CN109687281A - 温控炉 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种温控炉。所述温控炉包括所述炉体、所述温控装置和第一隔热装置。所述温控装置能够加热所述晶体，使所述晶体处于倍率温度。所述炉体将所述温控装置与外界环境隔绝，减少外界温度对所述温控装置的影响。所述第一隔热装置减小了所述温控装置向所述底座的热传导，减少了所述晶体的温度波动。所述温控炉通过设置所述炉体为所述晶体提供独立的加热空间。所述温控炉通过所述第一隔热装置减少所述晶体的热量传导损失。所述第一隔热装置设置于所述温控装置和所述底座之间。所述温控装置与所述炉体之间形成空气隔层。由于所述空气隔层的导热率低，所以所述温控装置的热损失较小，进而，所述温控炉能够使所述晶体的温度维持稳定。
Description
技术领域
本申请涉及激光技术领域，特别是涉及一种温控炉。
背景技术
随着激光器技术的迅速发展，激光被广泛应用到军事、医疗、工业和科学研究等领域。伴随着激光器的广泛应用，激光器相关技术也不断发展。激光倍频利用非线性晶体在强激光作用下的二次非线性效应，使频率为ω的激光通过晶体后变为频率为2ω的倍频光，称为倍频技术，或二次谐波振荡。如将波长1.06微米的激光通过倍频晶体，变成波长0.532微米的绿光。
倍频技术扩大了激光的波段，可获得更短波长的激光。在激光器中,激光匹配二倍频、三倍频技术已广泛应用,这种方法的最大特点是结构简单,调整方便。晶体倍频技术最大缺点是晶体匹配角随温度变化，以至二倍频、三倍频光束能量不稳定。怎样维持激光倍频晶体的温度的稳定性是亟待解决的问题。
发明内容
基于此，有必要针对怎样维持激光倍频晶体的温度的稳定性的问题，提供一种温控炉。
一种温控炉，包括炉体、温控装置和第一隔热装置。所述炉体包括底座和罩体。所述罩体扣合于所述底座。所述底座和所述罩体围构形成第一腔室。所述温控装置设置于所述第一腔室内，用于加热晶体。所述第一隔热装置设置于所述温控装置和所述底座之间。
在一个实施例中，所述第一隔热装置包括多个隔热柱体。所述多个隔热柱体间隔支撑于所述温控装置和所述底座之间。
在一个实施例中，所述温控炉还包括第二隔热装置。所述第二隔热装置设置于所述温控装置和所述罩体之间。
在一个实施例中，所述温控炉还包括第一弹性元件。所述第一弹性元件设置于所述第二隔热装置和所述罩体之间，用于挤压固定所述温控装置。
在一个实施例中，所述第二隔热装置的表面开设第一定位槽，所述温控装置的一端嵌设于所述第一定位槽。
在一个实施例中，所述第一弹性元件选自弹片。所述第二隔热装置远离所述温控装置的表面开设第二定位槽。所述弹片的中部与所述第二定位槽的底面接触。所述弹片的两端抵接于所述罩体。
在一个实施例中，所述温控装置还包括晶体座，所述晶体座包括第一表面和第二表面。所述第一表面开设有贯穿所述晶体座相对的两个侧面的第一凹槽。所述第一凹槽用于收纳所述晶体。所述第二表面与所述第一表面相对设置。所述第一隔热装置远离所述底座的一端与所述第二表面接触。
在一个实施例中，所述温控炉还包括第一固定装置、第二固定装置和多个第二弹性元件。所述第一固定装置设置于所述第二表面。所述第一固定装置开设多个第一通孔。所述第二固定装置设置于所述第一固定装置与所述第二隔热装置之间。所述第二固定装置与所述第一固定装置相邻的表面开设有多个与所述第一通孔对应的第二凹槽。所述第二弹性元件的一端用于抵接于所述晶体的表面，另一端通过所述第一通孔抵接于所述第二凹槽的底部。
在一个实施例中，所述温控装置还包括第一保护装置和第二保护装置。所述第一保护装置设置于所述晶体与所述第一凹槽的侧壁之间。所述第二保护装置设置于所述晶体与所述第二弹性元件的之间。
在一个实施例中，所述晶体座为长方体结构，还包括相对的第三表面和第四表面。所述第三表面和第四表面平行于所述第一凹槽的侧壁。所述第一保护装置设置于靠近所述第四平面的所述第一凹槽的侧壁和所述晶体之间。所述第三表面设置凸台。所述温控装置还包括发热元件，所述发热元件设置于所述凸台。
