CN109975922B - 一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法及系统,包括利用色心诱发源诱发有源光纤纤芯产生色心;利用缺陷修复源消除色心并诱导部分光纤缺陷修复得到光子暗化性能加固的有源光纤。系统包括色心诱发模块,用于诱发光纤纤芯产生色心;缺陷修复模块,用于消除所述色心并修复光纤缺陷。本发明提供的抑制光子暗化性能的方法不需额外引入掺杂离子或改变基质组份从而降低光纤制备难度减少制备限制,因此容易制备出高性能的有源光纤,实现高斜率效率、高光束质量的高功率单模运行光纤激光器及放大器系统;并且对光纤的结构、制备工艺没有限制性,同时也不受特殊因素限制,通用性强。
Description
技术领域
本发明属于有源光纤领域,更具体地,涉及一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法及系统。
背景技术
掺镱光纤激光器及放大器已被广泛应用于工业加工、国防军事等领域。光子暗化性能改善是使用掺镱光纤作为增益介质的光纤激光器和放大器继续解决的一个关键问题。光子暗化效应导致光纤激光器及放大器的激光输出功率随着运行时间增加而降低,同时也导致了光纤激光器及放大器系统的热负载增加、模式劣化等一系列问题。从而最终影响掺镱光纤激光器及放大器系统热管理难度增加,功率不稳,光束质量劣化,以及功率攀升受限。
光子暗化效应中色心形成的物理机制过程尚不清晰。其诱发原因推测为泵浦光诱导的基态镱粒子跃迁至上能级态后,在泵浦光能量的继续作用下,发生电子或空穴捕获,电荷转移,或协同上转换发光或能量传递释放更高能光子从而诱发色心等。因此,光子暗化效应的严重程度与镱离子反转程度、镱离子周围的微环境相关。目前改善光纤光子暗化性能的方法已有许多研究报导,改善方法大致可分为两类:一类是基于光纤纤芯组份调节,改变共掺杂离子及掺杂浓度等,降低缺陷、色心形成几率,或中断色心形成过程;一类是基于光纤结构设计,降低光与镱离子的相互作用;一类是基于光纤制备及处理技术,降低缺陷、或使缺陷钝化抑制色心。目前改善光子暗化性能的方法,多集中于基于调节光纤纤芯组份的方式。但是通过共掺杂组份调节来改善光纤光子暗化性能的方法,不可避免地会对光纤其它性能产生影响,从而带来一些限制性问题。例如共掺铈离子,会使光纤纤芯的折射率及数值孔径发生改变,增加纤芯模式数量,降低光纤光束质量,限制有源镱离子掺杂浓度等,需要通过其它辅助手段进行补偿调节;共掺磷离子,或采用磷酸盐基质,会改变镱离子所处的微环境,降低吸收及发射截面、降低荧光寿命等,从而对激光斜率效率产生不利影响;共掺钙离子,会降低纤芯粘度、降低光纤机械性能、热性能及损伤阈值等,从而限制光纤在高功率等场景中的应用。
而基于光纤结构设计,对光纤纤芯结构存在特殊性要求。基于光纤制备及处理技术,如采用新的光纤预制棒制备技术,通用性不足。例如先采用伽马射线、X射线或者电子束中的一种或多种辐照掺镱光纤,使光纤光诱导缺陷,随后对光纤进行载氢处理,获得具有抗光子暗化效应的掺镱光纤。但该方法强依赖于氢分子。
发明内容
针对现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法及系统,旨在解决掺镱光纤在系统运行中纤芯损耗增加输出激光功率衰退的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法,包括:
利用色心诱发源诱发有源光纤纤芯产生色心;
利用缺陷修复源消除色心并诱导部分光纤缺陷修复得到光子暗化性能加固的有源光纤。
优选地,色心诱发源为光源或者辐射源,色心诱发光源的波长位于有源离子的吸收波范围内,注入方式为纤芯注入或者包层注入,注入的功率密度范围为3W/um2~1000W/um2;色心诱发辐射源包括高能射线、电子束或者中子束等,但不限于这几种方式,注入方式为光纤均匀辐照,辐照总剂量的范围为0.1kGy~30kGy。
优选地,色心诱发光源或色心诱发辐射源所产生吸收峰位于紫外区,并延伸至有源离子的吸收及荧光光谱波段范围。在吸收及荧光光谱波段范围诱导的纤芯衰减范围为0.01dB/m~50dB/m,包层衰减小于3dB/m。
优选地,缺陷修复源的光子能量范围为2.26eV~2.47eV,注入方式为纤芯注入或者包层注入,注入的功率密度范围为0.1kW/um2~30kW/um2。
基于上述改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法,在实际应用中对相应有源光纤需进行光加固处理,包括有源光纤衰减的测试,有源光纤纤芯色心的诱发处理,以及有源光纤纤芯色心消除及缺陷修复。
进一步地,有源光纤衰减的测试重点检测光纤吸收及发射波段的纤芯及包层衰减。
进一步的,有源光纤纤芯色心的诱发处理,诱发源为光源时采用纤芯或包层光注入方式,诱发源为辐照源时,采用光纤均匀辐照处理。
进一步的,有源光纤纤芯色心消除及缺陷修复,光源注入方式采用纤芯或包层光注入方式。
进一步的,实施步骤包括:
