CN109687731B - 一种交直流转换电路 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种交直流转换电路，包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块，所述功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块三者电性连接，所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端与电源系统的直流输出端电性连接。本发明适应性强、使用效果好，不仅实现了对电源系统的优化、降低了系统的成本而且也提升了系统的可靠性、降低了芯片系统失效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种转换电路，具体而言，涉及一种适合于电源管理集成电路的交直流转换电路，属于功率半导体技术领域。
背景技术
电源系统作为现代电能变换技术的核心组成部分，已经被广泛地应用在了电力、通信、交通、工业控制等领域中。
现阶段，行业内常用的电源系统按照其结构的不同大致可以分为隔离式和非隔离式两种类型。具体而言，隔离式电源系统是指输入和输出通过变压器等磁性元器件电气连接的电源系统，而非隔离式电源系统则是指在输入端和负载端之间没有通过变压器进行电气隔离、而直接连接，且输入端和负载端共地的电源系统。两者相较而言，非隔离式电源系统凭借其系统结构较为简单、制造成本较低等优点，被广泛地应用于小家电、智能家居等领域中。
目前，市面上存在的传统的非隔离电源系统的结构如图1所示，系统由限流电阻R1，整流二极管D1，电容C1、C2，电源电容C3，输出电容C4，滤波电感L1，储能电感L2，续流二极管D2，反馈二极管D3以及控制芯片等元件组成。但是在实际的使用过程中，技术人员发现，这样的系统结构经常会受到电路中寄生参数的影响，从而导致系统参数不稳。并且，现有系统中所使用的元件仍然较多，结构不够精简、系统装配成本也并不低廉，因此在这类系统的小型化应用过程中会受到较大的限制。
正因现有技术中存在着上述诸多不足，因此，如何在现有技术的基础上提供一种全新的交直流转换电路，以克服上述问题，也就成为了目前行业内技术人员亟待解决的问题。
发明内容
鉴于现有技术存在上述缺陷，本发明的目的是提出一种交直流转换电路，应用于电源系统中，包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块；
所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；
所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地；
所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。
优选地，所述功率集成模块包括二极管D1、电阻R1、功率管N1以及功率管N6；
所述二极管D1的正极与电源系统的交流输入端电性连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R1的一端、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接；
所述电阻R1的一端分别与所述二极管D1的负极、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接，所述电阻R1的另一端分别与所述功率管N1的栅极以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；
所述功率管N1的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N6的漏极电性连接，所述功率管N1的栅极分别与所述电阻R1的一端以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接，所述功率管N1的源极与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；
所述功率管N6的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N1的漏极电性连接，所述功率管N6的栅极和源极均与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接。
优选地，所述二极管D1、功率管N1以及功率管N6三者共同组成功率集成电路，所述二极管D1为纵向导电二极管，所述功率管N1以及功率管N6为纵向导电DMOS。
优选地，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者集成设置，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极通过N+衬底相连接，所述纵向导电二极管的正极与所述纵向导电DMOS的漏极之间开设有用于隔离的N+区域。
优选地，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者独立设置，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者共同封装在同一基岛上，所述纵向导电二极管的负极以及所述纵向导电DMOS的漏极均通过导电胶与基岛相连接，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极相连接。
优选地，所述自适应输入电压检测模块包括二极管串DB、电阻R2、电阻R3、结型场效应管J1、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及电阻R4；
所述二极管串DB的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端、电阻R3的一端、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述二极管串DB的正极分别与所述电阻R2的一端以及晶体管N4的栅极电性连接；
所述电阻R2的一端分别与所述二极管串DB的正极以及晶体管N4的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述电阻R3的一端分别与所述二极管串DB的负极、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述电阻R3的另一端与所述结型场效应管J1的漏极电性连接；
所述结型场效应管J1的漏极与所述电阻R3的一端电性连接，所述结型场效应管J1的栅极与参考地电性连接，所述结型场效应管J1的源极分别与所述晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接；
