CN109943829A - 一种rpecvd的多室沉積系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种RPECVD的多室沉積系统，包括待RPECVD气相沉積的基体、供基体进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉積的沉積室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉積室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉積室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器，其中变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘，圆盘还设有调整方向的双行滚轮滑道，滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。本发明通过进出室、沉積室、过渡室和交换室构成多室沉積系统，以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉積。
Description
技术领域
本发明涉及RPECVD装置领域，特别涉及一种RPECVD的多室沉積系统。
背景技术
遥控等离子体增强的化学气相沉积RPECVD（Remote Plasma Enhanced ChemicalVapour Deposition）与PECVD的区别在于，前者把等离子体与基体、等离子体与反应区从空间上分开，通过基体与等离子体分开，避免了高能粒子对基体的轰击；通过反应区与等离子体分开，避免了等离子体对全部工艺气体的激活。由于只有激发气体被暴露于等离子体，在此产生的被激发的粒种在分离的真空室中与其他工艺气体进行反应，因此，减少了被激活的粒种数目，从而减少可能的反应通道。
目前RPECVD的沉積室比较单一，没有实现电离分解区与沉積区在同一腔室内的隔离设计，避免不了电离子对基体的轰击，也无法实现多片基体的独立镀膜。RPECVD的沉積系统或装置也比较简陋，无法提供批量的基体同时进行气相反应。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种RPECVD的多室沉積系统，旨在克服以上问题。
为实现上述目的，本发明提出的一种RPECVD的多室沉積系统，包括待RPECVD气相沉積的基体、供基体进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉積的沉積室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉積室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉積室的长度方向设置有传动机构、在交换室还设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器，其中传动机构为由中央控制器控制传动的双行滚轮滑道，变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘。
优选地，所述圆盘还设有调整方向的滚轮滑道，所述滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。
优选地，所述基体上设有传感器，传感器与中央控制器通信连接，以将其感应的基体位置信息传送给中央控制器。
优选地，所述进出室在大气区域侧设有大气侧门阀，在靠近交换室侧设有真空侧门阀，所述中央控制器分别与大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵通信连接，以控制大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵的开闭。
优选地，所述沉積室与交换室的交界位置设有气相门阀，所述中央控制器与气相门阀通信连接，以控制气相门阀的开闭。
优选地，所述沉積室的数目至少为二。
优选地，所述沉積室包括设有入口和出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件及导流槽，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，其正电极连接射频电源射频电极，其负电极连接射频电源地电极；基体设于电极组件的下方，坚立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连通真空泵与真空室内。
优选地，所述沉積室包括设有入口及出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、电离栅格及导流槽，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；基体设电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。
本发明技术方案进出室、沉積室、过渡室和交换室构成多室沉積系统，以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉積，同时，沉積室又解决了在独立室内将分解区与沉積区的分离，避免了电离子对基体的轰击。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明RPECVD的多室沉積系统一实施例的结构示意图；
图2为所述沉積室一实施例的结构示意图；
图3为所述沉積室另一实施例的结构示意图；
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……），则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
如图1-3所示，本发明提出的一种RPECVD的多室沉積系统，包括待RPECVD气相沉積的基体1、供基体1从大气区域进入本系统的进出室2、供基体1进行RPECVD气相沉積的沉積室3、供基体1临时停靠的过渡室4、供基体1腔室交换的交换室5、交换室5分别与进出室2、沉積室3、过渡室4相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵6、沿进出室2、交换室5、过渡室4及沉積室3的长度方向设置有传动机构7、在交换室5还设置有连接传动机构7的变向机构8、遥控传动机构7带动基体1移动的中央控制器，其中传动机构7为由中央控制器控制传动的双行滚轮滑道，变向机构8为由中央控制器控制转动的圆盘。
优选地，所述圆盘还设有调整方向的滚轮滑道9，所述滚轮滑道9的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。
优选地，所述基体1上设有传感器，传感器与中央控制器通信连接，以将其感应的基体位置信息传送给中央控制器。
优选地，所述进出室2在大气区域侧设有大气侧门阀，在靠近交换室侧设有真空侧门阀，所述中央控制器分别与大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵6通信连接，以控制大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵6的开闭。
优选地，所述沉積室3与交换室5的交界位置设有气相门阀36，所述中央控制器与气相门阀36通信连接，以控制气相门阀36的开闭。
优选地，所述沉積室3的数目至少为二。
优选地，所述沉積室3包括设有入口和出口的真空室31、射频电源32、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒33、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件34及导流槽35，等离子气体通过真空室34的入口进入气盒33，气盒33朝向真空室31内的端面设有若干通孔331；电极组件34设于气盒33的下方，其正电极连接射频电源32正极，其负电极连接射频电源32负极；基体1设于电极组件34的下方，坚立于导流槽35上方；导流槽35设于真空室31的出口处，且连通真空泵6与真空室31内。
优选地，所述沉積室3包括设有入口及出口的真空室31、射频电源32、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒33、电离栅格37及导流槽35，等离子气体通过真空室31的入口进入气盒33，气盒33朝向真空室31内的端面设有若干通孔331；电离栅格36固定于气盒33的下方；气盒33与电离栅格36均为导电体，射频电源32正负极分别连接气盒33与电离栅格36；基体1设电离栅格36的下方，竖直立于导流槽35上方；导流槽35设于真空室31出口处，连通真空泵6与真空室31内。
本发明技术方案进出室、沉積室、过渡室和交换室构成多室沉積系统，以利于批量的基体同时进行RPECVD气相沉積，同时，沉積室又解决了在独立室内将电离分解区与沉積区的分离，避免了电离子对基体的轰击。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，包括待RPECVD气相沉積的基体、供基体进入本系统的进出室、供基体进行RPECVD气相沉積的沉積室、供基体临时停靠的过渡室、供基体腔室交换的交换室、交换室分别与进出室、沉積室、过渡室相连通、以抽气维持各腔室的压力平衡及真空状态的真空泵、沿进出室、交换室、过渡室及沉積室的长度方向设置有传动机构、在交换室设置有连接传动机构的变向机构、遥控传动机构带动基体移动的中央控制器，其中传动机构为由中央控制器控制传动的双行滚轮滑道，变向机构为由中央控制器控制转动的圆盘。
2.如权利要求1所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述圆盘还设有调整方向的滚轮滑道，所述滚轮滑道的调整方向与以上各腔室之间夹角角度相匹配。
3.如权利要求1所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述基体上设有传感器，传感器与中央控制器通信连接，以将其感应的基体位置信息传送给中央控制器。
4.如权利要求1所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述
进出室在大气区域侧设有大气侧门阀，在靠近交换室侧设有真空侧门阀，所述中央控制器分别与大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵通信连接，以控制大气侧门阀、真空侧门阀和真空泵的开闭。
5.如权利要求1所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述沉積室与交换室的交界位置设有气相门阀，所述中央控制器与气相门阀通信连接，以控制气相门阀的开闭。
6.如权利要求1所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述沉積室的数目至少为二。
7.如权利要求1-6任一项所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述沉積室包括设有入口和出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、由若干正、负电极交错且并排排列的电极组件及导流槽，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电极组件设于气盒的下方，其正电极连接射频电源射频电极，其负电极连接射频电源地电极；基体设于电极组件的下方，坚立于导流槽上方；导流槽设于真空室的出口处，且连通真空泵与真空室内。
8.如权利要求1-6任一项所述的RPECVD的多室沉積系统，其特征在于，所述沉積室包括设有入口及出口的真空室、射频电源、设置于真空室的入口处且连通大气区域与真空室内区域的气盒、电离栅格及导流槽，等离子气体通过真空室的入口进入气盒，气盒朝向真空室内的端面设有若干通孔；电离栅格固定于气盒的下方；气盒与电离栅格均为导电体，射频电源射频电极连接气盒，其地电极连接电离栅格；基体设电离栅格的下方，竖直立于导流槽上方；导流槽设于真空室出口处，连通真空泵与真空室内。
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