CN109765603A - 一种光导及核探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光导及核探测器，光导包括若干个依序排列的光导条，每个光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，光导条大面和光导条小面的边长均分为若干个不同等级，光导条大面构成上表面，下表面平行于上表面，所有的光导条小面构成下表面，光导条大面的数量与光导条小面的数量相同，下表面的面积小于上表面的面积，侧面连接上表面和下表面。核探测器还包括闪烁晶体阵列，光导的上表面与闪烁晶体下表面耦合，光导的下表面与光电转换器件耦合，光导条大面的数量与光导条小面的数量相同，下表面的面积小于上表面的面积，光导条大面的边长不小于闪烁晶体条的边长。本发明成本低廉，光子损失率低，同时边缘晶体条也能实现清晰分辨。
Description
技术领域
本发明涉及辐射探测及正电子发射计算机断层成像领域，更具体地涉及一种光导及核探测器。
背景技术
在γ照相机、正电子发射计算机断层成像(简称PET，Positron EmissionTomography)系统、辐射探测仪和晶体性能检测装置等核探测设备中，核探测器的空间分辨率是体现核探测设备性能的一个重要指标。比如，在PET系统中，空间分辨率体现了PET系统对细微组织的空间辨识能力，是PET系统中最为重要的指标之一，也同时是评价PET图像质量的重要指标之一。PET系统作为一种影像系统最根本的评价标准是重建图像的质量，高质量的重建图像要求有良好的分辨率，空间分辨率是过去十多年来PET系统开发中一直重点优化的对象。
在PET系统中，PET探测器的内在空间分辨率是影响系统成像空间分辨率的关键因素之一。PET探测器的内在空间分辨率反映了PET探测器可区分两个点源之间的最小距离。对于基于阵列晶体搭建的PET探测器，其内在空间分辨率包含1/2晶体条宽度和解码分辨因子，因此，对于基于阵列晶体搭建的PET探测器，晶体条宽度通常被认为是PET探测器内在空间分辨率的主导因素。在晶体条越切越细的动物PET中，为了进一步提升PET探测器的内在空间分辨率，解码分辨因子的重要性更加明显。解码分辨因子的一个重要影响因素为前端探测器的设计方式，因此，前端探测器的设计方式对提升PET探测器的内在空间分辨率也十分重要。
现有技术中通常将空间分辨率小于2.0mm的核探测器称为高空间分辨率核探测器，目前的高空间分辨率核探测器中，一种重要的前端探测器设计方案是采用阵列晶体条直接耦合光电倍增管(PMT)，或者阵列晶体条1:1耦合阵列光导后再耦合光电倍增器件，位置读出采用位置敏感型光电倍增管(简称PSPMT)或者多阳极光电倍增管，从而减小耦合方式对解码分辨因子的影响。更具体地，该前端探测器设计方案通常具有以下几种设计方案：
第一种，通过锥形闪烁晶体阵列直接耦合光电倍增器件，期望解决大面积的闪烁晶体阵列与较小探测面积的光电倍增器件耦合时产生的光子量信噪比下降的问题，这种设计在PET系统层面能够减小PET探测器之间的缝隙，并且获得更高的光输出，从而提升PET探测器的能量分辨率和符合时间分辨率(Jun Zhu,Qingguo Xie,Ming Niu et al.PotentialAdvantages of Tapered Detector in PET,IEEE,in Conference Record of the2011IEEE Nuclear Science Symposium and Medical Imaging Conference[C],pp.3042-3044,2011)。
第二种，闪烁晶体阵列采用常规的长方体形晶体条耦合而成，闪烁晶体阵列先耦合一一对应的锥形晶体，比如，有机玻璃或石英玻璃阵列，然后再耦合光电倍增器件。这种耦合方式可以解决锥形晶体中存在的数据采集缺失问题，提高PET系统的灵敏度，提升重建图像质量。同时，该方法对闪烁晶体条的加工更为简单，方便实现加工和切割的更高精度，摆脱锥形晶体等不规则模块的加工工艺及难度问题。
然而，上述的PET探测器设计中还存在诸多不足之处，比如，对于第一种设计方案，在PET系统集成时，该耦合方式会造成数据采集缺失，减小了系统灵敏度，并且由于锥形闪烁晶体阵列等不规则晶体条的加工难度更高，会造成晶体条加工过程中成品率降低，晶体损耗率增加，锥形闪烁晶体阵列成本增加。而对于第二种设计方案，基于长方体型晶体阵列耦合一一对应锥形晶体再耦合光电倍增管，锥形晶体的光导较长，光子在传输过程中损失率较高，影响光信号的信噪比，其中，锥形晶体阵列边缘的光损失率尤其高，部分边缘晶体条甚至无法分辨清楚。
