CN109917187A - 一种触控面板的电阻检测方法及装置 - Google Patents

Abstract

本文公开了一种触控面板的电阻检测方法及装置。所述触控面板的电阻检测方法包括：利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。本文的技术方案能够通过光学方法快速测量银纳米线触控面板触控层的电阻。

Description

一种触控面板的电阻检测方法及装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及的是一种触控面板的电阻检测方法及装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)显示已经占据了显示行业的主导地位。为了提高产品的交互功能，大尺寸显示产品也逐渐开始加入触控的功能。

ITO(氧化铟锡)是一种透明且具有导电性的金属氧化物，经常被用作显示产品的触控电极。而大尺寸产品由于触控面积较大(如55inch以上)，ITO材料所形成的触控网络电阻会变得非常大，触控信号经过ITO网络后会发生明显延迟，超出信号接收范围，导致触控功能无法实现。

采用金属网格(Metal Mesh)和银纳米线(Ag Nanowires)材料是两个形成触控层的方法。

金属网格的电阻可通过测量其方块电阻来得到，但形成金属网格需采用Mask(掩膜)和光刻技术，成本很高。

银纳米线的形成多用旋涂法来形成，如图1所示，触控面板内银纳米线的分布是杂乱无章的，电阻的大小能否满足触控层的设计要求无法通过测量方块电阻来得到，因此需要一种可快速测量其阻值的检测方法。

发明内容

本发明实施例提供一种触控面板的电阻检测方法及装置，能够通过光学方法快速测量银纳米线触控面板触控层的电阻。

根据本申请的第一方面，本发明实施例提供一种触控面板的电阻检测方法，包括：

利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；

根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

根据本申请的第二方面，本发明实施例提供一种触控面板的电阻检测装置，包括：

光谱测量模块，用于利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

计算模块，用于根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

与相关技术相比，本发明实施例提供的触控面板电阻检测方法及装置，利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数，通过查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据，通过查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系确定所述触控层的电阻值分布。本文的技术方案能够通过光学方法快速测量银纳米线触控面板触控层的电阻。

附图说明

图1为现有技术中银纳米线触控面板触控层的示意图；

图2为本发明实施例1的一种触控面板的电阻检测方法流程图；

图3为本发明实施例2的一种触控面板的电阻检测装置示意图；

图4为本发明实施例2中一种透射式太赫兹时域光谱测量装置的示意图；

图5为本发明示例1的透射式太赫兹时域光谱测量装置的示意图；

图6为本发明示例1中不同浓度的银纳米线触控层的光谱示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

实施例1

如图1所示，本发明实施例提供了一种触控面板的电阻检测方法，包括：

步骤S110：利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

步骤S120：根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；

步骤S130：根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

上述实施方式利用了太赫兹电磁波的光谱特性，不同物质对太赫兹电磁波具有不同的吸收和反射特性，对于采用涂覆工艺制作的银纳米线触控层，不同位置的银纳米线的浓度可能不同，利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控层，可得到不同位置的银纳米线浓度分布数据，再通过数据库中预存的银纳米线浓度和电阻的对应关系，可以快速得到所述银纳米线触控层的电阻分布数据，从而确定银纳米触控层的电阻值是否满足设计要求。

其中，银纳米线浓度是指单位面积上银纳米线的数量；比如，银纳米线浓度的单位可以是：根/平方厘米；

在一种实施方式中，所述银纳米线层可以采用涂覆方法制备在基底表面；

在一种实施方式中，太赫兹光谱特性参数包括：太赫兹电磁波吸收率；

其中，太赫兹电磁波吸收率r可以采用以下方式度量：

r＝(I₁-I₂)/I₁；

I₁是输入样品的太赫兹电磁波光强，I₂是太赫兹电磁波经过样品透射后的透射波光强；

在一种实施方式中，所述方法还包括：

预先测量多个银纳米线触控层样本的太赫兹电磁波光谱特性参数；建立银纳米线浓度与太赫兹电磁波光谱特性参数的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知；

