([C@](CC4)(O)C#C)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 VIKNJXKGJWUCNN-XGXHKTLJSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种磁控溅射装置，包括靶材承载部，其定义有第一位置及第二位置。第一传动件及第二传动件分别设置于靶材承载部的一侧，并分别设有第一控制器及第二控制器。连接模块连接于所述第一传动件，第一控制器用以控制第一传动件于相对于第一位置及第二位置之间往复运动。第二控制器用以控制第二传动件，使第二传动件以相对于靶材承载部的垂直方向进行往复运动。磁极装置连接于第二滑动件，并经由第一滑动件及第二滑动件的带动，而在第一位置及第二位置之间往复运动，用于对靶材的表面产生磁场。
Description
【技术领域】
本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射装置及磁控溅射方法。
【背景技术】
磁控溅射是物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)的一种方法，对于低世代的物理气相沉积设备，一般采用團簇(cluster)类型，即靶材与玻璃固定，磁体设于下方，并通过横向移动对靶材造成溅射等过程，进而完成沉积工艺。由于磁体移动到靶材边缘时，会在起始位置及到达位置有一个加速或减速的过程，因此会在靶材边缘溅射时间过长，导致靶材边缘的区域溅射严重，降低了靶材的使用寿命。
为了解决前述问题，常规的提高基板成膜膜厚均匀性以及靶材消耗均匀性的方案是利用溅镀装置在边缘的停留时间的长短来实现，但是对于Cluster型的PVD镀膜设备，磁体扫描方式为往复运动，不可避免的会在靶材两端有加速和减速的过程，从而造成在靶材两端相对于中间区域靶材消耗更快，从而无法改变磁体在靶材边缘的停留时间来改善靶材消耗的均匀性。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种磁控溅射装置及磁控溅射的方法，其可于物理气相沉积的溅射过程中，维持靶材溅射的均匀性，减少靶材边缘的刻蚀量，从而提高靶材的使用寿命。
为实现上述目的，本发明提供一种磁控溅射装置，设于腔室内，用以制备显示器件的薄膜结构，所述磁控溅射装置包括：靶材承载部，定义有第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；第一传动件，设置于所述靶材承载部的一侧，并间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；第二传动件，设置于所述靶材承载部的该侧，并可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其用以控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及磁极装置，连接于所述第二滑动件，并朝向所述靶材承载部设置，且所述磁极装置经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。
本发明另外提供一种磁控溅射方法，包括：在靶材承载部上定义第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；在所述靶材承载部的一侧设置第一传动件，其间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；提供连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；在所述靶材承载部的该侧设置第二传动件，其可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其中所述第二控制器控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及在所述第二滑动件的一端连接磁极装置，其朝向所述靶材承载部设置，并经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。
依据本发明的一实施例，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间具有第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间具有第二距离，所述第四位置和所述第二位置之间具有第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。
依据本发明的另一实施例，所述磁极装置于所述第一距离的移动速度大于所述第二距离的移动速度，及所述磁极装置于所述第二距离的移动速度大于所述第三距离的移动速度。
依据本发明的另一实施例，所述磁极装置位于所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部具有第一间隔，第二间隔，及第三间隔，其中所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。
依据本发明的另一实施例，所述第一间隔小于所述第二间隔，且所述第二间隔大于所述第三间隔。
依据本发明的另一实施例，所述第一控制器设于所述第一位置或所述第二位置相对所述靶材的外侧，所述第二控制器位于所述连接模块远离所述磁极装置的一侧，且所述第一控制器及所述第二控制器分别包括可编程逻辑控制器。
依据本发明的另一实施例，所述连接模块于所述第一传动件上相对于所述第一位置及所述第二位置之间进行直线往复运动。
本发明的磁控溅射装置通过所述第一传动件及所述第二传动件的配合作动，而使所述磁极装置随着横向扫描的速度而随时改变上下移动速动，进而改变靶磁距的垂直距离。亦即，所述磁极装置(磁体)靠近靶材越近，即是增加磁场，越远即是减小磁场。通过调整靶磁距的大小，用以降低靶材边缘磁场强度，进而补偿磁体在靶材边缘长时间作用导致的靶材边缘溅射严重问题，有效降低在PVD溅射过程中靶材边缘的刻蚀量，并提高靶材的使用寿命。
