CN109814888A - NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置，方法包括以下步骤：将NFC参数写入静态随机存储器；加载并运行固件；固件读取写在静态随机存储器的NFC参数，并配置NandFlash控制器。本方案只需在固件加载工程运行时，提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中，固件运行起来后，便可从ISRAM获取NFC参数，通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数，SSD软件人员在调试NFC参数时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，浪费芯片，提高了芯片的容错能力，同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。

Description

NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置

技术领域

本发明涉及到固态硬盘领域，特别是涉及到一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置。

背景技术

SSD产品出厂前，软件人员会制作出N套NFC的配置参数，然后将这些参数分别写到多块SSD控制器的EFUSE中，芯片上电，控制器会首先加载运行BootLoader，BootLoader再加载运行固件，调试人员会根据老化测试软件的运行情况，获取该参数下NFC的读写性能。读写性能最高的NFC参数，即最佳参数。

但由于EFUSE为一次性可编程存储器，一旦写入，即无法修改，在调试NFC参数的过程中，通常会对NandFlash控制器芯片造成浪费。

发明内容

为了解决上述现有技术的缺陷，本发明的目的是提供一种NandFlash控制器EFUSE代替方法及装置。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：

一种NandFlash控制器EFUSE代替方法，包括以下步骤：

将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载并运行固件；

固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

进一步地，所述加载并运行固件步骤，包括，

芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

固件加载工程加载并运行固件。

进一步地，所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤，包括，

固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

若标志位为0，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

若标志位为1，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

进一步地，所述将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM步骤之前，包括，

预设置多套NFC参数。

进一步地，所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤之后，包括，

运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

本发明还提出了一种NandFlash控制器EFUSE代替装置，包括：

代替写入单元，用于将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载运行单元，用于加载并运行固件；

读取配置单元，用于固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

进一步地，所述加载运行单元包括工程加载模块和固件运行模块，

工程加载模块，用于芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

固件运行模块，用于通过固件加载工程加载并运行固件。

进一步地，所述读取配置单元包括获取模块、第一读取模块和第二读取模块，

所述获取模块，用于通过固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

所述第一读取模块，在标志位为0时，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

所述第二读取模块，在标志位为1时，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

进一步地，还包括预设单元，用于预设置多套NFC参数。

进一步地，还包括：

性能获取单元，用于运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

性能比较单元，用于比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

本发明的有益效果是：本方案只需在固件加载工程BootLoader运行时，提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中，固件运行起来后，便可从ISRAM获取NFC参数，通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数，SSD软件人员在调试NFC参数时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，浪费NandFlash控制器芯片，提高了NandFlash控制器芯片的容错能力，同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。

附图说明

图1为本发明一种NandFlash控制器EFUSE代替方法的具体实现流程图。

图2为本发明一实施例一种NandFlash控制器EFUSE代替方法的方法流程图；

图3为本发明另一实施例一种NandFlash控制器EFUSE代替方法的方法流程图；

图4为本发明加载并运行固件步骤的具体流程图；

图5为本发明固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数步骤的具体流程图；

图6为本发明一种NandFlash控制器EFUSE代替装置的结构框图；

图7为本发明一种加载运行单元的结构框图；

图8为本发明一种读取配置单元的结构框图。

具体实施方式

为阐述本发明的思想及目的，下面将结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后等)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变，所述的连接可以是直接连接，也可以是间接连接。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

如无特别说明，本文中的“/”代表含义为“或”。

部分名词解释：

EFUSE：嵌入在微控制器中的一次性可编程存储器，数据只能写一次，通常用于保护关键数据，出厂时写入一次，以后每次都是读取。EFUSE类似于EEPROM，是一次性可编程存储器，在芯片出场之前会被写入信息，在一个芯片中，efuse的容量通常很小，一些芯片的EFUSE只有128bit。EFUSE可用于存储MEM repair的存储修复数据，也可用于存储芯片的信息：如芯片可使用电源电压，芯片的版本号，生产日期。在厂家生产好die后，会进行测试，将芯片的信息写到EFUSE中去。

SSD：固态硬盘。

NFC：NandFlash控制器。

NFC参数，NFC的配置参数。

NandFlash：NandFlash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。

BootLoader：SSD固件的加载工程。

参照图1-5，本发明一实施例提出一种NandFlash控制器EFUSE代替方法，包括以下步骤：

S10、将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

S20、加载并运行固件。

S30、固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

对于步骤S10，EFUSE是嵌入在NandFlash控制器中的一次性可编程存储器，软件人员在开发调试阶段，一旦写入不当的NFC参数，将损坏整个芯片，也就是说使用EFUSE无法写入不同的NFC参数，只能一次写入适合的NFC参数，当数据有问题或者数据出错时，也无法进行更改。而使用静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存放NFC参数，固件可以个根据测试需要将NFC参数多次写入静态随机存储器ISRAM，更进一步的，可以写入不同的NFC参数，并分别对比NFC参数对应的NFC读写性能，来确定最佳NFC参数，并写入在静态随机存储器ISRAM中作为默认NFC参数。

具体的，在将NFC参数写入之前，需要将芯片上电加载固件加载工程BootLoader，固件加载工程BootLoader将提前准备好的NFC参数写入内部静态随机存储器ISRAM中。

对于步骤S20，加载并运行固件，固件运行，并通过固件读取NFC参数，本方案中，将NFC参数写在静态随机存储器ISRAM，固件从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数，如果NFC参数写在EFUSE中，则固件从EFUSE中读取NFC参数。

参考图4，步骤S20包括以下步骤：

S21、芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行。

S22、固件加载工程加载并运行固件。

对于步骤S21和S22，加载固件加载工程，并运行，固件加载工程加载并运行固件，保证固件稳定运行，并通过固件读取后续的NFC参数。

对于步骤S30，固件在加载运行完成之后，读写静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并用于配置NandFlash控制器，配置完之后，NFC就可以进行读写操作，固件可以获取到NFC的读写性能，并根据获取到的读写性能旋转最佳的NFC参数，作为默认NFC参数。

参考图5，步骤S30包括以下步骤：

S31、固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位。

S32、若标志位为0，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数。

S33、若标志位为1，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

对于步骤S31-S33，在固件加载工程BootLoader运行时，提前将需要的NFC参数写入ISRAM中，固件运行起来后，便可根据EFUSE中的标志位来判断NFC参数的实际存放位置，并直接从ISRAM获取参数或者从EFUSE获取NFC参数。

具体的，由于EFUSE在没有写入值时，标志位默认值为0，因此，当EFUSE标志位为0时，固件默认从静态随机存储器ISRAM获取NFC参数，EFUSE标志位为1时，带表NFC参数写在EFUSE中，固件直接从EFUSE获取NFC参数。

因此固件在读取NFC参数时，需要优先获取EFUSE的标志位信息，并根据标志位来定位NFC参数存放位置，进而读取NFC参数进行配置。

参考图1和3，在本发明一具体实施例中，一种NandFlash控制器EFUSE代替方法，包括以下步骤：

S11、预设置多套NFC参数。

S10、将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

S20、加载并运行固件。

S30、固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

S40、运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据。

S50、比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

对于步骤S11，设置多套NFC参数，用于分别配置NFC，以获取不同NFC参数下NFC的读写性能数据，利用静态随机存储器ISRAM可以多次写入的特性，依次写入NFC参数，并由固件调用配置给NFC，最后获取对应的读写性能。

对于步骤S40和S50，在使用多套NFC参数对SSD进行调试时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，对控制器芯片造成浪费。在保证调试成本的同时，比较多个不同的NFC参数下的NFC读写性能数据，以得到最佳的NFC参数，用于配置NFC作为默认参数，在保证SSD性能的同时，降低了性能调试过程的成本。

如图1所示，为本发明一种NandFlash控制器EFUSE代替方法的具体应用流程图。

本方案只需在固件加载工程BootLoader运行时，提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中，固件运行起来后，便可从ISRAM获取NFC参数，通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数，SSD软件人员在调试NFC参数时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，浪费NandFlash控制器芯片，提高了NandFlash控制器芯片的容错能力，同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。

参考图6-8，本发明一实施例还提出了一种NandFlash控制器EFUSE代替装置，包括：

预设单元10，用于预设置多套NFC参数。

代替写入单元20，用于将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM。

加载运行单元30，用于加载并运行固件。

读取配置单元40，用于固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

性能获取单元50，用于运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据。

性能比较单元60，用于比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

对于预设单元10，预先设置多套NFC参数，用于分别配置NFC，以获取不同NFC参数下NFC的读写性能数据，利用静态随机存储器ISRAM可以多次写入的特性，依次写入NFC参数，并由固件调用配置给NFC，最后获取对应的读写性能。

对于代替写入单元20，EFUSE是嵌入在NandFlash控制器中的一次性可编程存储器，软件人员在开发调试阶段，一旦写入不当的NFC参数，将损坏整个芯片，也就是说使用EFUSE无法写入不同的NFC参数，只能一次写入适合的NFC参数，当数据有问题或者数据出错时，也无法进行更改。而使用静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存放NFC参数，固件可以个根据测试需要将NFC参数多次写入静态随机存储器ISRAM，更进一步的，可以写入不同的NFC参数，并分别对比NFC参数对应的NFC读写性能，来确定最佳NFC参数，并写入在静态随机存储器ISRAM中作为默认NFC参数。

具体的，在将NFC参数写入之前，需要将芯片上电加载固件加载工程BootLoader，固件加载工程BootLoader将提前准备好的NFC参数写入内部静态随机存储器ISRAM中。

对于加载运行单元30，加载并运行固件，固件运行，并通过固件读取NFC参数，本方案中，将NFC参数写在静态随机存储器ISRAM，固件从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数，如果NFC参数写在EFUSE中，则固件从EFUSE中读取NFC参数。

参考图7，加载运行单元30包括工程加载模块31和固件运行模块32。

工程加载模块31，用于芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行。

固件运行模块32，用于通过固件加载工程加载并运行固件。

对于工程加载模块31和固件运行模块32，加载固件加载工程并运行，固件加载工程加载并运行固件，保证固件稳定运行，并通过固件读取后续的NFC参数。

对于读取配置单元40，固件在加载运行完成之后，读写静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并用于配置NandFlash控制器，配置完之后，NFC就可以进行读写操作，固件可以获取到NFC的读写性能，并根据获取到的读写性能旋转最佳的NFC参数，作为默认NFC参数。

参考图8，读取配置单元40包括获取模块41、第一读取模块42和第二读取模块43。

获取模块41，用于通过固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位。

第一读取模块42，在标志位为0时，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数。

第二读取模块43，在标志位为1时，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

在固件加载工程BootLoader运行时，提前将需要的NFC参数写入ISRAM中，固件运行起来后，便可根据EFUSE中的标志位来判断NFC参数的实际存放位置，并直接从ISRAM获取参数或者从EFUSE获取NFC参数。

具体的，由于EFUSE在没有写入值时，标志位默认值为0，因此，当EFUSE标志位为0时，固件默认从静态随机存储器ISRAM获取NFC参数，EFUSE标志位为1时，带表NFC参数写在EFUSE中，固件直接从EFUSE获取NFC参数。

因此固件在读取NFC参数时，需要优先获取EFUSE的标志位信息，并根据标志位来定位NFC参数存放位置，进而读取NFC参数进行配置。

对于性能获取单元50和性能比较单元60，，在使用多套NFC参数对SSD进行调试时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，对控制器芯片造成浪费。在保证调试成本的同时，比较多个不同的NFC参数下的NFC读写性能数据，以得到最佳的NFC参数，用于配置NFC作为默认参数，在保证SSD性能的同时，降低了性能调试过程的成本。

如图1所示，为本发明一种NandFlash控制器EFUSE代替装置的具体实现流程图。

本方案只需在固件加载工程BootLoader运行时，提前将需要的NFC参数写入静态随机存储器ISRAM中，固件运行起来后，便可从ISRAM获取NFC参数，通过静态随机存储器ISRAM代替EFUSE存储NFC参数，SSD软件人员在调试NFC参数时，不会由于EFUSE一次性可编程的关系，浪费NandFlash控制器芯片，提高了NandFlash控制器芯片的容错能力，同时能够通过比较不同NFC参数对应的读写性能来确定最佳的NFC参数。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，包括以下步骤：

将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载并运行固件；

固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

2.如权利要求1所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述加载并运行固件步骤，包括，

芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

固件加载工程加载并运行固件。

3.如权利要求1所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤，包括，

固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

若标志位为0，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

若标志位为1，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

4.如权利要求1所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM步骤之前，包括，

预设置多套NFC参数。

5.如权利要求4所述的NandFlash控制器EFUSE代替方法，其特征在于，所述固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器步骤之后，包括，

运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。

6.一种NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，包括：

代替写入单元，用于将NFC参数写入静态随机存储器ISRAM；

加载运行单元，用于加载并运行固件；

读取配置单元，用于固件读取写在静态随机存储器ISRAM的NFC参数，并配置NandFlash控制器。

7.如权利要求6所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，所述加载运行单元包括工程加载模块和固件运行模块，

所述工程加载模块，用于芯片上电，NandFlash控制器加载固件加载工程，固件加载工程运行；

所述固件运行模块，用于通过固件加载工程加载并运行固件。

8.如权利要求6所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，所述读取配置单元包括获取模块、第一读取模块和第二读取模块，

所述获取模块，用于通过固件获取EFUSE中的NFC参数的标志位；

所述第一读取模块，在标志位为0时，则固件直接从静态随机存储器ISRAM中读取NFC参数；

所述第二读取模块，在标志位为1时，则固件直接从EFUSE中读取NFC参数。

9.如权利要求6所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，还包括预设单元，用于预设置多套NFC参数。

10.如权利要求6所述的NandFlash控制器EFUSE代替装置，其特征在于，还包括：

性能获取单元，用于运行固件，获取不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据；

性能比较单元，用于比较不同NFC参数对应NandFlash控制器的读写性能数据，获取最佳NFC参数。