CN109981062B - 具有非对称放大结构和线性的功率放大设备 - Google Patents

具有非对称放大结构和线性的功率放大设备 Download PDF

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Abstract

本公开提供一种具有非对称放大结构和线性的功率放大设备。所述功率放大设备包括：第一偏置电路，产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路可具有与所述第一放大电路的尺寸不同的尺寸。

Description

具有非对称放大结构和线性的功率放大设备
本申请要求于2017年12月27日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0181053号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种利用非对称放大结构保持线性的功率放大设备。
背景技术
随着对无线通信系统中的宽带、多媒体和智能化的能力的需求逐渐增加，对应用于无线通信系统的射频(RF)功率放大器中的宽带能力、线性改善以及智能化能力的需求也增加。
由于使RF功率放大器在较高功率区域中线性地操作是有益的，因此应确保针对包括多个频带的宽带信号的线性并且不失真。
然而，在典型RF功率放大器中，当两个或更多个不同带的基频信号之间的间隔窄时，由于基频信号与三阶互调失真(下文称为IM3)分量相邻，所以IM3分量和基频信号之间的差(下文称为IMD3)和线性可能减小。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化的形式介绍将在下面的具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种功率放大设备包括：第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，被配置为产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路可具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益。
所述第二放大信号可具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第一放大信号中的三阶互调失真(IM3)分量的相位。
所述第二偏置电流的所述第二幅值可小于所述第一偏置电流的所述第一幅值。
所述第二放大电路中的晶体管的数量可大于所述第一放大电路中的晶体管的数量。
所述第二放大电路的所述电流增益可大于所述第一放大电路的所述电流增益。
所述第二偏置电流的所述第二幅值可大于所述第一偏置电流的所述第一幅值。
所述第二放大电路中的晶体管的数量可小于所述第一放大电路中的晶体管的数量。
所述第二放大电路的所述电流增益可小于所述第一放大电路的所述电流增益。
所述第一偏置电流可以是AB类的偏置电流，并且所述第二偏置电流可以是AB类和B类之间的深AB类的偏置电流。
所述第二偏置电路可被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在输入的所述信号中的基频的幅值相对应的幅值。
在一个总体方面，一种功率放大设备包括：驱动偏置电路，被配置为生成驱动偏置电流；驱动放大电路，连接在输入端子和第一节点之间，并且被配置为：接收所述驱动偏置电流，放大具有第一频率分量和第二频率分量的输入信号，并且将第一放大信号输出到所述第一节点；第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；第一放大电路，连接在所述第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点；第二偏置电路，被配置为：产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第三放大信号输出到所述第二节点，其中，所述第二放大电路被配置为具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益。
所述第三放大信号可具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第二放大信号中的三阶互调失真(IM3)分量的相位。
所述第二偏置电流的所述第二幅值可小于所述第一偏置电流的所述第一幅值。
所述第二放大电路的所述电流增益可大于所述第一放大电路的所述电流增益。
所述第二偏置电流的所述第二幅值可大于所述第一偏置电流的所述第一幅值。
所述第二放大电路的所述电流增益可小于所述第一放大电路的所述电流增益。
所述第一偏置电流可以是AB类的偏置电流，并且所述第二偏置电流可以是AB类和B类之间的深AB类的偏置电流。
所述第二偏置电路可被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在所述输入信号中的基频的幅值相对应的幅值。