在一种实施方式中，所述方法还包括：

预先测量多个银纳米线触控层样本的电阻；建立银纳米线浓度与电阻的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知；

其中，测量银纳米线触控层样本的电阻时，可以向所述银纳米线触控层通电，通过电流-电压关系确定所述银纳米线触控层样本的电阻。

其中，测量银纳米线触控层样本的银纳米线浓度时，可以通过SEM(ScanningElectron Microscope，扫描电子显微镜)进行测量；

在一种实施方式中，所述利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹电磁波吸收率，包括：

利用透射式太赫兹时域光谱测量装置对所述触控层上的每一个测量点进行以下测量和计算：

将太赫兹电磁波射入半反半透分光镜；经过所述分光镜的透射波通过光学延迟后射入参考基底，透过所述参考基底的透射波作为第一电磁波输入探测器；经过所述分光镜的反射波通过第一透镜进行聚焦，聚焦后的汇聚光射入所述触控层，透过所述触控层的透射波经过第二透镜进行发散，发散后的平行光作为第二电磁波输入探测器；其中，所述参考基底与所述触控层的基底材料相同；

其中，所述第一电磁波和第二电磁波同时到达所述探测器；利用所述探测器测量所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂，根据所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂确定所述测量点的太赫兹电磁波吸收率r，r＝(I₁-I₂)/I₁。

其中，所述触控层基底采用聚乙烯；聚乙烯基底对太赫兹电磁波几乎无吸收作用。

实施例2

如图2所示，本发明实施例提供一种触控面板的电阻检测装置，包括：

光谱测量模块1，用于利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

计算模块2，用于根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

在一种实施方式中，所述电阻检测装置还包括：第一数据库建立模块3；

所述第一数据库建立模块，用于预先测量多个银纳米线触控层样本的太赫兹电磁波光谱特性参数；建立银纳米线浓度与太赫兹电磁波光谱特性参数的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

在一种实施方式中，所述电阻检测装置还包括：第二数据库建立模块4；

所述第二数据库建立模块，用于预先测量多个银纳米线触控层样本的电阻；建立银纳米线浓度与电阻的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

在一种实施方式中，所述太赫兹光谱特性参数包括：太赫兹电磁波的吸收率；

所述光谱测量模块，用于采用以下方式测量所述触控层上多个测量点的太赫兹电磁波的吸收率：利用透射式太赫兹时域光谱测量装置对所述触控层上的每一个测量点进行以下测量和计算：将太赫兹电磁波射入半反半透分光镜；经过所述分光镜的透射波通过光学延迟后射入参考基底，透过所述参考基底的透射波作为第一电磁波输入探测器；经过所述分光镜的反射波通过第一透镜进行聚焦，聚焦后的汇聚光射入所述触控层，透过所述触控层的透射波经过第二透镜进行发散，发散后的平行光作为第二电磁波输入探测器；其中，所述参考基底与所述触控层的基底材料相同；

其中，所述第一电磁波和第二电磁波同时到达所述探测器；利用所述探测器测量所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂，根据所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂确定所述测量点的太赫兹电磁波吸收率r，r＝(I₁-I₂)/I₁。

其中，所述触控层基底采用聚乙烯；聚乙烯基底对太赫兹电磁波几乎无吸收作用。

在一种实施方式中，如图4所示，所述透射式太赫兹时域光谱测量装置包括：第一光学单元，光路延迟单元，第一测试区，第二测试区，第一光路调节单元，第二光路调节单元，第三光路调节单元和探测器；所述第一测试区用于放置待测银纳米触控面板触控层；所述第二测试区用于放置参考基底，所述参考基底与所述待测银纳米线触控层的基底材料相同；

所述第一光学单元，用于入射原始太赫兹电磁波，对所述原始太赫兹电磁波进行透射和反射；

所述光路延迟单元，用于入射经过所述第一光学单元透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行反射以延迟光路传输时间；