在一个实施例中，所述温控装置还包括紧定装置。所述紧定装置设置于所述晶体座，用于通过所述第一保护装置限定所述晶体在所述第一凹槽的侧壁的法线方向的位置。
在一个实施例中，所述第四表面开设第二通孔，所述紧定装置设置于所述第二通孔。
在一个实施例中，所述温控装置还包括检测元件。所述检测元件设置于所述晶体座。
在一个实施例中，所述第四表面开设沉孔。所述检测元件设置于所述沉孔。
在一个实施例中，所述温控炉还包括基座。所述基座与所述底座连接。
在一个实施例中，所述温控炉还包括控制模块。所述控制模块设置于所述基座，所述发热元件和所述检测元件通过导线与所述控制模块连接。
在一个实施例中，所述温控炉还包括第一密封圈和透镜装置。所述第一密封圈设置于所述底座和所述罩体的之间。所述透镜装置为两套，相对设置于所述罩体。所述透镜装置包括镜座和透镜。所述镜座设置于所述罩体，所述透镜设置于所述镜座。所述透镜装置还包括第二密封圈，所述第二密封圈设置于所述罩体与所述镜座之间。
本申请提供的所述温控炉，包括所述炉体、所述温控装置和第一隔热装置。所述温控装置能够加热所述晶体，使所述晶体处于倍率温度。所述炉体将所述温控装置与外界环境隔绝，减少外界温度对所述温控装置的影响。所述第一隔热装置减小了所述温控装置向所述底座的热传导，减少了所述晶体的温度波动。所述温控炉通过设置所述炉体为所述晶体提供独立的加热空间。所述温控炉通过所述第一隔热装置减少所述晶体的热量传导损失。所述第一隔热装置设置于所述温控装置和所述底座之间。所述温控装置与所述炉体之间形成空气隔层。由于所述空气隔层的导热率低，所以所述温控装置的热损失较小，进而，所述温控炉能够使所述晶体的温度维持稳定。
附图说明
图1为本申请一个实施例中提供的所述温控炉的整体结构示意图；
图2为本申请一个实施例中提供的所述温控炉的A-A剖面图；
图3为本申请一个实施例中提供的所述温控炉的B-B剖面图；
图4和图5为本申请一个实施例中提供的第二隔热装置的结构图；
图6为本申请一个实施例中提供的温控装置的结构图；
图7、图8和图9为本申请一个实施例中提供的固定座的结构示意图；
图10为本申请一个实施例中提供的第一固定装置的结构示意图；
图11为本申请一个实施例中提供的第二固定装置的结构示意图。
附图标号：
温控炉 10
晶体 100
炉体 20
底座 210
罩体 220
第一密封圈 230
第一腔室 201
温控装置 30
晶体座 310
第一表面 301
第二表面 302
第三表面 303
第四表面304
第一凹槽 311
凸台 312
第二通孔 313
沉孔 314
第二弹性元件 320
第一固定装置 330
第一通孔 331
第二固定装置 340
第二凹槽 341
第一保护装置 350
第二保护装置 360
发热元件 370
检测元件 380
紧定装置 390
第一隔热装置 40
隔热柱体 410
第二隔热装置 50
第一定位槽 510
第二定位槽 520
第一弹性元件 60
基座 70
控制模块 80
透镜装置 90
镜座 910
透镜 920
第二密封圈 930
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
请参见图1和图2，本申请提供的实施例温控炉10包括炉体20、温控装置30和第一隔热装置40。所述炉体20包括底座210和罩体220。所述罩体220扣合于所述底座210。所述底座210和所述罩体220围构形成第一腔室201。所述温控装置30设置于所述第一腔室201内，用于加热晶体100。所述第一隔热装置40设置于所述温控装置30和所述底座210之间。
本申请提供的所述温控炉10包括所述炉体20、所述温控装置30和第一隔热装置40。所述温控装置30能够加热所述晶体100，使所述晶体100处于倍率温度。所述炉体20将所述温控装置30与外界环境隔绝，减少外界温度对所述温控装置30的影响。所述第一隔热装置40减小了所述温控装置30向所述底座210的热传导，减少了所述晶体100的温度波动。所述温控炉10通过设置所述炉体20为所述晶体100提供独立的加热空间。所述温控炉10通过所述第一隔热装置40减少所述晶体100的热量传导损失。所述第一隔热装置40设置于所述温控装置30和所述底座210之间。所述温控装置30与所述炉体20之间形成空气隔层。由于所述空气隔层的导热率低，所以所述温控装置30的热损失较小，进而，所述温控炉10能够使所述晶体100的温度维持稳定。
工业上为了获得532nm激光，通常采用1064nm激光作为基频光。基频光通过三硼酸锂晶体倍频，可以获得532nm激光。三硼酸锂晶体倍频采用I类温度相位匹配。采用这种匹配方式，需要将所述晶体100温度维持在149℃。
所述炉体20为所述晶体100提供独立的加热空间。所述炉体20将所述温控装置30与外界环境隔绝。所述炉体20减少外界温度变换对所述温控装置30的影响。同时，所述炉体20减少了所述温控装置30向外传热的速率。进而，所述炉体20减少了所述温控装置30的热损失，提高了所述温控装置30的热效率。
所述炉体20可以为一体式，并设置开口。所述开口能允许所述温控装置30进出。所述炉体20可以为分体式。在一个实施例中，所述炉体20为分体式，便于所述温控装置30的取放。所述炉体20包括底座210和罩体220，所述罩体220扣合于所述底座210。所述罩体220与所述底座210的连接方式可以为螺纹连接或卡接。在一个实施例中，所述罩体220和所述底座210开设螺纹孔。相应大小的螺钉旋入所述螺纹孔，以固定所述罩体220和所述底座210。
所述炉体20的材料可以为合金钢、碳钢或铸铁。在一个实施例中，所述炉体20的材料为合金钢，耐腐蚀。所述炉体20的形状可以为圆柱体、长方体或其他不规则立体图形。
所述温控装置30能够加热和固定所述晶体100，使所述晶体100处于倍率温度。所述温控装置30还具有固定所述晶体100的功能。激光倍频的实施条件包括激光穿过所述晶体100的角度和位置要符合倍率条件。所述温控装置30将所述晶体100固定于设定位置，避免所述晶体100发生位移。在一个实施例中，所述温控装置30能够产生热量，并将所述晶体100加热到149℃。
所述第一隔热装置40设置于所述温控装置30和所述底座210之间。所述第一隔热装置40减小了所述温控装置30向所述底座210的热传导，减少了所述晶体100的温度波动。所述第一隔热装置40的材料可以为传统材料：玻璃纤维、石棉、岩棉或硅酸盐等，所述第一隔热装置40的材料可以为新型绝热材料：气凝胶毡或真空板。在一个实施例中，所述第一隔热装置40的材料为铁氟龙(聚四氟乙烯)。所述铁氟龙具有耐高温的特点，即使在149℃的环境中长期使用，也具有良好的隔热效果。
请一并参见图3，所述第一隔热装置40具有隔热保温的作用。在一个实施例中，所述第一隔热装置40包括多个隔热柱体410。所述多个隔热柱体410间隔支撑于所述温控装置30和所述底座210之间。所述多个隔热柱体410使得所述温控装置30和所述底座210之间形成空气层。由于空气的热导率较低，热量从温控装置30逃逸到所述底座210的量较少。所述第一隔热装置40起到隔热保温的作用。在上一个实施例中，所述第一隔热装置40包括三个所述隔热柱体410，所述三个隔热柱体410分布于等腰三角形的三个顶点，稳定支撑所述温控装置30。
在一个实施例中，所述第一隔热装置40包括多个隔热球体。所述多个隔热球体间隔支撑于所述温控装置30和所述底座210之间。所述多个隔热球体使得所述温控装置30和所述底座210之间形成空气层。由于空气的热导率较低，热量从温控装置30逃逸到所述底座210的量较少。在上一个实施例中，所述第一隔热装置40包括三个所述隔热柱体410，所述三个隔热柱体410分布于等边三角形的三个顶点，稳定支撑所述温控装置30。
在一个实施例中，所述温控炉10还包括第二隔热装置50。所述第二隔热装置50设置于所述温控装置30和所述罩体220之间。
所述第二隔热装置50设置于所述温控装置30和所述罩体220之间。所述第二隔热装置50减小了所述温控装置30向所述罩体220的热传导，减少了所述晶体100的温度波动。所述第二隔热装置50的材料可以为传统材料：玻璃纤维、石棉、岩棉或硅酸盐等，所述第二隔热装置50的材料可以为新型绝热材料：气凝胶毡或真空板。在一个实施例中，所述第二隔热装置50的材料为铁氟龙(聚四氟乙烯)。所述铁氟龙具有耐高温的特点，即使在149℃的环境中长期使用，也具有良好的隔热效果。
在一个实施例中，所述温控炉10还包括第一弹性元件60。所述第一弹性元件60设置于所述第二隔热装置50和所述罩体220之间，用于挤压固定所述温控装置30。
所述第一弹性元件60能够通过挤压所述第二隔热装置50，限定所述温控装置30在所述第一弹性元件60伸缩方向上的位移。此外，所述第一弹性元件60与所述第二隔热装置50和所述罩体220的接触面积较小。所述第二隔热装置50和所述罩体220之间形成空气层。空气层减小了所述第二隔热装置50和所述罩体220之间的热传导，进而减缓了所述温控装置30向外界环境的散热，使所述温控装置30的温度处于稳定状态。
请一并参见图4和图5，在一个实施例中，所述第二隔热装置50的表面开设第一定位槽510，所述温控装置30的一端嵌设于所述第一定位槽510。
在上一个实施例中，所述第一定位槽510的形状与所述温控装置30的接触面的形状相符，避免所述温控装置30滑动，导致所述晶体100发生位移。在上一个实施例中，所述第一定位槽510的形状为长方形，与所述温控装置30的上表面的形状相应。所述第一弹性元件60可以为弹簧或弹片等弹性元件。
请一并参见图6，在一个实施例中，所述第一弹性元件60选自弹片。所述第二隔热装置50远离所述温控装置30的表面开设第二定位槽520。所述弹片的中部与所述第二定位槽520的底面接触。所述弹片的两端抵接于所述罩体220。当所述罩体220远离所述底座210时，所述弹片的中部与所述罩体220接触，所述弹片的两端抵接于所述第二定位槽520的底面。在上一个实施例中，当所述罩体220靠近所述底座210时，所述弹片通过所述第二隔热装置50对所述温控装置30施加一个向下的力。所述第一隔热装置40、所述第二隔热装置50和所述第一弹性元件60共同限定所述温控装置30在重力方向上的位移。
在一个实施例中，所述温控装置30还包括晶体座310，所述晶体座310包括第一表面301和第二表面302。所述第一表面301开设有贯穿所述晶体座310相对的两个侧面的第一凹槽311。所述第一凹槽311用于收纳所述晶体100。所述第二表面302与所述第一表面301相对设置。所述第二隔热装置50远离所述底座210的一端与所述第二表面302接触。
请一并参加图7和图8，所述晶体座310用于安放所述晶体100和加热元件等。所述晶体座310的形状可为长方体、正方体或圆柱体。所述晶体座310的材料可以为铁、铜或铝等导热率高的材质。在一个实施例中，所述晶体座310的材料为铜，铜的导热率为397w/m·k，能够快速导热，快速加热所述晶体100。所述第一凹槽311的形状为长方体，与所述晶体100的形状相应。在一个实施例中，沿所述第一凹槽311的长度方向安放所述晶体100。1064nm的基频光可以沿所述第一凹槽311的延长方向穿过所述晶体100，所述晶体100温度维持在149℃，最终获得532nm激光。
在一个实施例中，所述晶体座310靠近所述底座210的表面开设凹槽。所述凹槽的形状与所述柱体的横截面形状相匹配。所述柱体部分嵌入所述凹槽，以定位所述柱体。
请一并参见图9，在一个实施例中，所述温控炉10还包括第一固定装置330、第二固定装置340和多个第二弹性元件320。所述第一固定装置330设置于所述第二表面302。所述第一固定装置330开设多个第一通孔331。所述第二固定装置340设置于所述第一固定装置330与所述第二隔热装置50之间。所述第二固定装置340与所述第一固定装置330相邻的表面开设有多个与所述第一通孔331对应的第二凹槽341。所述第二弹性元件320的一端用于抵接于所述晶体100的表面，另一端通过所述第一通孔331抵接于所述第二凹槽341的底部。
请一并参见图10，所述第一固定装置330能够限制所述多个第二弹性元件320的两个自由度。在一个实施例中，与所述第二弹性元件320的伸缩方向平行的自由度为Z，与所述第二弹性元件320的伸缩方向垂直的自由度分别为X和Y。所述第一固定装置330限制与所述第二弹性元件320的伸缩方向垂直的X和Y方向的自由度。所述第二固定装置340可以限定所述第二弹性元件320的伸缩方向的自由度。在一个实施例中，所述第二弹性元件320的个数为两个。