因此，针对上述技术问题，有必要提出一种成本低廉，光子损失率低，同时边缘晶体条也能清晰分辨的核探测器以克服上述缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种核探测器，从而解决现有技术中核探测器不能兼顾低成本及高空间分辨率的问题。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是提供一种光导及核探测器，本发明提供的光导包括：若干个光导条，所述光导条依序排列构成所述光导，每个所述光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，所述光导条大面的边长分为若干个不同等级，所述光导条小面的边长分为若干个不同等级；上表面，所有的所述光导条大面构成所述上表面；下表面，所述下表面平行于所述上表面，所有的所述光导条小面构成所述下表面，所述光导条大面的数量与所述光导条小面的数量相同，所述下表面的面积小于所述上表面的面积；以及侧面，所述侧面连接所述上表面和所述下表面。
所述光导的侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面自所述下表面向所述上表面的方向延伸，所述第二侧面自所述上表面向所述下表面的方向延伸，所述第一侧面和所述第二侧面形成倒角，所述倒角为钝角。
倒角的顶点距离所述上表面的距离为0.1mm-2mm。
上表面和所述下表面均为矩形，所述光导条大面和所述光导条小面均被切割为矩形。
不同等级边长的所述光导条大面与不同等级边长的所述光导条小面分别沿着所述光导条大面和所述光导条小面的边长对称布置。
上表面和所述下表面为圆形、梯形或者椭圆形，沿着所述光导最外层的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为不规则形状，其余的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为矩形。
光导条之间涂覆不透光物质。
光导的高度介于0.1mm-13mm之间。
本发明提供的具有光导的核探测器，包括：闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列包括若干个依序排列且同一规格的闪烁晶体条，所述闪烁晶体阵列具有闪烁晶体上表面和闪烁晶体下表面；以及所述光导，所述光导包括：若干个光导条，所述光导条相互排列构成所述光导，每个所述光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，所述光导条大面的边长分为若干个不同等级，所述光导条小面的边长分为若干个不同等级，所述光导条大面的边长不小于所述闪烁晶体条的边长；上表面，所有的所述光导条大面构成所述上表面，所述上表面与所述闪烁晶体下表面耦合；下表面，所述下表面平行于所述上表面，所述下表面与光电转换器件耦合，所有的所述光导条小面构成所述下表面，所述光导条大面的数量与所述光导条小面的数量相同，所述下表面的面积小于所述上表面的面积；以及侧面，所述侧面连接所述上表面和所述下表面。
光导的侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面自所述下表面向所述上表面的方向延伸，所述第二侧面自所述上表面向所述下表面的方向延伸，所述第一侧面和所述第二侧面形成倒角，所述倒角为钝角。
倒角的顶点距离所述上表面的距离为0.1mm-2mm。
上表面和所述下表面均为矩形，所述光导条大面和所述光导条小面均被切割为矩形。
不同等级边长的所述光导条大面与不同等级边长的所述光导条小面分别沿着所述光导条大面和所述光导条小面的边长对称布置。
上表面和所述下表面为圆形、梯形或者椭圆形，沿着所述光导最外层的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为不规则形状，其余的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为矩形。