所述晶体管N2的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的漏极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管N3的漏极分别与所述晶体管P1的源极、晶体管P1的栅极以及晶体管P2的栅极电性连接，所述晶体管N3的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N4的漏极电性连接，所述晶体管N3的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管N4的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N4的栅极与所述电阻R2的一端电性连接，所述晶体管N4的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管P1的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P2的漏极电性连接，所述晶体管P1的栅极分别与所述晶体管P2的栅极、其自身的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P1的源极分别与所述晶体管N3的漏极以及其自身的栅极电性连接；
所述晶体管P2的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P1的漏极电性连接，所述晶体管P2的栅极分别与所述晶体管P1的栅极、晶体管P1的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P2的源极分别与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端以及电阻R4的一端电性连接；
所述电阻R4的一端分别与所述晶体管P2的源极以及自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接，所述电阻R4的另一端分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
优选地，所述二极管串DB、电阻R2、电阻R3、电阻R4、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及结型场效应管J1共同组成一个自适应输入电压检测电路，所述二极管串DB的负极为所述自适应输入电压检测电路的输入端，所述晶体管P2的源极为所述自适应输入电压检测电路的输出端。
优选地，所述二极管串DB由n个二极管DBi组成，n为大于等于1的整数，i=1,2,…,n；当n大于1时，n个所述二极管DBi之间相互串联。
优选地，所述自平衡输出稳压模块包括二极管串DC、晶体管N5以及电阻R5,；
所述二极管串DC的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及电源系统的直流输出端电性连接，所述二极管串DC的正极分别与所述晶体管N5的栅极以及电阻R5的一端电性连接；
所述晶体管N5的漏极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述晶体管N5的栅极分别与所述二极管串DC的正极以及电阻R5的一端电性连接，所述晶体管N5的源极分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端、电阻R5的一端以及参考地电性连接；
所述电阻R5的一端分别与所述二极管串DC的正极以及晶体管N5的栅极电性连接，所述电阻R5的另一端分别与所述晶体管N5的源极、自适应输入电压检测模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
优选地，所述二极管串DC、电阻R5以及晶体管N5共同组成一个自平衡输出稳压电路，所述二极管串DC的负极为所述自平衡输出稳压电路的输入端，所述晶体管N5的漏极为所述自平衡输出稳压电路的输出端。
优选地，所述二极管串DC由m个二极管DCj组成，m为大于等于1的整数，j=1,2,…,m；当m大于1时，m个所述二极管DCj之间相互串联。
优选地，所述电源系统的直流输出端还电性连接有输出电容C1。
与现有技术相比，本发明的优点主要体现在以下几个方面：
本发明的交直流转换电路主要包括了功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块这三种功能模块。其中，本发明中的功率集成模块在其结构布局上设计出了一种隔离结构，提升了电路整体的抗干扰能力；本发明中的自适应输入电压检测模块可以根据二极管串DB中二极管的个数直接调整检测值，实现了检测电路的优化，提高了检测电压的精度，提升了电路的可靠性；本发明中的自平衡输出稳压模块则可以根据二极管串DC中二极管的个数设置整个电路的输出值，实现了输出电路的优化，从而进一步提升了电路整体的可靠性。
将本发明的交直流转换电路应用于电源系统中，可以使整个电源系统不再需要整流电路和电感，仅需要一个输出电容和一个控制芯片即可，且电源系统的电路输入端可以直接连接交流电。这样一来，不仅优化了整个电源系统、使得系统结构变得极其精简，降低了系统的成本而且也提升了系统的可靠性、降低了芯片系统失效率。
此外，本发明也为同领域内的其他相关方案提供了参考，可以以此为依据进行拓展延伸，运用于同领域内其他交直流转换电路的设计方案中，具有十分广阔的应用前景。
以下便结合实施例附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详述，以使本发明技术方案更易于理解、掌握。
附图说明
图1为现有技术中非隔离式电源系统的结构示意图；
图2为应用本发明的电源系统的结构示意图；
图3为本发明的结构示意图；
图4为本发明中功率集成电路结构的剖面示意图；
图5为本发明中功率集成电路结构的另一种剖面示意图；
图6为本发明工作状态下的波形图。
具体实施方式
本发明揭示了一种交直流转换电路，应用于电源系统中。应用本发明的电源系统不需要整流电路和电感，电路的输入端可以直接与交流电相连接。不需要额外的电源进行供电。如图2所示，整个系统只有限流电阻R，输出电容C1及控制芯片组成。
如图3~图6所示，本发明的一种交直流转换电路具体包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块。
所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接。
所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地。
所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。
所述功率集成模块包括二极管D1、电阻R1、功率管N1以及功率管N6。