在所述晶体100的安装过程中，先将所述晶体100安放与所述第一凹槽311。再将所述第一固定装置330固定于所述晶体座310。所述第一固定装置330开设多个所述第一通孔331。所述多个第二弹性元件320对应穿过所述多个所述第一通孔331。所述第一固定装置330限制所述第二弹性元件320的伸缩方向垂直的X和Y方向的自由度。
请一并参见图11，所述第二固定装置340与所述第一固定装置330相邻的表面开设有多个与所述第一通孔331对应的第二凹槽341。所述第二弹性元件320的一端用于抵接于所述晶体100的表面，另一端通过所述第一通孔331抵接于所述第二凹槽341的底部。所述第二固定装置340可以限定所述第二弹性元件320的伸缩方向的自由度。所述第一固定装置330和所述第二固定装置340分别限制所述第二弹性元件320的三个方向上的自由度，操作简单。
在上一个实施例中，所述第一固定装置330、所述第二固定装置340和所述多个第二弹性元件320的材料可以为铁、铜或铝等导热率高的材质。在一个实施例中，所述第一固定装置330、所述第二固定装置340和所述多个第二弹性元件320的材料为铜，能够快速导热，避免局部高温高热，引起所述晶体100温度波动。
在一个实施例中，所述温控装置30还包括第一保护装置350和第二保护装置360。所述第一保护装置350设置于所述晶体100与所述第一凹槽311的侧壁之间。所述第二保护装置360设置于所述晶体100与所述第二弹性元件320的之间。
所述第一保护装置350和所述第二保护装置360能够增大挤压物与所述晶体100之间的接触面积。当所述挤压物为尖锐物品时，所述挤压物直接与所述晶体100接触，容易使所述晶体10产生变形损伤，进而影响晶体倍频效果。所述第一保护装置350和所述第二保护装置360能够所述挤压物的挤压力传导给所述晶体100。由于所述第一保护装置350和所述第二保护装置360与所述晶体100的接触面积大，相同挤压力时，所述晶体100受到的压强较小，有效保护所述晶体100的原始形状，提高晶体倍频的稳定性。
所述第一保护装置350和所述第二保护装置360可以为传统材料：玻璃纤维、石棉、岩棉或硅酸盐等，所述第二隔热装置50的材料可以为新型绝热材料：气凝胶毡或真空板。在一个实施例中，所述第一保护装置350和所述第二保护装置360的材料为铁氟龙(聚四氟乙烯)。所述铁氟龙具有耐高温的特点，即使在149℃的环境中长期使用，也具有良好的隔热效果。所述第一保护装置350和所述第二保护装置360与所述晶体100直接接触，保温材料或绝热材料可以避免热量堆积，造成所述晶体100局部温度过高。
在一个实施例中，所述晶体座310为长方体结构，还包括相对的第三表面303和第四表面304。所述第三表面303和第四表面304平行于所述第一凹槽311的侧壁。所述第一保护装置350设置于靠近所述第四平面304的所述第一凹槽311的侧壁和所述晶体100之间。所述第三表面303设置凸台312。所述温控装置30还包括发热元件370，所述发热元件370设置于所述凸台312。
所述发热元件370与所述晶体座310连接，并通过所述晶体座310将热量传递给所述晶体100。在一个实施例中，所述发热元件370可以为电阻加热丝，经济合理。所述发热元件370与所述晶体座310的连接形式可以为粘接、螺纹连接或插接。在上一个实施例中，所述发热元件370与所述晶体座310的连接形式可以为粘接，方便可行。
在一个实施例中，所述温控装置30还包括紧定装置390。所述紧定装置390设置于所述晶体座310，用于通过所述第一保护装置350限定所述晶体100在所述第一凹槽311的侧壁的法线方向的位置。所述紧定装置390可以垂直于所述第一凹槽311的侧壁相对运动，改变所述晶体100在所述第一凹槽311的位置。所述紧定装置390用于准确定位所述晶体100。