【附图说明】
图1为根据本发明的一较佳实施例的磁控溅射装置的结构示意图。
图2A为图1的磁控溅射装置的作动示意图。
图2B为图1的磁控溅射装置的另一作动示意图。
图2C为图1的磁控溅射装置的另一作动示意图。
图3为图1的磁控溅射装置设于腔室内的结构示意图。
图4为本发明的的磁控溅射的方法的流程图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
本发明为一种磁控溅射装置，其基于物理气相沉积(physical vapordeposition,PVD)的原理进行镀膜工艺，尤其是用于制备显示器件的薄膜结构。图1为根据本发明的一较佳实施例的磁控溅射装置的结构示意图。图2A为图1的磁控溅射装置的作动示意图。于此实施例中，本发明的磁控溅射装置作用为靶装置。如图1所示，本发明的磁控溅射装置1包括靶材承载部2、第一传动件31、连接模块4、第二传动件51及磁极装置6。所述靶材承载部2为板状，具体而言，为一玻璃基板，并定义有第一位置P1及第二位置P2(如图2A所示)，且所述第一位置P1及所述第二位置P2之间用于承载靶材21。具体而言，如图2A所示，所述第一位置P1及所述第二位置P2之间更定义有第三位置P3及第四位置P4。所述第三位置P3及所述第一位置P1之间具有第一距离D1，所述第三位置P3和所述第四位置P4之间具有第二距离D2，所述第四位置P4和所述第二位置P2之间具有第三距离D3。于此实施例中，所述第一距离D1相同于所述第三距离D3，但并不以此为限。
续请参阅图1，所述第一传动件31设置于所述靶材承载部2的一侧，并间隔于所述靶材承载部2，且所述第一传动件31的一端设有第一控制器32，其中所述第一控制器32包括可编程逻辑控制器(programmable logic controller，PLC)30。于此较佳实施例中，所述第一传动件31以水平方向设置，且平行于所述靶材承载部2。所述连接模块4连接于所述第一传动件31，其中所述第一控制器30用以控制所述第一传动件31于相对于所述第一位置P1及所述第二位置P2之间往复运动。具体而言，第一传动件31相对于所述连接模块4的作用亦为轨道，通过所述第一控制器32的控制，所述第一传动件31枢转，并带动所述连接模块4于所述第一位置P1及所述第二位置P2之间进行直线往复运动。此外，所述第一控制器32设于所述第一位置P1或所述第二位置P2相对所述靶材21的外侧，避免影响到所述连接模块4相对于所述述靶材21位置的移动。
续请参阅图1，所述第二传动件51设置于所述靶材承载部2的该侧，并通过所述连接模块4连接于所述第一传动件31。所述第二传动件51上设有第二控制器52，其用以控制所述第二传动件51，使所述第二传动件51以相对于所述靶材承载部2的垂直方向进行往复运动，其中所述第二控制器52包括可编程逻辑控制器50，并位于所述连接模块4远离所述磁极装置6的一侧。所述第二传动件51的作动方式相同于所述第二传动件31，亦即通过所述第二控制器52的控制，所述第二传动件31转动，并穿越所述连接模块4进行垂直方向的运动。
如图1所示，所述磁极装置6连接于所述第二滑动件51的一端，并朝向所述靶材承载部2设置，其中所述磁极装置6上设有磁体，其可为磁铁，用以对所述靶材21的表面产生磁场。特别说明的是，本发明的磁极装置6可以随着所述第一传动件31及所述第二传动件51的运动，而改变与所述靶材承载部2于垂直方向及水平方向的靶磁距，其中所述靶磁距即为所述磁极装置6和所述靶材21之间的垂直距离。详细地，所述磁极装置6位于所述第一距离D1、所述第二距离D2及所述第三距离D3时，分别与所述靶材承载部2具有第一间隔H1，第二间隔H2，及第三间隔H3，其中所述第二间隔H2不同于所述第一间隔H1及所述第三间隔H3。于此实施例中，所述第一间隔H1小于所述第二间隔H2，且所述第二间隔H2大于所述第三间隔H3。
图2A、图2B及图2C分别为图1的磁控溅射装置的作动示意图。于此较佳实施例中，本发明的磁控溅射装置作动时，如图2A所示，所述磁极装置6随着所述第一传动件31及所述第二传动件51的运动，并由所述第一位置P1开始朝所述第二位置移动P2。所述磁极装置6于移动至所述第一距离D1的移动速度大于所述第二距离D2的移动速度，及于所述第二距离D2的移动速度大于所述第三距离D3的移动速度。亦即，所述磁极装置6在所述第一距离D1由于处于起始移动状态，因此会增加移动速度，为加速度运动；在所述第二距离D2时降低为均速运动；及在所述第三距离D3时，由于接近到达位置，因此再降低一次速度为减速运动。
如前所述，由于所述磁极装置6于水平方向的加减速的线性运动，会造成靶材边缘溅射时间过长，导致靶材边缘的区域溅射严重。因此，配合所述水平方向的运动，所述磁极装置6通过所述第二滑动件51的带动，而改变和所述靶材21之间的靶磁距。亦即，当所述所述磁极装置6运动至所述第一距离D1时，所述可编程逻辑控制器50接收到加速信号，通过所述第二控制器52控制所述第二传动件51朝所述靶材承载部2的方向(即向上)移动，使所述磁极装置6靠近所述靶材21，用以减少靶磁距并形成所述第一间隔H1。当所述磁极装置6运动至所述第二距离D2时，所述第二传动件51朝远离所述靶材承载部2的方向(即向下)移动，使所述磁极装置6回到预定位置，并形成所述第二间隔H2，且所述可编程逻辑控制器30接收到均速信号，而通过所述第一控制器32控制所述第一传动件31，使所述连接模块4以预定的均速朝第二位置P2移动。相同于前述作动模式，当所述所述磁极装置6运动至所述第三距离D1时，所述可编程逻辑控制器30接收到减速信号，所述第二传动件51朝远离所述靶材承载部2的方向(即向下)移动，使所述磁极装置6相对于所述靶材21的垂直间距加大，用以增加靶磁距并形成所述第三间隔H3，逐渐减小磁场，来补偿在靠近所述第二位置P2溅射时间过长的不均，进而保持第三距离D3的区域靶材溅射的均匀性。