光导条之间涂覆不透光物质。
光导的高度介于0.1mm-13mm之间。
本发明提供的光导和核探测器，对锥形光导进行了改进，采用了契形的光导阵列，可以较大幅度的缩短光导的长度，减小了光损失率，提升了光信号信噪比，尤其对晶体阵列边缘的光损失率减小较多，能够全部分清边缘晶体的位置谱，在PET系统或者辐射探测设备集成时不会造成数据采集缺失，不会减小系统灵敏度。同时，本发明中部分光导条的宽度为大于晶体条的宽度，从而减少了光导条的数量，而且光导晶体的加工良品率也更高，有利于降低核探测器的成本。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的光导的侧面示意图；
图2是根据图1的光导的顶面示意图；
图3是根据图1的光导的底面示意图；
图4是根据本发明的一个实施例的核探测器的侧面示意图；
图5是根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图；
图6是根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图；
图7是根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图；
图8是根据本发明的一个实施例的核探测器所获取的位置谱图像。
具体实施方式
以下结合具体实施例，对本发明做进一步说明。应理解，以下实施例仅用于说明本发明而非用于限制本发明的范围。
图1为根据本发明的一个优选实施例的光导1的正面示意图，图2为根据图1的光导的顶面示意图，图3为根据图1的光导的底面示意图，由图1结合图2、图3可知，本发明提供的光导1包括相对的上表面11和下表面12，上表面11的面积大于下表面12的面积，光导1还包括连接上表面11和下表面12的侧面。在图2和图3所示的实施例中，上表面11和下表面12均为正方形，上表面11和下表面12的四条边均一一对应，也就是说，上表面11的四条边分别平行于下表面12对应的四条边；侧面包括第一侧面13和第二侧面14，其中，第一侧面13自下表面12的四条边向上表面11的方向延伸，第二侧面14自上表面11的四条边向下表面12的方向延伸，上表面11和下表面12对应的两条边之间的第一表面13和第二表面14之间形成倒角θ。更具体地，在图1所示的实施例中，第二侧面14与上表面11和下表面12均垂直，θ为钝角。
进一步地，光导1被切割为若干个光导条，其中，沿着上表面的任一条边的方向，光导1的上表面被切割为若干个光导条大面，两端的两个光导条大面的长度等于对应的闪烁晶体条的宽度，中间的两个光导条大面的长度等于两端的光导条大面的长度，沿着该条边的其它的光导条大面的长度大于两端的光导条大面的长度；同样地，沿着下表面的任一条边的方向，光导1的下表面被切割为若干个光导条小面，其中，两端的两个光导条小面的长度等于对应的光导条大面的长度，中间的两个光导条小面的长度小于两端的光导条小面的长度，沿着该条边的其它的光导条小面的长度大于两端的光导条小面的长度。
在图1-图3的实施例中，光导1被切割为10×10根光导条，光导1的上表面11被切割为10×10个矩形的光导条大面，其中，沿着上表面11的任意一条边的方向，两端的两个光导条大面A1的长度基本等于对应的闪烁晶体阵列2中的单根闪烁晶体条24的宽度(图4)，中间的两个光导条大面A1的长度等于两端的光导条大面A1的长度，沿着该条边的其它的光导条大面A2的长度大于两端的光导条大面A1的长度，依此方式切割的上表面11中光导条大面A3的长度等于光导条大面A2的长度，光导条大面A3的宽度等于光导条大面A2的宽度，光导条大面A3的长度方向垂直于光导条大面A2的长度方向；光导条大面A4的长度和宽度均等于光导条大面A2或A3的长度；同样地，光导1的下表面12被切割为10×10个矩形的光导条小面，沿着下表面12的任一条边的方向，两端的两个光导条小面B1的长度等于对应的光导条大面A1的长度，中间的两个光导条小面B5的长度小于两端的光导条小面B1的长度，沿着该条边的其它的光导条小面B2的长度大于两端的光导条小面B1的长度，依此方式切割的下表面12中光导条小面B3的长度等于光导条小面B2的长度，光导条小面B3的宽度等于光导条小面B5的宽度，光导条小面B3的长度方向垂直于光导条小面B2的长度方向；光导条小面B4的长度和宽度均等于光导条小面B2或B3的长度；光导条小面B6的长度等于光导条小面B2或B4的长度，光导条小面B6的宽度等于光导条小面B5的长度。