所述第二测试区，用于入射经过所述光路延迟单元延迟的第一太赫兹电磁波，将所述第一太赫兹电磁波射入参考基底；

第三光路调节单元，用于入射经过所述参考基底透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行汇聚反射以聚焦并改变光路传输方向；

所述第一光路调节单元，用于入射经过所述第一光学单元反射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行汇聚反射和聚焦；

所述第一测试区，用于入射经过所述第一光路调节单元进行光路调节的第二太赫兹电磁波，将所述第二太赫兹电磁波射入待测银纳米线触控层；

所述第二光路调节单元，用于入射经过所述待测银纳米线触控层透射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行发散和反射；

探测器，用于同时接收经过所述第三光路调节单元进行光路调节后的第一太赫兹电磁波，以及经过所述第二光路调节单元进行光路调节后的第二太赫兹电磁波；测量接收到的第一太赫兹电磁波的强度和第二太赫兹电磁波的强度。

示例1

本示例提供一种触控面板的电阻检测装置，包括：光谱测量模块和计算模块。

光谱测量模块，用于利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，利用透射式太赫兹时域光谱测量装置测量所述触控层上多个测量点的太赫兹电磁波的吸收率，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层。

计算模块，用于根据测量的太赫兹电磁波的吸收率查询银纳米线浓度与太赫兹电磁波的吸收率的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

如图5所示，所述透射式太赫兹时域光谱测量装置包括：第一光学单元10，光路延迟单元20，第一测试区30，第二测试区40，探测器50，离轴抛物面反射镜M1、M2，平面反射镜M3、M4、M5、M6、M7，第一透镜L1和第二透镜L2。其中，所述第一测试区30用于放置待测银纳米触控面板触控层，所述待测银纳米触控面板触控层包括基底302和设置在所述基底表面的银纳米线层301。所述第二测试区40用于放置参考基底401，所述参考基底与所述待测银纳米线触控层的基底材料相同，比如均为聚乙烯材料，所述聚乙烯基底对太赫兹电磁波几乎无吸收作用。

所述第一光学单元10，包括半反半透分光镜和反射镜。所述半反半透分光镜用于入射原始太赫兹电磁波，对所述原始太赫兹电磁波进行透射和反射；所述反射镜用于入射经过所述光路延迟单元反射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行全反射以改变光路传输方向；

所述光路延迟单元20，用于入射经过所述第一光学单元的分光镜透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行反射以延迟光路传输时间；

其中，所述光路延迟单元20可以包括平面反射镜M5、M6、M7，入射光依次经过M5、M6的反射到达M7，反射光再经过M7、M6、M5的反射返回到所述第一光学单元的反射镜；

所述第二测试区40，用于入射经过所述第一光学单元的反射镜全反射的第一太赫兹电磁波，将所述第一太赫兹电磁波射入参考基底；

所述离轴抛物面反射镜M1，用于入射经过所述参考基底透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行汇聚反射以聚焦及改变光路传输方向；

所述离轴抛物面反射镜M2，用于入射经过所述第一光学单元的分光镜反射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行汇聚反射以聚焦及改变光路传输方向；

第一透镜L1，用于入射经过所述离轴抛物面反射镜M2反射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行聚焦；

平面反射镜M3，用于入射经过所述第一透镜L1聚焦的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行反射以改变光路传输方向；

所述第一测试区30，用于入射经过所述平面反射镜M3反射的第二太赫兹电磁波，将所述第二太赫兹电磁波射入待测银纳米触控层；

第二透镜L2，用于入射经过所述待测银纳米触控层透射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行发散生成平行光；

平面反射镜M4，用于入射经过所述第二透镜L2发散的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行反射以改变光路传输方向；

探测器50，用于同时接收经过所述离轴抛物面反射镜M1汇聚反射的第一太赫兹电磁波，以及经过所述平面反射镜M4反射的第二太赫兹电磁波；测量接收到的第一太赫兹电磁波的强度和第二太赫兹电磁波的强度。