在一个总体方面，一种功率放大设备包括：具有第一电流增益的第一放大器，并且被配置为基于接收到的第一偏置电流以及包括一个或更多个频率分量的输入信号而产生第一放大信号；以及具有比所述第一电流增益大的第二电流增益的第二放大器，与所述第一放大器并联连接，并且被配置为基于所述输入信号和接收到的第二偏置电流，产生第二放大信号，其中，所述第二放大信号可具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第一放大信号中的三阶互调失真(IM3)分量的相位。
所述第二放大器的晶体管的数量可大于所述第一放大器的晶体管的数量。
通过下面的具体实施方式、附图和权利要求，其它特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是示出功率放大设备的配置的示例的示图；
图2是示出功率放大设备的配置的示例的示图；
图3是示出功率放大电路的实施的示例的示图；
图4是示出偏置电路的实施的示例的示图；
图5A和图5B是描述由于放大电路的镜像电容效应产生的输入电容的示例的示图；以及
图6示出了根据是否使用可变偏置的IMD3-Pout的特性曲线图的示例。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。在附图中，例如由于制造技术和/或公差，所示形状的改变可以被预估。因此，在此描述的示例不应被解释为限于在此示出的区域的特定形状，例如，在此描述的示例包括由于制造导致的形状的改变。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于这里阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可对这里描述的操作的顺序做出在理解了本申请的公开内容之后将显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”、“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分还可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”、“下面”的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在另一元件“之上”或“上面”的元件随后将被定位为在所述另一元件“之下”或“下面”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其它方式被定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并且将相应地解释这里使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅是为了描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可能发生附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中示出的具体形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。
图1是示出功率放大设备的配置的示例的示图。
参照图1，根据示例的功率放大设备可包括第一偏置电路210、第一放大电路(或放大器)110、第二偏置电路220和第二放大电路(或放大器)120。
图2是示出功率放大设备的配置的另一示例的示图。参照图2，功率放大设备可包括驱动偏置电路205、驱动放大电路105、第一偏置电路210、第一放大电路110、第二偏置电路220以及第二放大电路120。
参照图2，驱动偏置电路205可产生驱动偏置电流Ibias。
驱动放大电路105可被供应驱动偏置电流Ibias并放大具有第一频率分量f1和第二频率分量f2的双音调的输入信号Sin，并且输出放大信号S105。作为示例，除了放大的第一频率分量f1和放大的第二频率分量f2以外，放大信号S105还可包括IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)。
作为示例，第一频率分量f1和第二频率分量f2可以是长期演进(LTE)B1高信道(fc:1979.5MHz)的双音调信号，并且在这种情况下，音调间隔可以是1MHz。
参照图1和图2，第一偏置电路210可产生第一偏置电流Ibias1。
第一放大电路110可被供应第一偏置电流Ibias1并放大通过第一节点N1(或输入端子IN，图1)输入的信号，并且将第一放大信号S110输出到第二节点N2，其中，第一节点N1是驱动放大电路105的输出节点。作为示例，第一放大信号S110可包括放大的第一频率分量f1、放大的第二频率分量f2以及IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)。
第二偏置电路220可产生第二偏置电流Ibias2，第二偏置电流Ibias2具有与第一偏置电流Ibias1的幅值不同的幅值。作为示例，第二偏置电流Ibias2可具有比第一偏置电流Ibias1的幅值小的幅值。作为另一示例，第二偏置电流Ibias2可具有比第一偏置电流Ibias1的幅值大的幅值。
例如，第一偏置电流Ibias1可以是AB类的偏置电流，并且第二偏置电流Ibias2可以是AB类与B类之间的深AB类的偏置电流。
