CN109873618A - 一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器 - Google Patents

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伍文涛
王镇
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Abstract

本发明提供一种具有‑45°相位延迟的大功率集总元件功分器，包括：输入端口及两个输出端口；匹配电感，其一端连接于所述输入端口，其另一端接地；传递电容，分别连接于所述输入端口与两个所述输出端口之间；隔离单元，连接于两个所述输出端口之间，所述隔离单元包括一隔离电感和一隔离电阻，其中所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间，或所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间。通过本发明解决了经典威尔金森功分器不适用于大功率信号传递的问题。

Description

一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器
技术领域
本发明涉及射频/微波技术领域，特别是涉及一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器。
背景技术
功率分配器(简称功分器)是微波电路的基本部件之一，具有将输入信号功率分解成相互隔离的几路相等或不相等功率信号的一种多端口微波网络，或者反过来将几路相等或不相等功率信号合成为一路，因此有时又称其为功率分配/合成器。功分器在功率放大与合成、信号测试和正交混频解调、天线波束形成等电路与系统中都具有广泛的应用，并且其性能将影响整个电路或系统的通讯质量。
在微带功分器中，威尔金森(Wilkinson)功分器由于其自身结构的特点而具有良好的特性，是目前使用最多的功分器拓扑结构之一。虽然经典威尔金森功分器具有较小的插入损耗、输出端口的幅度和相位一致性好、隔离度优良等优点，但其却不适用于大功率信号的传递。鉴于此，有必要设计一种新的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器用以解决上述技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，用于解决经典威尔金森功分器不适用于大功率信号传递的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，所述功分器包括：
输入端口及两个输出端口；
匹配电感，其一端连接于所述输入端口，其另一端接地；
传递电容，分别连接于所述输入端口与两个所述输出端口之间；
隔离单元，连接于两个所述输出端口之间，所述隔离单元包括一隔离电感和一隔离电阻，其中所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间，或所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间。
可选地，所述功分器还包括：设于所述输入端口与所述输出端口之间任意位置的传输线，并且所述传输线的电长度包括整数倍波长；其中所述传输线的特性阻抗与所述输入端口的特性阻抗或所述输出端口的特性阻抗相等。
可选地，在所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间时，所述匹配电感满足如下公式：L1＝ZS/ω0，所述传递电容满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)，所述隔离电感满足如下公式：L2＝2L1＝2ZS/ω0，所述隔离电阻满足如下公式：R1＝2ZS；其中，L1为所述匹配电感的感值，C1为所述传递电容的容值，L2为所述隔离电感的感值，R1为所述隔离电阻的阻值，ZS为所述输入端口或所述输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。
可选地，在所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间时，所述匹配电感满足如下公式：L1＝ZS/ω0，所述传递电容满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)，所述隔离电感满足如下公式：L2＝L1＝ZS/ω0，所述隔离电阻满足如下公式：R1＝ZS；其中，L1为所述匹配电感的感值，C1为所述传递电容的容值，L2为所述隔离电感的感值，R1为所述隔离电阻的阻值，ZS为所述输入端口或所述输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。
可选地，所述匹配电感包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感。
可选地，所述传递电容包括直插电容、贴片电容、平板电容、叠层电容或低阻传输线等效电容。
可选地，所述隔离电感包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感。
可选地，所述隔离电阻包括直插电阻、贴片电阻或薄膜等效电阻。
如上所述，本发明的一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，具有以下有益效果：本发明所述功分器的输入端口与输出端口在工作频带内均具有良好的端口阻抗匹配性能，并且两个输出端口具有相等的幅度和相位、且互相隔离，同时本发明所述功分器具有良好的热功率耗散效果和耐大功率信号特性，从而更适用于大功率信号的传递，而且本发明所述功分器具有更大的有效工作带宽。本发明所述功分器具有高通滤波功能，可以隔绝输入端口和输出端口之间的直流通路，为有源器件的级联使用提供了便利。本发明所述功分器除输入端口和输出端口之外，仅由5个元器件构成，是目前已知所需元器件个数最少的功分器电路结构。本发明所述功分器具有两种不同形式的电路拓扑结构，便于使用者根据具体电路布局进行选取；若偏重工业用途时，由于隔离单元串联形式的功分器中两电感具有相同的参数值，因而非常适合于工业电子电路；若偏重性能，则需要根据实际使用场合进行选取，如隔离单元串联形式的功分器输出端口隔离性能更好，而隔离单元并联形式的功分器输出端口反射系数更低，匹配性能更好。
附图说明
图1显示为本发明实施例一所述功分器的电路结构示意图。
图2显示为本发明实施例二所述功分器的电路结构示意图。
图3显示为本发明所述功分器及经典威尔金森功分器中输入端口到一输出端口传输系数的幅度比对图。
图4显示为本发明所述功分器及经典威尔金森功分器中输入端口到一输出端口传输系数的相位比对图。
图5显示为本发明所述功分器及经典威尔金森功分器中输入端口反射系数的幅度比对图。
图6显示为本发明所述功分器及经典威尔金森功分器中一输出端口反射系数的幅度比对图。
图7显示为本发明所述功分器及经典威尔金森功分器中两个输出端口之间隔离度的幅度比对图。
元件标号说明
101 输入端口
102 输出端口
103 匹配电感
104 传递电容
105 隔离单元
1051 隔离电感
1052 隔离电阻
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图7。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，所述功分器包括：
输入端口101及两个输出端口102；
匹配电感103，其一端连接于所述输入端口101，其另一端接地；
传递电容104，分别连接于所述输入端口101与两个所述输出端口102之间；
隔离单元105，连接于两个所述输出端口102之间，所述隔离单元105包括一隔离电感1051和一隔离电阻1052，其中所述隔离电感1051和所述隔离电阻1052并联于两个所述输出端口102之间。
需要注意的是，所述输入端口101及所述输出端口102的特性阻抗相等，此为本领域技术人员所公知的，故在此不再赘述。
作为示例，所述匹配电感103满足如下公式：L1＝ZS/ω0；其中，L1为匹配电感的感值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。需要注意的是，本实施例通过将所述匹配电感103的一端连接于所述输入端口101，另一端接地，使得所述匹配电感103具有良好的热功率耗散效果。
作为示例，所述匹配电感103包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感；在所述匹配电感103包括直插电感、贴片电感或螺旋电感时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中匹配电感103的设计；在所述匹配电感103包括高阻传输线等效电感时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中匹配电感103的设计。需要注意的是，本实施例所述高阻传输线等效电感即高阻传输线的等效电感与该电感的感值相等，从而采用感值相等的高阻传输线代替该电感。当然，本实施例所述匹配电感103还可以包括微电子领域其它形式的电感，本实施例并不对所述匹配电感103的形式进行限制，同时本实施例也不对所述匹配电感103的制备工艺进行限制。
作为示例，所述传递电容104满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)；其中，C1为传递电容的容值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。需要注意的是，本实施例利用传递电容104的高品质因数(至少为1000)使得信号从所述输入端口101传递至所述输出端口102时产生的热功耗较低，从而可实现大功率信号的传递；同时本实施例还利用传递电容104的隔直通交特性，隔绝所述输入端口101及所述输出端口102之间的直流通路，起到高通滤波功能，以为有源器件的级联使用提供了便利。
作为示例，所述传递电容104包括直插电容、贴片电容、平板电容、叠层电容或低阻传输线等效电容；在所述传递电容104包括直插电容、贴片电容、平板电容或叠层电容时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中传递电容104的设计；在所述传递电容104包括低阻传输线等效电容时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中传递电容104的设计。需要注意的是，本实施例所述低阻传输线等效电容即低阻传输线的等效电容与该电容的容值相等，从而采用容值相等的低阻传输线代替该电容。当然，本实施例所述传递电容104还可以包括微电子领域其它形式的电容，本实施例并不对所述传递电容104的形式进行限制，同时本实施例也不对所述传递电容104的制备工艺进行限制。
作为示例，所述隔离电感1051满足如下公式：L2＝2L1＝2ZS/ω0，所述隔离电阻1052满足如下公式：R1＝2ZS；其中，L2为隔离电感的感值，R1为隔离电阻的阻值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。
作为示例，所述隔离电感1051包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感；在所述隔离电感1051包括直插电感、贴片电感或螺旋电感时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中隔离电感1051的设计；在所述隔离电感1051包括高阻传输线等效电感时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中隔离电感1051的设计。需要注意的是，本实施例所述高阻传输线等效电感即高阻传输线的等效电感与该电感的感值相等，从而采用感值相等的高阻传输线代替该电感。当然，本实施例所述隔离电感1051还可以包括微电子领域其它形式的电感，本实施例并不对所述隔离电感1051的形式进行限制，同时本实施例也不对所述隔离电感1051的制备工艺进行限制。
作为示例，所述隔离电阻1052包括直插电阻、贴片电阻或薄膜等效电阻；在所述隔离电阻1052包括直插电阻或贴片电阻时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中隔离电阻1052的设计；在所述隔离电阻1052包括薄膜等效电阻时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中隔离电阻1052的设计。
作为示例，所述功分器还包括：设于所述输入端口101与所述输出端口102之间任意位置的传输线，并且所述传输线的电长度包括整数倍波长；其中所述传输线的特性阻抗与所述输入端口101的特性阻抗或所述输出端口102的特性阻抗相等。需要注意的是，在微波电路中插入与端口阻抗一致且呈整数倍波长的传输线时，器件性能保持不变。
实施例二
如图2所示，本实施例提供一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，所述功分器包括：
输入端口101及两个输出端口102；
匹配电感103，其一端连接于所述输入端口101，其另一端接地；
传递电容104，分别连接于所述输入端口101与两个所述输出端口102之间；
隔离单元105，连接于两个所述输出端口102之间，所述隔离单元105包括一隔离电感1051和一隔离电阻1052，其中所述隔离电感1051和所述隔离电阻1052串联于两个所述输出端口102之间。
需要注意的是，所述输入端口101及所述输出端口102的特性阻抗相等，此为本领域技术人员所公知的，故在此不再赘述。
作为示例，所述匹配电感103满足如下公式：L1＝ZS/ω0；其中，L1为匹配电感的感值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。需要注意的是，本实施例通过将所述匹配电感103的一端连接于所述输入端口101，另一端接地，使得所述匹配电感103具有良好的热功率耗散效果。
作为示例，所述匹配电感103包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感；在所述匹配电感103包括直插电感、贴片电感或螺旋电感时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中匹配电感103的设计；在所述匹配电感103包括高阻传输线等效电感时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中匹配电感103的设计。需要注意的是，本实施例所述高阻传输线等效电感即高阻传输线的等效电感与该电感的感值相等，从而采用感值相等的高阻传输线代替该电感。当然，本实施例所述匹配电感103还可以包括微电子领域其它形式的电感，本实施例并不对所述匹配电感103的形式进行限制，同时本实施例也不对所述匹配电感103的制备工艺进行限制。
作为示例，所述传递电容104满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)；其中，C1为传递电容的容值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。需要注意的是，本实施例利用传递电容104的高品质因数(至少为1000)使得信号从所述输入端口101传递至所述输出端口102时产生的热功耗较低，从而可实现大功率信号的传递；同时本实施例还利用传递电容104的隔直通交特性，隔绝所述输入端口101及所述输出端口102之间的直流通路，起到高通滤波功能，以为有源器件的级联使用提供了便利。
作为示例，所述传递电容104包括直插电容、贴片电容、平板电容、叠层电容或低阻传输线等效电容；在所述传递电容104包括直插电容、贴片电容、平板电容或叠层电容时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中传递电容104的设计；在所述传递电容104包括低阻传输线等效电容时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中传递电容104的设计。需要注意的是，本实施例所述低阻传输线等效电容即低阻传输线的等效电容与该电容的容值相等，从而采用容值相等的低阻传输线代替该电容。当然，本实施例所述传递电容104还可以包括微电子领域其它形式的电容，本实施例并不对所述传递电容104的形式进行限制，同时本实施例也不对所述传递电容104的制备工艺进行限制。
作为示例，所述隔离电感1051满足如下公式：L2＝L1＝ZS/ω0，所述隔离电阻1052满足如下公式：R1＝ZS；其中，L2为隔离电感的感值，R1为隔离电阻的阻值，ZS为输入端口或输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。需要注意的是，由于本实施例所述功分器中L1和L2具有相同的参数值，故相较于实施例一，本实施例所述功分器更适用于工业电子电路生产。
作为示例，所述隔离电感1051包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感；在所述隔离电感1051包括直插电感、贴片电感或螺旋电感时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中隔离电感1051的设计；在所述隔离电感1051包括高阻传输线等效电感时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中隔离电感1051的设计。需要注意的是，本实施例所述高阻传输线等效电感即高阻传输线的等效电感与该电感的感值相等，从而采用感值相等的高阻传输线代替该电感。当然，本实施例所述隔离电感1051还可以包括微电子领域其它形式的电感，本实施例并不对所述隔离电感1051的形式进行限制，同时本实施例也不对所述隔离电感1051的制备工艺进行限制。
作为示例，所述隔离电阻1052包括直插电阻、贴片电阻或薄膜等效电阻；在所述隔离电阻1052包括直插电阻或贴片电阻时，采用PCB电路工艺实现本实施例所述功分器中隔离电阻1052的设计；在所述隔离电阻1052包括薄膜等效电阻时，采用单片微波集成电路工艺、薄膜印刷电路工艺、厚膜印刷电路工艺或低温共烧陶瓷工艺实现本实施例所述功分器中隔离电阻1052的设计。
作为示例，所述功分器还包括：设于所述输入端口101与所述输出端口102之间任意位置的传输线，并且所述传输线的电长度包括整数倍波长；其中所述传输线的特性阻抗与所述输入端口101的特性阻抗或所述输出端口102的特性阻抗相等。需要注意的是，在微波电路中插入与端口阻抗一致且呈整数倍波长的传输线时，器件性能保持不变
下面请参阅图3至图7，以经典威尔金森功分器作为比对对象，对本发明实施例一及实施例二所述功分器的微波特性进行测试说明。
设定各功分器的中心工作频率为1GHz，输入端口及输出端口的特性阻抗均为50Ω，此时本发明实施例一及实施例二所述功分器中集总元件参数值如下表1所示：
L<sub>1</sub>(nH) C<sub>1</sub>(pF) L<sub>2</sub>(nH) R<sub>1</sub>(Ω)
实施例一 7.96 3.20 15.92 100
实施例二 7.96 3.20 7.96 50
基于表1中各元件所构成的功分器，分别对威尔金森功分器、实施例一中所述功分器及实施例二中所述功分器进行微波特性(散射参数)测试，同时以ADS软件的仿真结果作为验证工具。
由图3可以看出，实施例一所述功分器与实施例二所述功分器具有几乎完全相同的幅度，并且相较于威尔金森功分器其更适用于高频段(大于中心工作频率处)。
由图4可以看出，实施例一所述功分器与实施例二所述功分器具有几乎完全相同的相位，并且在中心工作频率处，实施例一所述功分器与实施例二所述功分器的输出端口与输入端口之间具有-45°相位差，而威尔金森功分器在中心工作频率处其输出端口与输入端口之间则具有90°相位差。
由图5可以看出，实施例一所述功分器与实施例二所述功分器具有几乎完全相同的输入端口反射系数，并且以|S11|<-15dB的频带范围作为其工作带宽，在此工作频带内，输入信号到两个输出端口的传输系数的带内起伏的理论值小于0.15dB；可见，实施例一所述功分器与实施例二所述功分器的百分工作带宽为61.4％，约是威尔金森功分器工作带宽的2倍。
由图6可以看出，实施例一所述功分器的两个输出端口及实施例二所述功分器的两个输出端口均具有较好的反射系数，但两者的反射系数曲线不再相同，而且实施例一所述功分器的带宽大于实施例二所述功分器的带宽；若将其与图5相比较，则可发现实施例一及实施例二所述功分器的输出端口的反射系数均大于输入端口反射系数，由此可见，以|S11|作为带宽判断标准非常合理。
由图7可以看出，实施例一所述功分器中两个输出端口互相隔离，实施例二所述功分器中两个输出端口互相隔离，并且实施例一所述功分器中两个输出端口之间的隔离度优于实施例二所述功分器中两个输出端口之间的隔离度；同时实施例一所述功分器与实施例二所述功分器中两个输出端口之间的隔离性能与威尔金森功分器中两个输出端口之间的隔离性能近似，即都具有较好的隔离性能。
由此可见，相较于威尔金森功分器，本发明涉及的两种功分器具有几乎完全相同的宽带特性，并且三个端口均具有良好端口阻抗匹配性能；同时输出端口与输入端口之间具有-45°相位差，并且互相隔离；而且其百分工作带宽为61.4％，是威尔金森功分器工作带宽的2倍。
综上所述，本发明的一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，具有以下有益效果：本发明所述功分器的输入端口与输出端口在工作频带内均具有良好的端口阻抗匹配性能，并且两个输出端口具有相等的幅度和相位、且互相隔离，同时本发明所述功分器具有良好的热功率耗散效果和耐大功率信号特性，从而更适用于大功率信号的传递，而且本发明所述功分器具有更大的有效工作带宽。本发明所述功分器具有高通滤波功能，可以隔绝输入端口和输出端口之间的直流通路，为有源器件的级联使用提供了便利。本发明所述功分器除输入端口和输出端口之外，仅由5个元器件构成，是目前已知所需元器件个数最少的功分器电路结构。本发明所述功分器具有两种不同形式的电路拓扑结构，便于使用者根据具体电路布局进行选取；若偏重工业用途时，由于隔离单元串联形式的功分器中两电感具有相同的参数值，因而非常适合于工业电子电路；若偏重性能，则需要根据实际使用场合进行选取，如隔离单元串联形式的功分器输出端口隔离性能更好，而隔离单元并联形式的功分器输出端口反射系数更低，匹配性能更好。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述功分器包括：
输入端口及两个输出端口；
匹配电感，其一端连接于所述输入端口，其另一端接地；
传递电容，分别连接于所述输入端口与两个所述输出端口之间；
隔离单元，连接于两个所述输出端口之间，所述隔离单元包括一隔离电感和一隔离电阻，其中所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间，或所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间。
2.根据权利要求1所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述功分器还包括：设于所述输入端口与所述输出端口之间任意位置的传输线，并且所述传输线的电长度包括整数倍波长；其中所述传输线的特性阻抗与所述输入端口的特性阻抗或所述输出端口的特性阻抗相等。
3.根据权利要求1所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，在所述隔离电感和所述隔离电阻并联于两个所述输出端口之间时，所述匹配电感满足如下公式：L1＝ZS/ω0，所述传递电容满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)，所述隔离电感满足如下公式：L2＝2L1＝2ZS/ω0，所述隔离电阻满足如下公式：R1＝2ZS；其中，L1为所述匹配电感的感值，C1为所述传递电容的容值，L2为所述隔离电感的感值，R1为所述隔离电阻的阻值，ZS为所述输入端口或所述输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。
4.根据权利要求1所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，在所述隔离电感和所述隔离电阻串联于两个所述输出端口之间时，所述匹配电感满足如下公式：L1＝ZS/ω0，所述传递电容满足如下公式：C1＝1/(ZSω0)，所述隔离电感满足如下公式：L2＝L1＝ZS/ω0，所述隔离电阻满足如下公式：R1＝ZS；其中，L1为所述匹配电感的感值，C1为所述传递电容的容值，L2为所述隔离电感的感值，R1为所述隔离电阻的阻值，ZS为所述输入端口或所述输出端口的特性阻抗，ω0为中心工作频率所对应的角频率值。
5.根据权利要求1至4所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述匹配电感包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感。
6.根据权利要求1至4所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述传递电容包括直插电容、贴片电容、平板电容、叠层电容或低阻传输线等效电容。
7.根据权利要求1至4所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述隔离电感包括直插电感、贴片电感、螺旋电感或高阻传输线等效电感。
8.根据权利要求1至4所述的具有-45°相位延迟的大功率集总元件功分器，其特征在于，所述隔离电阻包括直插电阻、贴片电阻或薄膜等效电阻。
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