更具体地，在图1-图3的具体实施例中，光导1的上表面11上光导条大面A1的长度和宽度均为1.9mm，光导条大面A2、A3的长度和宽度分别为2.9mm、1.9mm，光导条大面A4的长度和宽度均为2.9mm；下表面12上光导条小面B1的长度和宽度均为1.9mm，光导条小面B2的长度和宽度分别为2.2mm、1.9mm，光导条小面B3的长度和宽度分别为2.2mm、1.5mm，光导条小面B4的长度和宽度均为2.2mm，光导条小面B5的长度和宽度均为1.5mm，光导条小面B6的长度和宽度分别为2.2mm、1.5mm。因此，对应的长方体单根闪烁晶体条的尺寸为1.89mm×1.89mm×13mm，光导1的上表面面积为26.5×26.5mm2，下表面面积为21.5×21.5mm2；光导的高度为5.5mm，倒角θ的一条边与上表面垂直，倒角的顶点距离上表面的距离为1.5mm。应当注意的是，为了满足不同的成像质量的需要，倒角的顶点距离上表面的距离可根据不同切割工艺设置为0.1mm-2mm之间的任意值。
图4为根据图1的光导1与对应的闪烁晶体阵列2耦合的侧面示意图，由图4可知，本发明还提供一种采用上述光导的核探测器，该核探测器包括相互耦合的光导1和闪烁晶体阵列2，闪烁晶体阵列2包括若干根闪烁晶体条24，光导1的上表面11与闪烁晶体阵列2的下表面22耦合，光导1的下表面12与光电转换器件(图中未示)以及电子学读出设备(图中未示)连接，闪烁晶体阵列2的侧面23与光导的侧面14平齐，闪烁晶体阵列2的上表面21用于接收带探测的辐射光子，比如伽马光子、中子等，闪烁晶体阵列将上述辐射光子转换为可见光，光导1用于将上述可见光更好的传递至光电转换器件，从而使得光电转换器件能够更准确的将可见光信号转换为电信号以进行图像重建。本领域技术人员应当理解的是，本发明的核探测器中的光电转换器件和电子学读出设备可根据需要选择不同的配置或者型号，这属于本领域的公知常识，在此不再赘述。
更进一步地，在图4中，闪烁晶体阵列2包括13×13根闪烁晶体条24，每根闪烁晶体条24的截面为正方形，单根闪烁晶体条的尺寸为1.89mm×1.89mm×13mm，光导1与闪烁晶体阵列2耦合时，在沿着光导1的边长的剖面方向，两端的光导条大面的长度A1基本等于单根闪烁晶体条24的边长，靠近最外层的光导条大面A2的长度基本为单根闪烁晶体条24的边长的1.5倍，换言之，最外层的光导条大面跟单根闪烁晶体条的大小一致，第二层光导条大面直接耦合第二根闪烁晶体条和1/2个第三根闪烁晶体条，第三层光导条大面直接耦合1/2个第三根闪烁晶体条和第四根闪烁晶体条，第四层光导耦合第五根闪烁晶体条和1/2个第六根闪烁晶体条，第五层光导条大面耦合1/2个第六根闪烁晶体条和1/2个第七根闪烁晶体条，而光导由于为对称结构，后面五层光导条大面与前面五层光导条大面轴对称，因此，若闪烁晶体条的宽度为w，闪烁晶体阵列包括13×13根闪烁晶体条，则光导的上表面的边长为(w+1.5w+1.5w+1.5w+w+w+1.5w+1.5w+1.5w+w)＝13w。
本领域技术人员应当理解的是，上表面11和下表面12还可以为其他形状，比如圆形、长方形、梯形、椭圆形等形状，此时，光导最外层的光导条的形状与上述实施例中不同，光导内层的光导条的切割及形状与上述实施例中均相同，在此不再赘述。
根据本发明另外的实施例，侧面还可形成为自上表面11向下表面12平滑延伸，此时可视为θ为180°；侧面也可以形成为两个以上的第一侧面、第二侧面、……、第n(n为自然数)侧面相互连接，此时，一共有(n-1)个θ。
图5为根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图，其中，相同部分的附图标记通过添加100的数字表示，闪烁晶体阵列102包括13×13个闪烁晶体条124，图5与图4的不同之处为：在图4所示的光导1中，闪烁晶体条的宽度为w，1.5w与1.0w宽度的光导条排列方式不同，图4中示出了4层1.0w光导条排列方式，图5则示出了仅含1层1.0w光导条排列方式。应当注意的是，1.0w宽度光导条的数量介于0层到4层之间。闪烁晶体阵列102的总尺寸为26.5×26.5×13.3mm3，单根闪烁晶体条的尺寸为1.89×1.89×13mm3。光导101的上表面的面积也为26.5×26.5mm2，下表面的面积为21.5×21.5mm2，光导101总共由9×9个光导条耦合而成，在这种排列方式中，最外层的光导条的宽度被设定为1.5w，沿着边长方向的宽度排列为1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w，仅用9×9个的光导条即可传导13×13的闪烁晶体阵列，达到一一对应耦合的效果。
