CN109839529A - 芯片工作电压的测试装置及测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种芯片工作电压的测试装置及测试方法，其中测试装置包括主控模块和供电模块，在上电操作次数达到预设上电次数后，通过判断外部被测芯片的成功上电次数和预设上电次数是否相对应，来测试外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。采用了该发明的芯片工作电压的测试装置及测试方法，通过主控模块对供电模块的控制作用，可以实现对外部被测芯片的自动上/下电，避免了手动测试中偶然性强、上/下电速度不可控的问题。而且，在测试过程中，主控模块的预设上电次数可根据需要进行选择，同时本发明中的测试装置还包括一上电速度控制单元，不仅使得外部被测芯片的上/下电速度可控，还保证了测试时间间隔的一致性，具有更广泛的应用范围。
Description
技术领域
本发明涉及测试领域，尤其涉及测试工作电压领域，具体是指一种芯片工作电压的测试装置及测试方法。
背景技术
各种芯片在很多领域都有广泛的应用，芯片的工作电压是电路非常重要的一个性能参数。目前评价芯片工作电压范围的方案基本都是基于手动测试：设置IO端口输出一组波形，手动调节电源电压，通过观察波形确定电路在某一个电压点下是否能正常工作，以此来确定芯片的工作电压范围。同样的测试方法还被用于电路的低压复位电压点测试。
该测试方法的优点是测试简单，只需要手动调节电源电压即可，而目前市面上的数字稳压电源也能够实现0.01V级别的稳定调节，所以对于最大工作电压和最小工作电压测试可行，能够大致得到芯片的工作电压范围。
但是对于瞬间上电测试，这种手动测试方法的测试偶然性就很大。手动测试在每一个电压点下测试次数有限，而且手动开关电源上下电，对于上电速度难以控制。同时为了验证芯片工作的稳定性，需要在最高工作电压点、最低工作电压点和正常工作电压点下进行多次反复上下电测试，如果使用传统的测试方案，测试的可操作性和测试效率就会很差。
现有技术中，在电路评价过程中，评价工作电压主要依靠手动测试，其测试原理如图1所示，设置端口输出一组波形，手动调节电源电压，通过观察波形确定电路在某一个电压点下是否能正常工作。同样的测试方法还被用于电路的低压复位电压点测试。
评价电路工作电压主要评价3个指标，其现有测试方法如下：(以现有技术中的一种芯片为例)
(1)最小工作电压
在正常工作模式下，令VDD＝3.0V，以0.01V的级差减小VDD的值，观察电路能否正常工作，并记下其最小值。
(2)最大工作电压
在正常工作模式下，令VDD＝5.0V，以0.01V的级差增大VDD的值，观察电路能否正常工作，并记下其最大值。
(3)瞬间上电
即在最大工作电压和最小工作电压范围内测试，瞬间上电，观察电路工作是否出现异常。
该方法由于为手动测试，所以有偶然性大、测试效率低、对于测试测一些参数(如上电速度，每次上电、下电间隔的时间等)都无法控制等缺点。
发明内容
本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种芯片工作电压的测试装置及测试方法。
为了实现上述目的，本发明的芯片工作电压的测试装置及测试方法具有如下构成：
该芯片工作电压的测试装置，其主要特点是，所述的测试装置包括主控模块和供电模块，所述的主控模块控制所述的供电模块对一外部被测芯片在一预置电压下进行上电操作，所述的主控模块对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的外部被测芯片对自身的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数，在所述的上电操作次数达到预设上电次数后，通过判断所述的外部被测芯片的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应，来测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块包括主控模块计数单元，所述的外部被测芯片包括受控模块计数单元，所述的主控模块计数单元对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的受控模块计数单元对所述的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块或所述的外部被测芯片还包括判断单元，所述的判断单元用于判断当所述上电操作次数达到预设上电次数后，所述的受控模块的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块具有上/下电切换端口，该上/下电切换端口与所述的供电模块相连接，用于实现对所述外部被测芯片的上/下电切换。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块具有首次上电通知信号输出端口和首次上电确认信号输入端口，所述的外部被测芯片具有首次上电通知信号输入端口和首次上电确认信号输出端口，所述主控模块的首次上电通知信号输出端口与所述外部被测芯片的首次上电通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的首次上电确认信号输出端口和所述主控模块的首次上电确认信号输入端口相连接，用于完成对首次上电信号的通知，并对该首次上电信号予以确认。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块具有测试结束通知信号输出端口和测试结束确认信号输入端口，所述的外部被测芯片具有测试结束通知信号输入端口和测试结束确认信号输出端口，所述主控模块的测试结束通知信号输出端口与所述外部被测芯片的测试结束通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的测试结束确认信号输出端口与所述主控模块的测试结束确认信号输入端口相连接，用于完成对测试结束信号的通知，并对该测试结束信号予以确认。
该芯片工作电压的测试装置的供电模块包括第一电阻、第二电阻、三极管和二极管；
所述的第一电阻与第二电阻串联且两者连接点与所述的主控模块的上/下电切换端口相连接，所述的第二电阻的另一端与第一电压源相连接，所述的第一电阻的另一端与所述的三级管的基极相连接，所述的三级管的集电极与所述的第一电压源相连接，所述的三级管的发射极与所述的二极管的负极相连接，所述的二极管的正极与第二电压源相连接，所述第一电压源的电压为所述预置电压，所述第二电压源的电压远小于外部被测芯片工作电压范围的电压且大于外部被测芯片内数据保存所需的最低电压。
该芯片工作电压的测试装置的供电模块还包括上电速度控制单元，所述的主控模块具有缓慢供电工作端口，所述的上电速度控制单元包括第一电容和一可控开关，所述的第一电容和可控开关相串联且两者连接点与所述主控模块的缓慢供电工作端口相连接，所述的第一电容的另一端接地，所述的可控开关的另一端与所述的二极管负极相连接；
当所述的可控开关为断开状态时，所述的供电模块处于瞬间供电模式；
当所述的可控开关为闭合状态时，所述的供电模块处于缓慢供电模式。
该芯片工作电压的测试装置的测试装置还包括显示模块，所述的显示模块用于对以下内容择一显示：
所述外部被测芯片的测试结果、所述上电操作次数和所述成功上电次数。
该基于上述测试装置实现芯片工作电压的测试方法，其主要特点是，所述的测试方法包括主控模块的上电计数处理过程和外部被测芯片的上电计数处理过程；
所述主控模块的上电计数处理过程包括以下步骤：
(A1)对所述主控模块上电；
(A2)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并保持所述外部被测芯片在第一设定时间范围内的上电状态；
(A3)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片下电，并保持所述外部被测芯片在第二设定时间范围内的下电状态；
(A4)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片持续上电；
(A5)所述主控模块计数单元的计数值加1；
所述外部被测芯片的上电计数处理过程包括以下步骤：
(B1)所述主控模块控制所述供电模块对该外部被测芯片上电；
(B2)所述受控模块计数单元的计数值加1；
判断所述的主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
该实现芯片工作电压的测试方法的测试方法包括主控模块的首次上电清零过程和外部被测芯片的首次上电清零过程；
所述主控模块的首次上电清零过程在所述的步骤(A1)与(A2)之间进行，包括以下步骤：
(A11)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并向所述外部被测芯片发送首次上电信号，同时对所述的主控模块设定一预设上电次数，并将所述主控模块计数单元的计数值清零；
(A12)所述主控模块判断是否收到所述外部被测芯片发来首次上电确认信号，若收到则将首次上电通知信号输出端口的首次上电通知信号清除并进入步骤(A2)，若没有则继续(A12)；
所述外部被测芯片的首次上电清零过程在所述的步骤(B1)与(B2)之间进行，包括以下步骤：
(B11)判断是否接收到所述主控模块发来的首次上电通知信号，若接收到则进入步骤(B12)，否则进入步骤(B2)；
(B12)将所述受控模块计数单元的计数值清零；
(B13)向所述主控模块发送首次上电确认信号。
该实现芯片工作电压的测试方法的测试方法包括主控模块的测试结束确认过程和外部被测芯片的测试结束确认过程；
所述主控模块的测试结束确认过程在所述的步骤(A5)之后进行，包括以下步骤：
(A51)判断所述主控模块计数单元的计数值与所述预设上电次数是否相等，若相等，则进入步骤(A52)，否则返回至步骤(A2)；
(A52)向所述外部被测芯片发送测试结束通知信号；
(A53)判断是否收到所述外部被测芯片发来的测试结束确认信号，若收到则进入步骤(A54)，否则继续步骤(A53)；
(A54)所述主控模块继续控制所述供电模块持续向所述外部被测芯片上电；
所述外部被测芯片的测试结束确认过程在所述的步骤(B2)之后，包括以下步骤：
(B21)判断是否接收到主控模块发来的测试结束通知信号，若接收到则进入步骤(B22)，否则继续步骤(B21)；
(B22)向所述主控模块发送测试结束确认信号。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(C1)在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述主控模块计数单元的当前计数值或预设上电次数传递给所述受控模块计数单元；
(C2)所述的外部被测芯片判断所述的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应则进入步骤(C3)，否则进入步骤(C4)；
(C3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(C4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(D1)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的主控模块；
(D2)所述的主控模块判断所述受控模块计数单元的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应，则进入步骤(D3)，否则进入步骤(D4)；
(D3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(D4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(E1)所述的主控单元计数单元在上电操作次数达到所述预设上电次数后，将主控单元计数模块的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E2)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E3)判断所述显示单元的显示值是否相对应，若相对应，则进入步骤(E4)，否则进入步骤(E5)；
(E4)判断所述的外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程；
(E5)判断所述的外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的步骤(A2)中，所述的第一设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部启动所需要的时间范围，所述的步骤(A3)中，所述的第二设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部关闭所需要的时间范围。
采用了该发明中的芯片工作电压的测试装置及测试方法，通过主控模块对供电模块的控制作用，可以实现对外部被测芯片的自动上/下电，避免了手动测试中偶然性强、上下电速度不可控的问题。而且，在测试过程中，主控模块的预设上电次数可根据需要进行选择，同时本发明中的测试装置还包括一上电速度控制单元，不仅使得外部被测芯片的上/下电速度可控，还保证了测试时间间隔的一致性，具有更广泛的应用范围。
附图说明
图1为现有技术的测试芯片在预置电压点能否正常工作原理图。
图2为本发明的芯片工作电压的测试装置的电路原理图。
图3为本发明的芯片工作电压的测试方法的流程图。
图4为本发明的芯片工作电压测试装置中当供电模块处于瞬间供电模式下的波形图。
图5为本发明的芯片工作电压测试装置中当供电模块处于缓慢供电模式下的波形示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本发明的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
该芯片工作电压的测试装置，其主要特点是，所述的测试装置包括主控模块和供电模块，所述的主控模块控制所述的供电模块对一外部被测芯片在一预置电压下进行上电操作，所述的主控模块对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的外部被测芯片对自身的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数，在所述的上电操作次数达到预设上电次数后，通过判断所述的外部被测芯片的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应，来测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块包括主控模块计数单元，所述的外部被测芯片包括受控模块计数单元，所述的主控模块计数单元对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的受控模块计数单元对所述的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数。
该芯片工作电压的测试装置的主控模块或所述的外部被测芯片还包括判断单元，所述的判断单元用于判断当所述上电操作次数达到预设上电次数后，所述的受控模块的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应。
请参阅图2所示，其为本发明的芯片工作电压的测试装置的电路原理图。该芯片工作电压的测试装置的主控模块具有上/下电切换端口P0.0、缓慢供电工作端口P1.5、首次上电通知信号输出端口P0.1、测试结束通知信号输出端口P0.2、首次上电确认信号输入端口P1.1和测试结束确认信号输入端口P1.2，所述的外部被测芯片具有首次上电通知信号输入端口P1.3、测试结束通知信号输入端口P1.4、首次上电确认信号输出端口P0.3和测试结束确认信号输出端口P0.4；
所述主控模块的上/下电切换端口与所述的供电模块相连接，用于实现对所述外部被测芯片的上/下电切换；
所述主控模块的首次上电通知信号输出端口与所述外部被测芯片的首次上电通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的首次上电确认信号输出端口和所述主控模块的首次上电确认信号输入端口相连接，用于完成对首次上电信号的通知，并对该首次上电信号予以确认；
所述主控模块的测试结束通知信号输出端口与所述外部被测芯片的测试结束通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的测试结束确认信号输出端口和所述主控模块的测试结束确认信号输入端口相连接，用于完成对测试结束信号的通知，并对该测试结束信号予以确认。
该芯片工作电压的测试装置的供电模块包括第一电阻、第二电阻、三极管和二极管；
所述的第一电阻与第二电阻串联且两者连接点与所述的主控模块的上/下电切换端口相连接，所述的第二电阻的另一端与第一电压源相连接，所述的第一电阻的另一端与所述的三级管的基极相连接，所述的三级管的集电极与所述的第一电压源相连接，所述的三级管的发射极与所述的二极管的负极相连接，所述的二极管的正极与第二电压源相连接，所述第一电压源的电压为所述预置电压，所述第二电压源的电压远小于外部被测芯片工作电压范围的电压且大于外部被测芯片内数据保存所需的最低电压。
该芯片工作电压的测试装置的供电模块还包括上电速度控制单元，所述的主控模块具有缓慢供电工作端口，所述的上电速度控制单元包括第一电容和一可控开关，所述的第一电容和可控开关相串联且两者连接点与所述主控模块的缓慢供电工作端口相连接，所述的第一电容的另一端接地，所述的可控开关的另一端与所述的二极管负极相连接；
当所述的可控开关为断开状态时，所述的供电模块处于瞬间供电模式(参阅图4)；
当所述的可控开关为闭合状态时，所述的供电模块处于缓慢供电模式(参阅图5)。
在实际应用中，当所述供电模块处于瞬间供电模式时，所述可控开关为断开状态，所述主控模块的上/下电切换端口P0.0输出低电平，此时供电模块的三极管导通，外部被测芯片的VDD端口电压为第一电压源VDD1；维持程序设定的时间后，所述主控模块的上/下电切换端口P0.0输出高电平，此时供电模块三极管截止，二极管D1导通，外部被测芯片的VDD端口电压为第二电压源VDD2。
在实际应用中，当所述供电模块处于缓慢供电模式时，所述可控开关为闭合状态，此时所述第一电容接入所述供电模块，所述主控模块的上/下电切换端口P0.0输出低电平，此时供电模块三极管导通，使得对所述第一电容进行充电，当外部被测芯片的VDD端口电压缓慢升高至第一电压源VDD1后，所述第一电容充电结束；维持程序设定的时间后，所述主控模块的上/下电切换端口P0.0输出高电平，此时供电模块三极管截止，所述第一电容通过主控电路的缓慢供电工作端口P1.5进行放电(缓慢供电工作端口P1.5输出低电平)，使得外部被测芯片的VDD端口电压缓慢下降，当其下降至二极管导通时，所述外部被测芯片的VDD端口电压维持为第二电压源VDD2。
在一具体实施方式中，所述第一电压源VDD1为预置电压源，所述第二电压源VDD2的最小工作电压大于受控模块计数单元的保持电压。
该芯片工作电压的测试装置的测试装置还包括显示模块，所述的显示模块用于对以下内容择一显示：
所述外部被测芯片的测试结果、所述上电操作次数和所述成功上电次数。
在一具体实施方式中，该芯片工作电压的测试装置的显示模块为LED发光二极管。
请参阅图3所示，其为本发明的芯片工作电压的测试方法的流程图。图3中的受控电路即为本实施例中的外部被测芯片。该基于上述测试装置实现芯片工作电压的测试方法，其主要特点是，所述的测试方法包括主控模块的上电计数处理过程和外部被测芯片的上电计数处理过程；
所述主控模块的上电计数处理过程包括以下步骤：
(A1)对所述主控模块上电；
(A2)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并保持所述外部被测芯片在第一设定时间范围内的上电状态；
(A3)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片下电，并保持所述外部被测芯片在第二设定时间范围内的下电状态；
(A4)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片持续上电；
(A5)所述主控模块计数单元的计数值加1；
所述外部被测芯片的上电计数处理过程包括以下步骤：
(B1)所述主控模块控制所述供电模块对该外部被测芯片上电；
(B2)所述受控模块计数单元的计数值加1；
判断所述的主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
该实现芯片工作电压的测试方法的测试方法包括主控模块的首次上电清零过程和外部被测芯片的首次上电清零过程；
所述主控模块的首次上电清零过程在所述的步骤(A1)与(A2)之间进行，包括以下步骤：
(A11)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并向所述外部被测芯片发送首次上电信号，同时对所述的主控模块设定一预设上电次数，并将所述主控模块计数单元的计数值清零；
(A12)所述主控模块判断是否收到所述外部被测芯片发来首次上电确认信号，若收到则将首次上电通知信号输出端口的首次上电通知信号清除并进入步骤(A2)，若没有则继续(A12)；
所述外部被测芯片的首次上电清零过程在所述的步骤(B1)与(B2)之间进行，包括以下步骤：
(B11)判断是否接收到所述主控模块发来的首次上电通知信号，若接收到则进入步骤(B12)，否则进入步骤(B2)；
(B12)将所述受控模块计数单元的计数值清零；
(B13)向所述主控模块发送首次上电确认信号。
该实现芯片工作电压的测试方法的测试方法包括主控模块的测试结束确认过程和外部被测芯片的测试结束确认过程；
所述主控模块的测试结束确认过程在所述的步骤(A5)之后进行，包括以下步骤：
(A51)判断所述主控模块计数单元的计数值与所述预设上电次数是否相等，若相等，则进入步骤(A52)，否则返回至步骤(A2)；
(A52)向所述外部被测芯片发送测试结束通知信号；
(A53)判断是否收到所述外部被测芯片发来的测试结束确认信号，若收到则进入步骤(A54)，否则继续步骤(A53)；
(A54)所述主控模块继续控制所述供电模块持续向所述外部被测芯片上电；
所述外部被测芯片的测试结束确认过程在所述的步骤(B2)之后，包括以下步骤：
(B21)判断是否接收到主控模块发来的测试结束通知信号，若接收到则进入步骤(B22)，否则继续步骤(B21)；
(B22)向所述主控模块发送测试结束确认信号。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(C1)在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述主控模块计数单元的当前计数值或预设上电次数传递给所述受控模块计数单元；
(C2)所述的外部被测芯片判断所述的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应则进入步骤(C3)，否则进入步骤(C4)；
(C3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(C4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(D1)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的主控模块；
(D2)所述的主控模块判断所述受控模块计数单元的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应，则进入步骤(D3)，否则进入步骤(D4)；
(D3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(D4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(E1)所述的主控单元计数单元在上电操作次数达到所述预设上电次数后，将主控单元计数模块的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E2)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E3)判断所述显示单元的显示值是否相对应，若相对应，则进入步骤(E4)，否则进入步骤(E5)；
(E4)判断所述的外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程；
(E5)判断所述的外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程。
该实现芯片工作电压的测试方法的步骤(A2)中，所述的第一设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部启动所需要的时间范围，所述的步骤(A3)中，所述的第二设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部关闭所需要的时间范围。
在实际应用中，若主控模块的主控模块计数单元的初值不为零，可通过计算所述主控模块计数单元的计数值与所述主控模块计数单元初值的差值与所述预设上电次数是否相等，来判断所述主控模块是否完成预设上电操作。
在实际应用中，所述的主控模块中的主控模块计数单元和所述外部被测芯片中的受控模块计数单元均为微控制器中的RAM寄存器，其中，所述主控模块计数单元的计数模式可为正计数模式或倒计数模式，所述受控模块计数单元的计数模式为正计数模式。
采用了该发明中的芯片工作电压的测试装置及测试方法，通过主控模块对供电模块的控制作用，可以实现对受控模块的自动上/下电，避免了手动测试中偶然性强、上下电速度不可控的问题。而且，在测试过程中，主控模块的预设上电次数可根据需要进行选择，同时本发明中的测试装置还包括一上电速度控制单元，不仅使得外部被测芯片的上/下电速度可控，还保证了测试时间间隔的一致性，具有更广泛的应用范围。
在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
Claims (16)
1.一种芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的测试装置包括主控模块和供电模块，所述的主控模块控制所述的供电模块对一外部被测芯片在一预置电压下进行上电操作，所述的主控模块对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的外部被测芯片对自身的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数，在所述的上电操作次数达到预设上电次数后，通过判断所述的外部被测芯片的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应，来测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
2.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的主控模块包括主控模块计数单元，所述的外部被测芯片包括受控模块计数单元，所述的主控模块计数单元对所述的上电操作进行计数并得到上电操作次数，所述的受控模块计数单元对所述的成功上电操作进行计数并得到成功上电次数。
3.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的主控模块或所述的外部被测芯片还包括判断单元，所述的判断单元用于判断当所述上电操作次数达到预设上电次数后，所述的受控模块的成功上电次数和所述的预设上电次数是否相对应。
4.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的主控模块具有上/下电切换端口，该上/下电切换端口与所述的供电模块相连接，用于实现对所述外部被测芯片的上/下电切换。
5.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的主控模块具有首次上电通知信号输出端口和首次上电确认信号输入端口，所述的外部被测芯片具有首次上电通知信号输入端口和首次上电确认信号输出端口，所述主控模块的首次上电通知信号输出端口与所述外部被测芯片的首次上电通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的首次上电确认信号输出端口和所述主控模块的首次上电确认信号输入端口相连接，用于完成对首次上电信号的通知，并对该首次上电信号予以确认。
6.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的主控模块具有测试结束通知信号输出端口和测试结束确认信号输入端口，所述的外部被测芯片具有测试结束通知信号输入端口和测试结束确认信号输出端口，所述主控模块的测试结束通知信号输出端口与所述外部被测芯片的测试结束通知信号输入端口相连接，所述外部被测芯片的测试结束确认信号输出端口与所述主控模块的测试结束确认信号输入端口相连接，用于完成对测试结束信号的通知，并对该测试结束信号予以确认。
7.根据权利要求4所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的供电模块包括第一电阻、第二电阻、三极管和二极管；
所述的第一电阻与第二电阻串联且两者连接点与所述的主控模块的上/下电切换端口相连接，所述的第二电阻的另一端与第一电压源相连接，所述的第一电阻的另一端与所述的三级管的基极相连接，所述的三级管的集电极与所述的第一电压源相连接，所述的三级管的发射极与所述的二极管的负极相连接，所述的二极管的正极与第二电压源相连接，所述第一电压源的电压为所述预置电压，所述第二电压源的电压远小于外部被测芯片工作电压范围的电压且大于外部被测芯片内数据保存所需的最低电压。
8.根据权利要求7所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的供电模块还包括上电速度控制单元，所述的主控模块具有缓慢供电工作端口，所述的上电速度控制单元包括第一电容和一可控开关，所述的第一电容和可控开关相串联且两者连接点与所述主控模块的缓慢供电工作端口相连接，所述的第一电容的另一端接地，所述的可控开关的另一端与所述的二极管负极相连接；
当所述的可控开关为断开状态时，所述的供电模块处于瞬间供电模式；
当所述的可控开关为闭合状态时，所述的供电模块处于缓慢供电模式。
9.根据权利要求1所述的芯片工作电压的测试装置，其特征在于，所述的测试装置还包括显示模块，所述的显示模块用于对以下内容择一显示：
所述外部被测芯片的测试结果、所述上电操作次数和所述成功上电次数。
10.一种基于权利要求1～9中任一项所述的测试装置实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的测试方法包括主控模块的上电计数处理过程和外部被测芯片的上电计数处理过程；
所述主控模块的上电计数处理过程包括以下步骤：
(A1)对所述主控模块上电；
(A2)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并保持所述外部被测芯片在第一设定时间范围内的上电状态；
(A3)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片下电，并保持所述外部被测芯片在第二设定时间范围内的下电状态；
(A4)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片持续上电；
(A5)所述主控模块计数单元的计数值加1；
所述外部被测芯片的上电计数处理过程包括以下步骤：
(B1)所述主控模块控制所述供电模块对该外部被测芯片上电；
(B2)所述受控模块计数单元的计数值加1；
判断所述的主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作。
11.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的测试方法包括主控模块的首次上电清零过程和外部被测芯片的首次上电清零过程；
所述主控模块的首次上电清零过程在所述的步骤(A1)与(A2)之间进行，包括以下步骤：
(A11)所述主控模块控制所述供电模块向所述外部被测芯片上电，并向所述外部被测芯片发送首次上电信号，同时对所述的主控模块设定一预设上电次数，并将所述主控模块计数单元的计数值清零；
(A12)所述主控模块判断是否收到所述外部被测芯片发来首次上电确认信号，若收到则将首次上电通知信号输出端口的首次上电通知信号清除并进入步骤(A2)，若没有则继续(A12)；
所述外部被测芯片的首次上电清零过程在所述的步骤(B1)与(B2)之间进行，包括以下步骤：
(B11)判断是否接收到所述主控模块发来的首次上电通知信号，若接收到则进入步骤(B12)，否则进入步骤(B2)；
(B12)将所述受控模块计数单元的计数值清零；
(B13)向所述主控模块发送首次上电确认信号。
12.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的测试方法包括主控模块的测试结束确认过程和外部被测芯片的测试结束确认过程；
所述主控模块的测试结束确认过程在所述的步骤(A5)之后进行，包括以下步骤：
(A51)判断所述主控模块计数单元的计数值与所述预设上电次数是否相等，若相等，则进入步骤(A52)，否则返回至步骤(A2)；
(A52)向所述外部被测芯片发送测试结束通知信号；
(A53)判断是否收到所述外部被测芯片发来的测试结束确认信号，若收到则进入步骤(A54)，否则继续步骤(A53)；
(A54)所述主控模块继续控制所述供电模块持续向所述外部被测芯片上电；
所述外部被测芯片的测试结束确认过程在所述的步骤(B2)之后，包括以下步骤：
(B21)判断是否接收到主控模块发来的测试结束通知信号，若接收到则进入步骤(B22)，否则继续步骤(B21)；
(B22)向所述主控模块发送测试结束确认信号。
13.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(C1)在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述主控模块计数单元的当前计数值或预设上电次数传递给所述受控模块计数单元；
(C2)所述的外部被测芯片判断所述的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应则进入步骤(C3)，否则进入步骤(C4)；
(C3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(C4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
14.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(D1)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的主控模块；
(D2)所述的主控模块判断所述受控模块计数单元的当前计数值与所述主控模块计数单元的当前计数值或所述预设上电次数是否相对应，若相对应，则进入步骤(D3)，否则进入步骤(D4)；
(D3)所述的显示模块显示该外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程；
(D4)所述的显示模块显示该外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作的结果，并退出整个测试过程。
15.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的判断该主控模块计数单元的计数值和所述的受控模块计数单元的计数值是否相对应，以测试所述的外部被测芯片是否可以在预置电压下正常工作包括以下步骤：
(E1)所述的主控单元计数单元在上电操作次数达到所述预设上电次数后，将主控单元计数模块的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E2)所述的受控模块计数单元在所述主控模块计数单元的计数值达到所述预设上电次数后，将所述受控模块计数单元的当前计数值传递给所述的显示模块；
(E3)判断所述显示单元的显示值是否相对应，若相对应，则进入步骤(E4)，否则进入步骤(E5)；
(E4)判断所述的外部被测芯片可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程；
(E5)判断所述的外部被测芯片不可以在该预置电压下正常工作，并退出整个测试过程。
16.根据权利要求10所述的实现芯片工作电压的测试方法，其特征在于，所述的步骤(A2)中，所述的第一设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部启动所需要的时间范围，所述的步骤(A3)中，所述的第二设定时间的范围大于所述外部被测芯片全部功能全部关闭所需要的时间范围。
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