CN110011529B - 运行控制方法、装置、电路、家电设备和计算机存储介质 - Google Patents

运行控制方法、装置、电路、家电设备和计算机存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种运行控制方法、装置、电路、家电设备和计算机存储介质，其中，方法包括：检测供电信号和第一容性元件的电压；判断第一容性元件的电压是否小于第二供电信号阈值；若判定第一容性元件的电压小于第二供电信号阈值，则控制供电信号对第一容性元件进行充电；若判定第一容性元件的电压大于或等于第二供电信号阈值，则实时比较供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；在供电信号下降过程中，根据供电信号的比较结果，确定是否对逆变器进行电压补偿；在供电信号上升过程中，根据第一容性元件的电压的比较结果，确定是否对逆变器进行电压补偿，避免母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现。

Description

运行控制方法、装置、电路、家电设备和计算机存储介质
技术领域
本发明涉及驱动控制领域，具体而言，涉及一种运行控制方法、一种运行控制装置、一种驱动控制电路、一种家电设备和一种计算机可读存储介质。
背景技术
一般来说，无源PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)电路的功率因数很低，且需要使用容量很大的电容，导致无源PFC电路成本很高。
而对于一般的无电解电容的电路方法，有着以下缺点：
第一、直流母线电压波动大，造成负载电流波动大，负载电流峰值高，因此需要针对功率模块设置较高规格的过流保护，导致成本上升；
第二、存在于电源频率相同的母线电压不足、无法出力的周期性现象，导致出现拍频噪音等问题。
因此，目前亟需一种可以解决上述技术问题的驱动控制电路。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此，在本发明的第一方面的技术方案中，在于提出了一种运行控制方法。
在本发明的第二方面的技术方案中，在于提出了一种运行控制装置。
在本发明的第三方面的技术方案中，在于提出了一种驱动控制电路。
在本发明的第四方面的技术方案中，在于提出了一种家电设备。
在本发明的第五方面的技术方案中，在于提出了一种计算机可读存储介质。
在本发明的第一方面的技术方案中，提出了一种运行控制方法，适用于驱动控制电路，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路的母线线路上设有一个可控的第一容性元件，所述运行控制方法包括：检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压；判断所述第一容性元件的电压是否小于所述第二供电信号阈值；若判定所述第一容性元件的电压小于所述第二供电信号阈值，则控制所述供电信号对所述第一容性元件进行充电，同时，控制所述供电信号对所述负载进行供电；若判定所述第一容性元件的电压大于或等于所述第二供电信号阈值，则实时比较所述供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；在所述供电信号下降过程中，根据所述供电信号的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿；在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，其中，所述逆变器接入于所述第一容性元件与所述负载之间，且所述逆变器被配置为驱动所述负载运行。
在本发明提出的适用于驱动控制电路的运行控制方法中，其中，驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，驱动控制电路的母线线路上设有一个可控的第一容性元件，通过检测电网系统输入供电信号和第一容性元件的电压，判定第一容性元件的电压小于第二供电信号阈值，则控制供电信号对第一容性元件进行充电，同时，控制供电信号对负载进行供电，而判定第一容性元件的电压大于或等于第二供电信号阈值的情况下，实时比较供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系，在供电信号下降过程中，根据供电信号的比较结果，确定是否控制第一容性元件对逆变器进行电压补偿，而在供电信号上升过程中，根据第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制第一容性元件对逆变器进行电压补偿，其中，逆变器接入于第一容性元件与负载之间，且逆变器被配置为驱动负载运行。
通过使用第一容性元件对逆变器进行电压补偿，避免了相关技术中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音。
另外，根据本发明上述实施例的运行控制方法，还可以具有如下附加的技术特征：
在上述技术方案中，进一步地，所述驱动控制电路还包括开关器件和反偏续流二极管，所述第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，所述开关器件与反偏续流二极管并联连接，其中，若所述开关器件导通，则所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿；若所述开关器件截止，则所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电。
在该技术方案中，第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，开关器件与反偏续流二极管并联连接，在开关器件处于截止状态下，由于开关器件与反偏续流二极管并联连接，因此，通过反偏续流二极管可以为第一容性元件进行充电，确保第一容性元件中的存储足够的能量以便在开关器件处于导通状态下进行电压补偿，在开关器件导通状态下，第一容性元件在开关器件处于导通状态下对逆变器进行电压补偿，避免了现阶段中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音，同时通过第一容性元件对逆变器的电压补偿能够降低母线电压的波动，进而降低负载电流的波动，因此，无需针对功率模块设置较高规格的过流保护，有效降低了成本。
在上述任一技术方案中，进一步地，在所述供电信号下降过程中，根据所述供电信号的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，具体包括：在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号小于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
在该技术方案中，在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号小于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
在上述任一技术方案中，进一步地，在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，具体包括：在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；或在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号小于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿，其中，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V，且所述第二供电信号阈值小于所述第一供电信号阈值。
在该技术方案中，由于所述第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，所述开关器件与反偏续流二极管并联连接，在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；或在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号小于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿，通过第一容性元件对逆变器进行电压补偿，避免了现阶段中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音，同时通过第一容性元件对逆变器的电压补偿能够降低母线电压的波动，进而降低负载电流的波动，因此，无需针对功率模块设置较高规格的过流保护，有效降低了成本，进一步地，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V，且所述第二供电信号阈值小于所述第一供电信号阈值。
