CN109743884B - 用于太阳能电池的金属化结构 - Google Patents

用于太阳能电池的金属化结构 Download PDF

Info

Publication number
CN109743884B
CN109743884B CN201780053393.4A CN201780053393A CN109743884B CN 109743884 B CN109743884 B CN 109743884B CN 201780053393 A CN201780053393 A CN 201780053393A CN 109743884 B CN109743884 B CN 109743884B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
metal
region
solar cell
protective layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780053393.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109743884A (zh
Inventor
马蒂厄·穆尔斯
金泰锡
尼尔斯-彼得·哈德
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TotalEnergies Marketing Services SA
SunPower Corp
Original Assignee
Total Marketing Services SA
SunPower Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Total Marketing Services SA, SunPower Corp filed Critical Total Marketing Services SA
Publication of CN109743884A publication Critical patent/CN109743884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109743884B publication Critical patent/CN109743884B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1868—Passivation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明描述了具有导电触点的太阳能电池。在某个实例中，太阳能电池包括：设置在基板上方的保护层，其中所述保护层包含接触孔；设置在所述保护层上方的第一金属层，其中所述第一金属层穿过接触孔电连接到基板；设置在所述第一金属层上方的第二金属层以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的键合区域，其中所述键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。

Description

用于太阳能电池的金属化结构
背景技术
光伏(PV)电池(常被称为太阳能电池)是用于将太阳辐射转化为电能的装置。一般来讲，照射在太阳能电池基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p型掺杂区和n型掺杂区，从而在掺杂区域之间形成电压差。将掺杂区连接到太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至外部电路。当将PV电池组合在诸如PV模块的阵列中时，从所有的PV电池收集的电能可以按串联和并联布置加以组合，以提供具有某一电压和电流的电源。
提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍需要的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。
附图说明
图1示出了根据一些实施例的制造太阳能电池的示例性方法的流程示意图。
图2示出了根据一些实施例的在形成保护层之后的太阳能电池制造中的阶段，该保护层形成于太阳能电池的基板上方。
图3示出了根据一些实施例的在图案化保护层之后的图2的结构。
图4示出了根据一些实施例的在基板上方形成第一金属层之后的图3的结构。
图5示出了根据一些实施例的在第一金属层上方形成第二金属层之后的图4的结构。
图6示出了根据一些实施例的将第二金属层键合至图5的第一金属层。
图7示出了根据一些实施例的由图1-6的方法形成的太阳能电池。
图8示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的示例性配置的一部分的俯视图。
图9示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的另一示例性配置的一部分的俯视图。
图10示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的再另一示例性配置的一部分的俯视图。
