CN109946791A - 一种电光调制器、单偏振iq调制器、双偏振iq调制器 - Google Patents

一种电光调制器、单偏振iq调制器、双偏振iq调制器 Download PDF

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Abstract

本发明实施例公开了一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器,属于光通信技术领域。该电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,所述电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中:所述第一耦合器的第一输入端作为所述电光调制器的输入端,所述第二耦合器的第一输出端作为所述电光调制器的输出端;所述第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与所述第二耦合器的第一输入端连接,所述第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与所述第二耦合器的第二输入端连接,所述第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与所述第一耦合器的第二输入端连接。采用本发明,可以降低电光调制器的非线性。

Description

一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器
技术领域
本申请涉及光通信技术领域,特别涉及一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器。
背景技术
随着光通信技术的发展,光缆在通信中的应用得到了普及,比如,越来越多的用户采用光纤宽带进行上网。采用光纤宽带进行上网时,需要部署电光调制器,其中,电光调制器可以用于将电信号调制到光信号上。
目前,电光调制器包括第一耦合器和第二耦合器,其中,第一耦合器的两个输出端分别通过光波导与第二耦合器的两个输入端连接,第一耦合器的输入端作为调制器的输入端,第二耦合器的输出端作为调制器的输出端。
在实现本申请的过程中,发明人发现现有技术至少存在以下问题:
基于上述结构的电光调制器,电光调制器的传输特性的准线性区域比较小,当使用较大的电信号进行驱动时,将会导致电光调制器进行非线性调制。
发明内容
为了解决相关技术中存在的电光调制器进行非线性调制的问题,本发明实施例提供了一种电光调制器、单偏振IQ调制器、双偏振IQ调制器。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种电光调制器,电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中:第一耦合器的第一输入端作为电光调制器的输入端,第二耦合器的第一输出端作为电光调制器的输出端;第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与第二耦合器的第一输入端连接,第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与第二耦合器的第二输入端连接,第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与第一耦合器的第二输入端连接。
本发明实施例所示的方案,电光调制器可以包括第一耦合器和第二耦合器,其中,第一耦合器和第二耦合器可以是双输入双输出的耦合器,其中,第一耦合器的第一输入端可以作为电光调制器的输入端,即第一耦合器的第一输入端可以接收输入的光信号(即光载波),第二耦合器的第一输出端可以作为电光调制器的输出端,第二耦合器的第一输出端可以输出调制有电信号的光信号。第一耦合器的两个输出端可以分别通过光波导与第二耦合器的两个输入端连接。具体的,第一耦合器的第一输出端可以通过第一光波导与第二耦合器的第一输入端连接,第一耦合器的第二输出端可以通过第二光波导与第二耦合器的第二输入端连接。另外,本发明实施例提供的电光调制器还可以包括反馈环结构(或称为微环结构),即第二耦合器的第二输出端可以通过第三光波导与第一耦合器的第二输入端连接,其中,第三光波导可以是环形结构、也可以是跑道形结构,该电光调制器可以用于高阶码型电信号的调制,对于高阶的16QAM(Quadrature Amplitude Modulation,正交振幅调制)-32QAM等高阶码型电信号,可以不采用算法补偿,即可得到均匀的16QAM星座图。