所述二极管D1的正极与电源系统的交流输入端电性连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R1的一端、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接。
所述电阻R1的一端分别与所述二极管D1的负极、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接，所述电阻R1的另一端分别与所述功率管N1的栅极以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接。
所述功率管N1的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N6的漏极电性连接，所述功率管N1的栅极分别与所述电阻R1的一端以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接，所述功率管N1的源极与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接。
所述功率管N6的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N1的漏极电性连接，所述功率管N6的栅极和源极均与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接。
本发明中的功率集成模块在其结构布局上设计出了一种隔离结构，提升了电路整体的抗干扰能力，具体设置方式如下：
所述二极管D1、功率管N1以及功率管N6三者共同组成功率集成电路，所述二极管D1为纵向导电二极管，所述功率管N1以及功率管N6为纵向导电DMOS。
如图4所示，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者集成设置，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极通过N+衬底相连接，所述纵向导电二极管的正极与所述纵向导电DMOS的漏极之间开设有用于隔离的N+区域。
本发明中的功率集成电路的设置方式还存在有另一实施例，如图5所示，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者独立设置，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者共同封装在同一基岛上，所述纵向导电二极管的负极以及所述纵向导电DMOS的漏极均通过导电胶与基岛相连接，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极相连接。
所述自适应输入电压检测模块包括二极管串DB、电阻R2、电阻R3、结型场效应管J1、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及电阻R4。
所述二极管串DB的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端、电阻R3的一端、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述二极管串DB的正极分别与所述电阻R2的一端以及晶体管N4的栅极电性连接。
所述电阻R2的一端分别与所述二极管串DB的正极以及晶体管N4的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述电阻R3的一端分别与所述二极管串DB的负极、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述电阻R3的另一端与所述结型场效应管J1的漏极电性连接。
所述结型场效应管J1的漏极与所述电阻R3的一端电性连接，所述结型场效应管J1的栅极与参考地电性连接，所述结型场效应管J1的源极分别与所述晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接。
所述晶体管N2的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的漏极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述晶体管N3的漏极分别与所述晶体管P1的源极、晶体管P1的栅极以及晶体管P2的栅极电性连接，所述晶体管N3的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N4的漏极电性连接，所述晶体管N3的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述晶体管N4的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N4的栅极与所述电阻R2的一端电性连接，所述晶体管N4的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述晶体管P1的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P2的漏极电性连接，所述晶体管P1的栅极分别与所述晶体管P2的栅极、其自身的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P1的源极分别与所述晶体管N3的漏极以及其自身的栅极电性连接。
所述晶体管P2的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P1的漏极电性连接，所述晶体管P2的栅极分别与所述晶体管P1的栅极、晶体管P1的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P2的源极分别与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端以及电阻R4的一端电性连接。
所述电阻R4的一端分别与所述晶体管P2的源极以及自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接，所述电阻R4的另一端分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述二极管串DB由n个二极管DBi组成，n为大于等于1的整数，i取之于1,2,…,n；当n大于1时，n个所述二极管DBi之间相互串联。本发明中的自适应输入电压检测模块可以根据二极管串DB中二极管DB的个数直接调整检测值，从而实现了检测电路的优化，提高了检测电压的精度，提升了电路的可靠性。