图11示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的又另一示例性配置的一部分的俯视图。
图12示出了根据一些实施例的示例性电池效率数据。
具体实施方式
以下具体实施方式在本质上只是说明性的，而并非意图限制本申请的主题的实施方案或此类实施方案的用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施方式未必理解为相比其他实施方式是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。
本说明书包括提及“一个实施方案”或“某个实施方案”。短语“在一个实施方案中”或“在某个实施方案中”的出现不一定是指同一实施方案。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。
术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：
“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。
“配置为”。各个单元或部件可被描述或声明成“配置为”执行一项或多项任务。在此类语境下，“配置为”用于通过指示所述单元/部件包括在操作期间执行一项或多项那些任务的结构而暗示结构。因此，可以说是将所述单元/部件配置成即使当指定的单元/部件目前不在操作(例如，未开启/激活)时也可执行任务。详述某一单元/电路/部件“配置为”执行一项或多项任务明确地意在对该单元/部件而言不援用35U.S.C.§112第六段。
“第一”、“第二”等。如本文所用，这些术语用作其之后的名词的标记，而并不暗示任何类型的顺序(例如，空间、时间和逻辑等)。例如，提及“第一”键合区域不一定意味着该键合区域是某一序列中的第一个键合区域，相反，术语“第一”用于区分该键合区域与另一键合区域(例如，“第二”键合区域)。在一个实施例中，键合区域可以是将一层与另一层耦合的区域。在某个实例中，键合区域可以将第一金属层耦合至第二金属层。在一个实例中，键合区域可以是设置在第一金属层和第二金属层之间的金属焊接。在一些实例中，键合区域是热键合区域(例如，由热压缩工艺形成的键合区域)。
“基于”。如本文所用，该术语用于描述影响确定结果的一个或多个因素。该术语并不排除可影响确定结果的另外因素。也就是说，确定结果可以仅基于那些因素或至少部分地基于那些因素。考虑短语“基于B确定A”。尽管B可以是影响A的确定结果的因素，但这样的短语并不排除A的确定结果还基于C。在其他实例中，A可以仅基于B来确定。
“耦接”—以下描述是指元件或节点或结构特征被“耦接”在一起。如本文所用，除非另外明确指明，否则“耦接”意指一个元件/节点/特征直接或间接连接至另一个元件/节点/特征(或直接或间接与其连通)，并且不一定是机械连接。
“阻止”—如本文所用，阻止用于描述减小影响或使影响降至最低。当组件或特征被描述为阻止行为、运动或条件时，它完全可以彻底地防止某种结果或后果或未来的状态。另外，“阻止”还可以指减少或减小可能会发生的某种后果、性能和/或效应。因此，当部件、元件或特征被称为阻止结果或状态时，它不一定完全防止或消除该结果或状态。
此外，以下描述中还仅为了参考的目的使用了某些术语，因此这些术语并非意图进行限制。例如，诸如“上部”、“下部”、“上方”和“下方”之类的术语是指附图中提供参考的方向。诸如“正面”、“背面”、“后面”、“侧面”、“外侧”和“内侧”之类的术语描述部件的某些部分在一致但任意的参照系内的取向和/或位置，通过参考描述所讨论的部件的文字和相关的附图可以清楚地了解所述取向和/或位置。此类术语可包括上面具体提及的词语、它们的衍生词语以及类似意义的词语。
在以下描述中，给出了许多具体细节，诸如具体的操作，以便提供对本公开的实施方案的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施方案。在其他实例中，没有详细地描述熟知的技术，以避免不必要地使本公开的实施方案难以理解。
本文描述太阳能电池金属化的方法以及所得太阳能电池。在下面的描述中，给出了许多具体细节，诸如具体的太阳能电池结构和工艺流程操作，以便提供对本公开的实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下实践本公开的实施方案。在其他实例中，没有详细地描述熟知的制造技术，诸如平版印刷和图案化技术，以避免不必要地使本公开的实施方案难以理解。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是例证性的展示并且未必按比例绘制。
本发明公开了制造太阳能电池的方法。在一个示例性处理流程中，图1示出了根据一些实施例的列出对应于图2-8的制造太阳能电池的方法中的操作的流程图100。在各种实施例中，图1的方法可包括与图示相比额外的(或更少的)框。例如，在一些实施例中，在框110处，可以在基板上形成金属晶种层之后执行加热步骤。
