CN109742942A - 一种贲压电路 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种贲压电路，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，第一贲升电压支路和第二贲升电压支路相互并联，且第一贲升电压支路和第二贲升电压支路都与脉冲波形输入源连接；脉冲波形输入源用于为第一贲升电压支路和第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；第一贲升电压支路用于在预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；第二贲升电压支路用于在预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。该电路结构简单，利用脉冲波形输入源的脉冲波形作为后级贲升电路的输入源，产生出贲升电压，方便的用于电路中高端采样供电，高端开关管的驱动供电，以及电路中采样等的负压供电。
Description
技术领域
本发明实施例涉及电路技术领域，更具体地，涉及一种贲压电路。
背景技术
目前，电路中用于高端采样、高端驱动及负压供电的电路普遍采用技术简单、易于实现的变压器隔离变压或光耦隔离驱动变压等方式。但变压器的体积大、效率低，光耦也存在功耗高、传输速度慢等缺点。
发明内容
本发明实施例提供了一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的贲压电路。
本发明实施例提供了一种贲压电路，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，
所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路相互并联，且所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路都与所述脉冲波形输入源连接；
脉冲波形输入源用于为所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；
所述第一贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；
所述第二贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。
进一步地，所述第一贲升电压支路包括电容C3、二极管D2、二极管D3及电容C5；其中，
所述二极管D2和所述二极管D3分别与所述电容C5的两端连接，所述二极管D2和所述二极管D3相互连接后与所述电容C3串联，所述电容C3的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C5的两端为所述第一贲升电压支路的输出端。
进一步地，所述第二贲升电压支路包括电容C4、二极管D4、二极管D5及电容C6；其中，
所述二极管D4和所述二极管D5分别与所述电容C6的两端连接，所述二极管D4和所述二极管D5相互连接后与所述电容C4串联，所述电容C4的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C6的两端为所述第二贲升电压支路的输出端。
进一步地，所述脉冲波形输入源包括BOOST电路、脉冲发生电路或带有驱动电路的微处理器的PWchuM输出口。
进一步地，所述BOOST电路包括电容C1、晶体管Q1、电容C2、电感L1及二极管D1；其中，
所述电容C1、所述晶体管Q1及所述电容C2相互并联，所述电容C2的一端接地，所述电感L1串联于所述电容C1和所述晶体管Q1之间，所述二极管D1串联于所述电容C2和所述晶体管Q1之间，且所述电容C1的两端为所述BOOST电路的输入端，所述电容C2的两端为所述BOOST电路的输出端。
进一步地，当所述脉冲波形输入源为所述BOOST电路时，并联后的所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路连接于所述晶体管Q1、所述电感L1及所述二极管D1的交点。
本发明实施例提供的一种贲压电路，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路相互并联，且所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路都与所述脉冲波形输入源连接；脉冲波形输入源用于为所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；所述第一贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；所述第二贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。该电路结构简单，利用脉冲波形输入源的脉冲波形作为后级贲升电路的输入源，产生出贲升电压，方便的用于电路中高端采样供电，高端开关管的驱动供电，以及电路中采样等的负压供电。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种基于BOOST电路的贲压电路。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种贲压电路，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，
所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路相互并联，且所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路都与所述脉冲波形输入源连接；
脉冲波形输入源用于为所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；
所述第一贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；
所述第二贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。
在具体实现时，所述脉冲波形输入源包括BOOST电路、脉冲发生电路或带有驱动电路的微处理器的PWchuM输出口。在以下对本发明实施例进行说明是，采用的波形输入源为BOOST电路，但需要说明的是，本发明实施例并不以此为限，波形输入源还可以选择以上几种中的其他选项。