在上述技术方案中，n个二极管DB、电阻R2、电阻R3、电阻R4、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及结型场效应管J1共同组成一种自适应输入电压检测电路。二极管DB1的负极为自适应输入电压检测电路的输入端，晶体管P2的源极为自适应输入电压检测电路的输出端。根据二极管DB的个数调整输入电压检测值，当输入电压大于检测值时，晶体管N4打开，内部电路被置位，输出端被电阻R4下拉到地，使功率管N6被关闭，当输入电压于检测值时，晶体管N4关闭，内部电路开始工作，输出端被晶体管P2上拉，使功率管N6可以正常打开。
所述自平衡输出稳压模块包括二极管串DC、晶体管N5以及电阻R5,。
所述二极管串DC的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及电源系统的直流输出端电性连接，所述二极管串DC的正极分别与所述晶体管N5的栅极以及电阻R5的一端电性连接。
所述晶体管N5的漏极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述晶体管N5的栅极分别与所述二极管串DC的正极以及电阻R5的一端电性连接，所述晶体管N5的源极分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端、电阻R5的一端以及参考地电性连接。
所述电阻R5的一端分别与所述二极管串DC的正极以及晶体管N5的栅极电性连接，所述电阻R5的另一端分别与所述晶体管N5的源极、自适应输入电压检测模块的电信号输出端以及参考地电性连接。
所述二极管串DC由m个二极管DCj组成，m为大于等于1的整数，j取之于1,2,…,m；当m大于1时，m个所述二极管DCj之间相互串联。本发明中的自平衡输出稳压模块则可以根据二极管串DC中二极管的个数设置整个电路的输出值，实现了输出电路的优化，从而进一步提升了电路整体的可靠性。
在上述技术方案中，m个二极管DC、电阻R5以及晶体管N5共同组成一种自平衡输出稳压电路。二极管DC1的负极为自平衡输出稳压电路的输入端，晶体管N5的漏极为自平衡输出稳压电路的输出端。根据二极管DC的个数调整输出电压，当输出电压大于设定值时，晶体管N5被打开，输出端下拉到地，使功率管N6被关闭，当输出电压小于设定值时，晶体管N5被关闭，使功率管N6可以正常打开。
此外，所述电源系统的直流输出端还电性连接有输出电容C1。
总体而言，本发明的电路可以根据设定的输入电压检测值，当输入电压大于检测值时，内部电路被置位，使功率管N6被关闭，当输入电压于检测值时，内部电路开始工作，使功率管N6可以打开。该电路还可以设定输出电压，当输出电压大于设定值时，使功率管N6被关闭，当输出电压小于设定值时，使功率管N6可以打开。只有同时符合满足电压检测和输出电压检测的设定条件，功率管N6才会打开，对输出脚外围的储能电容进行充电，为后续的器件和芯片进行供电。本发明不需要额外的电源来单独供电，并且不需要外围整流电路，可以直接连接交流电输入。
将本发明的交直流转换电路应用于电源系统中，可以使整个电源系统不再需要整流电路和电感，仅需要一个输出电容和一个控制芯片即可，且电源系统的电路输入端可以直接连接交流电。这样一来，不仅优化了整个电源系统、使得系统结构变得极其精简，降低了系统的成本而且也提升了系统的可靠性、降低了芯片系统失效率。
此外，本发明也为同领域内的其他相关方案提供了参考，可以以此为依据进行拓展延伸，运用于同领域内其他交直流转换电路的设计方案中，具有十分广阔的应用前景。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神和基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (9)
1.一种交直流转换电路，应用于电源系统中，其特征在于：包括功率集成模块、自适应输入电压检测模块以及自平衡输出稳压模块；
其中所述功率集成模块由二极管D1、电阻R1、功率管N1以及功率管N6相接构成，
所述二极管D1的正极与电源系统的交流输入端电性连接，所述二极管D1的负极分别与所述电阻R1的一端、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接；
所述电阻R1的一端分别与所述二极管D1的负极、功率管N1的漏极以及功率管N6的漏极电性连接，所述电阻R1的另一端分别与所述功率管N1的栅极以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；
所述功率管N1的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N6的漏极电性连接，所述功率管N1的栅极分别与所述电阻R1的另一端以及自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接，所述功率管N1的源极与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端电性连接；
所述功率管N6的漏极分别与所述二极管D1的负极、电阻R1的一端以及功率管N1的漏极电性连接，所述功率管N6的栅极和源极均与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；
其中所述自适应输入电压检测模块由二极管串DB、电阻R2、电阻R3、结型场效应管J1、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及电阻R4相接构成，
所述二极管串DB的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端、电阻R3的一端、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述二极管串DB的正极分别与所述电阻R2的一端以及晶体管N4的栅极电性连接；
所述电阻R2的一端分别与所述二极管串DB的正极以及晶体管N4的栅极电性连接，所述电阻R2的另一端分别与所述晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述电阻R3的一端分别与所述二极管串DB的负极、晶体管P1的漏极以及晶体管P2的漏极电性连接，所述电阻R3的另一端与所述结型场效应管J1的漏极电性连接；
所述结型场效应管J1的漏极与所述电阻R3的一端电性连接，所述结型场效应管J1的栅极与参考地电性连接，所述结型场效应管J1的源极分别与所述晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接；