根据一些实施例，本文描述的实施例包括太阳能电池200的制造。参考图2和流程图100的对应操作102，半导体区域210可以在基板206中或基板206上方形成。在某个实例中，如图1所示，基板206设置在半导体区域210上方。在某个实施例中，半导体区域210是n型掺杂半导体区域。在一个实施例中，半导体区域210是p型掺杂半导体区域。在一些实施例中，半导体区域210可以是非晶硅区域。在一个实施例中，区域210可以是具有高或低逸出功(例如，从材料中去除电子所需的功)的金属氧化物。一些实例，半导体区域210可以形成在基板206中。在某个实例中，半导体区域210是发射极区域。在一个实施例中，半导体区域210可以是多晶硅区域。在某个实例中，半导体区域210可以是重掺杂多晶硅区域。在某个实施例中，半导体区域210可以是掺杂的n型多晶硅区域或掺杂的p型多晶硅区域。在某个实施例中，薄介电层208可以设置在半导体区域210和基板206之间。在某个实施例中，其中半导体区域210形成于基板206中，不需要形成薄介电层208。尽管示出了单个半导体区域的截面图，但是可以使用多个半导体区域。在某个实例中，可以在基板206上方形成第一半导体区域和/或第二半导体区域。在一个实例中，第一半导体区域和/或第二半导体区域可以是n型发射极区域和/或p型发射极区域。在一个实施例中，n型发射极区域和p型发射极区域形成于基板本身中，在这种情况下，将不包括介电层208。在一个实施例中，第一半导体区域和/或第二半导体区域可以是掺杂的n型多晶硅区域和/或掺杂的p型多晶硅区域。在一些实施例中，可以形成沟槽区域，其可以分离第一半导体区域和第二半导体区域。在某个实例中，沟槽区域可以设置在第一半导体区域和第二半导体区域之间。在一个实施例中，基板206包括在与太阳能电池200的背侧204相对的前侧202上的光接收表面216。尽管如图所示，半导体区域210形成在太阳能电池200的背侧204上，但是在一些实施例中，半导体区域210可以形成在太阳能电池200的前侧202上。
在某个实施例中，基板206为单晶硅基板，诸如块体单晶n型掺杂硅基板。然而，应当理解，基板206可以是设置在整个太阳能电池基板上的层，诸如多晶硅层。在某个实施例中，薄介电层208为厚约2纳米或更薄的隧穿氧化硅层。在一个此类实施例中，术语“隧穿介电层”是指非常薄的介电层，通过该介电层可实现电传导。传导可由于量子隧穿和/或通过介电层208中的薄点直接物理连接的较小区域的存在而造成。在一个实施例中，隧穿介电层为薄氧化硅层或包括薄氧化硅层。在某个实施例中，介电层208包括氧化硅(例如，SiO2)、氧化铝(例如，Al2O3)或本征非晶硅层。
在某个实施例中，半导体区域210是通过例如使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺形成的多晶硅。在一个此类实施例中，半导体区域210掺杂有诸如磷的n型杂质(例如，n型半导体区域)。在某个实施例中，半导体区域210掺杂有诸如硼的p型杂质(例如，p型半导体区域)。如上文所讨论的，尽管示出了单个半导体区域的截面图，但是可以使用多个半导体区域(例如，n型半导体区域和p型半导体区域)。
在某个实施例中，光接收表面216是纹理化光接收表面，如图2所示。在一个实施例中，采用基于氢氧化物的湿法蚀刻剂来使基板206的光接收表面216纹理化。在某个实施例中，纹理化表面可为具有规则或不规则形状的表面，该表面用于散射入射光，从而减少从太阳能电池200的光接收表面216反射离开的光量。在一些实施例中，光接收表面216不需要纹理化。
再次参考图2和流程图100的对应操作104，根据一些实施例，可以在基板206上形成保护层104。在某个实施例中，保护层214也可以称为绝缘层。在一个实施例中，保护层214包括钝化层和/或背抗反射涂层(BARC)。在某个实例中，保护层214包括氮化硅、二氧化硅和/或非晶硅。在某个实施例中，保护层214可以是介电层(例如，包括一个或多个电介质)。在一个实施例中，保护层214可包括聚酰亚胺。
参照图3和流程图100的对应操作106，根据一些实施例，可以穿透保护层214形成接触孔220。在某个实施例中，形成接触孔220以适应第一金属层与第二半导体区域210的直接接触(例如，如下面的图4中所讨论的)。在某个实施例中，接触孔220通过图案化工艺形成。在某个实例中，可以执行激光烧蚀、光刻和/或蚀刻工艺以形成接触孔220。在一个实施例中，接触孔220可以具有大约小于或等于50微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为30微米的接触孔。在一个实施例中，保护层214可以包括无接触孔形成的位置224。在某个实例中，这些位置224可以被称为接触孔空白区224。在某个实施例中，具有位于各孔之间的接触孔空白区224的接触孔220之间的距离或间隙239大约小于或等于0.50毫米。
另外的实施例可以包括在基板206的前侧202处的光接收表面216上形成钝化和/或前抗反射涂层(ARC)218。在某个实例中，前抗反射涂层(ARC)层218可包括氮化硅。应当理解，保护层214和/或ARC层218的形成时间也可以变化。例如，在基板206的背侧204(例如，BARC层)上形成保护层214之后，ARC层218可以形成于前侧202上。在一个实施例中，保护层214可以在ARC层218之后形成。在一些实施例中，保护层214和ARC层218都可以在单一工艺中形成(例如，相同的工艺步骤)。
参照图4和流程图100的对应操作108，根据一些实施例，在基板206上方形成第一金属层226(其可以被称为金属晶种层和/或M1层，用于太阳能电池200)。在某个实施例中，第一金属层226可以形成为基板206上方的不间断层。在某个实施例中，第一金属层216的部分可以在保护层214的接触孔220处接触半导体区域210。在一个实例中，可以使用毯覆式沉积工艺来形成第一金属层226。在一个实例中，溅射工艺可以用于沉积第一金属层226。在某个实施例中，第一金属层216可以使用图案化工艺(例如，印刷工艺)形成。在某个实例中，可以执行丝网印刷工艺以形成第一金属层。在一个实例中，可以形成图案化的金属晶种层。在一些实施例中，第一金属层226可包括金属膏(例如，铝膏)。在某个实施方案中，第一金属层226可以包括一种或多种金属和/或金属合金。在某个实例中，第一金属层226可以包括铝、钛钨、钨和/或铜以及其他金属。在某个实施例中，第一金属层226可以形成得非常薄。在某个实例中，第一金属层226可以形成为具有大约小于或等于400纳米的厚度。
参考图5和流程图100的对应操作110，可以在第一金属层226上方形成第二金属层228。在某个实施例中，根据一些实施例，第二金属层228是金属箔。在某个实例中，金属箔228可以置于第一金属层226上方。在某个实施例中，金属箔228是铝箔。在某个实施例中，金属箔228可以预先图案化和/或置于半导体区域210上方。在某个实例中，图案化金属箔可以置于半导体区域210上方。在一个实例中，图案化金属箔可以遵从与半导体区域210对准的图案。
在某个实施例中，金属箔228是铝(Al)箔，其具有大约在5-100微米的范围内的厚度，并且在一个实例中，具有大约小于50微米的厚度。在一个实施方案中，Al箔为包含铝和第二元素(诸如但不限于铜、锰、硅、镁、锌、锡、锂或它们的组合)的铝合金箔。在一个实施方案中，Al箔为回火级(temper grade)箔，诸如但不限于F级(自由状态)、O级(全软)、H级(应变硬化)或T级(热处理)。
参考图6和流程图300的对应操作112，根据一些实施例，可以在第一金属层226和第二金属层228之间形成键合区域234。在某个实施例中，可以使用键合工艺来形成键合区域234。在某个实例中，键合工艺可以包括执行激光焊接、热压缩工艺或超声波键合工艺。在某个实例中，可以执行激光焊接工艺以在金属箔228和金属晶种层226之间形成键合区域。在一个实施例中，可以通过引导激光232在第二金属层228上方形成键合区域234。在一个实例中，键合区域234是由激光焊接工艺形成的金属焊接234。在一个实例中，金属焊接可以是线焊接和/或点焊接。如本文所用，金属焊接可与键合区域互换使用。在某个实施例中，键合区域234之间的间距237(例如，从一个键合区域的中心到另一个键合区域的距离)大约小于或等于5毫米。在某个实例中，间距237可以是1.00毫米。在一个实施例中，键合区域234可以具有大约小于或等于100微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为80微米的金属焊接234。在某个实施例中，键合区域234是第二金属层228的熔化区域。在一个实例中，键合区域234可以是金属箔的熔化区域。
形成与接触孔直接重叠的键合区域234可能对太阳能电池200的操作不利。在某个实例中，在接触孔220上方的激光焊接可以引起污染物的混合和/或扩散，其可能通过在太阳能电池的半导体区域中引入再结合位点而降低太阳能电池的性能。在一个实例中，这些再结合位点可以是扩散中的污染物或金属。在某个实例中，这些再结合位点也可以是在混合相冷却时由半导体的不完全再结晶引起的晶体缺陷。在某个实例中，再结合位点也可以由改造(在混合和/或重结晶时)，例如掺杂剂的重新分布和/或通过金属掺入引入掺杂(例如在硅的p型铝掺杂中引起)。在一个实例中，在金属和/或污染物的混合和/或扩散时降低太阳能电池性能的另一种机制是隧穿氧化物(例如介电层208)的污染。因此，在某个实施例中，键合区域234形成于保护层214的接触孔空白区224上方的位置230处(例如，在不与至少一个接触孔220直接重叠的位置处)。
在某个实施例中，可以在金属层上以不同的扫描速度扫描激光，以允许形成不与保护层的接触孔重叠的金属焊接。因此，形成键合区域234可以包括在金属层上方局部扫描激光，如也在美国专利申请号15/201,349所描述，其全部内容以引入形式整体并入本文。
在一个实施例中，保护层214可以在键合工艺期间防止和/或抑制对下面的基板206的损坏。在一个实施例中，保护层214在形成键合区域234期间防止和/或抑制来自激光焊接工艺的半导体区域210的辐射损坏。在某个实例中，为了最小化太阳能电池制造成本和材料使用，第一金属层226可以形成得非常薄(例如，大约小于等于400纳米)。在第一金属层226形成得非常薄的相同实例中，保护层214可以防止和/或抑制由于激光焊接工艺的辐射损坏和/或热损坏而对半导体区域210的损坏。在一个实施例中，保护层214在形成键合区域234期间防止和/或抑制来自热压缩工艺的半导体区域210的热损坏。在某个实例中，可以执行热压缩工艺以在金属箔228和金属晶种层226之间形成键合区域234。在一个实例中，键合区域234是热键合区域。
图7示出了根据一些实施例的由图1-6的方法形成的太阳能电池。在某个实施方案中，太阳能电池200包括基板206。在一个实施例中，太阳能电池200具有前侧202和与前侧202相对的背侧204。在一个实施例中，太阳能电池200包括设置在基板206中(未示出)或基板上方(如图所示)的半导体区域210。如上文所讨论的，在某个实例中，基板206可以是单晶硅基板，例如块状单晶n型掺杂硅基板。