图6是根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图，其中，相同部分的附图标记通过添加200的数字表示，闪烁晶体阵列202包括16×16个闪烁晶体条224，闪烁晶体阵列202的总尺寸为23.5×23.5×13.3mm3，单根闪烁晶体条的尺寸为1.3×1.3×10mm3；光导的上表面的面积也为23.5×23.5mm2，下表面的面积为19.5×19.5mm2，光导总共由12×12个光导条耦合而成，在这种排列方式中，光导包含4层1.0w宽度的光导条，最外层的光导条也被设定成1.0w的宽度，沿着边长方向的宽度排列为w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+w+w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+w，用12×12的光导阵列即可传导16×16的闪烁晶体阵列，达到一一对应耦合的效果。
图7是根据本发明另一个实施例的核探测器的侧面示意图，其中，相同部分的附图标记通过添加300的数字表示，闪烁晶体阵列302包括16×16个闪烁晶体条324，闪烁晶体阵列302的总尺寸为23.5×23.5×13.3mm3，单根闪烁晶体条的尺寸为1.3×1.3×10mm3；光导的上表面的面积也为23.5×23.5mm2，下表面的面积为19.5×19.5mm2，光导总共由12×12个光导条耦合而成，在这种排列方式中，光导包含4层1.0w宽度的光导条，最外层的光导条被设定成1.5w的宽度，沿着边长方向的宽度排列为1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w+1.5w，用11×11的光导阵列即可传导16×16的闪烁晶体阵列，达到一一对应耦合的效果。
应当注意的是，为了实现更好的成像效果，闪烁晶体阵列中各个闪烁晶体条均为六面抛光，且各个闪烁晶体条之间应涂覆不透光物质，比如漫反射的硫酸钡粉末或者镜面反射膜(ESR膜)等；光导的各个光导条之间也应涂覆漫反射物质，比如硫酸钡粉末等。光导的高度应小于闪烁晶体阵列的高度。光导的材料可选择有机玻璃、无机石英玻璃等高光透过性的材料。光导的整体高度优选地介于0.1mm-13mm之间。
图8为根据本发明的一个实施例的核探测器所获取的位置谱图像，由图8可以看出，本发明提供的核探测器可获得对应的13×13个闪烁晶体条的位置谱的清晰图像，尤其是边缘的闪烁晶体条也能清晰分辨。
本发明提供的光导和核探测器，对锥形光导进行了改进，采用了契形的光导阵列，可以较大幅度的缩短光导的长度，减小了光损失率，提升了光信号信噪比，尤其对晶体阵列边缘的光损失率减小较多，能够全部分清边缘晶体的位置谱，在PET系统或者辐射探测设备集成时不会造成数据采集缺失，不会减小系统灵敏度。同时，本发明中部分光导条的宽度为大于晶体条的宽度，从而减少了光导条的数量，而且光导晶体的加工良品率也更高，有利于降低核探测器的成本。
以上所述的，仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围，本发明的上述实施例还可以做出各种变化。即凡是依据本发明申请的权利要求书及说明书内容所作的简单、等效变化与修饰，皆落入本发明专利的权利要求保护范围。本发明未详尽描述的均为常规技术内容。
Claims (16)
1.一种光导，其特征在于，所述光导包括：
若干个光导条，所述光导条依序排列构成所述光导，每个所述光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，所述光导条大面的边长分为若干个不同等级，所述光导条小面的边长分为若干个不同等级；
上表面，所有的所述光导条大面构成所述上表面；
下表面，所述下表面平行于所述上表面，所有的所述光导条小面构成所述下表面，所述光导条大面的数量与所述光导条小面的数量相同，所述下表面的面积小于所述上表面的面积；以及