这样,通过第一耦合器的第一输入端输入的光信号可以通过第一耦合器分为两部分,分别进入第一光波导和第二光波导,进而,可以通过第一光波导和第二光波导输入到第二耦合器,第二耦合器可以对其进行合路,第二耦合器的第二输出端输出的一路光信号可以通过第三光波导反馈到第一耦合器的第二输入端。也就是说,本方案中的电光调制器可以是在原有的电光调制器上增加了反馈环结构的新型电光调制器,其中,原有的电光调制器的传输特性是由本身决定,其线性区域位于-0.5至0.5左右,本方案中的增加了反馈环结构的电光调制器的传输特性可以由原有的电光调制器的传输特性和反馈环结构的传输特性共同决定,其线性区域位于-0.7至1左右,具有更大的线性传输特性。由于本方案中的电光调制器具有更大的线性区域,因此,使用电光调制器进行信号调制时,无需采用算法的序列相关的查找表(pattern dependent look up table,PDLUT)进行性能的补偿,从而,可以降低功耗。由于本方案中的电光调制器具有更大的线性区域,对(Pulse AmplitudeModulation four,PAM4)电信号进行调制时,降低了对调制电信号幅度的需求,从而可以降低功耗。
在一种可能的实现方式中,第一光波导、第二光波导和第三光波导的材料为以下材料中的任意一种:硅基材料、铟磷材料、铌酸锂材料。
在一种可能的实现方式中,第一耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
在一种可能的实现方式中,第二耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
在一种可能的实现方式中,第一光波导的第一段光波导处设置有高速移相器;第二光波导的第一段光波导处设置有高速移相器,其中,高速移相器包括电极,高速移相器用于信号调制。
在一种可能的实现方式中,电极为行波电极或者集总电极。
在一种可能的实现方式中,第三光波导的第一段光波导处设置有低速移相器;第一光波导和/或第二光波导的第二段光波导处设置有低速移相器,其中,低速移相器用于调节谐振峰。
在一种可能的实现方式中,低速移相器为热移相器或者电移相器。
在一种可能的实现方式中,电光调制器的驱动方式为单端口差分驱动或者双端口差分驱动。
第二方面,提供了一种单偏振IQ调制器,单偏振IQ调制器包括第三耦合器和第四耦合器、第一电光调制器和第二电光调制器,第一电光调制器和第二电光调制器可以是第一方面提供电光调制器,其中:第三耦合器的输入端作为单偏振IQ调制器的输入端,第四耦合器的输出端作为单偏振IQ偏振器的输出端;第三耦合器的第一输出端通过第四光波导与第一电光调制器的输入端连接,第三耦合器的第二输出端通过第五光波导与第二电光调制器的输入端连接,第一电光调制器的输出端通过第六光波导与第四耦合器的第一输入端连接,第二电光调制器的输出端通过第七光波导与第四耦合器的第二输入端连接。
本发明实施例所示的方案,单偏振IQ调制器可以包括第三耦合器、第四耦合器、第一电光调试器和第二电光调制器,其中,第三耦合器可以是单输入双输出的耦合器,第四耦合器可以是双输入单输出的耦合器,第三耦合器的输入端可以作为单偏振IQ调制器的输入端,第四耦合器的输出端可以作为单偏振IQ调制器的输出端。第三耦合器的两个输出端可以分别通过光波导与第一电光调制器和第二电光调制器的输入端连接,第四耦合器的两个输入端可以分别通过光波导与第一电光调制器和第二电光调制器的输出端连接。具体的,第三耦合器的第一输出端可以通过第四光波导与第一电光调制器的输入端连接,第三耦合器的第二输出端可以通过第五光波导与第二电光调制器的输入端连接,第一电光调制器的输出端可以通过第六光波导与第四耦合器的第一输入端连接,第二电光调制器的输出端可以通过第七光波导与第四耦合器的第二输入端连接。这样,单偏振IQ调制器是由本发明实施例中的增加了反馈环结构的电光调制器构成的单偏振IQ调制器,由于电光调制器具有更大的线性区域,从而,单偏振IQ调制器也可以实现高线性的调制。