在一个实施例中，所述第四表面304开设第二通孔313，所述紧定装置390设置于所述第二通孔313。所述紧定装置390沿所述第二通孔313轴心的方向移动，以调整所述晶体100在所述第一凹槽311的侧壁的法线方向的位置。当所述紧定装置390靠近所述晶体100时，所述紧定装置390推动所述第一保护装置350挤压所述晶体100。所述晶体100沿所述第一凹槽311的侧壁的法线方向的位置被限定。在一个实施例中，所述第二通孔313为螺纹孔，所述紧定装置390为与所述螺纹孔相匹配的螺钉结构。所述螺钉结构可以为机米螺钉。当沿所述螺纹孔轴向旋转所述机米螺钉时，所述机米螺钉推动所述第一保护装置350挤压所述晶体100。所述晶体100沿所述第一凹槽311的侧壁的法线方向的位置被限定。
在一个实施例中，所述温控装置30还包括检测元件380。所述检测元件38设置于所述晶体座310。所述检测元件380实时检测所述晶体100的温度。所述检测元件380可以为温度传感器。所述温度传感器的类型可以为接触式或非接触式。
在一个实施例中，所述第四表面304开设沉孔314。所述检测元件380设置于所述沉孔314。所述检测元件380设置于所述沉孔314。所述检测装置380与所述晶体座310接触。所述检测元件380实时检测所述晶体座310的温度。所述晶体座310的温度等于所述晶体100的温度。通过所述检测元件380可以得到所述晶体100的温度。在一个实施例中，所述温控炉10还包括基座70。所述基座70与所述底座210连接。所述基座70为所述底座210提供安装平台，便于安装。
在一个实施例中，所述温控炉10还包括控制模块80。所述控制模块80设置于所述基座70，所述发热元件370和所述检测元件380通过导线与所述控制模块80连接。
所述检测元件380将检测到的所述晶体100的温度实时传送给所述控制模块80。当检测温度低于所述倍频温度时，所述控制模块80控制所述发热元件370给所述晶体100加热。当所述检测温度高于所述倍频温度时，所述控制模块控制所述发热元件370停止给所述晶体100加热。
所述温控炉10还包括第一密封圈230，设置于所述底座210和所述罩体220的之间，用于填充所述底座210和罩体220之间的空隙，减少空气流动，隔离所述第一腔室201。
所述温控炉10还包括透镜装置90。所述透镜装置90为两套，相对设置于所述罩体220。所述透镜装置90包括镜座910和透镜920。所述镜座910设置于所述罩体220。所述透镜920设置于所述镜座910。所述透镜920可以通过螺钉紧定于所述镜座910。所述透镜920的主光轴穿过所述晶体100的中心。当1064nm的基频光通过所述透镜920，再经过149℃温度下的所述晶体时，产生532nm激光。
所述透镜装置90还包括第二密封圈930。所述第二密封圈930设置于所述罩体220与所述镜座910之间，用于填充所述罩体220与所述镜座910之间的空隙，减少空气流动，隔离所述第一腔室201。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (17)
1.一种温控炉，其特征在于，包括：
炉体(20)，包括底座(210)和罩体(220)，所述罩体(220)扣合于所述底座(210)，所述底座(210)和所述罩体(220)围构形成第一腔室(201)；
温控装置(30)，设置于所述第一腔室(201)内，用于加热晶体(100)；
第一隔热装置(40)，设置于所述温控装置(30)和所述底座(210)之间。
2.如权利要求1所述的温控炉，其特征在于，所述第一隔热装置(40)包括多个隔热柱体(410)，所述多个隔热柱体(410)间隔支撑于所述温控装置(30)和所述底座(210)之间。
3.如权利要求2所述的温控炉，其特征在于，还包括：
第二隔热装置(50)，设置于所述温控装置(30)和所述罩体(220)之间。
4.如权利要求3所述的温控炉，其特征在于，还包括：
第一弹性元件(60)，设置于所述第二隔热装置(50)和所述罩体(220)之间，用于挤压固定所述温控装置(30)。
5.如权利要求4所述的温控炉，其特征在于，所述第二隔热装置(50)的表面开设第一定位槽(510)，所述温控装置(30)的一端嵌设于所述第一定位槽(510)。