光谱测量模块，用于采用以下方式计算所述触控层上每一个测量点的太赫兹电磁波的吸收率r：r＝(I₁-I₂)/I₁；

其中，所述第一太赫兹电磁波和第二太赫兹电磁波同时到达所述探测器；所述第一太赫兹电磁波的强度为I₁，所述第二太赫兹电磁波的强度为I₂；

在利用透射式太赫兹时域光谱测量装置对待测银纳米线触控层进行测量前，可以通过实验的方法预先建立第一数据库和第二数据库。

在建立第一数据库时，预先测量多个银纳米线触控层样本的太赫兹电磁波光谱特性参数；建立银纳米线浓度与太赫兹电磁波光谱特性参数的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

不同浓度的银纳米线对于太赫兹波的吸收率不同，浓度越大，吸收率越大，透射强度越小；

其中，如图6所示，不同浓度的银纳米线触控层具有不同的太赫兹电磁波吸收率r。图6中，横轴为频率，单位：THz；纵轴为太赫兹波透射强度，采用归一化数值；

图6中，Ref曲线为聚乙烯基底的太赫兹透射光谱，sample1曲线为银纳米线浓度为1.238*10⁹根/cm^-2的银纳米线触控层的太赫兹透射光谱，sample2为银纳米线浓度为1.857*10⁹根/cm^-2的银纳米线触控层的太赫兹透射光谱。

由图中可知，银纳米线的透射特征峰集中于0.5～1.0THz频率附近。太赫兹电磁波最大透射峰值用于表征样品对太赫兹波的透射强度。银纳米线浓度越大，经过银纳米线吸收后的太赫兹透射特征峰值越小。银纳米线浓度与透射峰值近似成线性关系。

在建立第二数据库时，预先测量多个银纳米线触控层样本的电阻；建立银纳米线浓度与电阻的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。其中，测量银纳米线触控层样本的电阻时，可以向所述银纳米线触控层通电，通过电流-电压关系确定所述银纳米线触控层样本的电阻。其中，测量银纳米线样本的银纳米线浓度时，可以通过扫描电子显微镜进行测量。

本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统、装置中的功能模块/单元可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。在硬件实施方式中，在以上描述中提及的功能模块/单元之间的划分不一定对应于物理组件的划分；例如，一个物理组件可以具有多个功能，或者一个功能或步骤可以由若干物理组件合作执行。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质(或非暂时性介质)和通信介质(或暂时性介质)。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息(诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据)的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD-ROM、数字多功能盘(DVD)或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

需要说明的是，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种触控面板的电阻检测方法，包括：

利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；

根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

预先测量多个银纳米线触控层样本的太赫兹电磁波光谱特性参数；建立银纳米线浓度与太赫兹电磁波光谱特性参数的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

预先测量多个银纳米线触控层样本的电阻；建立银纳米线浓度与电阻的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述太赫兹光谱特性参数包括：太赫兹电磁波的吸收率。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹电磁波的吸收率，包括：

利用透射式太赫兹时域光谱测量装置对所述触控层上的每一个测量点进行以下测量和计算：

将太赫兹电磁波射入半反半透分光镜；经过所述分光镜的透射波通过光学延迟后射入参考基底，透过所述参考基底的透射波作为第一电磁波输入探测器；经过所述分光镜的反射波通过第一透镜进行聚焦，聚焦后的汇聚光射入所述触控层，透过所述触控层的透射波经过第二透镜进行发散，发散后的平行光作为第二电磁波输入探测器；其中，所述参考基底与所述触控层的基底材料相同；

其中，所述第一电磁波和第二电磁波同时到达所述探测器；利用所述探测器测量所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂，根据所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂确定所述测量点的太赫兹电磁波吸收率r，r＝(I₁-I₂)/I₁。

6.一种触控面板的电阻检测装置，包括：

光谱测量模块，用于利用太赫兹电磁波照射银纳米线触控面板触控层，测量所述触控层上多个测量点的太赫兹光谱特性参数；其中，所述触控层包括基底和设置在所述基底表面的银纳米线层；

计算模块，用于根据测量的太赫兹光谱特性参数查询银纳米线浓度与太赫兹光谱特性参数的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的银纳米线浓度分布数据；根据所述银纳米线浓度分布数据查询银纳米线浓度与电阻值的映射关系，根据所述映射关系确定所述触控层的电阻值分布。

7.如权利要求6所述的电阻检测装置，其特征在于，所述电阻检测装置还包括：第一数据库建立模块；

所述第一数据库建立模块，用于预先测量多个银纳米线触控层样本的太赫兹电磁波光谱特性参数；建立银纳米线浓度与太赫兹电磁波光谱特性参数的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

8.如权利要求6所述的电阻检测装置，其特征在于，所述电阻检测装置还包括：第二数据库建立模块；

所述第二数据库建立模块，用于预先测量多个银纳米线触控层样本的电阻；建立银纳米线浓度与电阻的映射关系；其中，每一个银纳米线触控层样本的浓度已知。

9.如权利要求6所述的电阻检测装置，其特征在于：

所述太赫兹光谱特性参数包括：太赫兹电磁波的吸收率；

所述光谱测量模块，用于采用以下方式测量所述触控层上多个测量点的太赫兹电磁波的吸收率：利用透射式太赫兹时域光谱测量装置对所述触控层上的每一个测量点进行以下测量和计算：将太赫兹电磁波射入半反半透分光镜；经过所述分光镜的透射波通过光学延迟后射入参考基底，透过所述参考基底的透射波作为第一电磁波输入探测器；经过所述分光镜的反射波通过第一透镜进行聚焦，聚焦后的汇聚光射入所述触控层，透过所述触控层的透射波经过第二透镜进行发散，发散后的平行光作为第二电磁波输入探测器；其中，所述参考基底与所述触控层的基底材料相同；

其中，所述第一电磁波和第二电磁波同时到达所述探测器；利用所述探测器测量所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂，根据所述第一电磁波的强度I₁和第二电磁波的强度I₂确定所述测量点的太赫兹电磁波吸收率r，r＝(I₁-I₂)/I₁。

10.如权利要求9所述的电阻检测装置，其特征在于：

所述透射式太赫兹时域光谱测量装置，包括：第一光学单元，光路延迟单元，第一测试区，第二测试区，第一光路调节单元，第二光路调节单元，第三光路调节单元和探测器；所述第一测试区用于放置待测银纳米触控面板触控层；所述第二测试区用于放置参考基底，所述参考基底与所述待测银纳米线触控层的基底材料相同；

所述第一光学单元，用于入射原始太赫兹电磁波，对所述原始太赫兹电磁波进行透射和反射；

所述光路延迟单元，用于入射经过所述第一光学单元透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行反射以延迟光路传输时间；

所述第二测试区，用于入射经过所述光路延迟单元延迟的第一太赫兹电磁波，将所述第一太赫兹电磁波射入参考基底；

第三光路调节单元，用于入射经过所述参考基底透射的第一太赫兹电磁波，对所述第一太赫兹电磁波进行汇聚反射以聚焦并改变光路传输方向；

所述第一光路调节单元，用于入射经过所述第一光学单元反射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行汇聚反射和聚焦；

所述第一测试区，用于入射经过所述第一光路调节单元进行光路调节的第二太赫兹电磁波，将所述第二太赫兹电磁波射入待测银纳米线触控层；

所述第二光路调节单元，用于入射经过所述待测银纳米线触控层透射的第二太赫兹电磁波，对所述第二太赫兹电磁波进行发散和反射；

探测器，用于同时接收经过所述第三光路调节单元进行光路调节后的第一太赫兹电磁波，以及经过所述第二光路调节单元进行光路调节后的第二太赫兹电磁波；测量接收到的第一太赫兹电磁波的强度和第二太赫兹电磁波的强度。