在某个实施例中，保护层214设置在半导体区域210上方。在某个实施例中，保护层214也可以称为绝缘层。在一个实施例中，保护层214包括钝化层和/或背抗反射涂层(BARC)。在某个实例中，保护层214包括氮化硅、氧化硅和/或非晶硅。在某个实施例中，保护层214可以是介电层(例如，包括一个或多个电介质)。在一个实施例中，保护层可包括聚酰亚胺。
在某个实施例中，保护层214包括穿透保护层214形成的接触孔和/或开口220。在一个实施例中，接触孔220可以具有大约小于或等于50微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为30微米的接触孔。在一个实施例中，保护层214可以包括无接触孔形成的位置224。在某个实例中，这些位置224可以被称为接触孔空白区224。
在一个实施例中，导电触点236设置在保护层214上方并且穿过接触孔220电连接至半导体区域210。尽管仅示出了单个导电触点236和/或半导体区域210，但是可以存在多于一个导电触点236和/或半导体区域210，例如，两个或更多个导电触点236和/或半导体区域210。在某个实施例中，导电触点236包括设置在第一金属层226上方的第二金属层228。在某个实施例中，第一金属层226可以形成得非常薄。在某个实例中，第一金属层226可以形成为具有大约小于或等于400纳米的厚度213。在某个实施例中，第二金属层228可以形成得非常厚。在某个实例中，第二金属层228可以形成为具有大约在25-75微米范围内的厚度211。在某个实例中，导电触点236包括设置在金属晶种层226上方的金属箔部分228。在某个实施例中，金属晶种层226设置在基板206上方，其中金属晶种层226的部分在接触孔220处与半导体区域210接触。在某个实施例中，接触孔220允许金属晶种层226和半导体区域210之间的导电。尽管如图所示，导电触点236和/或半导体区域210形成在太阳能电池200的背面204上，在一些实施例中，导电触点236和/或半导体区域210可以形成在太阳能电池200的前侧202上。
在某个实施例中，键合区域234将金属箔228电连接至金属晶种层226。在一个实施例中，键合区域234可以具有大约小于或等于100微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为80微米的键合区域234。在一些实施例中，从键合区域234的边缘217到接触孔的边缘的横向距离可以大约在10-100微米的范围内。在一个实施例中，从键合区域234的边缘217到接触孔边缘的直接距离219可以大约在50-150微米的范围内。在某个实施例中，键合区域234是由激光焊接工艺形成的金属焊接。在一个实施例中，键合区域234是热键合区域234(例如，由热压缩过程形成的键合区域)。形成与接触孔220直接重叠的键合区域234可能对太阳能电池的操作不利。在某个实例中，在接触孔220上方的激光焊接可以引起污染物的深度混合和/或扩散，如上文所讨论的，从金属晶种层226进入至半导体区域210中。因此，在某个实施例中，键合区域234在保护层214的接触孔空白区224上方的位置230处设置在金属晶种层226上方。在某个实施例中，键合区域234在金属箔228和金属晶种层226之间提供结构支撑。
参考图8，示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的示例性配置的一部分的俯视图。在某个实施例中，键合区域234可以形成为与接触孔220线性对齐。在某个实施例中，键合区域234之间的间距239(例如，从一个键合区域的中心到另一个键合区域的距离)大约小于或等于5毫米。在某个实例中，间距237可以是1.00毫米。在一个实施例中，键合区域234可以具有大约小于或等于100微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为80微米的键合区域234。在一个实施例中，接触孔220可以具有小于或等于50微米的直径。在某个实例中，可以形成直径为30微米的接触孔。在某个实施例中，在接触孔220之间具有形成于各孔之间的键合区域234的距离或间隙239(例如，从一个接触孔的中心到另一个接触孔的距离)大约小于或等于0.50毫米。改变间隙239和间距237以提供电荷载流子从半导体区域210(例如，图7的210)行进并穿过导电触点236的最佳路径可以允许改善的太阳能电池效率，其实例在下面的图12中示出。
图9示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的另一示例性配置的一部分的俯视图。如图所示，在某个实施例中，接触孔220可以沿导电触点236的中心线性对齐。在某个实施例中，键合区域234可以位于接触孔220附近并且如图所示沿导电触点236的边缘定位。
参考图10，示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的又一示例性配置的一部分的俯视图。如图所示，可以形成连续键合区域240并且沿着导电触点236的中心线性地对准。在某个实例中，连续键合区域240可以被称为线焊接。如图所示，在某个实施例中，接触孔220可以线性地并且/或者邻近连续键合区域240对准。在某个实施例中，接触孔220可以具有从接触孔220的边缘到导电触点236的边缘大约小于或等于500纳米的距离242。