在一种可能的实现方式中,第三耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器,第四耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
第三方面,提供了一种双偏振IQ调制器,双偏振IQ调制器包括第五耦合器、第一单偏振IQ调制器、第二单偏振IQ调制器、偏振旋转器、偏振合路器,第一单偏振IQ调制器和第二单偏振IQ调制器为第二方面提供的单偏振IQ调制器,其中:第五耦合器的输入端作为双偏振IQ调制器的输入端,偏振合路器的输出端作为双偏振IQ调制器的输出端;第五耦合器的第一输出端通过第八光波导与第一单偏振IQ调制器的输入端连接,第五耦合器的第二输出端通过第九光波导与第二单偏振IQ调制器的输入端连接,第一单偏振IQ调制器的输出端通过第十光波导与偏振合路器的第一输入端连接,偏振旋转器分别通过第十一光波导、第十二光波导与第二单偏振IQ调制器的输出端、偏振合路器的第二输入端连接。
本发明实施例所示的方案,双偏振IQ调制器可以包括第五耦合器、偏振旋转器、偏振合路器、第一单偏振IQ调制器和第二单偏振IQ调制器,其中,第五耦合器可以是单输入双输出的耦合器,偏振合路器可以是双输入单输出的偏振合路器。第五耦合器的输入端可以作为双偏振IQ调制器的输入端,偏振合路器的输出端可以作为双偏振IQ调制器的输出端。
第五耦合器的两个输出端可以分别通过光导波与第一单偏振IQ调制器、第二单偏振IQ调制器的输入端连接,偏振合路器的两个输入端可以通过偏振旋转器与第二单偏振IQ调制器的输出端连接、与第一单偏振IQ调制器的输出端连接。具体的,第五耦合器的第一输出端可以通过第八光波导与第一单偏振IQ调制器的输入端连接,第五耦合器的第二输出端可以通过第九光波导与第二单偏振IQ调制器的输入端连接,第一单偏振IQ调制器的输出端可以通过第十光波导与偏振合路器的第一输入端连接,偏振旋转器分别可以通过第十一光波导、第十二光波导与第二单偏振IQ调制器y的输出端、偏振合路器16的第二输入端连接。
在一种可能的实现方式中,第五耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
本发明实施例中,电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,所述电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中,第一耦合器的第一输入端作为电光调制器的输入端,述第二耦合器的第一输出端作为电光调制器的输出端;第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与第二耦合器的第一输入端连接,第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与第二耦合器的第二输入端连接,第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与第一耦合器的第二输入端连接。这样,采用反馈环结构后,电光调制器的传输特性的线性区域位于-0.7至1左右,有更大的线性传输特性,可见,采用反馈环结构,可以增大电光调制器对应的线性区域,从而,当使用较大的电信号进行驱动时,可以降低电光调制器的非线性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种电光调制器结构示意图;
图2(a)是本发明实施例提供的一种传输曲线的示意图;
图2(b)是本发明实施例提供的一种传输曲线的示意图;
图3是本发明实施例提供的一种传输曲线的示意图;
图4是本发明实施例提供的一种电光调制器结构示意图;
图5(a)是本发明实施例提供的一种电光调制器结构示意图;
图5(b)是本发明实施例提供的一种电光调制器结构示意图;
图5(c)是本发明实施例提供的一种电光调制器结构示意图;
图6是本发明实施例提供的一种单偏振IQ调制器的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的一种双偏振IQ调制器结构示意图。
图例说明
1、第一耦合器 2、第二耦合器
3、第一光波导 4、第二光波导
5、第三光波导 6、高速移相器
7、低速移相器 8、第三耦合器
9、第四耦合器 10、第四光波导
11、第五光波导 12、第六光波导
13、第七光波导 14、第五耦合器
15、偏振旋转器 16、偏振合路器
17、第八光波导 18、第九光波导
19、第十光波导 20、第十一光波导
21、第十二光波导 a、第一电光调制器
b、第二电光调制器 x、第一单偏振IQ调制器
y、第二单偏振IQ调制器
具体实施方式
图1是本发明实施例提供的一种电光调制器。参见图1,电光调制器包括第一耦合器1、第二耦合器2,电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中:第一耦合器1的第一输入端作为电光调制器的输入端,第二耦合器2的第一输出端作为电光调制器的输出端;第一耦合器1的第一输出端通过第一光波导3与第二耦合器2的第一输入端连接,第一耦合器1的第二输出端通过第二光波导4与第二耦合器2的第二输入端连接,第二耦合器2的第二输出端通过第三光波导5与第一耦合器1的第二输入端连接。
在实施中,电光调制器可以包括第一耦合器1和第二耦合器2,其中,第一耦合器1和第二耦合器2可以是双输入双输出的耦合器,其中,第一耦合器1的第一输入端可以作为电光调制器的输入端,即第一耦合器1的第一输入端可以接收输入的光信号(即光载波),第二耦合器2的第一输出端可以作为电光调制器的输出端,第二耦合器2的第一输出端可以输出调制有电信号的光信号。第一耦合器1的两个输出端可以分别通过光波导与第二耦合器2的两个输入端连接。具体的,第一耦合器1的第一输出端可以通过第一光波导3与第二耦合器2的第一输入端连接,第一耦合器1的第二输出端可以通过第二光波导4与第二耦合器2的第二输入端连接。另外,本发明实施例提供的电光调制器还可以包括反馈环结构(或称为微环结构),即第二耦合器2的第二输出端可以通过第三光波导5与第一耦合器1的第二输入端连接,其中,第三光波导5可以是环形结构、也可以是跑道形结构,该电光调制器可以用于高阶码型电信号的调制,对于高阶的16QAM(Quadrature Amplitude Modulation,正交振幅调制)-32QAM等高阶码型电信号,可以不采用算法补偿,即可得到均匀的16QAM星座图。
这样,通过第一耦合器1的第一输入端输入的光信号可以通过第一耦合器1分为两部分,分别进入第一光波导3和第二光波导4,进而,可以通过第一光波导3和第二光波导4输入到第二耦合器2,第二耦合器2可以对其进行合路,第二耦合器2的第二输出端输出的一路光信号可以通过第三光波导5反馈到第一耦合器1的第二输入端。也就是说,本方案中的电光调制器可以是在原有的电光调制器上增加了反馈环结构的新型电光调制器,其中,原有的电光调制器的传输特性是由本身决定,其线性区域位于-0.5至0.5左右,本方案中的增加了反馈环结构的电光调制器的传输特性可以由原有的电光调制器的传输特性和反馈环结构的传输特性共同决定,其线性区域位于-0.7至1左右,具有更大的线性传输特性,其中,原有的电光调制器的部分传输曲线可以如图2(a)所示,增加有反馈环结构的电光调制器的部分传输曲线可以如图2(b)所示。由于本方案中的电光调制器具有更大的线性区域,因此,使用电光调制器进行信号调制时,无需采用算法的序列相关的查找表(pattern dependentlook up table,PDLUT)进行性能的补偿,从而,可以降低功耗。由于本方案中的电光调制器具有更大的线性区域,对4幅度脉冲调制(Pulse Amplitude Modulation four,PAM4)电信号进行调制时,降低了对调制电信号幅度的需求,从而可以降低功耗。
另外,采用反馈环结构后,电光调制器的频谱将会由反馈环结构的传递曲线和原有的电光调制器的传递曲线共同决定,其对应的传递曲线可以如图3所示,其中,小的自由谱间距(Free space range,FSR)由反馈环结构决定,大的FSR有原有的电光调制器决定,图3中的右图是左图中虚线部分的放大图。由图3可知,某些波长对应的线性区域较大。因此,在电光调制器的使用过程中,可以通过低速移相器调节谐振峰对应的波长,使线性度区域最大的谐振峰对应的波长为电光调制器输入的光信号的波长,可以使输入的光信号的波长位于线性区域的正中间,从而,可以实现最大的线性调制效果。例如,电光调制器的输入的光信号的波长为1530纳米(nm),则可以通过低速移相器将最大的线性区域对应的波长调节为1530nm,且1530纳米对应于该线性区域的正中间。
可选的,第一光波导3、第二光波导4和第三光波导5的材料可以为以下材料中的任意一种:硅基材料、铟磷材料、铌酸锂材料,其中,采用不同的材料,电光调制器的调制机理不同。
可选的,第一耦合器1可以为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器,即第一耦合器1可以是上述三种器件中的任意一种。相应的,第二耦合器2可以为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器,即第二耦合器2可以是上述三种器件中的任意一种。
可选的,电光调制器还可以包括高速移相器,其中,高速移相器可以用于信号调制,即第一耦合器1和第二耦合器2之间的光波导上可以设置有高速移相器。具体的,如图4所示,第一耦合器1的第一输出端和第二耦合器2的第一输入端之间的第一光波导3的第一段光波导(其中,第一段光波导可以是第一光波导上的任意一段)处可以设置有高速移相器6,第一耦合器1的第二输出端与第二耦合器2的第二输入端之间的第二光波导4的第一段光波导(其中,第一段光波导可以是第二光波导上的任意一段)处可以设置有高速移相器6,其中,高速移相器包括电极,电极可以用于接收电信号(或称为驱动信号、或称为调制信号)。此外,当第一光波导的和第二光波导的材料为硅基材料时,电光调制器采用载流子色散效应进行调制,可以采用PN二极管、PIN二极管或者MOS管。
可选的,高速移相器的电极可以是行波电极或者集总电极。
可选的,电光调制器还可以包括低速移相器,其中,低速移相器可以用于调节谐振峰,即可以调节谐振峰对应的波长,低速移相器可以包括电阻,其中,可以通过电阻的热效应影响临近光波导的相位,从而实现低速的移相。具体的,第二耦合器2的第二输出端与第一耦合器1的第一输入端之间的第三光波导5的第一段光波导(其中,第一段光波导可以是第三光波导上的任意一段)处可以设置有低速移相器7,第一耦合器1的第一输出端和第二耦合器2的第一输入端之间的第一光波导3的第二段光波导(其中,第二段光波导可以是第一光波导上的除第一段光波导之外的任意一段)处可以设置有低速移相器7,如图5(a)所示。或者,第二耦合器2的第二输出端与第一耦合器1的第一输入端之间的第三光波导5的第一段光波导处可以设置有低速移相器7,第一耦合器1的第二输出端和第二耦合器2的第二输入端之间的第二光波导4的第二段光波导(其中,第二段光波导可以是第二光波导上的除第一段光波导之外的任意一段)处可以设置有低速移相器7,如图5(b)所示。或者,第二耦合器2的第二输出端与第一耦合器1的第一输入端之间的第三光波导5的第一段光波导处可以设置有低速移相器7,第一耦合器1的第一输出端和第二耦合器2的第一输入端之间的第一光波导3的第二段光波导处可以设置有低速移相器7,第一耦合器1的第二输出端和第二耦合器2的第二输入端之间的第二光波导4的第二段光波导处可以设置有低速移相器7,如图5(c)所示。
可选的,低速移相器可以为热移相器或者电移相器。
可选的,电光调制器的驱动方式可以是单端口差分驱动,也可以为双端口差分驱动。
另外,本发明实施例还提供了一种单偏振同相正交(in-phase quadrature,IQ)调制器,如图6所示,单偏振IQ调制器第三耦合器8和第四耦合器9、第一电光调制器a和第二电光调制器b,第一电光调制器a和第二电光调制器b为上述所述的电光调制器,其中:第三耦合器8的输入端作为单偏振IQ调制器的输入端,第四耦合器9的输出端作为单偏振IQ偏振器的输出端;第三耦合器8的第一输出端通过第四光波导10与第一电光调制器a的输入端连接,第三耦合器8的第二输出端通过第五光波导11与第二电光调制器b的输入端连接,第一电光调制器a的输出端通过第六光波导12与第四耦合器9的第一输入端连接,第二电光调制器b的输出端通过第七光波导13与第四耦合器9的第二输入端连接。
在实施中,单偏振IQ调制器可以包括第三耦合器8、第四耦合器9、第一电光调试器a和第二电光调制器b,其中,第三耦合器8可以是单输入双输出的耦合器,第四耦合器9可以是双输入单输出的耦合器,第三耦合器8的输入端可以作为单偏振IQ调制器的输入端,第四耦合器9的输出端可以作为单偏振IQ调制器的输出端。第三耦合器8的两个输出端可以分别通过光波导与第一电光调制器a和第二电光调制器b的输入端连接,第四耦合器9的两个输入端可以分别通过光波导与第一电光调制器a和第二电光调制器b的输出端连接。具体的,第三耦合器8的第一输出端可以通过第四光波导10与第一电光调制器a的输入端连接,第三耦合器8的第二输出端可以通过第五光波导11与第二电光调制器b的输入端连接,第一电光调制器a的输出端可以通过第六光波导12与第四耦合器9的第一输入端连接,第二电光调制器b的输出端可以通过第七光波导13与第四耦合器9的第二输入端连接。
这样,单偏振IQ调制器是由本发明实施例中的增加了反馈环结构的电光调制器构成的单偏振IQ调制器,由于电光调制器具有更大的线性区域,从而,单偏振IQ调制器也可以实现高线性的调制。
可选的,第三耦合器8可以为单输入双输出的多模干涉耦合器、单输入双输出的定向耦合器或者单输入双输出的分路器。第四耦合器9可以为双输入单输出的多模干涉耦合器、双输入单输出的定向耦合器或者双输入单输出的分路器。
本发明实施例还提供了一种双偏振IQ调制器,如图7所示,双偏振IQ调制器可以包括第五耦合器14、第一单偏振IQ调制器x、第二单偏振IQ调制器y、偏振旋转器15、偏振合路器16,第一单偏振IQ调制器x和第二单偏振IQ调制器y为可以是图6所示的单偏振IQ调制器,其中:第五耦合器14的输入端作为双偏振IQ调制器的输入端,偏振合路器16的输出端作为双偏振IQ调制器的输出端。第五耦合器14的第一输出端通过第八光波导17与第一单偏振IQ调制器x的输入端连接,第五耦合器14的第二输出端通过第九光波导18与第二单偏振IQ调制器y的输入端连接,第一单偏振IQ调制器x的输出端通过第十光波导19与偏振合路器16的第一输入端连接,偏振旋转器15分别通过第十一光波导20、第十二光波导21与第二单偏振IQ调制器y的输出端、偏振合路器16的第二输入端连接。
在实施中,双偏振IQ调制器可以包括第五耦合器14、偏振旋转器15、偏振合路器16、第一单偏振IQ调制器x和第二单偏振IQ调制器y,其中,第五耦合器14可以是单输入双输出的耦合器,偏振合路器16可以是双输入单输出的偏振合路器。第五耦合器14的输入端可以作为双偏振IQ调制器的输入端,偏振合路器16的输出端可以作为双偏振IQ调制器的输出端。
第五耦合器14的两个输出端可以分别通过光导波与第一单偏振IQ调制器x、第二单偏振IQ调制器y的输入端连接,偏振合路器16的两个输入端可以通过偏振旋转器15与第二单偏振IQ调制器y的输出端连接、与第一单偏振IQ调制器x的输出端连接。具体的,第五耦合器14的第一输出端可以通过第八光波导17与第一单偏振IQ调制器x的输入端连接,第五耦合器14的第二输出端可以通过第九光波导18与第二单偏振IQ调制器y的输入端连接,第一单偏振IQ调制器x的输出端可以通过第十光波导19与偏振合路器16的第一输入端连接,偏振旋转器15分别可以通过第十一光波导20、第十二光波导21与第二单偏振IQ调制器y的输出端、偏振合路器16的第二输入端连接。
可选的,第五耦合器可以为单输入双输出的多模干涉耦合器、单输入双输出的定向耦合器或者单输入双输出的分路器。
本发明实施例中,电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,所述电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中,第一耦合器的第一输入端作为电光调制器的输入端,述第二耦合器的第一输出端作为电光调制器的输出端;第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与第二耦合器的第一输入端连接,第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与第二耦合器的第二输入端连接,第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与第一耦合器的第二输入端连接。这样,采用反馈环结构后,电光调制器的传输特性的线性区域位于-0.7至1左右,有更大的线性传输特性,可见,采用反馈环结构,可以增大电光调制器对应的线性区域,从而,当使用较大的电信号进行驱动时,可以降低电光调制器的非线性。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成,也可以通过程序来指令相关的硬件完成,所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中,上述提到的存储介质可以是只读存储器,磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明一个实施例,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种电光调制器,其特征在于,所述电光调制器包括第一耦合器、第二耦合器,所述电光调制器用于将电信号调制至光信号中,其中:
所述第一耦合器的第一输入端作为所述电光调制器的输入端,所述第二耦合器的第一输出端作为所述电光调制器的输出端;
所述第一耦合器的第一输出端通过第一光波导与所述第二耦合器的第一输入端连接,所述第一耦合器的第二输出端通过第二光波导与所述第二耦合器的第二输入端连接,所述第二耦合器的第二输出端通过第三光波导与所述第一耦合器的第二输入端连接。
2.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第一光波导、所述第二光波导和所述第三光波导的材料为以下材料中的任意一种:
硅基材料、铟磷材料、铌酸锂材料。
3.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第一耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
4.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第二耦合器为双输入双输出的多模干涉耦合器、双输入双输出的定向耦合器或者双输入双输出的分路器。
5.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述第一光波导的第一段光波导处设置有高速移相器;所述第二光波导的第一段光波导处设置有高速移相器,其中,所述高速移相器包括电极,所述高速移相器用于信号调制。
6.根据权利要求5所述的电光调制器,其特征在于,所述电极为行波电极或者集总电极。
7.根据权利要求5所述的电光调制器,其特征在于,所述第三光波导的第一段光波导处设置有低速移相器;所述第一光波导和/或所述第二光波导的第二段光波导处设置有低速移相器,其中,所述低速移相器用于调节谐振峰。
8.根据权利要求7所述的电光调制器,其特征在于,所述低速移相器为热移相器或者电移相器。
9.根据权利要求1所述的电光调制器,其特征在于,所述电光调制器的驱动方式为单端口差分驱动或者双端口差分驱动。
10.一种单偏振同相正交IQ调制器,其特征在于,所述单偏振IQ调制器包括第三耦合器和第四耦合器、第一电光调制器和第二电光调制器,所述第一电光调制器和所述第二电光调制器为权利要求1-9任意一项所述的电光调制器,其中:
所述第三耦合器的输入端作为所述单偏振IQ调制器的输入端,所述第四耦合器的输出端作为所述单偏振IQ偏振器的输出端;
所述第三耦合器的第一输出端通过第四光波导与所述第一电光调制器的输入端连接,所述第三耦合器的第二输出端通过第五光波导与所述第二电光调制器的输入端连接,所述第一电光调制器的输出端通过第六光波导与所述第四耦合器的第一输入端连接,所述第二电光调制器的输出端通过第七光波导与所述第四耦合器的第二输入端连接。
11.根据权利要求10所述的单偏振IQ调制器,其特征在于,所述第三耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器,所述第四耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
12.一种双偏振同相正交IQ调制器,其特征在于,所述双偏振IQ调制器包括第五耦合器、第一单偏振IQ调制器、第二单偏振IQ调制器、偏振旋转器、偏振合路器,所述第一单偏振IQ调制器和所述第二单偏振IQ调制器为权利要求10所述的单偏振IQ调制器,其中:
所述第五耦合器的输入端作为所述双偏振IQ调制器的输入端,所述偏振合路器的输出端作为所述双偏振IQ调制器的输出端;
所述第五耦合器的第一输出端通过第八光波导与所述第一单偏振IQ调制器的输入端连接,所述第五耦合器的第二输出端通过第九光波导与所述第二单偏振IQ调制器的输入端连接,所述第一单偏振IQ调制器的输出端通过第十光波导与所述偏振合路器的第一输入端连接,所述偏振旋转器分别通过第十一光波导、第十二光波导与第二单偏振IQ调制器的输出端、偏振合路器的第二输入端连接。
13.根据权利要求12所述的双偏振IQ调制器,其特征在于,所述第五耦合器为多模干涉耦合器、定向耦合器或者分路器。
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