CN109860230A - 发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光显示设备。发光显示设备包括：第一基板；第一基板上的第一电极层；具有暴露第一电极层的一部分的开口的堤层；第一电极层上的发光层；通过使堤层凹陷形成的堤槽；发光层上的第二电极层；以及低反射率层，其位于第二电极层上并且被定位为对应于堤槽。

Description

发光显示设备
本申请要求2017年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2017-0163571的权益，其通过引用的方式结合于此，用于所有目的，就如同在此完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种发光显示设备。
背景技术
随着信息技术的发展，充当用户和信息之间的中介的显示器市场正在增长。因此，越来越多地使用诸如发光显示器(LED)、液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP)等显示设备。
在上述显示器中，发光显示器包括：显示面板，包括多个子像素；驱动部分，驱动显示面板；以及电源部分，向显示面板提供电力。驱动部分包括向显示面板提供扫描信号(或栅极信号)的扫描驱动器和向显示面板提供数据信号的数据驱动器。
在发光显示器中，当将扫描信号、数据信号等提供给以矩阵排列的子像素时，所选子像素的发光二极管发光，从而显示图像。发光显示器可以被分类为朝向下基板发光的底部发光型或朝向上基板发光的顶部发光型。
发光显示器作为下一代显示设备正在引起关注，并且发光显示器具有其它许多益处，这是因为它们基于从包括在子像素中的发光二极管产生的光来显示图像。然而，制造超高分辨率发光显示器仍有一些问题需要克服。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种发光显示设备，包括：第一基板；第一基板上的第一电极层；具有暴露第一电极层的一部分的开口的堤层；第一电极层上的发光层；通过使堤层凹陷形成的堤槽；发光层上的第二电极层；以及低反射率层，其位于第二电极层上并且定位为对应于堤槽。
本发明的另一示例性实施例提供一种发光显示设备，包括：第一基板；第一基板上的第一电极层；具有暴露第一电极层的一部分的开口的堤层；第一电极层上的发光层；通过使堤层凹陷形成的堤槽；发光层上的第二电极层；以及偏振层，其位于第二电极层上并且定位为对应于堤层的至少一部分。
附图说明
被包括用来提供对本发明的进一步理解并且并入本说明书且构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且该附图与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是有机发光显示设备的示意性框图；
图2是子像素的示意性电路图；
图3是示出图2的一部分的详细电路图；
图4是显示面板的截面图；
图5是示意性地示出子像素的截面图；
图6是子像素的发光特性的说明图；
图7是根据本发明第一示例性实施例的显示面板的截面图；
图8是用于说明本发明的第一示例性实施例的益处的截面图；
图9是根据本发明第二示例性实施例的显示面板的截面图；
图10是用于说明本发明的第二示例性实施例的益处的截面图；
图11示出了根据本发明第二示例性实施例制造的显示面板的折射率与波长的仿真结果；
图12是根据本发明第三示例性实施例的显示面板的截面图；
图13是用于示意性地说明根据本发明第三示例性实施例的机制的截面图；
图14是根据本发明第四示例性实施例的显示面板的截面图；
图15是根据本发明第五示例性实施例的显示面板的截面图；
图16是根据本发明第六示例性实施例的显示面板的截面图；
图17是根据本发明第七示例性实施例的显示面板的截面图；以及
图18是根据本发明第八示例性实施例的显示面板的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施例，在附图中示出了本发明实施例的示例。
在下文中，将参考附图说明本发明的具体实施例。
下面将要说明的发光显示设备可以被实现为电视、视频播放器、个人计算机(PC)、家庭影院、智能电话、虚拟现实(VR)设备、增强现实(AR)设备等。虽然下面将针对基于有机发光二极管(发光显示元件)的有机发光显示设备来说明发光显示设备，但是应当注意，可以基于无机发光二极管来实现下面将要说明的发光显示设备。
图1是有机发光显示设备的示意性框图。图2是子像素的示意性电路图。图3是示出图2的一部分的详细电路图。图4是显示面板的截面图。图5是示意性地示出子像素的截面图。图6是子像素的发光特性的说明图。
如图1所示，有机发光显示器包括时序控制器151、数据驱动器155、扫描驱动器157、显示面板110和电源部分153。
时序控制器151从图像处理器(未示出)接收驱动信号，包括数据使能信号、垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号，以及接收数据信号DATA。基于驱动信号，时序控制器151输出用于控制扫描驱动器157的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动器155的操作时序的数据时序控制信号DDC。可以以IC(集成电路)的形式提供时序控制器151。
数据驱动器155响应于从时序控制器151提供的数据时序控制信号DDC，对从时序控制器151提供的数据信号DATA进行采样和锁存，并将数字数据信号转换为作为伽马参考电压的模拟数据信号(或数据电压)并输出它。数据驱动器155通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。可以以IC(集成电路)的形式提供数据驱动器155。