所述晶体管N2的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的栅极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、其自身的漏极、晶体管N4的漏极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N2的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管N3的漏极分别与所述晶体管P1的源极、晶体管P1的栅极以及晶体管P2的栅极电性连接，所述晶体管N3的栅极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N4的漏极电性连接，所述晶体管N3的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管N4的漏极分别与所述结型场效应管J1的源极、晶体管N2的漏极、晶体管N2的栅极以及晶体管N3的栅极电性连接，所述晶体管N4的栅极与所述电阻R2的一端电性连接，所述晶体管N4的源极分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N3的源极、电阻R4的一端、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
所述晶体管P1的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P2的漏极电性连接，所述晶体管P1的栅极分别与所述晶体管P2的栅极、其自身的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P1的源极分别与所述晶体管N3的漏极以及其自身的栅极电性连接；
所述晶体管P2的漏极分别与所述二极管串DB的负极、电阻R3的一端以及晶体管P1的漏极电性连接，所述晶体管P2的栅极分别与所述晶体管P1的栅极、晶体管P1的源极以及晶体管N3的漏极电性连接，所述晶体管P2的源极分别与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端以及电阻R4的一端电性连接；
所述电阻R4的一端分别与所述晶体管P2的源极以及自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接，所述电阻R4的另一端分别与所述电阻R2的一端、晶体管N2的源极、晶体管N4的源极、晶体管N3的源极、自平衡输出稳压模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
其中所述自平衡输出稳压模块由二极管串DC、晶体管N5以及电阻R5相接构成，
所述二极管串DC的负极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及电源系统的直流输出端电性连接，所述二极管串DC的正极分别与所述晶体管N5的栅极以及电阻R5的一端电性连接；
所述晶体管N5的漏极分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述晶体管N5的栅极分别与所述二极管串DC的正极以及电阻R5的一端电性连接，所述晶体管N5的源极分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端、电阻R5的另一端以及参考地电性连接；
所述电阻R5的一端分别与所述二极管串DC的正极以及晶体管N5的栅极电性连接，所述电阻R5的另一端分别与所述晶体管N5的源极、自适应输入电压检测模块的电信号输出端以及参考地电性连接；
并且，所述功率集成模块的电信号输入端与电源系统的交流输入端电性连接，所述功率集成模块的电信号输出端分别与所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端以及所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接；
所述自适应输入电压检测模块的电信号输入端与所述功率集成模块的电信号输出端电性连接，所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端一路与所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端电性连接、另一路接地；
所述自平衡输出稳压模块的电信号输入端分别与所述功率集成模块的电信号输出端以及所述自适应输入电压检测模块的电信号输出端电性连接，所述自平衡输出稳压模块的电信号输出端一路与电源系统的直流输出端电性连接、另一路接地。
2.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管D1、功率管N1以及功率管N6三者共同组成功率集成电路，所述二极管D1为纵向导电二极管，所述功率管N1以及功率管N6为纵向导电DMOS。
3.根据权利要求2所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者集成设置，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极通过N+衬底相连接，所述纵向导电二极管的正极与所述纵向导电DMOS的漏极之间开设有用于隔离的N+区域。
4.根据权利要求2所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者独立设置，所述纵向导电二极管与所述纵向导电DMOS二者共同封装在同一基岛上，所述纵向导电二极管的负极以及所述纵向导电DMOS的漏极均通过导电胶与基岛相连接，所述纵向导电二极管的负极与所述纵向导电DMOS的漏极相连接。
5.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管串DB、电阻R2、电阻R3、电阻R4、晶体管N2、晶体管N3、晶体管N4、晶体管P1、晶体管P2以及结型场效应管J1共同组成一个自适应输入电压检测电路，所述二极管串DB的负极为所述自适应输入电压检测电路的输入端，所述晶体管P2的源极为所述自适应输入电压检测电路的输出端。
6.根据权利要求1或5任一所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管串DB由n个二极管DBi组成，n为大于等于1的整数，i=1,2,…,n；当n大于1时，n个所述二极管DBi之间相互串联。
7.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管串DC、电阻R5以及晶体管N5共同组成一个自平衡输出稳压电路，所述二极管串DC的负极为所述自平衡输出稳压电路的输入端，所述晶体管N5的漏极为所述自平衡输出稳压电路的输出端。
8.根据权利要求1或7任一所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述二极管串DC由m个二极管DCj组成，m为大于等于1的整数，j=1,2,…,m；当m大于1时，m个所述二极管DCj之间相互串联。
9.根据权利要求1所述的一种交直流转换电路，其特征在于：所述电源系统的直流输出端还电性连接有输出电容C1。
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