6.如权利要求5所述的温控炉，其特征在于，所述第一弹性元件(60)选自弹片，所述第二隔热装置(50)远离所述温控装置(30)的表面开设第二定位槽(520)，所述弹片的中部与所述第二定位槽(520)的底面接触，所述弹片的两端抵接于所述罩体(220)。
7.如权利要求1所述的温控炉，其特征在于，所述温控装置(30)还包括晶体座(310)，所述晶体座(310)包括：
第一表面(301)，所述第一表面(301)开设有贯穿所述晶体座(310)相对的两个侧面的第一凹槽(311)，所述第一凹槽(311)用于收纳所述晶体(100)；
第二表面(302)，与所述第一表面(301)相对设置，所述第一隔热装置(40)远离所述底座(210)的一端与所述第二表面(302)接触。
8.如权利要求7所述的温控炉，其特征在于，还包括：
第一固定装置(330)，设置于所述第二表面(302)，所述第一固定装置(330)开设多个第一通孔(331)；
第二固定装置(340)，设置于所述第一固定装置(330)与所述第二隔热装置(50)之间，所述第二固定装置(340)与所述第一固定装置(330)相邻的表面开设有多个与所述第一通孔(331)对应的第二凹槽(341)；
多个第二弹性元件(320)，所述第二弹性元件(320)的一端用于抵接于所述晶体(100)的表面，另一端通过所述第一通孔(331)抵接于所述第二凹槽(341)的底部。
9.如权利要求8所述的温控炉，其特征在于，所述温控装置(30)还包括：
第一保护装置(350)，设置于所述晶体(100)与所述第一凹槽(311)的侧壁之间；
第二保护装置(360)，设置于所述晶体(100)与所述第二弹性元件(320)的之间。
10.如权利要求9所述的温控炉，其特征在于，所述晶体座(310)为长方体结构，还包括：
相对的第三表面(303)和第四表面(304)，所述第三表面(303)和第四表面(304)平行于所述第一凹槽(311)的侧壁，所述第一保护装置(350)设置于靠近所述第四平面(304)的所述第一凹槽(311)的侧壁和所述晶体(100)之间；
所述第三表面(303)设置凸台(312)，所述温控装置(30)还包括发热元件(370)，所述发热元件(370)设置于所述凸台(312)。
11.如权利要求10所述的温控炉，其特征在于，所述温控装置(30)还包括：
紧定装置(390)，设置于所述晶体座(310)，用于通过所述第一保护装置(350)限定所述晶体(100)在所述第一凹槽(311)的侧壁的法线方向的位置。
12.如权利要求11所述的温控炉，其特征在于，所述第四表面(304)开设第二通孔(313)，所述紧定装置(390)设置于所述第二通孔(313)。
13.如权利要求10所述的温控炉，其特征在于，所述温控装置(30)还包括：
检测元件(380)，设置于所述晶体座(310)。
14.如权利要求13所述的温控炉，其特征在于，所述第四表面(304)开设沉孔(314)，所述检测元件(380)设置于所述沉孔(314)。
15.如权利要求10所述的温控炉，其特征在于，还包括：
基座(70)，与所述底座(210)连接。
16.如权利要求15所述的温控炉，其特征在于，还包括：
控制模块(80)，设置于所述基座(70)，所述发热元件(370)和所述检测元件(380)通过导线与所述控制模块(80)连接。
17.如权利要求16所述的温控炉，其特征在于，还包括：
第一密封圈(230)，设置于所述底座(210)和所述罩体(220)的之间；
透镜装置(90)，所述透镜装置(90)为两套，相对设置于所述罩体(220)，所述透镜装置(90)包括镜座(910)和透镜(920)，所述镜座(910)设置于所述罩体(220)，所述透镜(920)设置于所述镜座(910)；
所述透镜装置(90)还包括第二密封圈(930)，所述第二密封圈(930)设置于所述罩体(220)与所述镜座(910)之间。
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