扫描驱动器157响应于从时序控制器151提供的栅极时序控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器157通过扫描线GL1至GLm输出扫描信号。可以以IC的形式提供扫描驱动器157或者使用面板内栅极技术(其中使用薄膜工艺形成晶体管)将扫描驱动器157形成在显示面板110上。
电源部分153输出高电平电压和低电平电压。将从电源部分153输出的高电平电压和低电平电压提供给显示面板110。高电平电压经由第一电源线EVDD提供给显示面板110，而低电平电压经由第二电源线EVSS提供给显示面板110。可以以IC的形式提供电源部分153。
显示面板110响应于从数据驱动器155提供的数据信号DATA，从扫描驱动器157提供的扫描信号和从电源部分153提供的电力来显示图像。显示面板110包括子像素SP，它们工作以显示图像并发光。
子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者可以包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。根据发光特性，子像素SP可以具有一个或多个不同的发光区域。
如图2所示，单个子像素位于数据线DL1和扫描线GL1的交叉点处，并且包括用于设置驱动晶体管DR的栅极-源极电压的编程部分SC和有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括阳极ANO、阴极CAT和夹在阳极ANO和阴极CAT之间的有机发光层。阳极ANO连接到驱动晶体管DR。
编程部分SC可以包括晶体管部分(晶体管阵列)，其包括至少一个开关晶体管和至少一个电容器。基于CMOS半导体、PMOS半导体或NMOS半导体来实现晶体管部分。包括在晶体管部分中的晶体管可以实现为p型或n型。此外，包括在子像素的晶体管部分中的晶体管的半导体层可以包含非晶硅、多晶硅或氧化物。
开关晶体管响应于来自扫描线GL1的扫描信号而导通，以将来自数据线DL1的数据电压施加到电容器的一个电极。驱动晶体管DR通过根据存储在电容器中的电压量控制电流量来调节从有机发光二极管OLED发射的光量。从有机发光二极管OLED发射的光量与从驱动晶体管DR提供的电流量成比例。而且，子像素连接到第一电源线EVDD和第二电源线EVSS以接收高电平电压和低电平电压。
如图3的(a)所示，子像素可以包括内部补偿电路CC、以及前述开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器和有机发光二极管OLED。内部补偿电路CC可以包括连接到补偿信号线INIT的一个或多个晶体管。内部补偿电路CC将驱动晶体管DR的栅极-源极电压设置为反映阈值电压的变化的电压，以抵消当有机发光二极管OLED发光时由驱动晶体管DR的阈值电压引起的任何亮度变化。在这种情况下，扫描线GL1包括至少两条扫描线GL1a和GL1b，用于控制开关晶体管SW和内部补偿电路CC中的晶体管。
如图3的(b)所示，子像素可以包括开关晶体管SW1、驱动晶体管DR、感测晶体管SW2、电容器Cst和有机发光二极管OLED。感测晶体管SW2是可以包括在内部补偿电路CC中的晶体管，并且执行用于补偿子像素的感测操作。
开关晶体管SW1用于响应于通过第一扫描线GL1a提供的扫描信号将通过数据线DL1提供的数据电压提供给第一节点N1。感测晶体管SW2用于响应于通过第二扫描线GL1b提供的感测信号来复位或感测位于驱动晶体管DR和有机发光二极管OLED之间的第二节点N2。
同时，图3中示出的子像素的上述电路配置仅是为了便于理解。即，根据本发明的子像素的电路配置不限于上述，而是可以变化，包括2T(晶体管)1C(电容器)、3T2C、4T2C、5T1C、6T2C和7T2C。
如图4所示，显示面板110包括第一基板110a、第二基板110b、显示区域AA、焊盘部分PAD和保护膜层ENC。第一基板110a和第二基板110b中的至少一个可以由允许光通过的透明材料制成。第一基板110a和第二基板110b可以选自树脂、玻璃、硅(当它是不透明时)等。显示区域AA由发光的子像素SP构成。焊盘部分PAD由焊盘构成，以便于与外部基板电连接。
显示区域AA被放置为占据第一基板110a的大部分表面，并且将焊盘部分PAD放置在第一基板110a的一个外边缘上。利用存在于第一基板110a和第二基板110b之间的保护膜层ENC来密封显示区域AA，并且显示区域AA受到保护以免受湿气或氧气的影响。另一方面，焊盘部分PAD暴露于外部。然而，显示面板110不限于该结构，这是因为它可以呈现为各种结构。
如图5所示，子像素每个均可以包括发光二极管OLED和滤色器层CF。发光二极管OLED形成在第一基板110a的一侧上，并且由阳极E1(或阴极)、发射白光等的发光层EL、以及阴极E2(或阳极)构成。从发光二极管OLED发射的光可以由滤色器层CF变成不同的颜色。因此，从发光二极管OLED发射的光不一定必须是白光，但是将以发射白光的示例来给出下面的描述。
滤色器层CF将从发光层EL发射的白光变为红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)。将由滤色器层CF发射红光的区域定义为红色子像素，将由滤色器层CF发射蓝光的区域定义为蓝色子像素，并且将由滤色器层CF发射白光的区域定义为白色子像素。
滤色器层CF可以形成在第二基板110b的面向发光二极管OLED的一侧上，或者形成在发光二极管OLED的顶部上。保护膜层ENC可以位于阴极E2和滤色器层CF之间。然而，取决于密封结构，可以省略保护膜层ENC。