(1)截取一段光纤,测试光纤包层衰减程度和纤芯衰减程度。
(2)使用光源或辐射源中的一种或多种对光纤进行一段时间的照射处理。光源输出光通过纤芯或包层注入至待处理的有源光纤中,或者将待处理光纤放置在辐射源均匀辐照的位置,注意辐射源的选择,需避免选用对涂层损伤大的辐射源。
(3)从步骤(2)光纤上截取一段,测试光纤包层衰减程度和纤芯衰减程度。若包层衰减相对于步骤(1)的增长幅度过高,则需调整步骤(2)中使用的色心诱发源;若纤芯衰减程度相对于步骤(1)的增长幅度较低,则继续重复步骤(2),提升光源功率密度或延长光源注入时间,或者则延长辐照时间提升辐照总剂量,直至诱发的纤芯衰减介于15dB/m~450dB/m,进入步骤(4)。
(4)将光子能量介于2.26eV~2.47eV光源对光纤进行光注入,注入方式采用纤芯或包层注入,光注入时间为30分钟以上。
(5)截取一段光纤,测试光纤的纤芯衰减程度。若纤芯衰减程度相对于步骤(1)中的增长幅度较大,则继续重复步骤(4),提升光源功率密度或延长光源注入时间。直至纤芯衰减程度相对步骤(1)衰减的增长幅度小于5%。
通过本发明所构思的以上技术方案,与现有技术相比,能够取得以下有益效果:
1、本发明提供的抑制光子暗化性能的方法,可以在不改变纤芯组份的情况下实现抗光子暗化性能的加固,提高光纤激光器及放大器系统的长期可靠性;
2、本发明提供的抑制光子暗化性能的方法,不需额外引入掺杂离子或改变基质组份从而降低光纤制备难度减少制备限制,因此容易制备出高性能的有源光纤,实现高斜率效率、高光束质量的高功率单模运行光纤激光器及放大器系统;
3、本发明提供的抑制光子暗化性能的方法,对光纤的结构、制备工艺没有限制性,同时也不受特殊因素限制,通用性强。
附图说明
图1是本发明实例1提供的光源包层注入方式诱发色心方法示意图;
图2是本发明实例1提供的光源纤芯注入方式修复缺陷方法示意图;
图3是本发明实例1中光加固处理前后光纤的光子暗化性能对比图;
图4是本发明实例1中光加固处理前后光纤的激光性能对比图;
图5是本发明实例2提供的辐射源诱发色心方法示意图;
图6是本发明实例2提供的光源包层注入方式修复缺陷方法示意图;
图7是本发明实例2中光加固处理前后光纤的光子暗化性能对比图;
图8是本发明实例2中光加固处理前后光纤的激光性能对比图;
附图标注说明:
11:色心诱发光源,12、22、62:熔点,13、23、52、63:掺镱光纤,14、24、64:光纤端面,21、61:缺陷修复光源,25:合束器,51:色心诱发辐射源。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供了一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法,包括:
利用光源或者辐射源中的一种或者多种,通过光源光注入光纤或者辐射源均匀辐照光纤的方式,诱发有源光纤纤芯中形成一定量的色心;然后利用光子能量介于2.26eV~2.47eV的光源消除色心并诱导部分光纤缺陷修复得到光子暗化性能加固的有源光纤。
具体地,色心诱发的光源通过纤芯或包层注入方式注入到待处理光纤中。光源的波长位于有源离子吸收波段范围内,光注入到光纤的功率密度介于0.1-30kW/um2,注入的时间优选24小时以上。色心诱发的辐射源包括高能射线、电子束或中子束等,但不限于此,辐照总剂量介于0.1kGy~30kGy。采用光源或辐射源诱发色心的能量应略大于光纤在有源光纤应用系统中运行所需承载的能量。采用的光源或辐射源,所诱发色心的吸收峰位于紫外区,并延伸至有源离子的吸收及荧光光谱波段范围。在吸收及荧光光谱波段范围诱导的纤芯衰减介于0.01dB/m-50dB/m,包层衰减小于3dB/m。注意避免使用的能量过大,或对涂层易造成严重损伤的诱发源。
基于上述改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法,先测试待处理有源光纤的包层衰减和纤芯衰减,然后对对待测光纤进行光照或者辐照处理,诱发光纤纤芯产生色心,再对已处理的有源光纤执行包层衰减和纤芯衰减测试,调整光源或辐照源的选取及能量控制,直至达到预期的色心诱发程度;随后选用光子能量介于2.26eV~2.47eV的光源进行一段时间的预固化处理;截取处理后的有源光纤执行纤芯衰减测试,直至纤芯衰减程度相对原始未处理有源光纤的衰减增长幅度小于5%。
本发明实施例1,采用本发明所述光加固方法对镱铝共掺光纤进行处理,提升光纤的抗光子暗化性能,该镱铝共掺光纤纤芯直径为10um,包层直径130um,915nm处的纤芯吸收1.6dB/m,1100nm处的包层衰减为27dB/km,700nm处的包层衰减为38dB/km。本案例采用能量1.36eV光源11作为色心诱发源,利用包层注入方式,如图1所示。采用能量2.33eV光源作为缺陷修复光源21,利用纤芯注入方式,如图2所示。详细的光加固处理步骤如下:
测试掺镱光纤13的包层衰减,截取10cm光纤测试光纤纤芯衰减性能。
利用光纤切割刀及熔接机,将15W的2.33eV半导体光源11输出尾纤与掺镱光纤13的一端光纤直接熔接处理,熔点12。掺镱光纤13的另外一端光纤端面14做斜角切割处理。处理完毕后,开启半导体光源11,功率调至5W,持续光注入2.5小时。
从熔接点12处截断,测试掺镱光纤13的包层衰减,包层衰减无增长,确认色心诱发光源合适。截取10cm光纤13测试光纤纤芯衰减性能,衰减增长幅度小,光源注入时间需增加。重复前一步骤,开启半导体光源11,功率保持5W,继续持续光注入2.5小时。
光注入结束后,从熔点12处截断,更换光源为能量2.33eV光源21,将光源21的尾纤与合束器25信号注入端尾纤熔接,实现光的纤芯注入。合束器25的输出端尾纤与掺镱光纤23尾纤熔接,熔点22。掺镱光纤23的另外一端光纤端面24做斜角切割处理。处理完毕后,开启光源21,功率保持1W,持续光注入2小时。
从熔接点22处截断,截取10cm光纤测试光纤纤芯衰减性能,衰减与首次测试光纤纤芯衰减基本一致,小于5%,光加固处理完成。测试验证,经固化处理前后掺镱光纤的光子暗化性能如图3所示。固化前后掺镱光纤的斜率效率如图4所示。
本发明实施案例2,采用本发明所述光加固方法对镱铝共掺光纤进行处理,提升光纤的抗光子暗化性能,该镱铝共掺光纤纤芯直径为6um,包层直径125um,915nm处的纤芯吸收1.1dB/m,1100nm处的包层衰减为17dB/km,700nm处的包层衰减为30dB/km。本案例采用平均剂量率2.83krad/min的钴60辐射源51作为色心诱发源,均匀诱发光纤52色心形成,如图5所示。采用能量2.33eV光源作为缺陷修复光源61,利用包层注入方式,如图6所示。详细的光加固处理步骤如下:
测试掺镱光纤52的包层衰减,截取10cm光纤测试光纤纤芯衰减性能。
利用钴60辐射源51均匀辐照掺镱光纤52,钴60辐射源的辐照剂量率2.83krad/min。将掺镱光纤52放置好后,持续辐照5min,总辐照剂量为14.15krad。
将掺镱光纤52取出,测试掺镱光纤52的包层衰减,包层衰减无增长,确认色心诱发光源及剂量适宜。截取10cm光纤测试光纤纤芯衰减性能,衰减增长幅度小,光源注入时间需增加。重复前一步骤,放置光纤52并开启辐射源51,继续持续辐照5min,总辐照剂量为14.15krad。
辐照结束后,取出掺镱光纤,更换光源为能量2.33eV光源61,如图6所示。将光源61的尾纤与掺镱光纤63熔接,实现光的包层注入,熔点62。掺镱光纤63的另外一端光纤端面64做斜角切割处理。处理完毕后,开启光源61,功率保持4W,持续光注入0.5小时。
从熔接点62处截断,截取10cm光纤测试光纤纤芯衰减性能,衰减与首次测试光纤纤芯衰减基本一致,小于5%,光加固处理完成。测试验证,经固化处理前后掺镱光纤的光子暗化性能如图7所示。固化前后掺镱光纤的斜率效率如图8所示。
本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种改善有源光纤光子暗化性能的光加固方法,其特征在于,包括:
利用色心诱发源诱发有源光纤纤芯产生色心;
利用缺陷修复源消除所述色心并诱导部分光纤缺陷修复得到光子暗化性能加固的有源光纤,所述缺陷修复源的光子能量范围为2.26eV~2.47eV。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源为光源或者辐射源。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源为光源,波长位于有源离子的吸收波长范围内。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源为光源,注入方式为纤芯注入或者包层注入,注入的功率密度范围为3W/um2~1000W/um2。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源为辐射源,包括高能射线、电子束或者中子束。
6.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源为辐射源,注入方式为光纤均匀辐照,辐照总剂量的范围为0.1 kGy~30kGy。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述色心诱发源所产生的吸收峰位于紫外区域,并延伸至有源离子的吸收及荧光光谱波段范围,在吸收及荧光光谱波段范围诱导的纤芯衰减范围为0.01dB/m~50dB/m,包层衰减小于3dB/m。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述缺陷修复源的注入方式为纤芯注入或者包层注入,注入的功率密度范围为0.1 kW/um2~30 kW/um2。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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