第二放大电路120可与第一放大电路110并联连接，并且可被供应第二偏置电流Ibias2。第二放大电路120可放大通过第一节点N1(或输入端子IN，图1)输入的信号，并且将第二放大信号S120输出到第二节点N2。作为示例，为了精确地消除IM3分量，第二放大电路120可具有与第一放大电路110的尺寸不同的尺寸。在示例中，尺寸可以是放大电路110和120的物理尺寸。作为另一示例，第二放大电路120可具有与第一放大电路110的电流增益不同的电流增益。例如，第二放大电路120的偏置电流的幅值可以大于第一放大电路110的偏置电流的幅值，并且第二放大电路120的增益(例如，电流增益)可以小于第一放大电路110的增益(例如，电流增益)。再者，第二放大电路120的偏置电流的幅值可以小于第一放大电路110的偏置电流的幅值，第二放大电路120的增益(例如，电流增益)可以大于第一放大电路110的增益(例如，电流增益)。
作为示例，第二放大信号S120可包括放大的第一频率分量f1和放大的第二频率分量f2，并且还可包括相位偏移的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)。
此外，第二放大电路120可基于第二偏置电流Ibias2输出具有三次谐波分量的第二放大信号S120，所述三次谐波分量具有可抵消或消除包括在第一放大信号S110中的IM3分量的相位。作为示例，可抵消或消除IM3分量的偏移相位或相位可以是150°与180°之间的相位，并且可以基本上是180°以增加IM3分量的消除效果。
此外，第二放大电路120可以以与第一放大电路110的尺寸不同的尺寸实现，并且可输出第二放大信号S120，第二放大信号S120具有与包括在第一放大信号S110中的IM3分量的幅值相同的幅值的三次谐波分量。
相应地，在第二节点N2处，由于来自第一放大电路110的第一频率分量f1和第二频率分量f2具有与来自第二放大电路120的第一频率分量f1和第二频率分量f2的相位相同的相位，因此来自第一放大电路110的第一频率分量f1和第二频率分量f2以及来自第二放大电路120的第一频率分量f1和第二频率分量f2彼此相加，使得第一频率分量f1的幅值和第二频率分量f2的幅值可进一步增大。例如，在图1和图2中，可在输出端子OUT输出增大的输出信号Sout。
另一方面，在第二节点N2处，来自第一放大电路110的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)相对于来自第二放大电路120的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)具有大约180°的偏移相位，并且来自第一放大电路110的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)的幅值与来自第二放大电路120的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)的幅值彼此大致相同，使得来自第一放大电路110的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)与来自第二放大电路120的IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)彼此抵消。结果，在第二节点N2处，IM3分量(2f1-f2、2f2-f1)的幅值可显著减小或者IM3分量几乎可消除。
如上所述，当以不同偏置电平驱动的第一放大电路110和第二放大电路120具有特定偏置幅值差时，在相应输出处产生的IM3分量可具有180°的相位差，并且由于第一放大电路110和第二放大电路120可以以不同的尺寸实现，并且输出IM3分量的幅值可彼此相同，因此IM3分量几乎可消除。
根据示例，当从第一放大电路110和第二放大电路120产生的各自的IM3分量大致具有彼此相同的幅值并且具有180°的相位差时，可实现最大的消除效果。
在示例中，将描述这样的构思：在第一放大电路110和第二放大电路120的各自偏置的幅值彼此不同的情况下，从第一放大电路110输出的IM3分量和从第二放大电路120输出的IM3分量的相位发生偏移。原因是：在每个放大电路中，与IM3相关联的晶体管的三阶跨导gm”可根据偏置电平而具有负值或正值。例如，当放大电路的晶体管偏置时，三阶跨导可在晶体管处于弱反型区域中的情况下具有正值+gm”，并且三阶跨导可在晶体管处于强反型区域中的情况下具有负值-gm”。另一方面，无论偏置区域如何，与基频信号相关联的一阶跨导可总是具有正值。
如上所述，被偏置以具有不同幅值从而使IM3分量的相位差为180°的第一放大电路110和第二放大电路120可具有如上所述的基于第一放大电路110和第二放大电路120的相对尺寸确定的IM3分量的电流幅值。第一放大电路110和第二放大电路120的相对尺寸可能对于获得更有效的IM3消除效果而言是重要的。
在各个示例中，第一放大电路110和第二放大电路120可彼此非对称地并联连接，并且可偏置到不同电平，从而可获得最有效的IM3消除效果。此外，第二放大电路120可具有与第一放大电路110的尺寸不同的尺寸。作为示例，第一放大电路110的尺寸或第二放大电路120的尺寸可与彼此并联连接的晶体管的数量相对应，但不限于此。例如，第二放大电路120包括的晶体管的数量可以大于第一放大电路110包括的晶体管的数量，第二放大电路120的尺寸可以大于第一放大电路110的尺寸。作为另一示例，第二放大电路120可具有与第一放大电路110的电流增益不同的电流增益。作为示例，第一放大电路110的增益或第二放大电路120的增益可通过彼此并联连接的晶体管的数量来确定，但不限于此。
在本公开的各个附图中，可以省略针对具有相同附图标记和相同功能的组件的不必要的重复描述，而将描述各个附图中的差异。
图3是示出功率放大设备的实施的示例的示图。
参照图3，驱动放大电路105可包括具有被供应驱动偏置电流Ibias的基极的多个驱动晶体管QD。第一放大电路110可包括具有被供应第一偏置电流Ibias1的基极的多个第一放大晶体管Q1。第二放大电路120可包括具有被供应第二偏置电流Ibias2的基极的多个第二放大晶体管Q2。
此外，功率放大电路可包括输入匹配电路(IMC)115、级间匹配电路(MMC)125和输出匹配电路(OMC)135。
输入匹配电路IMC 115可包括电感器和电容器。
级间匹配电路MMC 125可包括线式电感器。
输出匹配电路OMC 135可包括电感器、电容器以及用于放电保护的反向连接的二极管电路。
作为示例，隔直电容器可连接在上述电路之间。
作为示例，驱动晶体管QD、第一放大晶体管Q1和第二放大晶体管Q2中的每个可以是异质结双极晶体管(HBT)，但不限于此。
图4是示出偏置电路的示例的示图。
参照图4，作为示例，驱动偏置电路205可包括在驱动参考电流Iref端子与地之间彼此串联连接的电阻器R11、彼此连接的二极管接法的晶体管Q11和Q12以及电阻器R12。驱动偏置电路205可包括输出晶体管Q13，输出晶体管Q13具有连接至电池电压Vbat端子的集电极、连接至电阻器R11与二极管接法的晶体管Q11的连接节点的基极以及通过电阻器R13连接至输出端子的发射极。驱动偏置电路205还可包括连接至输出晶体管Q13的基极的电容器C11。图4中示出的驱动偏置电路205仅作为示例示出，而不限于此。
作为示例，第一偏置电路210可包括在第一参考电流Iref1端子与地之间彼此串联连接的电阻器R21、彼此连接的二极管接法的晶体管Q21和Q22以及电阻器R22。第一偏置电路210可包括输出晶体管Q23，输出晶体管Q23具有连接至电池电压Vbat端子的集电极、连接至电阻器R21与二极管接法的晶体管Q21的连接节点的基极以及通过电阻器R23连接至输出端子的发射极。第一偏置电路210还可包括连接至输出晶体管Q23的基极的电容器C21。图4中示出的第一偏置电路210仅作为示例示出，而不限于此。
作为示例，第二偏置电路220可包括在第二参考电流Iref2端子与地之间彼此串联连接的电阻器R31、彼此连接的二极管接法的晶体管Q31和Q32以及电阻器R32。第二偏置电路220可包括输出晶体管Q33，输出晶体管Q33具有连接至电池电压Vbat端子的集电极、连接至电阻器R31与二极管接法的晶体管Q31的连接节点的基极以及通过电阻器R33连接至输出端子的发射极。第二偏置电路220还可包括连接至输出晶体管Q33的基极的电容器C31。图4中示出的第二偏置电路220仅作为示例示出，而不限于此。
作为示例，在第一偏置电路210的电阻器R23的值与第二偏置电路220的电阻器R33的值被设定为彼此不同的情况下，第一偏置电流Ibias1的幅值和第二偏置电流Ibias2的幅值可被设定。将第一偏置电流和第二偏置电流设定为彼此不同的方式不限于上述示例。
图5A和图5B是描述由于放大电路的镜像电容效应产生的输入电容的示例的示图。
参照图5A，放大电路可包括输入端子(基极)与输出端子(集电极)之间的基极-集电极电容Cbc。
参照图5B，由于米勒电容效应而出现在输入节点的基极处的输入电容Cin可通过下面使用基极-集电极电容Cbc的式1来表示。
式1
Cin＝Cbe+(1-(-Av))*Cbc
式1指示放大电路的输入电容可通过电压增益(-Av)而提升。此外，输入电容的幅值可基于反相放大电路的电压增益(-Av)而改变。相应地，在具有彼此相同尺寸的第一放大电路110和第二放大电路120被偏置到不同电平的示例中，由于被供应相对小的幅值的偏置电流的第二放大电路120可具有比第一放大电路110的跨导gm小的跨导gm并因此具有小的电压增益，因此即使第一放大电路110和第二放大电路120具有彼此相同的尺寸，第二放大电路也可具有低的输入电容。
在阻抗方面，如果在放大电路被分成具有彼此相同尺寸的第一放大电路110和第二放大电路120的状态下，第二放大电路120被偏置到低幅值的偏置电流，则第二放大电路120可具有比第一放大电路110的输入阻抗大的输入阻抗。
在示例中，信号的电流可集中在作为具有低输入阻抗的路径的第一放大电路110上，并且从第二放大电路120输出的基频信号的幅值和IM3分量的幅值可小于第一放大电路110的基频信号的幅值和IM3分量的幅值。
结果，即使具有彼此相同尺寸的第一放大电路和第二放大电路的IM3分量具有精确的180°的相位差，也会由于存在IM3分量的幅值的差而可能难以实现最大的IM3消除效果。
为了补偿上述现象，如果被供应具有小幅值的偏置的第二放大电路120的尺寸相对大于第一放大电路110的尺寸，则第二放大电路120的基极-集电极结电容可进一步增大。相应地，输入阻抗可减小并且放大电路可以以较高电流驱动，从而可实现更有效的IM3消除。
此外，在具有低偏置电平的晶体管中，电压增益(Av)可以是小的，但如果晶体管的尺寸增大，则寄生电容Cbe和Cbc可增大并且输入电容Cin可增大，使得输入阻抗可减小并且输入信号的电流可增大。在输入电流增大的示例中，IM3电流可根据非线性式而与输入电流的幅值的三次方成比例地增大。结果，如果使用非对称放大结构，则从两个放大电路110和120输出的IM3的幅值可被补偿为大致上彼此相同，从而可改善IM3的消除效果并且可改善线性。
图6是根据是否使用可变偏置的IMD3-Pout的特性曲线图。
P1和P2是LTE B3的频带(@1710MHz至1785MHz)中的IMD3仿真的结果曲线图，其中，P1是针对使用具有彼此相同尺寸的第一放大电路(210:1500μm2)和第二放大电路(220:1500μm2)的示例的IMD3-Pout特性曲线图，并且P2是针对使用具有非对称尺寸的第一放大电路(210:1500μm2)和第二放大电路(220:2100μm2)的情况的IMD3-Pout特性曲线图。
参照图6的P1和P2，在25dBm的目标功率(Pout)下，P1是-32dBc，并且在示例中，P2是-34dBc，从而存在大致2dB的改善效果。
如以上所阐述的，根据示例，在使用包括两个不同频率分量的双音调信号的装置的并联放大电路中，可通过实现包括非对称放大结构的并联放大电路的结构，同时使偏置电流的幅值彼此不同，来进一步改善IMD3和线性。
也就是说，并联放大电路的各自偏置电流的幅值可被实现为彼此不同，并且并联放大电路的各自尺寸可被实现为彼此不同，从并联放大电路输出的IM3电流可具有180°的相位差并且可具有彼此相同的幅值，从而更有效地实现IM3消除效果。
尽管本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其它组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可以获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (18)

1.一种功率放大设备，包括：
第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；
第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；
第二偏置电路，被配置为产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及
第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，
其中，所述第二放大电路被配置为具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益，
其中，所述第二偏置电流的所述第二幅值小于所述第一偏置电流的所述第一幅值，并且
其中，所述第二放大电路的所述电流增益大于所述第一放大电路的所述电流增益。
2.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述第二放大信号具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第一放大信号中的三阶互调失真分量的相位。
3.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述第二放大电路中的晶体管的数量大于所述第一放大电路中的晶体管的数量。
4.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述第一偏置电流是AB类的偏置电流，并且
所述第二偏置电流是AB类与B类之间的深AB类的偏置电流。
5.根据权利要求1所述的功率放大设备，其中，所述第二偏置电路被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在输入的所述信号中的基频的幅值相对应的幅值。
6.一种功率放大设备，包括：
第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；
第一放大电路，连接在第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的信号，并且将第一放大信号输出到所述第二节点；
第二偏置电路，被配置为产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及
第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点，
其中，所述第二放大电路被配置为具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益，
其中，所述第二偏置电流的所述第二幅值大于所述第一偏置电流的所述第一幅值，并且
其中，所述第二放大电路的所述电流增益小于所述第一放大电路的所述电流增益。
7.根据权利要求6所述的功率放大设备，其中，所述第二放大信号具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第一放大信号中的三阶互调失真分量的相位。
8.根据权利要求6所述的功率放大设备，其中，所述第二放大电路中的晶体管的数量小于所述第一放大电路中的晶体管的数量。
9.根据权利要求6所述的功率放大设备，其中，所述第二偏置电路被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在输入的所述信号中的基频的幅值相对应的幅值。
10.一种功率放大设备，包括：
驱动偏置电路，被配置为生成驱动偏置电流；
驱动放大电路，连接在输入端子和第一节点之间，并且被配置为：接收所述驱动偏置电流，放大具有第一频率分量和第二频率分量的输入信号，并且将第一放大信号输出到所述第一节点；
第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；
第一放大电路，连接在所述第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点；
第二偏置电路，被配置为：产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及
第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第三放大信号输出到所述第二节点，
其中，所述第二放大电路被配置为具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益，
其中，所述第二偏置电流的所述第二幅值小于所述第一偏置电流的所述第一幅值，并且
其中，所述第二放大电路的所述电流增益大于所述第一放大电路的所述电流增益。
11.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述第三放大信号具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第二放大信号中的三阶互调失真分量的相位。
12.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述第一偏置电流是AB类的偏置电流，并且
所述第二偏置电流是AB类与B类之间的深AB类的偏置电流。
13.根据权利要求10所述的功率放大设备，其中，所述第二偏置电路被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在所述输入信号中的基频的幅值相对应的幅值。
14.一种功率放大设备，包括：
驱动偏置电路，被配置为生成驱动偏置电流；
驱动放大电路，连接在输入端子和第一节点之间，并且被配置为：接收所述驱动偏置电流，放大具有第一频率分量和第二频率分量的输入信号，并且将第一放大信号输出到所述第一节点；
第一偏置电路，被配置为产生具有第一幅值的第一偏置电流；
第一放大电路，连接在所述第一节点和第二节点之间，并且被配置为：接收所述第一偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第二放大信号输出到所述第二节点；
第二偏置电路，被配置为：产生具有第二幅值的第二偏置电流，所述第二幅值与所述第一偏置电流的所述第一幅值不同；以及
第二放大电路，与所述第一放大电路并联连接在所述第一节点和所述第二节点之间，并且被配置为：接收所述第二偏置电流，放大通过所述第一节点输入的所述第一放大信号，并且将第三放大信号输出到所述第二节点，
其中，所述第二放大电路被配置为具有与所述第一放大电路的电流增益不同的电流增益，
其中，所述第二偏置电流的所述第二幅值大于所述第一偏置电流的所述第一幅值，并且
其中，所述第二放大电路的所述电流增益小于所述第一放大电路的所述电流增益。
15.根据权利要求14所述的功率放大设备，其中，所述第三放大信号具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第二放大信号中的三阶互调失真分量的相位。
16.根据权利要求14所述的功率放大设备，其中，所述第二偏置电路被配置为将所述第二偏置电流产生为具有与包括在所述输入信号中的基频的幅值相对应的幅值。
17.一种功率放大设备，包括：
第一放大器，被配置为具有第一电流增益，并且被配置为：基于接收到的具有第一幅值的第一偏置电流以及包括一个或更多个频率分量的输入信号，产生第一放大信号；以及
第二放大器，被配置为具有比所述第一电流增益大的第二电流增益，与所述第一放大器并联连接，并且被配置为：基于所述输入信号以及接收到的具有与所述第一幅值不同的第二幅值的第二偏置电流，产生第二放大信号，
其中，所述第二放大信号具有三次谐波分量，所述三次谐波分量具有抵消所述第一放大信号中的三阶互调失真分量的相位，
其中，所述第二偏置电流的所述第二幅值小于所述第一偏置电流的所述第一幅值，并且
其中，所述第二放大器的所述电流增益大于所述第一放大器的所述电流增益。
18.根据权利要求17所述的功率放大设备，其中，由所述第二放大器实施的晶体管的数量大于由所述第一放大器实施的晶体管的数量。
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