侧面，所述侧面连接所述上表面和所述下表面。
2.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述光导的侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面自所述下表面向所述上表面的方向延伸，所述第二侧面自所述上表面向所述下表面的方向延伸，所述第一侧面和所述第二侧面形成倒角，所述倒角为钝角。
3.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述倒角的顶点距离所述上表面的距离为0.1mm-2mm。
4.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述上表面和所述下表面均为矩形，所述光导条大面和所述光导条小面均被切割为矩形。
5.根据权利要求4所述的光导，其特征在于，不同等级边长的所述光导条大面与不同等级边长的所述光导条小面分别沿着所述光导条大面和所述光导条小面的边长对称布置。
6.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述上表面和所述下表面为圆形、梯形或者椭圆形，沿着所述光导最外层的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为不规则形状，其余的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为矩形。
7.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述光导条之间涂覆不透光物质。
8.根据权利要求1所述的光导，其特征在于，所述光导的高度介于0.1mm-13mm之间。
9.一种具有权利要求1中所述光导的核探测器，其特征在于，所述核探测器包括：
闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列包括若干个依序排列且同一规格的闪烁晶体条，所述闪烁晶体阵列具有闪烁晶体上表面和闪烁晶体下表面；以及
所述光导，所述光导包括：
若干个光导条，所述光导条相互排列构成所述光导，每个所述光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，所述光导条大面的边长分为若干个不同等级，所述光导条小面的边长分为若干个不同等级，所述光导条大面的边长不小于所述闪烁晶体条的边长；
上表面，所有的所述光导条大面构成所述上表面，所述上表面与所述闪烁晶体下表面耦合；
下表面，所述下表面平行于所述上表面，所述下表面与光电转换器件耦合，所有的所述光导条小面构成所述下表面，所述光导条大面的数量与所述光导条小面的数量相同，所述下表面的面积小于所述上表面的面积；以及
侧面，所述侧面连接所述上表面和所述下表面。
10.根据权利要求9所述的核探测器，其特征在于，所述光导的侧面包括第一侧面和第二侧面，所述第一侧面自所述下表面向所述上表面的方向延伸，所述第二侧面自所述上表面向所述下表面的方向延伸，所述第一侧面和所述第二侧面形成倒角，所述倒角为钝角。
11.根据权利要求9所述的光导，其特征在于，所述倒角的顶点距离所述上表面的距离为0.1mm-2mm。
12.根据权利要求9所述的光导，其特征在于，所述上表面和所述下表面均为矩形，所述光导条大面和所述光导条小面均被切割为矩形。
13.根据权利要求12所述的光导，其特征在于，不同等级边长的所述光导条大面与不同等级边长的所述光导条小面分别沿着所述光导条大面和所述光导条小面的边长对称布置。
14.根据权利要求9所述的光导，其特征在于，所述上表面和所述下表面为圆形、梯形或者椭圆形，沿着所述光导最外层的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为不规则形状，其余的所述光导条大面和所述光导条小面被切割为矩形。
15.根据权利要求9所述的光导，其特征在于，所述光导条之间涂覆不透光物质。
16.根据权利要求9所述的光导，其特征在于，所述光导的高度介于0.1mm-13mm之间。
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