同理，所述磁极装置6以相反方向，由所述第二位置P2返回所述第一位置P1的作动模式相同，于此不再复述。于具体实施中，所述靶磁距根据磁极装置(磁体)横向扫描的速度进行反馈调节，其调节范围为62-77毫米,调节速度在500-1000毫米/分种。此外，所述第二传动件51的长度为0.5米-1米,所述第二控制器52的控速度可以在100-10000毫米/分钟之间进行变化
图3为图1的磁控溅射装置设于腔室10内的结构示意图。如图3，当轰击所述靶材21的离子210轰击靶材21时，由于轰击靶材的离子210，在平均速度下所在的区域内运动速度相同，所以轰击靶材的离子210轰击整个靶材21表面的能量相同，从而轰击靶材21的离子210能够均匀轰击靶材21的表面，使靶材21的材料整面均匀消耗，并沉积在基片7上。
图4为本发明的的磁控溅射方法的流程图。本发明另外提供一种磁控溅射的方法，所述磁控溅射的方法包括如下步骤：
步骤S10：在靶材承载部上定义第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；步骤S20：在所述靶材承载部的一侧设置第一传动件，其间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；步骤S30：提供连接模块，连接于所述第一传动件，其中所述第一控制器用以控制所述第一传动件于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；步骤S40：在所述靶材承载部的该侧设置第二传动件，其通过所述连接模块连接于所述第一传动件，且所述第二传动件上设有第二控制器，其中所述第二控制器控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及步骤S50：在所述第二滑动件的一端连接磁极装置，其朝向所述靶材承载部设置，并经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。
依据本发明的磁控溅射方法，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间形成第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间形成第二距离，所述第四距离和所述第二位置之间形成第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。
此外，所述第二控制器控制所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向移动，使所述磁极装置移动至所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部相距为第一间隔，第二间隔，及第三间隔，且所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。
本发明的磁控溅射方法中有关磁控溅射装置的各种构造元件，与前述实施例所述的磁控溅射装置相同，于此不再详细说明。
综上所述，本发明的磁控溅射装置及磁控溅射方法，通过所述第一传动件及所述第二传动件的配合作动，而使所述磁极装置随着横向扫描的速度而随时改变上下移动速动，进而改变靶磁距的垂直距离。亦即，所述磁极装置(磁体)靠近靶材越近，即是增加磁场，越远即是减小磁场。通过调整靶磁距的大小，用以降低靶材边缘磁场强度，进而补偿磁体在靶材边缘长时间作用导致的靶材边缘溅射严重问题，有效降低在PVD溅射过程中靶材边缘的刻蚀量，并提高靶材的使用寿命。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种磁控溅射装置，设于腔室内，用以制备显示器件的薄膜结构，其特征在于，所述磁控溅射装置包括：
靶材承载部，定义有第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；
第一传动件，设置于所述靶材承载部的一侧，并间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；
连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；
第二传动件，设置于所述靶材承载部的该侧，并可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其用以控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及
磁极装置，连接于所述第二滑动件，并朝向所述靶材承载部设置，且所述磁极装置经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。
2.如权利要求1的磁控溅射装置，其特征在于，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间具有第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间具有第二距离，所述第四位置和所述第二位置之间具有第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。
3.如权利要求2的磁控溅射装置，其特征在于，所述磁极装置于所述第一距离的移动速度大于所述第二距离的移动速度，及所述磁极装置于所述第二距离的移动速度大于所述第三距离的移动速度。
4.如权利要求2的磁控溅射装置，其特征在于，所述磁极装置位于所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部具有第一间隔，第二间隔，及第三间隔，其中所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。
5.如权利要求4的磁控溅射装置，其特征在于，所述第一间隔小于所述第二间隔，且所述第二间隔大于所述第三间隔。
6.如权利要求1的磁控溅射装置，其特征在于，所述第一控制器设于所述第一位置或所述第二位置相对所述靶材的外侧，所述第二控制器位于所述连接模块远离所述磁极装置的一侧，且所述第一控制器及所述第二控制器分别包括可编程逻辑控制器。
7.如权利要求1的磁控溅射装置，其特征在于，所述连接模块于所述第一传动件上相对于所述第一位置及所述第二位置之间进行直线往复运动。
8.一种磁控溅射的方法，用以制备显示器件的薄膜结构，其特征在于，所述磁控溅射的方法包括：
在靶材承载部上定义第一位置及第二位置，且所述第一位置及所述第二位置之间用于承载靶材；
在所述靶材承载部的一侧设置第一传动件，其间隔于所述靶材承载部，且所述第一传动件的一端设有第一控制器；
提供连接模块，可活動地连接于所述第一传动件，并可通过所述第一控制器对所述第一传动件的控制，而于相对于所述第一位置及所述第二位置之间往复运动；
在所述靶材承载部的该侧设置第二传动件，其可活动地连接于所述连接模块，且所述第二传动件上设有第二控制器，其中所述第二控制器控制所述第二传动件，使所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向进行往复运动；及
在所述第二滑动件的一端连接磁极装置，其朝向所述靶材承载部设置，并经由所述第一滑动件及所述第二滑动件的带动，而在所述第一位置及所述第二位置之间往复运动，用于对所述靶材的表面产生磁场。
9.如权利要求8的磁控溅射的方法，其特征在于，所述靶材承载部的第一位置及第二位置之间更定义有第三位置及第四位置，所述第三位置及所述第一位置之间形成第一距离，所述第三位置和所述第四位置之间形成第二距离，所述第四距离和所述第二位置之间形成第三距离，其中所述磁极装置于所述第一距离及第二距离的移动速度不同，且所述磁极装置于所述第二距离及第三距离的移动速度不同。
10.如权利要求9的磁控溅射的方法，其特征在于，所述第二控制器控制所述第二传动件以相对于所述靶材承载部的垂直方向移动，使所述磁极装置移动至所述第一距离、所述第二距离及所述第三距离时，分别与所述靶材承载部相距为第一间隔，第二间隔，及第三间隔，且所述第二间隔不同于所述第一间隔及所述第三间隔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910283832.1A CN110055500A (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910283832.1A CN110055500A (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110055500A true CN110055500A (zh) | 2019-07-26 |
Family
ID=67318683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910283832.1A Pending CN110055500A (zh) | 2019-04-10 | 2019-04-10 | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110055500A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113755808A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-07 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 磁控溅射装置及其控制方法 |
| CN114174552A (zh) * | 2019-08-08 | 2022-03-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873989A (en) * | 1997-02-06 | 1999-02-23 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering |
| CN1890399A (zh) * | 2003-12-12 | 2007-01-03 | 应用材料公司 | 磁电管及溅镀靶间的间距补偿 |
| CN101184864A (zh) * | 2005-10-18 | 2008-05-21 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| CN101874291A (zh) * | 2007-12-20 | 2010-10-27 | 应用材料股份有限公司 | 磁控管溅射靶中腐蚀的预测和补偿 |
| CN104928635A (zh) * | 2014-03-21 | 2015-09-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控溅射腔室及磁控溅射设备 |
| CN106414794A (zh) * | 2014-02-20 | 2017-02-15 | 因特瓦克公司 | 使用依赖于方向的扫描速度或功率的溅射系统及方法 |
| CN109576663A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-04-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 磁控溅射装置以及磁控溅射方法 |
-
2019
- 2019-04-10 CN CN201910283832.1A patent/CN110055500A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5873989A (en) * | 1997-02-06 | 1999-02-23 | Intevac, Inc. | Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering |
| CN1890399A (zh) * | 2003-12-12 | 2007-01-03 | 应用材料公司 | 磁电管及溅镀靶间的间距补偿 |
| CN101184864A (zh) * | 2005-10-18 | 2008-05-21 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| CN101874291A (zh) * | 2007-12-20 | 2010-10-27 | 应用材料股份有限公司 | 磁控管溅射靶中腐蚀的预测和补偿 |
| CN106414794A (zh) * | 2014-02-20 | 2017-02-15 | 因特瓦克公司 | 使用依赖于方向的扫描速度或功率的溅射系统及方法 |
| CN104928635A (zh) * | 2014-03-21 | 2015-09-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控溅射腔室及磁控溅射设备 |
| CN109576663A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-04-05 | 云谷（固安）科技有限公司 | 磁控溅射装置以及磁控溅射方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114174552A (zh) * | 2019-08-08 | 2022-03-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
| EP4012066A4 (en) * | 2019-08-08 | 2023-08-09 | Tokyo Electron Limited | FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD |
| CN113755808A (zh) * | 2021-09-28 | 2021-12-07 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 磁控溅射装置及其控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101528972B (zh) | 薄膜形成方法及薄膜形成装置 | |
| US7785449B2 (en) | Magnetron unit, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing electronic device | |
| KR100848851B1 (ko) | 플라즈마 데미지 프리 스퍼터 건 및 이를 구비한 스퍼터장치와 이를 이용한 플라즈마 처리장치 및 성막 방법 | |
| CN105543792A (zh) | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 | |
| CN110055500A (zh) | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 | |
| CN103374705B (zh) | 一种磁控溅射装置 | |
| CN105568240B (zh) | 磁控溅射装置及磁控溅射方法 | |
| CN107313020B (zh) | 一种磁控溅射镀膜装置 | |
| CN102965636A (zh) | 使物理气相沉积薄膜的厚度稳定的装置及其方法 | |
| KR101053054B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| CN102453880A (zh) | 一种改善磁控溅射薄膜均匀性的方法 | |
| US20080296142A1 (en) | Swinging magnets to improve target utilization | |
| KR20030071926A (ko) | 스퍼터링 타겟 어셈블리 및 이를 이용한 스퍼터링 장비 | |
| US20070261952A1 (en) | Magnetron Sputtering Apparatus | |
| KR101001658B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터 코팅 기판 제작 방법 및 이를 위한 장치 | |
| CN206706198U (zh) | 磁控溅射装置和磁控溅射设备 | |
| CN114318274B (zh) | 离子束溅射镀膜方法、靶材安装结构及离子束溅射设备 | |
| CN109504946B (zh) | 一种平面矩形磁控溅射阴极用角度可调型电磁线圈 | |
| US20060272935A1 (en) | Multiple scanning magnetrons | |
| CN103911592B (zh) | 一种磁控溅射装置及方法 | |
| CN111373505A (zh) | 磁控溅射装置的磁体集合体 | |
| CN205999470U (zh) | 遮挡装置及真空溅射机 | |
| CN208151473U (zh) | 一种磁场可调的磁控溅射装置 | |
| CN114164407A (zh) | 镀膜装置 | |
| WO2016095975A1 (en) | Apparatus and method for coating a substrate with a movable sputter assembly and control over process gas parameters |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190726 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |