CN109786525A - 一种发光二极管外延片的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底；将衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN缓冲层；控制AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使AlN缓冲层的翘曲度为‑10～‑60um；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片的制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
外延片是LED中的主要构成部分，现有的GaN基LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的AlN缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。N型层为掺Si的GaN层，可以提供电子，P型层为掺Mg的GaN层，可以提供空穴。当电流注入GaN基LED外延片中时，N型层提供的电子和P型层提供的空穴在电流的驱动下，向有源层迁移，并在有源层中辐射复合发光。有源层由多个周期的超晶格结构组成，每个周期的超晶格结构均包括InGaN阱层和GaN垒层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
由于InGaN阱层和GaN垒层之间存在着很大的晶格失配，导致阱层中存在着很大的压应力，一方面压应力会产生压电极化电场，引起有源层能带的倾斜，使电子和空穴波函数的交叠减少，造成内量子发光效率的下降，即所谓的量子限制斯塔克效应，另一方面，压应力会影响阱层中In的有效合并，使其难以形成晶体质量良好的高In组分的量子阱，从而使LED的发光效率降低。且阱层中存在的压应力越大，LED的发光效率越低。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，可以降低有源层的阱层中的压应力，提高LED的发光效率。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
提供一衬底；
将所述衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在所述衬底上沉积AlN缓冲层；控制所述AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，所述AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使所述AlN缓冲层的翘曲度为-10～-60um；其中，所述AlN缓冲层的翘曲度为所述AlN缓冲层的中部向靠近所述衬底方向凹陷的最大距离；
在所述AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积电压为150～300V。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积时间为20～40s。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积温度为200～800℃。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积温度为400～600℃。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积功率为1000～5000W。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积功率为2000～4000W。
进一步地，所述AlN缓冲层的沉积压力为5～10mtorr。
进一步地，所述AlN缓冲层的厚度为10～30nm。
进一步地，所述AlN缓冲层的厚度为15～30nm。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过控制AlN缓冲层的沉积电压和沉积时间在一定范围内，使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度在-10～-60um范围内，即AlN缓冲层的中部向衬底方向凹陷的最大距离为10～60um。一方面，AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。另一方面，阱层压应力减小，有利于改善有源层的晶体质量，降低有源层的缺陷密度和位错，从而可以提高LED的抗静电能力。且本发明将使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度控制在-10～-60um范围内，既可以保证AlN缓冲层不会由于翘曲度不会过小而产生较大的张应力，影响阱层中的压应力减小，从而影响阱层中富In发光中心的形成，又可以防止AlN缓冲层不会由于翘曲度过大，而在外延片生长过程中发生裂片现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图；
图2是本发明实施例提供的一种AlN缓冲层的局部结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片的制造方法流程图；
图4是本发明实施例提供的又一种发光二极管外延片的制造方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图1所示，该制造方法包括：
步骤101、提供一衬底。
步骤102、在衬底上沉积AlN缓冲层。
具体地，将衬底放入PVD设备中，采用PVD法在衬底上沉积AlN缓冲层。
在本实施例中，控制AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，得到翘曲度为-10～-60um的AlN缓冲层。
图2是本发明实施例提供的一种AlN缓冲层的局部结构示意图，如图2所示，AlN缓冲层2的翘曲度为AlN缓冲层2的中部向靠近衬底方向凹陷的最大距离D。此时，10um≤D≤60um。
步骤103、在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。
本发明实施例通过控制AlN缓冲层的沉积电压和沉积时间，使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度在-10～-60um范围内，即AlN缓冲层的中部向衬底方向凹陷的最大距离为10～60um。一方面，AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。另一方面，阱层压应力减小，有利于改善有源层的晶体质量，降低有源层的缺陷密度和位错，从而可以提高LED的抗静电能力。且本发明将使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度控制在-10～-60um范围内，既可以保证AlN缓冲层不会由于翘曲度不会过小而产生较大的张应力，影响阱层中的压应力减小，从而影响阱层中富In发光中心的形成，又可以防止AlN缓冲层不会由于翘曲度过大，而在外延片生长过程中发生裂片现象。
图3是本发明实施例提供的另一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图3所示，该制造方法包括：
步骤301、提供一衬底。
可选地，衬底为蓝宝石衬底。
步骤302、在衬底上沉积翘曲度为-10～-60um的AlN缓冲层。
其中，可以在蓝宝石衬底的[0001]面上沉积AlN缓冲层。
具体地，步骤步骤302可以包括：
将衬底放入PVD设备中，采用PVD法在衬底上沉积翘曲度为-10～-60um的AlN缓冲层。若AlN缓冲层的翘曲度小于-10μm，会因为AlN缓冲层的翘曲度太小而在底层产生较大的张应力，影响有源层的压应力变小，从而影响到InGaN阱层中富In发光中心的形成，进而影响到LED的发光效率。若AlN缓冲层的翘曲度大于-60μm时，会因为AlN缓冲层的翘曲度太大，导致AlN缓冲层整体太凹，在外延片生长过程中发生裂片现象。
进一步地，AlN缓冲层的沉积电压为100～500V。若AlN缓冲层的沉积电压低于100V，会因为电压太低而影响到AlN缓冲层的沉积效率。若AlN缓冲层的沉积电压高于500V，又会因为电压太高会影响沉积出的AlN缓冲层的致密性。
进一步地，AlN缓冲层的沉积时间为10～60s。若AlN缓冲层的沉积时间少于10s，会使得沉积出的AlN缓冲层太薄，从而导致后续外延生长困难，造成生长出的垒晶的晶体质量较差。同时，由于AlN缓冲层会吸光，若AlN缓冲层的沉积时间多于60s，又会导致沉积出的AlN缓冲层过厚，从而影响LED的发光效率。
可选地，AlN缓冲层的厚度为10～30nm。若AlN缓冲层的厚度过薄，则便于不便于后续外延层的生长，同时还会使得垒晶质量较差。同时AlN缓冲层会吸光，若AlN缓冲层的厚度过厚，会影响LED的发光效率。
可选地，AlN缓冲层的沉积温度为200～800℃。若AlN缓冲层的沉积温度低于200℃，则会导致沉积出的AlN缓冲层的质量较差。若AlN缓冲层的沉积温度高于200℃，又会因为沉积温度较高，降温所需时间较长而影响到外延片的生产效率。
可选地，AlN缓冲层的沉积功率为1000～5000W。若AlN缓冲层的沉积功率低于1000W，则会导致沉积出的AlN缓冲层的质量较差。若AlN缓冲层的沉积功率高于5000W，又会因为功率过高会影响沉积出的AlN缓冲层的致密性。
可选地，AlN缓冲层的沉积压力为5～10mtorr。若AlN缓冲层的沉积压力低于5mtorr，会加大PVD设备中抽真空的难度。若AlN缓冲层的沉积压力高于10mtorr，又会由于沉积室内真空度不够高而影响沉积出的AlN缓冲层的膜层质量。
S303、在AlN缓冲层上生长未掺杂的GaN层。
在本实施例中，可以采用Veeco K465i or C4MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现后续外延层的生长。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
具体地，控制反应室温度为1000～1100℃，控制反应室压力为200～600torr，生长厚度为2～3.5um的不掺杂的GaN层。
步骤304、在未掺杂的GaN层上生长N型层。
在本实施例中，N型层可以为掺Si的GaN层。
具体地，控制反应室温度为1000～1100℃，控制反应室压力为200～300torr，生长厚度为2～3um的不掺杂的N型层。
步骤305、在N型层上生长有源层。
在本实施例中，有源层可以包括11～13个周期交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。有源层的总厚度可以为130～160nm。
具体地，生长有源层时，反应室压力控制在200torr。生长InGaN阱层时，反应室温度为760-780℃。生长GaN垒层时，反应室温度为860-890℃。
步骤306、在有源层上生长P型层。
在本实施例中，P型层可以包括电子阻挡层和高温P型层。其中电子阻挡层可以为掺Al、掺Mg的AlyGa1-yN(0.15≤y≤0.25)层，高温P型层可以为高温高掺杂Mg的GaN层。
具体地，步骤306可以包括：
控制反应室温度为930～970℃，控制反应室压力为100torr，生长厚度为30～50nm的电子阻挡层。
控制反应室温度为940～980℃，控制反应室压力为200～600torr，生长厚度为50～80nm的高温P型层。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。
本发明实施例通过控制AlN缓冲层的沉积电压和沉积时间，使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度在-10～-60um范围内，即AlN缓冲层的中部向衬底方向凹陷的最大距离为10～60um。一方面，AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。另一方面，阱层压应力减小，有利于改善有源层的晶体质量，降低有源层的缺陷密度和位错，从而可以提高LED的抗静电能力。且本发明将使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度控制在-10～-60um范围内，既可以保证AlN缓冲层不会由于翘曲度不会过小而产生较大的张应力，影响阱层中的压应力减小，从而影响阱层中富In发光中心的形成，又可以防止AlN缓冲层不会由于翘曲度过大，而在外延片生长过程中发生裂片现象。
图4是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法流程图，如图4所示，该制造方法包括：
步骤401、提供一衬底。
可选地，衬底为蓝宝石衬底。
步骤402、在衬底上沉积翘曲度为-20～-60umAlN缓冲层。
其中，可以在蓝宝石衬底的[0001]面上沉积AlN缓冲层。
具体地，步骤402可以包括：
将衬底放入PVD设备中，采用PVD法在衬底上沉积翘曲度为-20～-60um的AlN缓冲层。此时，即可降低有源层中InGaN阱层中的压应力，又不会导致裂片的发生。
优选地，AlN缓冲层的沉积电压为150～300V。此时既可保证AlN缓冲层的沉积效率，又可保证沉积出的AlN缓冲层的致密性。
优选地，AlN缓冲层的沉积时间为20～40s。此时既可保证外延生长出的垒晶的晶体质量，又不会影响LED的发光效率。
优选地，AlN缓冲层的厚度为15～30nm。此时即可保证外延生长出的垒晶的晶体质量，又不会影响LED的发光效率。
优选地，AlN缓冲层的沉积温度为400～600℃。此时既可保证沉积出的AlN缓冲层的质量，又不会对外延片的生产效率产生负影响。
优选地，AlN缓冲层的沉积功率为2000～4000W。此时既可保证沉积出的AlN缓冲层的质量，又可保证沉积出的AlN缓冲层的致密性。
优选地，AlN缓冲层的沉积压力为5～8mtorr。此时既不会使得PVD设备中抽真空的难度较大，又可以保证沉积出的AlN缓冲层的膜层质量。
步骤403、在AlN缓冲层上生长未掺杂的GaN层。
在本实施例中，可以采用Veeco K465i or C4MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现后续外延层的生长。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
具体地，控制反应室温度为1000～1100℃，控制反应室压力为200～600torr，生长厚度为2～3.5um的不掺杂的GaN层。
步骤404、在未掺杂的GaN层上生长N型层。
在本实施例中，N型层可以为掺Si的GaN层。
具体地，控制反应室温度为1000～1100℃，控制反应室压力为200～300torr，生长厚度为2～3um的不掺杂的N型层。
步骤405、在N型层上生长有源层。
在本实施例中，有源层可以包括11～13个周期交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。有源层的总厚度可以为130～160nm。
具体地，生长有源层时，反应室压力控制在200torr。生长InGaN阱层时，反应室温度为760-780℃。生长GaN垒层时，反应室温度为860-890℃。
步骤406、在有源层上生长P型层。
在本实施例中，P型层可以包括电子阻挡层和高温P型层。其中电子阻挡层可以为掺Al、掺Mg的AlyGa1-yN(0.15≤y≤0.25)层，高温P型层可以为高温高掺杂Mg的GaN层。
具体地，步骤406可以包括：
控制反应室温度为930～970℃，控制反应室压力为100torr，生长厚度为30～50nm的电子阻挡层。
控制反应室温度为940～980℃，控制反应室压力为200～600torr，生长厚度为50～80nm的高温P型层。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束发光二极管的外延生长。
本发明实施例通过控制AlN缓冲层的沉积电压和沉积时间，使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度在-20～-60um范围内，即AlN缓冲层的中部向衬底方向凹陷的最大距离为20～60um。一方面，AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。另一方面，阱层压应力减小，有利于改善有源层的晶体质量，降低有源层的缺陷密度和位错，从而可以提高LED的抗静电能力。且本发明将使沉积出的AlN缓冲层的翘曲度控制在-20～-60um范围内，既可以保证AlN缓冲层不会由于翘曲度不会过小而产生较大的张应力，影响阱层中的压应力减小，从而影响阱层中富In发光中心的形成，又可以防止AlN缓冲层不会由于翘曲度过大，而在外延片生长过程中发生裂片现象。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
将所述衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在所述衬底上沉积AlN缓冲层；控制所述AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，所述AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使所述AlN缓冲层的翘曲度为-10～-60um；其中，所述AlN缓冲层的翘曲度为所述AlN缓冲层的中部向靠近所述衬底方向凹陷的最大距离；
在所述AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积电压为150～300V。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积时间为20～40s。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积温度为200～800℃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积温度为400～600℃。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积功率为1000～5000W。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积功率为2000～4000W。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积压力为5～10mtorr。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为10～30nm。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为15～30nm。
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