本发明实施例提供的一种贲压电路，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路相互并联，且所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路都与所述脉冲波形输入源连接；脉冲波形输入源用于为所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；所述第一贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；所述第二贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。该电路结构简单，利用脉冲波形输入源的脉冲波形作为后级贲升电路的输入源，产生出贲升电压，方便的用于电路中高端采样供电，高端开关管的驱动供电，以及电路中采样等的负压供电。
如图1所示，图中采用BOOST电路作为脉冲波形输入源，所述BOOST电路包括电容C1、晶体管Q1、电容C2、电感L1及二极管D1；其中：
所述电容C1、所述晶体管Q1及所述电容C2相互并联，所述电容C2的一端接地，所述电感L1串联于所述电容C1和所述晶体管Q1之间，所述二极管D1串联于所述电容C2和所述晶体管Q1之间，且所述电容C1的两端为所述BOOST电路的输入端，所述电容C2的两端为所述BOOST电路的输出端。
所述第一贲升电压支路包括电容C3、二极管D2、二极管D3及电容C5；其中：
所述二极管D2和所述二极管D3分别与所述电容C5的两端连接，所述二极管D2和所述二极管D3相互连接后与所述电容C3串联，所述电容C3的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C5的两端为所述第一贲升电压支路的输出端。
所述第二贲升电压支路包括电容C4、二极管D4、二极管D5及电容C6；其中：
所述二极管D4和所述二极管D5分别与所述电容C6的两端连接，所述二极管D4和所述二极管D5相互连接后与所述电容C4串联，所述电容C4的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C6的两端为所述第二贲升电压支路的输出端。
并联后的所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路连接于所述晶体管Q1、所述电感L1及所述二极管D1的交点。
具体地，对于BOOST电路，V0是反馈闭环输出的电压，V1为贲升输出的电压，V2为用于高端采样或驱动出的高端电压，V3为贲升产生的负向电压，V4为负电压的接地端。如图所示，A点的电压波形是一定占空比的脉冲波形。假设二极管为理想器件，导通压降为零，做如下分析。
针对贲升电压Vout1：当A点的脉冲为0时，如图所示电压V2经二极管D3给电容C3充电，使B点电压为V2，电压V1也等于V2；当A点的脉冲变为+V0时，由于电容C3上的电压不能突变，则通过C3将B点的电压贲升为V2+V0，故电压V1也等于V2+V0。由以上的分析可知，在高端电压V2的基础上就贲升得到了电压Vout1为V1-V2＝V0
针对贲升电压负电压Vout2：当A点的脉冲为0时，如图所示电压V4接地为0，则C点电压也为0；当A点的脉冲变为+V0时，由于电容C3上的电压不能突变，则通过C3将B点的电压贲压为-V0，故电压V1也等于-V0。由以上的分析可得电压Vout2为-V0
由此，借助BOOST电路电感后输出的脉冲就简单方便的产生出了相应的高端电源及负压电源。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (6)
1.一种贲压电路，其特征在于，包括：脉冲波形输入源、第一贲升电压支路及第二贲升电压支路；其中，
所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路相互并联，且所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路都与所述脉冲波形输入源连接；
脉冲波形输入源用于为所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路提供预设占空比的脉冲波形；
所述第一贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的高端电源；
所述第二贲升电压支路用于在所述预设占空比的脉冲波形的作用下产生相应的低端电源。
2.根据权利要求1所述贲压电路，其特征在于，所述第一贲升电压支路包括电容C3、二极管D2、二极管D3及电容C5；其中，
所述二极管D2和所述二极管D3分别与所述电容C5的两端连接，所述二极管D2和所述二极管D3相互连接后与所述电容C3串联，所述电容C3的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C5的两端为所述第一贲升电压支路的输出端。
3.根据权利要求2所述贲压电路，其特征在于，所述第二贲升电压支路包括电容C4、二极管D4、二极管D5及电容C6；其中，
所述二极管D4和所述二极管D5分别与所述电容C6的两端连接，所述二极管D4和所述二极管D5相互连接后与所述电容C4串联，所述电容C4的一端与所述脉冲波形输入源连接，且所述电容C6的两端为所述第二贲升电压支路的输出端。
4.根据权利要求1所述贲压电路，其特征在于，所述脉冲波形输入源包括BOOST电路、脉冲发生电路或带有驱动电路的微处理器的PWchuM输出口。
5.根据权利要求4所述贲压电路，其特征在于，所述BOOST电路包括电容C1、晶体管Q1、电容C2、电感L1及二极管D1；其中，
所述电容C1、所述晶体管Q1及所述电容C2相互并联，所述电容C2的一端接地，所述电感L1串联于所述电容C1和所述晶体管Q1之间，所述二极管D1串联于所述电容C2和所述晶体管Q1之间，且所述电容C1的两端为所述BOOST电路的输入端，所述电容C2的两端为所述BOOST电路的输出端。
6.根据权利要求5所述贲压电路，其特征在于，当所述脉冲波形输入源为所述BOOST电路时，并联后的所述第一贲升电压支路和所述第二贲升电压支路连接于所述晶体管Q1、所述电感L1及所述二极管D1的交点。
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