在上述任一技术方案中，进一步地，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，还包括：所述开关器件受控于一个控制器，确定所述控制器的开关电源单元的最小工作电压；根据所述最小工作电压确定所述负载的额定功率；根据所述额定功率确定对应的第二供电信号阈值，其中，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V。
在该技术方案中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，首先确定用于控制开关器件的控制器的最小工作电压，具体地，确定所述控制器的开关电源单元的最小工作电压，根据最小工作电压确定负载的额定功率，进而根据负载的额定功率确定对应的第二供电信号阈值，以便第一容性元件在检测到电压后与之进行比较。
在上述任一技术方案中，进一步地，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，还包括：确定所述负载的额定功率；根据所述额定功率确定对应的第一供电信号阈值，其中，所述额定功率与所述第一供电信号阈值之间为负相关，其中，所述第一供电信号阈值的取值范围为10V～350V。
在该技术方案中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，确定所述负载的额定功率，并根据所述额定功率确定对应的第一供电信号阈值，通过负载的额定功率的变化设置供电信号阈值，进而动态的控制第一容性元件为逆变器进行电压补偿，降低固定供电信号阈值对供电电压不足造成的影响，进而出现拍频噪音，同时降低了直流母线电压波动大，进而造成负载电流波动大的问题的出现。
在本发明的第二方面的技术方案中，提出了一种运行控制装置，所述运行控制装置设有处理器，所述处理器执行计算机程序时，能够实现如上述任一项所述的运行控制方法，因此运行控制装置具有上述任一项运行控制方法的有益技术效果，在此不再赘述。
在本发明的第三方面的技术方案中，提出了一种驱动控制电路，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路连接于上述任一项所述运行控制装置，所述驱动控制电路包括：电压吸收补偿支路，包括串联的第一容性元件和开关器件，接入于电网系统与逆变器之间；开关器件与所述第一容性元件串联连接，所述开关器件被配置为控制所述第一容性元件进行充电或放电，其中，所述第一容性元件放电对所述逆变器进行电压补偿，所述逆变器被配置为驱动负载运行。
在该技术方案中，驱动控制电路设置有电压新手补偿支路，包括相互串联的第一容性元件和开关器件，在开关器件的控制下，第一容性元件充电以降低负载的电流幅值，或第一容性元件放电以对逆变器进行电压补偿。
应用了本发明提供的技术方案，通过设置开关器件和第一容性元件选择执行吸收过电压或进行电压补偿，如果供电信号过高，第一容性元件开始吸收过压信号并实现充电，以降低负载电流峰值。
如果供电信号过低，第一容性元件开始放电，以实现电压补偿，其中第一容性元件不必选用容量很大的电容，可降低电压补偿电路的成本，同时第一容性元件吸收了过压信号和过流信号，有效地减小了负载电流峰值，进一步地，在电压较低时通过第一容性元件还实现了电压补偿，避免系统功率波动，从而解决了在输入的供电信号过低时引起的拍频噪音问题。
具体地，第一容性元件可使用容值范围为10uF至2000uF的电解电容，而无需选用容值更大的电容，可实现较好的成本控制，兼具了降低负载电流峰值和电压补偿的两方面作用。
其中，第一供电信号阈值和第二供电信号阈值可以取同一数值或不同数值，且第一供电信号阈值和第二供电信号阈值主要由负载的功率和逆变器的功率来确定。
另外，本发明提供的上述技术方案中的驱动控制电路还可以具有如下附加技术特征：
在上述技术方案中，进一步地，所述逆变器接入于高压母线与低压母线之间，所述开关器件的一端连接至所述高压母线，所述第一容性元件的一端连接至所述低压母线。
在该技术方案中，逆变器接入于高压母线和低压母线之间，将母线上的直流信号转化为驱动负载运行的交流信号。开关元件的一端接至高压母线，第一容性元件的一端接至低压母线，以实现对第一容性元件充电、放电的控制。
在上述任一技术方案中，进一步地，驱动控制电路还包括：控制器，所述控制器连接至所述开关器件，以调控所述开关器件的导通状态；其中，若所述供电信号大于或等于第一供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第一模式导通，以控制所述第一容性元件进行充电，另外，若所述控制器检测到所述供电信号小于第二供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第二模式导通，以控制所述第一容性元件进行放电。
在该技术方案中，控制器根据供电信号的大小控制开关器件的导通模式。具体地，当交流电压信号超过第一供电信号阈值时，说明交流电压较高，此时控制器控制开关器件以第一模式导通，以为第一容性元件充电，降低负载电流幅值；当交流电压信号小于第二供电信号阈值时，说明此时交流电压过低，此时控制器控制开关器件以第二模式导通，以使第一容性元件放电，对逆变器进行功率补偿。
其中，供电信号可以是输入整流模块的交流电压，也可以是整流模块输出的直流电压。
在上述技术方案中，进一步地，所述开关器件包括：功率管，与所述第一容性元件串联，所述功率管的控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述指令输出端向所述控制端输出控制指令，所述控制指令被配置为控制所述功率管导通或截止；反偏续流二极管，所述反偏续流二极管的两端分别连接至所述功率管的漏极和源极，其中，若所述功率管导通，则所述第一容性元件经所述功率管向所述负载放电，若所述功率管截止，则所述第一容性元件经所述反偏续流二极管充电或不动作。
在该技术方案中，开关器件包括功率管和反偏续流二极管，功率管与第一容性元件串联，控制器的指令输出端连接至功率管的控制端，以向功率管发送控制指令，功率管根据控制指令改变导通状态(导通或截止)，反偏续流二极管的两端分别与功率管的漏极和源极相连接，当功率管导通时，第一容性元件经功率管向负载放电，以实现电压补偿，当功率管截止时，输入的电压信号经反偏续流二极管为第一容性元件充电，以降低负载电流峰值。在负载电流峰值为正常水平时，无需降低负载电流峰值，第一容性元件不动作。
其中，所述第一容性元件经所述反偏续流二极管充电是指，供电信号经反偏续流二极管对第一容性元件进行充电，同时，供电信号对运行的负载进行供电，第一容性元件充电过程为完整的充电过程，即第一容性元件放电时，第一容性元件的放电电压大于线路上的供电电压，进而实现电压补偿。
具体地，功率管可以优选使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)型功率管，也可以选用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体功率场效应晶体管)，反偏续流二极管可独立设置，也可以与IGBT或MOSFET集成设置。
在上述任一技术方案中，进一步地，驱动控制电路还包括：整流模块，设于所述第一容性元件的输入端与所述谐波滤除模块之间，所述整流模块被配置为将所述供电信号转换为直流信号，其中，所述直流信号被配置为向所述第一容性元件充电，以及提供所述负载运行所需的电量，所述逆变器被配置为控制所述直流信号驱动所述负载运行。
在该技术方案中，驱动控制电路中设置有整流模块，整流模块连接于第一容性元件的输入端和滤波模块之间，电网系统输入的供电信号经滤波模块滤除噪声后进入整流模块，整流模块对供电信号进行整流，并将整流后得到的直流信号输出至第一容性元件和负载部分，以向第一容性元件充电，并为负载提供运行所需的电量。逆变器将直流信号转化为交流信号，控制驱动负载运行。
在上述任一技术方案中，进一步地，若所述负载包括单相交流负载，则所述逆变器包括对应的单相逆变电路，所述单相逆变电路包括：两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，若所述负载包括三相交流负载，则所述逆变器包括对应的三相逆变电路，所述三相逆变电路包括：三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，其中，一个相位的所述上桥臂功率器件与一个对应相位的所述下桥臂功率器件串联相接，同一相位的所述上桥臂功率器件与所述下桥臂功率器件不同时导通。
在该技术方案中，如果负载包括了单相交流负载，则逆变器中设置有对应的单相逆变电路，以向单相交流负载输出对应的驱动信号。具体地，单相交流负载可以是单相电机，也可以是单相感性负载。
其中，单相逆变电路包括两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，连接在第一容性元件的输出段和负载的输入端之间。
如果负载包括了三相交流负载，则逆变器中设置有对应的三相逆变电路，以向三相交流负载输出对应的驱动信号。具体地，三相交流负载可以是感应电机，也可以是永磁同步电机。
其中，三相逆变电路包括三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，连接在第一容性元件的输出段和负载的输入端之间。每一个相位的上桥臂功率器件与其对应相位的下桥臂功率器件串联，同相位的上桥臂功率器件和下桥臂功率器件不会同时导通，并向三相交流负载的负载输出一相驱动信号，三个相位的上桥臂功率器件和下桥臂功率器件交替导通，向三相交流负载的负载输出三相驱动信号。
在上述任一技术方案中，进一步地，任一所述上桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作上桥臂反偏续流二极管，任一所述下桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作下桥臂反偏续流二极管。
在该技术方案中，上桥臂功率器件和下桥臂功率器件的源极和漏极之间间接有一个反偏续流二极管，具体为上桥臂反偏续流二极管和下桥臂反偏续流二极管。
在上述任一技术方案中，进一步地，任一所述上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，任一所述下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极作为所述源极连接。
在该技术方案中，上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，在使用了绝缘栅双极型晶体管的情况下，绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，发射极作为所述源极连接。下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，在使用了绝缘栅双极型晶体管的情况下，绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，发射极作为所述源极连接。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述功率管包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的基极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端。
在该技术方案中，功率管包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，其中，MOSFET的栅极作为控制端，控制器的指令输出端与MOSFET的栅极相连接，IGBT的MOSFET作为控制端，控制器的指令输出端与IGBT的基极相连接。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述负载的负载包括风机和/或压缩机。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述负载的负载包括感应电机和/或永磁同步电机。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述第一容性元件包括电解电容，和/或所述第一容性元件包括一个电容元件，和/或所述第一容性元件包括多个串联和/或并联的电容元件。
在该技术方案中，第一容性元件使用单个电解电容，也可以使用多个串联和/或并联的电解电容，以实现对第一容性元件等效容值的自由设置。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述第一容性元件的容值取值范围为10uF～2000uF。
可选地，第一容性元件的容值为82uF。
可选地，第一容性元件的容值为220uF。
可选地，第一容性元件的容值为470uF。
可选地，第一容性元件的容值为560uF。
可选地，第一容性元件的容值为680uF。
可选地，第一容性元件的容值为820uF。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述控制器的供电源包括隔离电源或自举电源，其中，所述自举电源包括所述逆变器中的自举供电电路、自举二极管和自举电容，所述自举二极管的阳极连接至所述自举供电电路的正极，所述自举二极管的负极连接至所述自举电容的正极，所述自举电容的正极连接至所述控制器的供电端。
在该技术方案中，控制器设置有供电电源，具体地，供电电源包括隔离电源或自举电源，当供电电源为隔离电源时，通过隔离电源连接至控制器的供电端，为控制器提供电能，当供电电源为自举电源时，自举电源包括串联的自举供电电路、隔离电源或自举电源，自举供电电路的负极与母线线路中的低压母线相连接，自举供电电路的正极与自举二极管的正极相连接，同时自举二极管的负极与自举电容的正极相连接，自举电容的负极连接至控制器的供电端，以为控制器提供电能。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述电压吸收补偿支路还包括：与所述第一容性元件串联的电阻元件和/或电感元件，所述电阻元件用于调整流经所述第一容性元件的电流大小，所述电感元件用于滤除流经所述第一容性元件的交流噪声。
在该技术方案中，电阻元件和/或电感元件可以接入于高压母线与开关器件之间，也可以接入于第一容性元件与低压母线之间，也可以接入于开关器件与第一容性元件之间。
另外，电阻元件包括一个电阻，或多个串联和/或并联的电阻，同理，电感元件包括一个电感，或多个串联和/或并联的电感。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述电阻元件的取值范围为0.1mΩ～10Ω，所述电感元件的取值范围为1uH～10mH。
本发明的第四方面提供了一种家电设备，包括：负载；如上述任一项所述的驱动控制电路，所述驱动控制电路接入于电网系统与负载之间，所述驱动控制电路被配置为控制电网系统向所述负载供电。
在该技术方案中，家电设备包括如上述任一技术方案中所述的驱动控制电路，因此，该家电设备包括如上述任一技术方案中所述的驱动控制电路的全部有益效果，再次不再赘述。
在上述技术方案中，所述家电设备包括空调器、电冰箱、风扇、抽油烟机、吸尘器和电脑主机中的至少一种。
本发明的第五方面提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现如上述任一项所述的运行控制方法的步骤。
在该技术方案中，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述任一技术方案中的运行控制方法，因此，该计算机可读存储介质包括上述任一技术方案中的运行控制方法的全部有益效果，不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1示出了根据本发明的一个实施例的运行控制方法的流程示意图；
图2示出了根据本发明的另一个实施例的运行控制方法的流程示意图；
图3示出了根据本发明的一个实施例的负载过轻时开关器件驱动信号示意图；
图4示出了图3对应的逆变器供电电压的示意图；
图5示出了根据本发明的一个实施例的负载过重时开关器件驱动信号示意图；
图6示出了图5对应的逆变器供电电压的示意图；
图7示出了根据本发明的另一个实施例的负载过重时开关器件驱动信号示意图；
图8示出了图7对应的逆变器供电电压的示意图；
图9示出了根据本发明的一个实施例的开关器件驱动信号示意图；
图10示出了根据本发明的另一个实施例的开关器件驱动信号示意图；
图11示出了根据本发明的一个实施例的运行控制装置的示意框图；
图12示出了根据本发明的一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图13示出了根据本发明的另一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图14示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图15示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图16示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图17示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图18示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图19示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图20示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图21示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图22示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图23示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图24示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图25示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图26示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图27示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图28示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的连接示意图；
图29示出了根据本发明的另一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图30示出了根据本发明的另一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图31示出了根据本发明的又一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图32示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图33示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图34示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图35示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图36示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图37示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图38示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图39示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图40示出了根据本发明的再一个实施例的驱动控制电路的示意图；
图41示出了根据本发明的一个实施例的家电设备的框图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不限于下面公开的具体实施例的限制。
在本发明第一方面的实施例中，如图1所示，在于提出了一种运行控制方法适用于驱动控制电路，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路的母线线路上设有一个可控的第一容性元件，如图1所示，方法包括：
S102，检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压；
S104，判断所述第一容性元件的电压是否小于所述第二供电信号阈值；
S106，判定所述第一容性元件的电压小于所述第二供电信号阈值，则控制所述供电信号对所述第一容性元件进行充电，同时，控制所述供电信号对所述负载进行供电；
S108，判定所述第一容性元件的电压大于或等于所述第二供电信号阈值，则实时比较所述供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；
S110，在所述供电信号下降过程中，根据所述供电信号的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿。
其中，所述逆变器接入于所述第一容性元件与所述负载之间，且所述逆变器被配置为驱动所述负载运行。
如图2所示，S112，在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿。
其中，所述逆变器接入于所述第一容性元件与所述负载之间，且所述逆变器被配置为驱动所述负载运行。
在本发明提出的适用于驱动控制电路的运行控制方法中，其中，驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，驱动控制电路的母线线路上设有一个可控的第一容性元件，通过检测电网系统输入供电信号和第一容性元件的电压，判定第一容性元件的电压小于第二供电信号阈值，则控制供电信号对第一容性元件进行充电，同时，控制供电信号对负载进行供电，而判定第一容性元件的电压大于或等于第二供电信号阈值的情况下，实时比较供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系，在供电信号下降过程中，根据供电信号的比较结果，确定是否控制第一容性元件对逆变器进行电压补偿，而在供电信号上升过程中，根据第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制第一容性元件对逆变器进行电压补偿，其中，逆变器接入于第一容性元件与负载之间，且逆变器被配置为驱动负载运行。
通过使用第一容性元件对逆变器进行电压补偿，避免了相关技术中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音，同时通过第一容性元件对逆变器的电压补偿能够降低母线电压的波动，进而降低负载电流的波动，因此，无需针对功率模块设置较高规格的过流保护，有效降低了成本。
在本发明的一个实施例中，所述驱动控制电路还包括开关器件和反偏续流二极管，所述第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，所述开关器件与反偏续流二极管并联连接，其中，若所述开关器件导通，则所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿；若所述开关器件截止，则所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电。
在该技术方案中，第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，开关器件与反偏续流二极管并联连接，在开关器件处于截止状态下，由于开关器件与反偏续流二极管并联连接，因此，通过反偏续流二极管可以为第一容性元件进行充电，确保第一容性元件中的存储足够的能量以便在开关器件处于导通状态下进行电压补偿，在开关器件导通状态下，第一容性元件在开关器件处于导通状态下对逆变器进行电压补偿，避免了现阶段中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音，同时通过第一容性元件对逆变器的电压补偿能够降低母线电压的波动，进而降低负载电流的波动，因此，无需针对功率模块设置较高规格的过流保护，有效降低了成本。
在本发明一个实施例中，方法包括：
步骤1：检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压；
步骤2：判断所述第一容性元件的电压是否小于所述第二供电信号阈值；
步骤3：若判定所述第一容性元件的电压小于所述第二供电信号阈值，则控制所述供电信号对所述第一容性元件进行充电，同时，控制所述供电信号对所述负载进行供电；
步骤4：若判定所述第一容性元件的电压大于或等于所述第二供电信号阈值，则实时比较所述供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；
步骤5：在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电。
其中，所述逆变器接入于所述第一容性元件与所述负载之间，且所述逆变器被配置为驱动所述负载运行。
在本发明一个实施例中，方法包括：
步骤1：检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压；
步骤2：判断所述第一容性元件的电压是否小于所述第二供电信号阈值；
步骤3：若判定所述第一容性元件的电压小于所述第二供电信号阈值，则控制所述供电信号对所述第一容性元件进行充电，同时，控制所述供电信号对所述负载进行供电；
步骤4：若判定所述第一容性元件的电压大于或等于所述第二供电信号阈值，则实时比较所述供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；
步骤5：在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号小于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
在该实施例中，在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号小于所述第一供电信号阈值，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
在本发明一个实施例中，在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，具体包括：
在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；
或在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号小于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿，其中，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V，且所述第二供电信号阈值小于所述第一供电信号阈值。
在该实施例中，由于所述第一容性元件与开关器件串联接入于所述母线线路中，所述开关器件与反偏续流二极管并联连接，在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；或在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号小于所述第一容性元件的电压，则控制所述开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述开关器件对所述逆变器进行电压补偿，通过第一容性元件对逆变器进行电压补偿，避免了现阶段中母线电压不足，无法出力的周期性现象的出现，进而避免出现拍频噪音，同时通过第一容性元件对逆变器的电压补偿能够降低母线电压的波动，进而降低负载电流的波动，因此，无需针对功率模块设置较高规格的过流保护，有效降低了成本，进一步地，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V，且所述第二供电信号阈值小于所述第一供电信号阈值。
在本发明一个实施例中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，还包括：所述开关器件受控于一个控制器，确定所述控制器的开关电源单元的最小工作电压；根据所述最小工作电压确定所述负载的额定功率；根据所述额定功率确定对应的第二供电信号阈值，其中，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V～300V。
在该实施例中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，首先确定用于控制开关器件的控制器的最小工作电压，具体地，确定所述控制器的开关电源单元的最小工作电压，根据最小工作电压确定负载的额定功率，进而根据负载的额定功率确定对应的第二供电信号阈值，以便第一容性元件在检测到电压后与之进行比较。
在本发明一个实施例中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，还包括：确定所述负载的额定功率；根据所述额定功率确定对应的第一供电信号阈值，其中，所述额定功率与所述第一供电信号阈值之间为负相关，其中，所述第一供电信号阈值的取值范围为10V～350V。
在该实施例中，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，确定所述负载的额定功率，并根据所述额定功率确定对应的第一供电信号阈值，通过负载的额定功率的变化设置供电信号阈值，进而动态的控制第一容性元件为逆变器进行电压补偿，降低固定供电信号阈值对供电电压不足造成的影响，进而出现拍频噪音，同时降低了直流母线电压波动大，进而造成负载电流波动大的问题的出现。
在本发明的一个实施例中，如图3、图5、图7和图9所示，当电压小于第二供电信号阈值时，开关器件截止，否则判定在供电信号处于下降过程中，当供电信号大于等于第一供电信号阈值时，开关器件截止；当供电信号小于第一供电信号阈值时，开关器件导通。在供电信号处于上升过程中，当供电信号小于电压时，开关器件导通；当供电信号大于等于电压时，开关器件截止。第一供电信号阈值固定，取值范围为10V至350V；第二供电信号阈值依据开关电源单元最低工作电压设定，取值范围为10V至300V；第一供电信号阈值大于等于第二供电信号阈值。
图3是负载过轻时开关器件驱动信号示意图，图5和图7是负载过重时开关器件驱动信号示意图。如图4、图6和图8所示，当开关器件开通时，逆变器供电电压(直流母线电压)等于电压；当开关器件关断时，逆变器供电电压(直流母线电压)等于供电信号幅值(直流母线电压)。
第一供电信号阈值可变：检测负载功率后，根据负载功率自动调整第一供电信号阈值，即负载功率越大则第一供电信号阈值越小，使得在供电信号处于上升过程中开关器件由开通切换为关断时刻的直流母线电压等于第一供电信号阈值(即使得直流母线电压最低值最大)；第二供电信号阈值依据开关电源单元最低工作电压设定，取值范围为10V至300V；第一供电信号阈值大于等于第二供电信号阈值，即第二供电信号阈值是第一供电信号阈值调整的下限。
如图9和图10所示，图9中负载功率刚好使得在供电信号幅值处于上升过程中开关器件由开通切换为关断时刻的直流母线电压等于第一供电信号阈值，即如图10所示，使得直流母线电压最低值最大、直流母线电压波动最小。
在本发明第二方面的实施例中，如图11所示，在于提出了一种运行控制装置1，所述运行控制装置1设有处理器12，所述处理器12执行计算机程序时，能够实现如上述任一项所述的运行控制方法，因此运行控制装置具有上述任一项运行控制方法的有益技术效果，在此不再赘述。
在本发明第三方面的实施例中，如图12、图13和图14所示，提出了一种驱动控制电路100，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路连接于上述任一项所述运行控制装置，所述驱动控制电路100，包括：电压吸收补偿支路，包括串联的第一容性元件C1和开关器件，接入于电网系统与逆变器之间；开关器件，与所述第一容性元件C1串联连接，所述开关器件被配置为控制所述第一容性元件C1进行充电或放电，其中，所述第一容性元件C1放电对所述逆变器进行电压补偿，所述逆变器被配置为驱动负载运行。
在该实施例中，驱动控制电路100设置有电压新手补偿支路，包括相互串联的第一容性元件C1和开关器件，在开关器件的控制下，第一容性元件C1充电以降低负载的电流幅值，或第一容性元件C1放电以对逆变器进行电压补偿。具体地，如第一容性元件C1充电时电流流向如图13所示，以使第一容性元件C1放电时电流流向如图14所示。
本发明提供的上述实施例，通过设置开关器件和第一容性元件C1选择执行吸收过电压或进行电压补偿，如果供电信号过高，第一容性元件C1开始吸收过压信号并实现充电，以降低负载电流峰值。
如果供电信号过低，第一容性元件C1开始放电，以实现电压补偿，其中第一容性元件C1不必选用容量很大的电容，可降低电压补偿电路的成本，同时第一容性元件C1吸收了过压信号和过流信号，有效地减小了负载电流峰值，进一步地，在电压较低时通过第一容性元件C1还实现了电压补偿，避免系统功率波动，从而解决了在输入的供电信号过低时引起的拍频噪音问题。
具体地，第一容性元件C1可使用容值范围为10uF至2000uF的电解电容，而无需选用容值更大的电容，可实现较好的成本控制，兼具了降低负载电流峰值和电压补偿的两方面作用。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述逆变器接入于高压母线与低压母线之间，所述开关器件的一端连接至所述高压母线，所述第一容性元件C1的一端连接至所述低压母线。
在该实施例中，逆变器接入于高压母线和低压母线之间，将母线上的直流信号转化为驱动负载运行的交流信号。开关元件的一端接至高压母线，第一容性元件C1的一端接至低压母线，以实现对第一容性元件C1充电、放电的控制。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图12、图13和图14所示，驱动控制电路100还包括：控制器M，所述控制器M连接至所述开关器件，以调控所述开关器件的导通状态；其中，若所述供电信号大于或等于第一供电信号阈值，则所述控制器M触发所述开关器件以第一模式导通，以控制所述第一容性元件C1进行充电，另外，若所述控制器M检测到所述供电信号小于第二供电信号阈值，则所述控制器M触发所述开关器件以第二模式导通，以控制所述第一容性元件C1进行放电。
在该实施例中，控制器M根据供电信号的大小控制开关器件的导通模式。具体地，当交流电压信号超过第一电压阈值时，说明交流电压较高，此时控制器M控制开关器件以第一模式导通，以为第一容性元件C1充电，降低负载电流幅值；当交流电压信号小于第二电压阈值时，说明此时交流电压过低，此时控制器M控制开关器件以第二模式导通，以使第一容性元件C1放电，对逆变器进行功率补偿。
其中，供电信号可以是输入整流模块的交流电压，也可以是整流模块输出的直流电压。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图12、图13和图14所示，所述开关器件包括：功率管Q，与所述第一容性元件C1串联，所述功率管Q的控制端连接至所述控制器M的指令输出端，所述指令输出端向所述控制端输出控制指令，所述控制指令被配置为控制所述功率管Q导通或截止；反偏续流二极管D1，所述反偏续流二极管D1的两端分别连接至所述功率管Q的漏极和源极，其中，若所述功率管Q导通，则所述第一容性元件C1经所述功率管Q向所述负载放电，若所述功率管Q截止，则所述第一容性元件C1经所述反偏续流二极管D1充电或不动作。
在该实施例中，开关器件包括功率管Q和反偏续流二极管D1，功率管Q与第一容性元件C1串联，控制器M的指令输出端连接至功率管Q的控制端，以向功率管Q发送控制指令，功率管Q根据控制指令改变导通状态(导通或截止)，反偏续流二极管D1的两端分别与功率管Q的漏极和源极相连接，当功率管Q导通时，第一容性元件C1经功率管Q向负载放电，以实现电压补偿，当功率管Q截止时，输入的电压信号经反偏续流二极管D1为第一容性元件C1充电，以降低负载电流峰值。在负载电流峰值为正常水平时，无需降低负载电流峰值，第一容性元件C1不动作。
其中，所述第一容性元件C1经所述反偏续流二极管D1充电是指，供电信号经反偏续流二极管D1对第一容性元件C1进行充电，同时，供电信号对运行的负载进行供电，第一容性元件C1充电过程为完整的充电过程，即第一容性元件C1放电时，第一容性元件C1的放电电压大于线路上的供电电压，进而实现电压补偿。
具体地，功率管Q可以优选使用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)型功率管Q，也可以选用MOSFET(Metal-O1ide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体功率场效应晶体管)，反偏续流二极管D1可独立设置，也可以与IGBT或MOSFET集成设置。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图12、图13和图14所示，驱动控制电路100还包括：整流模块，设于所述第一容性元件C1的输入端与所述谐波滤除模块之间，所述整流模块被配置为将所述供电信号转换为直流信号，其中，所述直流信号被配置为向所述第一容性元件C1充电，以及提供所述负载运行所需的电量，所述逆变器被配置为控制所述直流信号驱动所述负载运行。
在该实施例中，驱动控制电路100中设置有整流模块，整流模块连接于第一容性元件C1的输入端和滤波模块之间，电网系统输入的供电信号经滤波模块滤除噪声后进入整流模块，整流模块对供电信号进行整流，并将整流后得到的直流信号输出至第一容性元件C1和负载部分，以向第一容性元件C1充电，并为负载提供运行所需的电量。逆变器将直流信号转化为交流信号，控制驱动负载运行。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图12、图13、图14、图15和图16所示，若所述负载包括单相交流负载，则所述逆变器包括对应的单相逆变电路，所述单相逆变电路包括：两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，若所述负载包括三相交流负载，则所述逆变器包括对应的三相逆变电路，所述三相逆变电路包括：三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，其中，一个相位的所述上桥臂功率器件与一个对应相位的所述下桥臂功率器件串联相接，同一相位的所述上桥臂功率器件与所述下桥臂功率器件不同时导通。
在该实施例中，如果负载包括了单相交流负载，则逆变器中设置有对应的单相逆变电路，以向单相交流负载输出对应的驱动信号。具体地，单相交流负载可以是单相电机，也可以是单相感性负载。
其中，单相逆变电路包括两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，连接在第一容性元件C1的输出段和负载的输入端之间。
具体地，当供电信号超过第一供电信号阈值时，说明供电信号较高，此时如图16所示，控制器M控制开关器件以第一模式导通，以为第一容性元件C1充电，当供电信号小于第二供电信号阈值时，说明此时供电信号过低，此时如图17所示，控制器M控制开关器件以第二模式导通，以使第一容性元件C1放电，为单相交流负载进行电压补偿。
如果负载包括了三相交流负载，则逆变器中设置有对应的三相逆变电路，以向三相交流负载输出对应的驱动信号。具体地，三相交流负载可以是感应电机，也可以是永磁同步电机。
其中，三相逆变电路包括三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，连接在第一容性元件C1的输出段和负载的输入端之间。每一个相位的上桥臂功率器件与其对应相位的下桥臂功率器件串联，同相位的上桥臂功率器件和下桥臂功率器件不会同时导通，并向三相交流负载的负载输出一相驱动信号，三个相位的上桥臂功率器件和下桥臂功率器件交替导通，向三相交流负载的负载输出三相驱动信号。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图12、图13、图14、图15和图16所示，任一所述上桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作上桥臂反偏续流二极管，任一所述下桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作下桥臂反偏续流二极管。
在该实施例中，上桥臂功率器件和下桥臂功率器件的源极和漏极之间间接有一个反偏续流二极管，具体为上桥臂反偏续流二极管和下桥臂反偏续流二极管。
在本发明的一个实施例中，进一步地，任一所述上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，任一所述下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极作为所述源极连接。
在该实施例中，上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，在使用了绝缘栅双极型晶体管的情况下，绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，发射极作为所述源极连接。下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，在使用了绝缘栅双极型晶体管的情况下，绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，发射极作为所述源极连接。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述功率管Q包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端连接至所述控制器M的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的基极作为所述控制端连接至所述控制器M的指令输出端。
在该实施例中，功率管Q包括金属氧化物半导体场效应晶体管(即MOSFET)和/或绝缘栅双极型晶体管(即IGBT)，其中，MOSFET的栅极作为控制端，控制器M的指令输出端与MOSFET的栅极相连接，IGBT的MOSFET作为控制端，控制器M的指令输出端与IGBT的基极相连接。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图15、图16和图17所示，单相交流负载的驱动控制电路100，包含整流电路、功率开关管、功率二极管、电解电容、单相逆变电路和单相交流负载。
单相供电信号源经整流电路后转换为直流电压，功率开关管与功率二极管并联，功率开关管的发射极(或者源极)、功率二极管的负极与直流电压正端连接，功率开关管的集电极(或者漏极)、功率二极管的正极与电解电容正极连接，电解电容负极与直流电压负端连接，直流电压给单相逆变电路供电，驱动单相交流负载。
可选地，单相逆变电路可以由4个IGBT组成或者由4个MOSFET组成，同时具有反并联续流二极管。
可选地，单相交流负载可以是单相电机，也可以是单相感性负载。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述负载的负载包括风机和/或压缩机。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述负载的负载包括感应电机和/或永磁同步电机。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述第一容性元件C1包括电解电容，和/或所述第一容性元件C1包括一个电容元件，和/或所述第一容性元件C1包括多个串联和/或并联的电容元件。
在该实施例中，第一容性元件C1使用单个电解电容，也可以使用多个串联和/或并联的电解电容，以实现对第一容性元件C1等效容值的自由设置。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述第一容性元件C1的容值取值范围为10uF～2000uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为82uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为220uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为470uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为560uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为680uF。
可选地，第一容性元件C1的容值为820uF。
在本发明的一个实施例中，进一步地，如图18、图19、图20、图21和图22所示，所述控制器M的供电源包括隔离电源或自举电源，其中，所述自举电源包括所述逆变器中的自举供电电路DC、自举二极管和自举电容，所述自举二极管的阳极连接至所述自举供电电路的正极，所述自举二极管的负极连接至所述自举电容的正极，所述自举电容的正极连接至所述控制器M的供电端。
在该实施例中，控制器M设置有供电电源，具体地，供电电源包括隔离电源或自举电源，当供电电源为隔离电源时，通过隔离电源连接至控制器M的供电端，为控制器M提供电能，当供电电源为自举电源时，自举电源包括串联的自举供电电路DC、自举二极管D2和自举电容C2，自举供电电路DC的负极与母线线路中的低压母线相连接，自举供电电路的正极与自举二极管D2的正极相连接，同时自举二极管D2的负极与自举电容C2的正极相连接，自举电容C2的负极连接至控制器M的供电端，以为控制器M提供电能。
可选地，如图18、图19、图20和图21所示，负载为三相负载，开关电源单元包括控制器M和供电电源，其中供电电源为自举电源。
其中，可选地，如图19所示，自举二极管D2设置为一个。
其中，可选地，如图20所示，自举二极管D2设置为两个。
其中，可选地，如图21所示，自举二极管D2设置为三个。
多个自举二极管D2可提高驱动控制电路的可靠性。
可选地，如图18和图22所示，负载为三相负载，开关电源单元包括控制器M和供电电源，其中供电电源为隔离电源。
可选地，如图23、图24和图25所示，负载为单相负载，开关电源单元包括控制器M和供电电源，其中供电电源为自举电源。
其中，可选地，如图24所示，自举二极管D2设置为一个。
其中，可选地，如图25所示，自举二极管D2设置为两个。
两个自举二极管D2可提高驱动控制电路的可靠性。
可选地，如图23和图26所示，负载为单相负载，开关电源单元包括控制器M和供电电源，其中供电电源为自举电源。
在本发明的一个实施例中，如图27所示，驱动控制电路100包括电感L、第二容性元件C3、整流模块、开关器件Q、反偏续流二极管D1、第一容性元件C1、开关电源单元、逆变器和负载。供电信号源经电感L和第二容性元件C3滤波后，再经整流模块后转换为直流信号；开关器件Q与反偏续流二极管D1并联，开关器件Q的发射极(或者源极)、反偏续流二极管D1的负极与直流信号正端连接，开关器件Q的集电极(或者漏极)、反偏续流二极管D1的正极与第一容性元件C1正极连接，第一容性元件C1负极与直流信号负端连接；直流信号给逆变器供电，驱动三相交流负载。优选地，所述逆变器可以由6个IGBT组成、或者由6个MOSFET组成、或者采用智能功率模块(IPM，Intelligent Power Module)。优选地，所述三相交流负载，可以是感应电机，也可以是永磁同步电机，其中，开关电源单元通过第一容性元件供电。
在本发明的一个实施例中，如图28所示，驱动控制电路100包括电感L、第二容性元件C3、整流模块、开关器件Q、反偏续流二极管D1、第一容性元件C1、开关电源单元、逆变器和负载。供电信号源经电感L和第二容性元件C3滤波后，再经整流模块后转换为直流信号；开关器件Q与反偏续流二极管D1并联，开关器件Q的发射极(或者源极)、反偏续流二极管D1的负极与直流信号正端连接，开关器件Q的集电极(或者漏极)、反偏续流二极管D1的正极与第一容性元件C1正极连接，第一容性元件C1负极与直流信号负端连接；直流信号给逆变器供电，驱动单相交流负载。优选地，所述逆变器可以由4个IGBT组成或者由4个MOSFET组成，同时具有反并联续流二极管。优选地，所述单相交流负载，可以是单相电机，也可以是单相感性负，其中，开关电源单元通过第一容性元件供电载。
如图29至图40所示，在上述任一技术方案中，进一步地，所述电压吸收补偿支路还包括：与所述第一容性元件C1串联的电阻元件和/或电感元件L0，所述电阻元件用于调整流经所述第一容性元件C1的电流大小，所述电感元件L0用于滤除流经所述第一容性元件C1的交流噪声。
在该技术方案中，电阻元件和/或电感元件L0可以接入于高压母线与开关器件之间，也可以接入于第一容性元件C1与低压母线之间，也可以接入于开关器件与第一容性元件C1之间。
另外，电阻元件包括一个电阻，或多个串联和/或并联的电阻，同理，电感元件L0包括一个电感，或多个串联和/或并联的电感。
在上述任一技术方案中，进一步地，所述电阻元件的取值范围为0.1mΩ～10Ω，所述电感元件L0的取值范围为1uH～10mH。
另外，如图29至图40所示，上述驱动控制电路100中可以仅设置一个滤波电感L来消除谐波信号，具体包括以下两种实施方式：
(1)滤波电感L还设置有感性元件，感性元件串联连接在驱动控制电路中交流测的至少一条交流线路(如图29和图30所示，图35和图36所示)上，感性元件为滤波电感L，通过滤波电感L滤除交流线路上所承载的供电信号中的杂波。
(2)所述滤波电感L串接于所述高压母线(如图33和图34所示，图37和图38所示)和/或所述低压母线(如图31和图32所示，图39和图40所示)，所述直流线路承载信号为所述直流信号，其中，所述感性元件的感量取值范围为200uH～25mH。
在该实施例中，感性元件串联连接在驱动控制电路中直流测的压母线和/或低压母线上，感性元件为滤波电感L，通过滤波电感L滤除直流线路上所承载的直流信号中的杂波。
如图41所示，在本发明第四方面的实施例中，提供了一种家电设备300，包括：负载200；如上述任一实施例中所述的驱动控制电路100，所述驱动控制电路100接入于电网系统与负载之间，所述驱动控制电路100被配置为控制电网系统向所述负载200供电。
在该实施例中，家电设备包括如上述任一实施例中所述的驱动控制电路100，因此，该家电设备包括如上述任一实施例中所述的驱动控制电路100的全部有益效果，再次不再赘述。
在本发明的一个实施例中，进一步地，所述家电设备包括空调器、电冰箱、风扇、抽油烟机、吸尘器和电脑主机中的至少一种。
在本发明第五方面的实施例中，在于提出了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现如上述任一项所述的运行控制方法的步骤。
在该实施例中，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述任一技术方案中的运行控制方法，因此，该计算机可读存储介质包括上述任一技术方案中的运行控制方法的全部有益效果，不再赘述。
以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (24)

1.一种运行控制方法，适用于驱动控制电路，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路的母线线路上设有一个可控的第一容性元件，其特征在于，所述运行控制方法包括：
第一开关器件受控于一个控制器，确定所述控制器的开关电源单元的最小工作电压；
根据所述最小工作电压确定所述负载的额定功率；
根据所述额定功率确定对应的第二供电信号阈值；
检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压；
判断所述第一容性元件的电压是否小于第二供电信号阈值；
若判定所述第一容性元件的电压小于所述第二供电信号阈值，则控制所述供电信号对所述第一容性元件进行充电，同时，控制所述供电信号对所述负载进行供电；
若判定所述第一容性元件的电压大于或等于所述第二供电信号阈值，则实时比较所述供电信号与第一供电信号阈值之间的大小关系；
在所述供电信号下降过程中，根据所述供电信号的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿；
在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，
其中，所述逆变器接入于所述第一容性元件与所述负载之间，且所述逆变器被配置为驱动所述负载运行；
所述驱动控制电路还包括第一开关器件和反偏续流二极管，所述第一容性元件与第一开关器件串联接入于所述母线线路中，所述第一开关器件与反偏续流二极管并联连接；
在所述供电信号上升过程中，根据所述第一容性元件的电压的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，具体包括：
在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一容性元件的电压，则控制所述第一开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；
或在所述供电信号上升过程中，若确定所述供电信号小于所述第一容性元件的电压，则控制所述第一开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述第一开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
2.根据权利要求1所述的运行控制方法，其特征在于，
若所述第一开关器件导通，则所述第一容性元件经所述第一开关器件对所述逆变器进行电压补偿；
若所述第一开关器件截止，则所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电。
3.根据权利要求2所述的运行控制方法，其特征在于，在所述供电信号下降过程中，根据所述供电信号的比较结果，确定是否控制所述第一容性元件对逆变器进行电压补偿，具体包括：
在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号大于或等于所述第一供电信号阈值，则控制所述第一开关器件截止，以使所述供电信号对所述逆变器进行供电，同时，所述供电信号经所述反偏续流二极管对所述第一容性元件进行充电；
在所述供电信号下降过程中，若确定所述供电信号小于所述第一供电信号阈值，则控制所述第一开关器件导通，以使所述第一容性元件经所述第一开关器件对所述逆变器进行电压补偿。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的运行控制方法，其特征在于，所述第二供电信号阈值的取值范围为10V~300V，且所述第二供电信号阈值小于所述第一供电信号阈值。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的运行控制方法，其特征在于，
所述第二供电信号阈值的取值范围为10V~300V。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的运行控制方法，其特征在于，在检测所述供电信号和所述第一容性元件的电压前，还包括：
确定所述负载的额定功率；
根据所述额定功率确定对应的第一供电信号阈值，
其中，所述额定功率与所述第一供电信号阈值之间为负相关，
其中，所述第一供电信号阈值的取值范围为10V~350V。
7.一种运行控制装置，所述运行控制装置设有处理器，其特征在于，所述处理器执行计算机程序时，能够实现如权利要求1至6中任一项所述的运行控制方法。
8.一种驱动控制电路，所述驱动控制电路用于将电网系统输入的供电信号对负载进行供电，所述驱动控制电路连接于如权利要求7所述的运行控制装置，其特征在于，所述驱动控制电路包括：
电压吸收补偿支路，包括串联的第一容性元件和开关器件，接入于电网系统与逆变器之间；
所述开关器件与所述第一容性元件串联连接，所述开关器件被配置为控制所述第一容性元件进行充电或放电，
其中，所述第一容性元件放电对所述逆变器进行电压补偿，所述逆变器被配置为驱动负载运行；
所述控制器的供电源包括隔离电源或自举电源，
其中，所述自举电源包括所述逆变器中的自举供电电路、自举二极管和自举电容，所述自举二极管的阳极连接至所述自举供电电路的正极，所述自举二极管的负极连接至所述自举电容的正极，所述自举电容的正极连接至所述控制器的供电端。
9.根据权利要求8所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述逆变器接入于高压母线与低压母线之间，所述开关器件的一端连接至所述高压母线，所述第一容性元件的一端连接至所述低压母线。
10.根据权利要求8所述的驱动控制电路，其特征在于，
控制器，所述控制器连接至所述开关器件，以调控所述开关器件的导通状态；
其中，若所述供电信号大于或等于第一供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第一模式导通，以控制所述第一容性元件进行充电，
另外，若所述控制器检测到所述供电信号小于第二供电信号阈值，则所述控制器触发所述开关器件以第二模式导通，以控制所述第一容性元件进行放电。
11.根据权利要求10所述的驱动控制电路，其特征在于，所述开关器件包括：
功率管，与所述第一容性元件串联，所述功率管的控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述指令输出端向所述控制端输出控制指令，所述控制指令被配置为控制所述功率管导通或截止；
反偏续流二极管，所述反偏续流二极管的两端分别连接至所述功率管的漏极和源极，
其中，若所述功率管导通，则所述第一容性元件经所述功率管向所述负载放电，若所述功率管截止，则所述第一容性元件经所述反偏续流二极管充电或不动作。
12.根据权利要求8所述的驱动控制电路，其特征在于，还包括：
整流模块，设于所述第一容性元件的输入端与所述电网系统之间，所述整流模块被配置为将所述供电信号转换为直流信号，
其中，所述直流信号被配置为向所述第一容性元件充电，以及提供所述负载运行所需的电量，所述逆变器被配置为控制所述直流信号驱动所述负载运行。
13.根据权利要求11所述的驱动控制电路，其特征在于，
若所述负载包括单相交流负载，则所述逆变器包括对应的单相逆变电路，所述单相逆变电路包括：
两个上桥臂功率器件和两个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，
若所述负载包括三相交流负载，则所述逆变器包括对应的三相逆变电路，所述三相逆变电路包括：
三个上桥臂功率器件和三个下桥臂功率器件，接入于所述电压吸收补偿支路的输出端与所述负载的输入端之间，
其中，一个相位的所述上桥臂功率器件与一个对应相位的所述下桥臂功率器件串联相接，同一相位的所述上桥臂功率器件与所述下桥臂功率器件不同时导通。
14.根据权利要求13所述的驱动控制电路，其特征在于，
任一所述上桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作上桥臂反偏续流二极管，
任一所述下桥臂功率器件的源极和漏极之间接有一个反偏续流二极管，记作下桥臂反偏续流二极管。
15.根据权利要求13所述的驱动控制电路，其特征在于，
任一所述上桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，
任一所述下桥臂功率器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，
其中，所述绝缘栅双极型晶体管的集电极作为所述漏极连接，所述绝缘栅双极型晶体管的发射极作为所述源极连接。
16.根据权利要求13所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述功率管包括金属氧化物半导体场效应晶体管和/或绝缘栅双极型晶体管，
其中，所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端，所述绝缘栅双极型晶体管的基极作为所述控制端连接至所述控制器的指令输出端。
17.根据权利要求8至16中任一项所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述负载的负载包括风机和/或压缩机，
或所述负载的负载包括感应电机和/或永磁同步电机。
18.根据权利要求8至16中任一项所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述第一容性元件包括电解电容，和/或所述第一容性元件包括一个电容元件，和/或所述第一容性元件包括多个串联和/或并联的电容元件。
19.根据权利要求8至16中任一项所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述第一容性元件的容值取值范围为10uF~2000uF。
20.根据权利要求8至16中任一项所述的驱动控制电路，其特征在于，所述电压吸收补偿支路还包括：
与所述第一容性元件串联的电阻元件和/或电感元件，所述电阻元件用于调整流经所述第一容性元件的电流大小，所述电感元件用于滤除流经所述第一容性元件的交流噪声。
21.根据权利要求20所述的驱动控制电路，其特征在于，
所述电阻元件的取值范围为0.1mΩ~10Ω，所述电感元件的取值范围为1uH~10mH。
22.一种家电设备，其特征在于，包括：
负载；
如权利要求8至21中任一项所述的驱动控制电路，所述驱动控制电路接入于电网系统与负载之间，所述驱动控制电路被配置为控制电网系统向所述负载供电。
23.根据权利要求22所述的家电设备，其特征在于，
所述家电设备包括空调器、电冰箱、风扇、抽油烟机、吸尘器和电脑主机中的至少一种。
24.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被执行时，实现如权利要求1至6中任一项所述的运行控制方法的步骤。
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