图11示出了根据一些实施例的图7的太阳能电池的又另一示例性配置的一部分的俯视图。图11示出了与图10类似的配置，但是代替具有连续焊接240或线焊接，如图10中所示，可以替代地形成点焊接234。如图所示，可以形成键合区域234并且沿着导电触点236的中心线性地对准。如图所示，在某个实施例中，接触孔220可以线性地并且/或者邻近键合区域234对准。在某个实施例中，接触孔220可以具有从接触孔的边缘到导电触点236的边缘大约小于或等于500纳米的距离242。
参考图12，示出了根据一些实施例的太阳能电池效率数据。参照图8和图12中所示的数据，重点补充，G表示接触孔239之间的间隙，P表示键合区域237之间的间距。间隙G是从一个接触孔的中心到另一个接触孔的距离(例如，如图8中的239所示)。间距P是从一个键合区域的中心到另一个键合区域的距离(例如，如图8中的237所示)。点302-310示出了自具有变化的间隙G和间距P的对照组太阳能电池302和太阳能电池304-310的太阳能电池效率差的绝对值收集的代表性数据计算。最佳配置可以是这样的配置：相对于对照组太阳能电池302，使效率损失最小化，例如，大约小于或等于0.1％。点304、306和308表示G和P的示例性配置，其示出了最小化的效率损失。310表示太阳能电池效率差的绝对值与对照302显著不同的实例。与点304、306和308相比，310的G和P配置可以为电荷载流子提供更长的路径，从而降低太阳能电池效率。
尽管上面已经描述了具体实施方案，但即使相对于特定的特征仅描述了单个实施方案，这些实施方案也并非旨在限制本公开的范围。除非另有说明，否则本公开中所提供的特征的示例旨在为例证性的而非限制性的。以上描述旨在涵盖将对本领域的技术人员显而易见的具有本公开的有益效果的那些替代形式、修改形式和等效形式。
本公开的范围包括本文所公开的任何特征或特征组合(明示或暗示)，或其任何概括，不管它是否减轻本文所解决的任何或全部问题。因此，可以在本申请(或要求其优先权的申请)的审查过程期间针对任何此类特征组合提出新的权利要求。具体地，参考所附权利要求书，来自从属权利要求的特征可与独立权利要求的那些特征相结合，来自相应的独立权利要求的特征可以按任何适当的方式组合，而并非只是以所附权利要求中枚举的特定形式组合。

Claims (20)

1.一种太阳能电池，包括：
设置在基板上方的保护层，其中所述保护层包括接触孔；
设置在所述保护层上方的第一金属层，其中所述第一金属层通过所述接触孔电连接至所述基板；
设置在所述第一金属层上方的第二金属层；以及
设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的键合区域，其中所述键合区域位于并且被限制于所述保护层的无接触孔的区域的上方，并且其中所述第一金属层在其全长上连续。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括设置在所述保护层和所述基板之间的半导体区域。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中所述半导体区域是多晶硅区域。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，进一步包括形成在所述半导体区域和所述基板之间的介电层。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中所述介电层是隧穿氧化硅。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：
设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的另一键合区域，其中所述另一键合区域位于所述保护层的无接触孔的区域的上方。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中所述键合区域和所述另一键合区域之间的间距小于或等于5毫米。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括：
所述保护层内的另一接触孔，其中所述键合区域位于所述接触孔和所述另一接触孔之间。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其中所述接触孔和所述另一接触孔之间的间隙距离小于或等于0.5毫米。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述键合区域是金属焊接区域或热键合区域。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述保护层是介电层、钝化层或抗反射涂层。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述保护层包括氮化硅、二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮化铝或聚酰亚胺。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述第一金属层包含小于或等于400纳米的厚度。
14.一种太阳能电池，包括：
半导体区域，所述半导体区域设置在基板中或基板上方；
设置在所述半导体区域上方的保护层，其中所述保护层包括接触孔；