阳极E1可以由诸如第一电极层EA、第二电极层EB和第三电极层EC等多个层构成，以改善朝向第二基板110b的光发射。第一电极层EA可以由透明氧化物材料(例如，ITO)制成，第二电极层EB可以由反射金属材料(例如，Ag)制成，并且第三电极层EC可以由透明氧化物材料(例如，ITO)制成。然而，阳极E1的结构不限于此。
如图6所示，发光层EL可以包括第一发光层EL1、电荷生成层CGL和第二发光层EL2。包括电荷生成层CGL的发光层EL还可以包括除了两个发光层EL1和EL2之外的两个、三个或更多个发光层。因此，包括电荷生成层CGL的发光层EL应该被解释为包括至少两个发光层。
发光层EL可以基于从第一发光层EL1和第二发光层EL2发射的光而发射白光。例如，第一发光层EL1可以由发射蓝光(B)的材料制成，并且第二发光层EL2可以由发射黄绿色(或黄色)光(YG)的材料制成。
电荷生成层CGL可以由N型电荷生成层n-CGL和P型电荷生成层p-CGL的P-N结形成，或由与P-N结相反的N-P结形成。电荷生成层CGL用于生成电荷或分离空穴和电子以将电荷注入到第一发光层(第一叠层)EL1和第二发光层(第二叠层)EL2中。N型电荷生成层n-CGL将电子提供给第一发光层EL1，并且P型电荷生成层p-CGL将空穴提供给第二发光层EL2。因此，可以进一步提高具有多个发光层的元件的发光效率，并且可以降低驱动电压。
N型电荷生成层n-CGL可以由金属或N掺杂的有机材料制成。金属可以是选自于由Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、La、Ce、Sm、Eu、Tb、Dy和Yb构成的组中的一种。而且，用于N掺杂的有机材料的N型掺杂剂和宿主可以是常规使用的材料。例如，N型掺杂剂可以是碱金属、碱金属化合物、碱土金属或碱土金属化合物。N型掺杂剂可以是选自于由Cs、K、Rb、Mg、Na、Ca、Sr、Eu和Yb构成的组中的一种。宿主可以是选自于由三(8-羟基喹啉)铝、三嗪、羟基喹啉衍生物、苯并唑衍生物和噻咯衍生物构成的组中的一种。
P型电荷生成层p-CGL可以由金属或P掺杂的有机材料制成。金属可以是选自于由Al、Cu、Fe、Pb、Zn、Au、Pt、W、In、Mo、Ni和Ti构成的组中的一种。而且，用于P掺杂的有机材料的P型掺杂剂和宿主可以是常规使用的材料。例如，P型掺杂剂可以是选自于由2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰基对苯二醌二甲烷衍生物、碘、FeC13、FeF3和SbC15构成的组中的一种。宿主可以是选自于由N,N'-二(萘-1-基)-N,N-二苯基联苯胺(NPB)、NN'-二苯基-NN'-双(3-甲基苯基)-1,1-联苯-4,4'-二胺(TPD)和N,N',N'-四萘基-联苯胺(TNB)构成的组中的一种。
<第一示例性实施例>
图7是根据本发明第一示例性实施例的显示面板的截面图。图8是用于说明本发明的第一示例性实施例的益处的截面图。
如图7所示，根据本发明第一示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、低反射率层130、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
基于包括在显示面板中的晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED和滤色器层CF来限定第一子像素SP1至第三子像素SP3。第一子像素SP1至第三子像素SP3的区域由位于晶体管部分TFTA上的堤层120限定。将堤层120所处的区域定义为不发光的非发光区域，并且将暴露第一电极层119的区域定义为发光的发光区域或开口。
晶体管部分TFTA位于第一基板110a上方。在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一个中，晶体管部分TFTA包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和电源线。如先前在图3中所说明的，晶体管部分TFTA在配置上变化很大，并且根据栅电极的位置(例如顶栅电极或底栅电极)，晶体管部分TFTA具有各种堆叠结构。因此，没有详细描述晶体管部分TFTA。包括在晶体管部分TFTA中的部件，例如开关晶体管、驱动晶体管、电容器等，由绝缘层或保护层保护。
有机发光二极管OLED包括位于晶体管部分TFTA上方的第一电极层119、发光层124和第二电极层125。第一电极层119可以是阳极，并且第二电极层125可以是阴极。第一电极层119位于保护层上，该保护层是晶体管部分TFTA的最上层。第一电极层119连接到包括在晶体管部分TFTA中的驱动晶体管的源电极或漏电极。第一电极层119被定位为对应于第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)。第一电极层119可以由单层或包括反射电极层的多层构成。
发光层124位于第一电极层119上方。发光层124包括一个发光层或至少两个发光层。第二电极层125位于发光层124上方。第二电极层125被定位为完全覆盖第一子像素SP1至第三子像素SP3。第二电极层125可以由单层或包括低电阻率层的多层构成。保护膜层ENC位于有机发光二极管OLED上方。保护膜层ENC可以由单层或多层构成。保护膜层ENC可以包括第一保护膜层127至第三保护膜层129，其可以具有彼此交替的无机材料(例如，SiNx)和有机材料(例如，单体)的堆叠结构。例如，第一保护膜层127可以由无机材料(例如，SiNx)制成，第二保护膜层128可以由有机材料(例如，单体)制成，并且第三保护膜层129可以由无机材料(例如，SiNx)制成，但不限于这些材料。
黑矩阵层BM可以位于保护膜层ENC上。黑矩阵层BM被定位为对应于堤层120。黑矩阵层BM可以包括能够阻挡从有机发光二极管OLED发射的光的黑色材料。尽管将黑矩阵层BM示出为位于保护膜层ENC上，但是它可以被省略或位于其它层上，例如在滤色器层CF的顶部上。
滤色器层CF可以位于保护膜层ENC上。滤色器层CF可以包括第一滤色器层CF1至第三滤色器层CF3，并且可以包括各种颜色的材料，其可以将由有机发光二极管OLED产生的光变为红色、绿色和蓝色。尽管将滤色器层CF示出为覆盖保护膜层ENC上的黑矩阵层BM，但是它可以被省略或位于其它层上。
堤层120具有通过使顶表面凹陷而形成的堤槽BH。尽管将堤槽BH示出为包括底表面和内表面并且具有矩形截面形状，但是它可以是但不限于三角形、梯形或多边形。由于堤槽BH，堤层120具有外表面和内表面。因此，可以将堤槽BH的内表面定义为堤层120的内表面。形成在堤层120的顶表面中的堤槽BH用于将每个子像素区域的发光层124分开(将每个子像素与相邻的子像素分开)。
具体地，堤槽BH将发光层124分开，以为解决垂直或横向相邻像素之间的漏电流(或通常称为横向电流泄漏)的问题提供空间。尤其是在形成电荷生成层的结构中，很可能发生漏电流的问题。因此，当包括电荷生成层时，堤槽BH可以提供更大的益处。同时，根据堤槽BH的形状和第二电极层125的结构(尤其是厚度)，发光层124和第二电极层125可以被一起分开，但不限于此。
低反射率层130位于堤层120的堤槽BH上方。低反射率层130可以沿堤槽BH凹陷。低反射率层130可以被定位为对应于堤层120的顶表面、以及堤槽BH的底表面和内表面。低反射率层130可以具有如图中所示的U形，或者可以具有类似于堤层120和堤槽BH的形状，包括三角形、矩形、梯形和多边形。低反射率层130可以形成为各种形状，只要它不阻挡光穿过第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)行进的路径即可。低反射率层130可以由单层形成并且由低反射率材料制成，该低反射率材料例如是Mo、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr和W以及包含它们的一种或多种合金。
低反射率层130用于解决由堤层120中的堤槽BH形成的光路的问题，其中光沿着该光路移动到相邻的子像素或被反射，以及用于解决颜色混合的问题，其中由于不同种类的光(颜色)通过该光路进行传送，因此不同种类的光(颜色)发生混合。低反射率层130可以位于堤槽BH上的第二电极层125上。位于堤槽BH上的第二电极层125上的低反射率层130可以解决光路形成的问题和颜色混合的问题，并且同时降低第二电极层125的电阻。然而，第二电极层125的电阻是否降低取决于低反射率层130的材料。
低反射率层130可以位于堤槽BH上的保护膜层ENC的各层之间。例如，低反射率层130可以直接位于堤槽BH上的第一保护膜层127上。直接位于堤槽BH上的第一保护膜层127上的低反射率层130由于保护膜层ENC的材料特性(在构成保护膜层的各层之间的折射率的差异)而可以更有效地解决光路形成的问题和颜色混合的问题。
这是因为以下原因：由于构成保护膜层ENC的各层之间的折射率差异而可以防止形成光路的波导现象。因此，低反射率层130越接近存在折射率差异的位置，例如直接在第一保护膜层127上方，效果就越好。然而，取决于保护膜层ENC的材料和其折射率的差异，低反射率层130可以位于其它层上。
如图8的(a)所示，如果在堤层120中仅存在堤槽BH，则形成以下光路，从第一子像素SP1产生的光沿着该光路移动到与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2。另一方面，如图8的(b)所示，如果在堤层120的堤槽BH中存在低反射率层130，则不形成从第一子像素SP1产生的光沿着其移动到与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2的光路。这是因为以下原因：如前所述，可以防止堤槽BH中的低反射率层130引起光路形成的波导现象。
从图8中给出的示例可以看出，根据第一示例性实施例，穿过堤层120和堤槽BH而来的光可以被低反射率层130吸收。此外，由第一子像素SP1产生的光不会移动到第二子像素SP2而是由于低反射率层130的低反射率而损失。
在具有超高分辨率的显示面板上，子像素尺寸变小；因此，很可能发生到相邻子像素的电流泄漏。然而，利用第一示例性实施例中给出的结构，可以解决光移动到相邻子像素或被反射所要沿着的光路的问题和不同种类的光(颜色)发生混合的颜色混合的问题、以及解决通过发光层124的漏电流的问题。因此，第一示例性实施例可以提供适合于制造具有超高分辨率的有机发光显示设备的结构。
下面将要说明的本发明的第二示例性实施例类似于第一示例性实施例，但是低反射率层130的结构存在差异。因此，为了避免冗余，将针对对低反射率层130的结构所做的改变给出说明。
<第二示例性实施例>
图9是根据本发明第二示例性实施例的显示面板的截面图。图10是用于说明本发明的第二示例性实施例的益处的截面图。图11示出了根据本发明第二示例性实施例制造的显示面板的折射率与波长的仿真结果。
如图9所示，根据本发明第二示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、低反射率层130、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
虽然将低反射率层130示出为直接位于堤槽BH上的第一保护膜层127上，但这仅仅是示例，并且如前所述，低折射率层130可以位于第二电极层125上或位于保护膜层ENC内。
根据第二示例性实施例，低反射率层130可以由多层形成，并且由金属层和无机层构成，其中金属层由低反射率材料(例如，Mo、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr和W以及含有它们的一种或多种合金)制成，并且无机层由无机材料(包括氧化物材料)制成。例如，低反射率层130可以包括由金属材料制成的第一层131、由无机材料制成的第二层132、以及由金属材料制成的第三层133。
从图10中给出的示例可以看出，穿过堤层120的外表面而来的光可以被低反射率层130吸收，或者可以不从第一子像素SP1移动到第二子像素SP2，而是由于低反射率层130的低反射率而损失。
如图9和图11所示，低反射率层130具有由MoTi构成的第一层131、由ITO构成的第二层132和由MoTi构成的第三层133。根据第二示例性实施例的仿真结果，由MoTi/ITO/MoTi构成的低反射率层130在380nm至780nm的波长下显示出8.97的平均反射率(％)，并且在550nm的波长下显示出3.04的反射率(％)。因此，通过使用光的消除和干涉，可以优化由多层构成的低反射率层130以具有最低的反射率-波长。
<第三示例性实施例>
图12是根据本发明第三示例性实施例的显示面板的截面图。图13是用于示意性地说明根据本发明第三示例性实施例的机制的截面图。
如图12所示，根据本发明第三示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
基于包括在显示面板中的晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED和滤色器层CF来限定第一子像素SP1至第三子像素SP3。第一子像素SP1至第三子像素SP3的区域由位于晶体管部分TFTA上的堤层120限定。将堤层120所处的区域定义为不发光的非发光区域，并且将暴露第一电极层119的区域被定义为发光的发光区域或开口。
晶体管部分TFTA位于第一基板110a上方。在第一子像素SP1至第三子像素SP3中的每一个中，晶体管部分TFTA包括开关晶体管、驱动晶体管、电容器和电源线。如先前在图3中所说明的，晶体管部分TFTA在配置上变化很大，并且根据栅电极的位置(例如顶栅电极或底栅电极)而具有各种堆叠结构。因此，没有描述晶体管部分TFTA。
有机发光二极管OLED包括位于晶体管部分TFTA上方的第一电极层119、发光层124和第二电极层125。第一电极层119可以是阳极，并且第二电极层125可以是阴极。第一电极层119位于保护层上，该保护层是晶体管部分TFTA的最上层。第一电极层119连接到包括在晶体管部分TFTA中的驱动晶体管的源电极或漏电极。第一电极层119被定位为对应于第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)。第一电极层119可以由单层或包括反射电极层的多层构成。
发光层124位于第一电极层119上方。发光层124包括一个发光层或至少两个发光层。第二电极层125位于发光层124上方。第二电极层125被定位为完全覆盖第一子像素SP1至第三子像素SP3。第二电极层125可以由单层或包括低电阻率层的多层构成。保护膜层ENC位于有机发光二极管OLED上方。保护膜层ENC可以由单层或多层构成。保护膜层ENC可以包括第一保护膜层127至第三保护膜层129，其可以具有彼此交替的无机材料(例如，SiNx)和有机材料(例如，单体)的堆叠结构。例如，第一保护膜层127可以由无机材料(例如，SiNx)制成，第二保护膜层128可以由有机材料(例如，单体)制成，并且第三保护膜层129可以由无机材料(例如，SiNx)制成，但不限于这些材料。
黑矩阵层BM可以位于保护膜层ENC上。黑矩阵层BM被定位为对应于堤层120。黑矩阵层BM可以包括能够阻挡从有机发光二极管OLED发射的光的黑色材料。尽管将黑矩阵层BM示出为位于保护膜层ENC上，但是它可以被省略或位于其它层上，例如在滤色器层CF的顶部上。
滤色器层CF可以位于保护膜层ENC上。滤色器层CF可以包括第一滤色器层CF1至第三滤色器层CF3，并且可以包括各种颜色的材料，其可以将由有机发光二极管OLED产生的光变为红色、绿色和蓝色。尽管将滤色器层CF示出为覆盖保护膜层ENC上的黑矩阵层BM，但是它可以被省略或位于其它层上。
堤层120具有通过使顶表面凹陷而形成的堤槽BH。尽管将堤槽BH示出为包括底表面和内表面并且具有矩形截面形状，但是它可以是但不限于三角形、梯形或多边形。由于堤槽BH，堤层120具有外表面和内表面。因此，可以将堤槽BH的内表面定义为堤层120的内表面。形成在堤层120的顶表面中的堤槽BH用于将每个子像素区域的发光层124分开(将每个子像素与相邻的子像素分开)。
具体地，堤槽BH将发光层124分开，以为解决垂直或横向相邻像素之间的漏电流的问题提供空间。尤其是在形成了电荷生成层的结构中，很可能发生漏电流的问题。因此，当包括电荷生成层时，堤槽BH可以提供更大的益处。同时，根据堤槽BH的形状和第二电极层125的结构(尤其是厚度)，发光层124和第二电极层125可以被一起分开，但不限于此。
将偏振层140定位为对应于堤层120的外表面。可以沿着堤层120的外表面形成偏振层140。偏振层140可以被定位为对应于堤层120的顶表面以及堤层120的外表面。偏振层140可以形成为各种形状，只要它不阻挡光穿过第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)行进的路径即可。
偏振层140用于解决由堤层120中的堤槽BH形成的光路的问题，其中光沿着该光路移动到相邻的子像素或被反射，以及用于解决颜色混合的问题，其中由于不同种类的光(颜色)通过该光路进行传送，因此不同种类的光(颜色)发生混合。偏振层140由能够改变光行进方向的无机偏振材料(例如，MoS2)制成。偏振层140可以由能够通过摩擦或离子束处理来调整偏振方向的任何材料制成。
偏振层140包括第一偏振层141和第二偏振层142。第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振特性。即，第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振方向。当从堤层120侧观察时，第一偏振层141和第二偏振层142被定位为对应于外表面(堤层的左表面和右表面)，而当从子像素侧观察时，第一偏振层141和第二偏振层142位于开口内。
例如，第一偏振层141被定位为对应于堤层120的、与第三子像素SP3的右侧(或顶部，这取决于第一基板的取向)相邻的外表面。此外，第二偏振层142被定位为对应于堤层120的、与第三子像素SP3的左侧(或底部，这取决于第一基板的取向)相邻的外表面。因此，可以说具有不同偏振特性的第一偏振层141和第二偏振层142沿着堤层120的外表面位于每个子像素的开口内的相对侧处。
如图13所示，偏振层降低了传送的光的强度，具有改变光行进方向的偏振特性，并且如果偏振层的偏振方向和光的偏振方向相同则允许光通过，而如果偏振层的偏振方向和光的偏振方向不相同，则不允许光通过。
图12中所示的第三示例性实施例基于偏振层140的偏振特性。因此，可以基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择第一偏振层141和第二偏振层142的偏振方向。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。
在第三示例性实施例中，如果存在偏振层140，对应于堤层120的外表面，则不会形成从第一子像素SP1产生的光沿着其移动到与第一子像素SP1相邻的第二子像素SP2的光路。这是因为以下原因：如前所述，第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振方向，并因此即使光在一侧穿过堤层120和堤槽BH，它也不能行进到另一侧。即，由于第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振方向，所以光不会移动到相邻的子像素而是损失了。因此，第三示例性实施例可以解决光移动到相邻子像素或被反射所要沿着的光路的问题、以及不同种类的光(颜色)发生混合的颜色混合的问题，从而允许提供适合于制造具有超高分辨率的有机发光显示设备的结构。
与第一示例性实施例的低反射率层类似，第三示例性实施例的偏振层140防止由构成保护膜层ENC的各层之间的折射率差异引起的光路的形成。因此，偏振层140越接近存在折射率差异的位置，例如直接在第一保护膜层127上方，效果就越好。然而，取决于保护膜层ENC的材料和其折射率的差异，偏振层140可以位于其它层上。
如上所述，利用在第三示例性实施例中给出的结构，可以解决光移动到相邻子像素或被反射所要沿着的光路的问题和不同种类的光(颜色)发生混合的颜色混合的问题、以及解决通过发光层124的漏电流的问题。因此，第三示例性实施例可以提供适合于制造具有超高分辨率的有机发光显示设备的结构。
下面将要说明的本发明的示例性实施例类似于第三示例性实施例，但是偏振层140的结构存在差异。因此，为了避免冗余，将针对对偏振层140的结构所做的改变给出说明。
<第四示例性实施例>
图14是根据本发明第四示例性实施例的显示面板的截面图。
如图14所示，根据本发明第四示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
根据第四示例性实施例，偏振层140可以被放置为接近在保护膜层ENC的各层之间存在折射率差异的位置，例如直接放置在第一保护膜层127上方。偏振层140被定位为对应于堤层120和堤槽BH的顶部。偏振层140可以沿堤槽BH凹陷。偏振层140可以被定位为对应于堤层120的顶表面和外表面、以及堤槽BH的底表面和内表面。即，除了第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)之外，偏振层140可以被形成为覆盖下方层的所有区域。在这种情况下，第一偏振层141和第二偏振层142可以与堤槽BH的中心区域的比率为1:1，但不限于此。
可以基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择偏振层140的第一偏振层141和第二偏振层142的偏振方向。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。
在第四示例性实施例中，偏振层140覆盖对应于堤层120和堤槽BH的区域。在该结构中，堤层120并且甚至堤槽BH被覆盖，从而降低了光路形成的可能性和颜色混合的可能性。
<第五示例性实施例>
图15是根据本发明第五示例性实施例的显示面板的截面图。
如图15所示，根据本发明第五示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
根据第五示例性实施例，偏振层140可以被放置为接近在保护膜层ENC的各层之间存在折射率差异的位置，例如直接放置在第一保护膜层127上方。偏振层140包括位于晶体管部分TFTA与堤层120之间的第一偏振层141和位于堤层120与堤槽BH的顶部之间的第二偏振层142。
第一偏振层141可以位于晶体管部分TFTA和堤层120之间，即直接位于堤层120下方。第一偏振层141可以位于晶体管部分TFTA上并覆盖第一电极层119的一部分。第一偏振层141可以被定位为在尺寸上对应于堤层120，以便覆盖第一电极层119的一部分，或者可以位于第一电极层119中的空间中。
第二偏振层142可以被定位为对应于堤层120的顶表面和外表面、以及堤槽BH的底表面和内表面。第二偏振层142可以沿堤槽BH凹陷。除了第一子像素SP1至第三子像素SP3的发光区域(发光表面)之外，第二偏振层142可以被形成为覆盖下方层的所有区域，但不限于此。
第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振特性。基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择第一偏振层141和第二偏振层142的偏振特性。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。
在第五示例性实施例中，第二偏振层142覆盖对应于堤层120和堤槽BH的区域，并且第一偏振层141位于堤层120下方。在该结构中，堤层120的顶部和底部并且甚至堤槽BH被覆盖，从而更有效地降低了光路形成的可能性和颜色混合的可能性。
<第六示例性实施例>
图16是根据本发明第六示例性实施例的显示面板的截面图。
如图16所示，根据本发明第六示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
根据第六示例性实施例，偏振层140可以被放置为接近在保护膜层ENC的各层之间存在折射率差异的位置，例如直接放置在第一保护膜层127上方。偏振层140包括位于晶体管部分TFTA与堤层120之间的第一偏振层141和被定位为对应于堤层120的外表面的第二偏振层142。
第一偏振层141可以位于晶体管部分TFTA和堤层120之间，即位于堤层120下方。第一偏振层141可以位于晶体管部分TFTA上并覆盖第一电极层119的一部分。第一偏振层141可以被定位为在尺寸上对应于堤层120，以便覆盖第一电极层119的一部分，或者可以位于第一电极层119中的空间中。
第二偏振层142可以被定位为对应于堤层120的外表面。除了与堤槽BH对应的区域之外，第二偏振层142可以部分地位于堤层120的顶表面上。
第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振特性。基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择第一偏振层141和第二偏振层142的偏振特性。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。可以改变偏振层141和第二偏振层142的位置，如图18所示。
在第六示例性实施例中，第二偏振层142覆盖对应于堤层120的外表面的区域，并且第一偏振层141位于堤层120下方。在该结构中，堤层120的侧面和底部被覆盖，从而降低了光路形成的可能性和颜色混合的可能性。
<第七示例性实施例>
图17是根据本发明第七示例性实施例的显示面板的截面图。
如图17所示，根据本发明第七示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
根据第七示例性实施例，偏振层140可以被放置为接近在保护膜层ENC的各层之间存在折射率差异的位置，例如直接放置在第一保护膜层127上方。偏振层140包括被定位为对应于堤槽BH的第一偏振层141和位于晶体管部分TFTA和堤层120之间的第二偏振层142。
第一偏振层141可以被定位为对应于堤槽BH。第一偏振层141可以对应于堤槽BH或者部分地位于堤层120的顶表面上。即，第一偏振层141形成为U形，例如，沿着堤槽BH的形状。
第二偏振层142可以位于晶体管部分TFTA和堤层120之间，即位于堤层120下方。第二偏振层142可以位于晶体管部分TFTA上并覆盖第一电极层119的一部分。第二偏振层142可以被定位为在尺寸上对应于堤层120，以便覆盖第一电极层119的一部分，或者可以位于第一电极层119中的空间中。
第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振特性。基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择第一偏振层141和第二偏振层142的偏振特性。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。
在第七示例性实施例中，第一偏振层141覆盖对应于堤槽BH的区域，并且第二偏振层142位于堤层120下方。在该结构中，偏振层140位于对应于堤槽BH的区域中并且在堤层120下方，从而进一步降低了光路形成的可能性和颜色混合的可能性。
<第八示例性实施例>
图18是根据本发明第八示例性实施例的显示面板的截面图。
如图18所示，根据本发明第八示例性实施例的显示面板包括第一基板110a、晶体管部分TFTA、有机发光二极管OLED、偏振层140、保护膜层ENC、黑矩阵层BM和滤色器层CF。
根据第八示例性实施例，偏振层140可以被放置为接近在保护膜层ENC的各层之间存在折射率差异的位置，例如直接放置在第一保护膜层127上方。偏振层140包括被定位为对应于堤槽BH的第一偏振层141和位于晶体管部分TFTA和堤层120之间的第二偏振层142。
第一偏振层141可以被定位为对应于堤槽BH的内表面的相对侧。第一偏振层141可以不位于子像素SP1至SP3的发光区域(发光表面)和与堤槽BH的底表面相对应的区域中，但是可以完全覆盖下方层。即，除了堤槽BH的底表面之外，第一偏振层141可以沿着堤层120的突出形状形成180度旋转的U形。
第二偏振层142可以位于晶体管部分TFTA和堤层120之间，即位于堤层120下方。第二偏振层142可以位于晶体管部分TFTA上并覆盖第一电极层119的一部分。第二偏振层142可以被定位为在尺寸上对应于堤层120，以便覆盖第一电极层119的一部分，或者可以位于第一电极层119中的空间中。
第一偏振层141和第二偏振层142具有不同的偏振特性。基于从发光层124产生的光的偏振特性来选择第一偏振层141和第二偏振层142的偏振特性。例如，当光从发光层124垂直发射(朝向第二基板的前面)时，第一偏振层141可以具有水平或垂直线性偏振特性，并且第二偏振层142可以具有垂直或水平线性偏振特性，其与第一偏振层141相反。
在第八示例性实施例中，第一偏振层141覆盖与堤槽BH的内表面和堤层120的顶表面和外表面相对应的区域，并且第二偏振层142位于堤层120下方。在该结构中，偏振层位于与堤槽BH的内表面和堤层120的顶表面和外表面相对应的区域中，并且在堤层120下方，从而进一步降低了光路形成的可能性和颜色混合的可能性。
在第三至第八示例性实施例中，偏振层140被示出为由单层(由一片偏振层构成的单个单元)构成。然而，与金属材料相比，即使偏振层140被制成纳米级薄，偏振层140也能够使光偏振。因此，偏振层140也可以由多层(包括用于平行透射的层和用于正交透射的层)构成。即，偏振层140可以被构造为使得第一偏振层141和第二偏振层142在至少一个区域中重叠。此外，可以在考虑光路的情况下来调整第一偏振层141和第二偏振层142之间的重叠区域。此外，在本发明的详细说明中，虽然已经单独说明了第一示例性实施例至第八示例性实施例，但是可以以结合的方式来说明这些示例性实施例中的至少两个。
为了防止光路形成和颜色混合形成，本发明中说明的低反射率层和偏振层被构造为使得低反射率材料和光偏振材料对应于堤层。低反射率层和偏振层具有相同的目的和益处，尽管它们的名称和功能有些不同。相应地，低反射率层和偏振层也可以定义为防止光路形成和颜色混合的层。
如上所述，本发明可以解决通过发光层的漏电流的问题，光移动到相邻子像素或被反射所要沿着的光路的问题，以及不同种类的光(颜色)发生混合的颜色混合的问题，以便制造具有超高分辨率的有机发光显示设备。

Claims (15)

1.一种发光显示设备，包括：
第一基板；
所述第一基板上的第一电极层；
堤层，其具有暴露所述第一电极层的一部分的开口；
所述第一电极层上的发光层；
通过使所述堤层凹陷而形成的堤槽；
所述发光层上的第二电极层；以及
低反射率层，其位于所述第二电极层上并且被定位为对应于所述堤槽。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述低反射率层由单层或多层构成。
3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述低反射率层包括第一层、在所述第一层上的第二层、以及在所述第二层上的第三层，
其中，所述第一层和所述第三层由金属材料制成，并且所述第二层由无机材料制成。
4.根据权利要求1所述的发光显示设备，包括保护膜层，所述保护膜层位于所述第二电极层上，并且所述保护膜层是通过交替地堆叠无机材料和有机材料形成的，
其中，所述低反射率层位于所述保护膜层的各层之间。
5.根据权利要求4所述的发光显示设备，其中，所述保护膜层包括第一保护膜层、在所述第一保护膜层上的第二保护膜层、以及在所述第二保护膜层上的第三保护膜层，
其中，所述第一保护膜层和所述第三保护膜层由无机材料制成，并且所述第二保护膜层由有机材料制成，并且所述低反射率层位于所述第一保护膜层上。
6.一种发光显示设备，包括：
第一基板；
所述第一基板上的第一电极层；
堤层，其具有暴露所述第一电极层的一部分的开口；
所述第一电极层上的发光层；
通过使所述堤层凹陷形成的堤槽；
所述发光层上的第二电极层；以及
偏振层，其位于所述第二电极层上并且被定位为对应于所述堤层的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，所述偏振层被定位为对应于以下中的一个或多个：所述堤层的外表面、所述堤层的顶表面、所述堤层的下方、所述堤槽的内表面、以及所述堤槽的底表面。
8.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，所述偏振层包括具有不同偏振特性的第一偏振层和第二偏振层。
9.根据权利要求8所述的发光显示设备，其中，所述第一偏振层和所述第二偏振层位于不同的位置。
10.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，除了所述发光层的发光表面之外，所述偏振层覆盖下方层的所有区域。
11.根据权利要求6所述的发光显示设备，包括保护膜层，所述保护膜层位于所述第二电极层上，并且所述保护膜层是通过交替地堆叠无机材料和有机材料形成的，
其中，所述偏振层位于所述保护膜层的各层之间。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述保护膜层包括第一保护膜层、所述第一保护膜层上的第二保护膜层、以及所述第二保护膜层上的第三保护膜层，
其中，所述第一保护膜层和所述第三保护膜层由无机材料制成，并且所述第二保护膜层由有机材料制成，并且所述偏振层位于所述第一保护膜层上。
13.根据权利要求8所述的发光显示设备，其中，所述偏振层连同所述堤层一起覆盖所述第一电极层并且暴露所述第一电极层的一部分。
14.根据权利要求8所述的发光显示设备，其中，所述第一偏振层和所述第二偏振层选择性地位于所述堤层的外表面、所述堤层的顶表面、所述堤层的下面、所述堤槽的内表面或所述堤槽的底表面上。
15.根据权利要求11所述的发光显示设备，还包括位于所述保护膜层上的黑矩阵层和滤色器层。
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