设置在所述半导体区域上方的金属晶种层，其中接触区域将所述金属晶种层电连接至所述半导体区域；
设置在所述金属晶种层上方的金属箔；以及
设置在所述金属晶种层和所述金属箔之间的金属焊接，其中所述金属焊接位于并且被限制于所述保护层的无接触孔的区域的上方，并且其中所述金属晶种层在其全长上连续。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中所述保护层是介电层、钝化层或抗反射涂层。
16.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中所述金属晶种层包含小于或等于400纳米的厚度。
17.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中所述金属焊接是线焊或点焊。
18.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：
在基板上方形成保护层；
在所述保护层中形成接触孔；
在所述保护层上方形成第一金属层，其中所述第一金属层通过所述接触孔电连接至所述基板；
将金属箔置于所述第一金属层上方；并且
在所述第一金属层和所述金属箔之间形成键合区域，其中所述保护层在所述保护层的无接触孔的区域形成所述键合区域期间抑制对所述基板的损坏，其中所述键合区域被限制于所述保护层的无接触孔的区域，并且其中所述第一金属层在其全长上连续。
19.根据权利要求18所述的方法，其中形成所述键合区域包括执行激光焊接或热压缩工艺。
20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：
在所述第一金属层和所述金属箔之间形成另一键合区域，其中所述保护层在所述保护层的无接触孔的区域形成所述另一键合区域期间抑制对所述基板的损坏。
CN201780053393.4A 2016-07-01 2017-06-26 用于太阳能电池的金属化结构 Active CN109743884B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/201,361 2016-07-01
US15/201,361 US20180006172A1 (en) 2016-07-01 2016-07-01 Metallization structures for solar cells
PCT/US2017/039334 WO2018005386A1 (en) 2016-07-01 2017-06-26 Metallization structures for solar cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109743884A CN109743884A (zh) 2019-05-10
CN109743884B true CN109743884B (zh) 2023-09-05

Family

ID=60786936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780053393.4A Active CN109743884B (zh) 2016-07-01 2017-06-26 用于太阳能电池的金属化结构

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20180006172A1 (zh)
EP (1) EP3479416B1 (zh)
KR (2) KR20230028587A (zh)
CN (1) CN109743884B (zh)
WO (1) WO2018005386A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101506992A (zh) * 2006-08-09 2009-08-12 信越半导体股份有限公司 半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法
CN105283963A (zh) * 2013-06-28 2016-01-27 太阳能公司 太阳能电池中金属结构的形成
CN105474412A (zh) * 2013-09-27 2016-04-06 太阳能公司 使用金属箔将太阳能电池金属化

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003049201A1 (en) * 2001-12-04 2003-06-12 Origin Energy Solar Pty Ltd Method of making thin silicon sheets for solar cells
US7339110B1 (en) * 2003-04-10 2008-03-04 Sunpower Corporation Solar cell and method of manufacture
CN102066275A (zh) * 2008-09-04 2011-05-18 日本电气硝子株式会社 电极形成用玻璃组合物和电极形成材料
US8779280B2 (en) * 2009-08-18 2014-07-15 Lg Electronics Inc. Solar cell and method of manufacturing the same
US20130000715A1 (en) * 2011-03-28 2013-01-03 Solexel, Inc. Active backplane for thin silicon solar cells
JP5866224B2 (ja) * 2012-02-20 2016-02-17 シャープ株式会社 太陽電池セルおよびインターコネクタ付き太陽電池セル
US9171989B2 (en) * 2013-12-20 2015-10-27 SumPower Corporation Metal bond and contact formation for solar cells
US9231129B2 (en) * 2014-03-28 2016-01-05 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells
US9818903B2 (en) * 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
US9911874B2 (en) * 2014-05-30 2018-03-06 Sunpower Corporation Alignment free solar cell metallization
US20160163901A1 (en) * 2014-12-08 2016-06-09 Benjamin Ian Hsia Laser stop layer for foil-based metallization of solar cells
US9620661B2 (en) * 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US9997651B2 (en) * 2015-02-19 2018-06-12 Sunpower Corporation Damage buffer for solar cell metallization

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101506992A (zh) * 2006-08-09 2009-08-12 信越半导体股份有限公司 半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法
CN105283963A (zh) * 2013-06-28 2016-01-27 太阳能公司 太阳能电池中金属结构的形成
CN105474412A (zh) * 2013-09-27 2016-04-06 太阳能公司 使用金属箔将太阳能电池金属化

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018005386A1 (en) 2018-01-04
EP3479416A1 (en) 2019-05-08
KR20230028587A (ko) 2023-02-28
KR20190016600A (ko) 2019-02-18
EP3479416B1 (en) 2021-03-24
KR102627194B1 (ko) 2024-01-22
EP3479416A4 (en) 2019-11-06
US20180006172A1 (en) 2018-01-04
CN109743884A (zh) 2019-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11502208B2 (en) Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type region architectures
KR20170048515A (ko) 개선된 전면 접점 이종접합 공정
CN109716535B (zh) 用于在太阳能电池上图案化特征的三层半导体堆叠
CN108369973B (zh) 用于基于箔的太阳能电池金属化的含金属的热扩散阻挡层
US20230420582A1 (en) Conductive contacts for polycrystalline silicon features of solar cells
US20230275175A1 (en) Solar cells having hybrid architectures including differentiated p-type and n-type regions
CN114868256A (zh) 太阳能电池的对准金属化
US11195964B2 (en) Voltage breakdown device for solar cells
US20230361232A1 (en) Solar cells having hybrid architectures including differentiated p-type and n-type regions with offset contacts
CN109906516B (zh) 具有区分开的p型和n型区架构的太阳能电池
CN109743884B (zh) 用于太阳能电池的金属化结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant