CN109687070A - 毫米波ltcc滤波器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种毫米波LTCC滤波器，包括系统地层、金属化过孔；设于所述第一基片集成波导单元内的两个第一微扰金属化过孔和设于所述第二基片集成波导单元内的两个第二微扰金属化过孔；两个所述第一微扰金属化过孔关于所述第一闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第一闭合谐振腔的第一对角线上；两个所述第二微扰金属化过孔关于所述第二闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第二闭合谐振腔的第二对角线上，所述第一谐振腔的所述第一对角线和所述第二谐振腔的所述第二对角线正交分布；第一端口以及第二端口。与相关技术相比，本发明毫米波LTCC滤波器体积小、带宽大且损耗小。

Description

毫米波LTCC滤波器
技术领域
本发明涉及一种天线，尤其涉及一种运用在通讯电子产品领域的毫米波LTCC滤波器。
背景技术
第五代移动电话行动通信标准，也称第五代移动通信技术(5G)。未来5G网络正朝着网络多元化、宽带化、综合化、智能化的方向发展。随着各种智能终端的普及，移动数据流量将呈现爆炸式增长。随着5G网络的逐步落地，手机通信频段将大幅增加。
5G通信的毫米波全频带频段包含26.5～29.5GHz，10.7％相对带宽，对应相关的毫米波射频系统要求在DC～60GHz的带外均有良好的抑制性能。LTCC工艺制成的毫米波滤波器集成度更高，器件尺寸更小，损耗更低，但对金属化过孔加工有严格要求。
因此，有必要提供一种新的毫米波LTCC滤波器解决上述问题。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种体积小、带宽大且损耗小的毫米波LTCC滤波器。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种毫米波LTCC滤波器，该毫米波LTCC滤波器包括：系统地层，所述系统地层包括由上向下依次间隔叠设的第一系统地层、第二系统地层和第三系统地层；相邻两层所述系统地层围成一个闭合谐振腔；三层所述系统地层由上向下依次围成外围尺寸相同且相互连通的第一闭合谐振腔和第二闭合谐振腔；所述第一闭合谐振腔和所述第二闭合谐振腔均呈矩形结构；金属化过孔，所述金属化过孔包括沿所述系统地层叠设方向分别贯穿所述第一闭合谐振腔的多个第一金属化过孔和贯穿所述第二闭合谐振腔的多个第二金属化过孔；多个所述第一金属化过孔沿所述第一闭合谐振腔的周缘等间隔排布；多个所述第二金属化过孔沿所述第二闭合谐振腔的周缘等间隔排布；所述第一金属化过孔与所述第一闭合谐振腔形成第一基片集成波导单元；所述第二金属化过孔与所述第一闭合谐振腔形成第二基片集成波导单元；微扰金属化过孔，所述微扰金属化过孔包括设于所述第一基片集成波导单元内且沿所述系统地层叠设方向贯穿所述第一闭合谐振腔的两个第一微扰金属化过孔和设于所述第二基片集成波导单元内且沿所述系统地层叠设方向贯穿所述第二闭合谐振腔的两个第二微扰金属化过孔；两个所述第一微扰金属化过孔关于所述第一闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第一闭合谐振腔的第一对角线上；两个所述第二微扰金属化过孔关于所述第二闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第二闭合谐振腔的第二对角线上，所述第一谐振腔的所述第一对角线和所述第二谐振腔的所述第二对角线正交分布；第一端口，所述第一端口设置于所述第一闭合谐振腔的一侧边；以及第二端口，所述第二端口设置于所述第二闭合谐振腔的与所述第一端口相对的一侧边。
优选的，所述第一端口包括自所述第一系统地层的一侧边向内凹陷开设的第一净空开口，所述第一净空开口具有一开口端和一封闭端，所述第一端口还包括收容于所述第一净空开口且自所述第一净空开口的封闭端向所述第一净空开口的开口端延伸的第一微带线及自所述第一微带线向所述第一系统地层外侧延伸的第二微带线；所述第二端口包括自所述第三系统地层的一侧边向内凹陷开设的第二净空开口，所述第二净空开口具有一开口端和一封闭端，所述第二端口还包括收容于所述第二净空开口且自所述第二净空开口的封闭端向所述第二净空开口的开口端延伸的第三微带线及自所述第三微带线向所述第三系统地层外侧延伸的第四微带线。
优选的，所述第一端口设置于所述第一系统地层的对称轴上，所述第二端口设置于所述第三系统地层的对称轴上。
优选的，多个所述第一金属化过孔和与之对应的多个所述第二金属化过孔分别正对设置形成同心孔结构；所述第一金属化过孔的孔径与所述第二金属化过孔的孔径相等。
优选的，相邻两个所述第一金属化过孔的孔心距小于2～2.5倍所述第一金属化过孔的孔径；相邻两个所述第二金属化过孔的孔心距小于2～2.5倍所述第二金属化过孔的孔径。
优选的，所述第二系统地层设有贯穿其上的耦合间隙；所述第一闭合谐振腔通过所述耦合间隙与所述第二闭合谐振腔连通。
优选的，所述耦合间隙设置于所述第二系统地层邻近所述第二端口的一侧。
优选的，所述毫米波LTCC滤波器还包括夹设于所述第一系统地层和所述第二系统地层之间的第一介质板层以及夹设于相邻两个所述系统地层之间的介质板层，所述介质板层为LTCC材料制成。
相较于现有技术，本发明的毫米波LTCC滤波器通过在每个闭合谐振腔(第一闭合谐振腔和第二闭合谐振腔)内引入微扰金属化过孔，可在所述闭合谐振腔内激励起TM102和TM201两种简并模，从而实现单个闭合谐振腔产生两阶谐振并引入两个传输零点，两个闭合谐振腔产生四阶谐振并引入四个传输零点，提高了带外杂散信号的抑制性能，在实现多阶滤波时其所需腔体数比传统方式减小一半；此外，每个闭合谐振腔还可激励起非谐振模TM101模，TM101模和TM102模、TM201模在端口相互抵消在LTCC滤波器通带外获得两个传输零点，以大大提高带外抑制。本发明的毫米波LTCC滤波器体积小，带宽宽，带外抑制度高。
附图说明
图1为本发明毫米波LTCC滤波器的立体结构示意图；
图2为本发明毫米波LTCC滤波器的部分立体结构分解示意图；
图3为本发明毫米波LTCC滤波器的S特性参数曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。
请同时参阅图1-2本发明提供了一种毫米波LTCC滤波器100，该毫米波LTCC滤波器100包括系统地层1、金属化过孔2、微扰金属化过孔3、第一端口4以及第二端口5。
所述系统地层1包括由上向下依次间隔叠设的第一系统地层1a、第二系统地层1b和第三系统地层1c。本实施方式中，所述第一系统地层1a、所述第二系统地层1b和所述第三系统地层1c的外围尺寸均相同，比如均为大小相同的矩形。
相邻两层所述系统地层1围成一个闭合谐振腔6，三层所述系统地层1由上向下依次围成外围尺寸相同的第一闭合谐振腔6a和第二闭合谐振腔6b。所述第一闭合谐振腔6a和所述第二闭合谐振腔6b均呈矩形结构且相互连通。
所述金属化过孔2包括沿所述系统地层1叠设方向分别贯穿所述第一闭合谐振腔6a的多个第一金属化过孔21和贯穿所述第二闭合谐振腔6b的多个第二金属化过孔22。多个所述第一金属化过孔21和多个所述第二金属化过孔22分别正对设置，即各闭合谐振腔6的金属化过孔2呈同心孔结构。
本实施方式中，多个所述第一金属化过孔21和与之对应的多个所述第二金属化过孔22呈同心孔结构且所述第一金属化过孔21的孔径与所述第二金属化过孔22的孔径相等。
具体的，相邻两个所述第一金属化过孔21的孔心距小于2～2.5倍所述第一金属化过孔21的孔径；相邻两个所述第二金属化过孔22的孔心距小于2～2.5倍所述第二金属化过孔22的孔径。
本实施方式中，所述第一闭合谐振腔6a呈矩形结构，多个所述第一金属化过孔21沿所述第一闭合谐振腔6a的周缘等间隔排布，比如围设成矩形结构。
所述第二闭合谐振腔6b呈矩形结构，多个所述第二金属化过孔22沿所述第二闭合谐振腔6b的周缘等间隔排布，比如围设成矩形结构。
所述第一金属化过孔21与所述第一闭合谐振腔6a形成第一基片集成波导单元10，所述第二金属化过孔22与所述第一闭合谐振腔6a形成第二基片集成波导单元20。
请结合图2所示，具体的，第二系统地层设1b有贯穿其上的耦合间隙11；所述第一闭合谐振腔6a通过所述耦合间隙11与所述第二闭合谐振腔6b连通，即形成耦合连通。所述耦合间隙11位于所述第二金属化过孔22围成的区域范围内。
更优的，所述耦合间隙11设置于所述第二系统地层1b邻近所述第二端口5的一侧。
所述微扰金属化过孔3包括设于所述第一基片集成波导单元10内且沿所述系统地层1叠设方向贯穿所述第一闭合谐振腔6a的两个第一微扰金属化过孔31和设于所述第二基片集成波导单元20内且沿所述系统地层1叠设方向贯穿所述第二闭合谐振腔6b的两个第二微扰金属化过孔32。两个所述第一微扰金属化过孔31关于所述第一闭合谐振腔6a的几何中心对称设置于所述第一闭合谐振腔6a的第一对角线上；两个所述第二微扰金属化过孔32关于所述第二闭合谐振腔6b的几何中心对称设置于所述第二闭合谐振腔6b的第二对角线上，所述第一谐振腔6a的所述第一对角线和所述第二谐振腔6b的所述第二对角线正交分布。
上述结构中，第一闭合谐振腔6a和第二闭合谐振腔6b内分别引入第一微扰金属化过孔31和第二微扰金属化过孔32，可在所述闭合谐振腔内激励起TM102和TM201两种简并模，从而实现单个闭合谐振腔6产生两阶谐振并引入两个传输零点，两个闭合谐振腔6产生四阶谐振并引入四个传输零点，提高了带外杂散信号的抑制性能，在实现多阶滤波时其所需腔体数比传统方式减小一半。
所述第一端口4设置于所述第一闭合谐振腔6a的一侧边，形成馈电端口结构。
所述第二端口5设置于所述第二闭合谐振腔6b内，形成馈电端口结构。
具体的，所述第一端口4包括自所述第一系统地层1a的一侧边向内凹陷开设的第一净空开口41，所述第一净空开口41具有一开口端和一封闭端，所述第一端口4还包括收容于所述第一净空开口41且自所述第一净空开口41的封闭端向所述第一净空开口42的开口端延伸的第一微带线42及自所述第一微带线42向所述第一系统地层1a外侧延伸的第二微带线43。
所述第二端口5包括自所述第三系统地层1c的一侧边向内凹陷开设的第二净空开口51，所述第二净空开口51具有一开口端和一封闭端，所述第二端口5还包括收容于所述第二净空开口51且自所述第二净空开口51的封闭端向所述第二净空开口51的开口端延伸的第三微带线52及自所述第三微带线52向所述第三系统地层1c外侧延伸的第四微带线53。
更优的，所述第一端口4设置于所述第一系统地层1a的对称轴上，所述第二端口5设置于所述第三系统地层1c的对称轴上。
本实施方式中，所述毫米波LTCC滤波器100还包括夹设于相邻两个所述系统地层之间的介质板层，所述介质板层为LTCC材料制成。
请结合图3所示，其中图3a为本发明毫米波LTCC滤波器的第一端口的S特性曲线，即S11曲线；图3b为本发明的毫米波LTCC滤波器的第二端口的S特性曲线，即S21曲线。由图3可知，本发明毫米波LTCC滤波器在于26.38～29.14GHz的频率范围内其通带内反射系数小于-10dB。引入四个传输零点(即四个微扰金属化过孔3)，带外抑制大于30dB，带内最大插损波动小于0.3dB，符合5G毫米波通信系统射频前端的要求。
相较于现有技术，本发明的毫米波LTCC滤波器通过在每个闭合谐振腔(第一闭合谐振腔和第二闭合谐振腔)内引入微扰金属化过孔，可在所述闭合谐振腔内激励起TM102和TM201两种简并模，从而实现单个闭合谐振腔产生两阶谐振并引入两个传输零点，两个闭合谐振腔产生四阶谐振并引入四个传输零点，提高了带外杂散信号的抑制性能，在实现多阶滤波时其所需腔体数比传统方式减小一半；此外，每个闭合谐振腔还可激励起非谐振模TM101模，TM101模和TM102模、TM201模在端口相互抵消在LTCC滤波器通带外获得两个传输零点，以大大提高带外抑制。本发明的毫米波LTCC滤波器体积小，带宽宽，带外抑制度高。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种毫米波LTCC滤波器，其特征在于，该毫米波LTCC滤波器包括：
系统地层，所述系统地层包括由上向下依次间隔叠设的第一系统地层、第二系统地层和第三系统地层；相邻两层所述系统地层围成一个闭合谐振腔；三层所述系统地层由上向下依次围成外围尺寸相同且相互连通的第一闭合谐振腔和第二闭合谐振腔；所述第一闭合谐振腔和所述第二闭合谐振腔均呈矩形结构；
金属化过孔，所述金属化过孔包括沿所述系统地层叠设方向分别贯穿所述第一闭合谐振腔的多个第一金属化过孔和贯穿所述第二闭合谐振腔的多个第二金属化过孔；多个所述第一金属化过孔沿所述第一闭合谐振腔的周缘等间隔排布；多个所述第二金属化过孔沿所述第二闭合谐振腔的周缘等间隔排布；所述第一金属化过孔与所述第一闭合谐振腔形成第一基片集成波导单元；所述第二金属化过孔与所述第一闭合谐振腔形成第二基片集成波导单元；
微扰金属化过孔，所述微扰金属化过孔包括设于所述第一基片集成波导单元内且沿所述系统地层叠设方向贯穿所述第一闭合谐振腔的两个第一微扰金属化过孔和设于所述第二基片集成波导单元内且沿所述系统地层叠设方向贯穿所述第二闭合谐振腔的两个第二微扰金属化过孔；两个所述第一微扰金属化过孔关于所述第一闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第一闭合谐振腔的第一对角线上；两个所述第二微扰金属化过孔关于所述第二闭合谐振腔的几何中心对称设置于所述第二闭合谐振腔的第二对角线上，所述第一谐振腔的所述第一对角线和所述第二谐振腔的所述第二对角线正交分布；
第一端口，所述第一端口设置于所述第一闭合谐振腔的一侧边；以及
第二端口，所述第二端口设置于所述第二闭合谐振腔的与所述第一端口相对的一侧边。
2.根据权利要求1所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，所述第一端口包括自所述第一系统地层的一侧边向内凹陷开设的第一净空开口，所述第一净空开口具有一开口端和一封闭端，所述第一端口还包括收容于所述第一净空开口且自所述第一净空开口的封闭端向所述第一净空开口的开口端延伸的第一微带线及自所述第一微带线向所述第一系统地层外侧延伸的第二微带线；所述第二端口包括自所述第三系统地层的一侧边向内凹陷开设的第二净空开口，所述第二净空开口具有一开口端和一封闭端，所述第二端口还包括收容于所述第二净空开口且自所述第二净空开口的封闭端向所述第二净空开口的开口端延伸的第三微带线及自所述第三微带线向所述第三系统地层外侧延伸的第四微带线。
3.根据权利要求2所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，所述第一端口设置于所述第一系统地层的对称轴上，所述第二端口设置于所述第三系统地层的对称轴上。
4.根据权利要求1所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，多个所述第一金属化过孔和与之对应的多个所述第二金属化过孔分别正对设置形成同心孔结构；所述第一金属化过孔的孔径与所述第二金属化过孔的孔径相等。
5.根据权利要求4所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，相邻两个所述第一金属化过孔的孔心距小于2～2.5倍所述第一金属化过孔的孔径；相邻两个所述第二金属化过孔的孔心距小于2～2.5倍所述第二金属化过孔的孔径。
6.根据权利要求1所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，所述第二系统地层设有贯穿其上的耦合间隙；所述第一闭合谐振腔通过所述耦合间隙与所述第二闭合谐振腔连通。
7.根据权利要求6所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，所述耦合间隙设置于所述第二系统地层邻近所述第二端口的一侧。
8.根据权利要求1所述的毫米波LTCC滤波器，其特征在于，所述毫米波LTCC滤波器还包括夹设于相邻两个所述系统地层之间的介质板层，所述介质板层为LTCC材料制成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111276780A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 电子科技大学 一种基于扇形微带谐振腔的带通滤波器
WO2020140557A1 (zh) * 2018-12-31 2020-07-09 瑞声声学科技(深圳)有限公司 毫米波ltcc滤波器

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109687071B (zh) * 2018-12-31 2020-11-20 瑞声科技（南京）有限公司 毫米波ltcc滤波器
CN109818119B (zh) * 2018-12-31 2020-09-29 瑞声科技（南京）有限公司 毫米波ltcc滤波器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070993A (zh) * 2015-08-19 2015-11-18 中国电子科技集团公司第二十八研究所 基于堆叠式介质集成波导的小型化双频带通滤波器
CN106410336A (zh) * 2016-09-29 2017-02-15 上海航天测控通信研究所 一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8860532B2 (en) * 2011-05-20 2014-10-14 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. Integrated cavity filter/antenna system
EP2865046A4 (en) * 2012-06-21 2015-11-25 Ericsson Telefon Ab L M PASSER FILTER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
CN204205006U (zh) * 2014-10-27 2015-03-11 华南理工大学 一种具有双层结构的双频基片集成波导带通滤波器
CN104347917B (zh) * 2014-10-27 2017-01-11 华南理工大学 一种具有双层结构的双频基片集成波导带通滤波器
US9866928B2 (en) * 2014-11-21 2018-01-09 Nec Corporation Intra-transceiver optical superchannel switching via RF sub-band multiplexing technique
CN104733817A (zh) * 2015-04-13 2015-06-24 南京邮电大学 层叠级联两腔基片集成波导双模带通滤波器
US10153531B2 (en) * 2015-09-07 2018-12-11 Vayyar Imaging Ltd. Multilayer microwave filter
CN109687070A (zh) * 2018-12-31 2019-04-26 瑞声科技（南京）有限公司 毫米波ltcc滤波器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070993A (zh) * 2015-08-19 2015-11-18 中国电子科技集团公司第二十八研究所 基于堆叠式介质集成波导的小型化双频带通滤波器
CN106410336A (zh) * 2016-09-29 2017-02-15 上海航天测控通信研究所 一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王琪: "《基片集成波导层叠级联双模滤波器设计与制作》", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》, pages 11 - 4 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020140557A1 (zh) * 2018-12-31 2020-07-09 瑞声声学科技(深圳)有限公司 毫米波ltcc滤波器
CN111276780A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 电子科技大学 一种基于扇形微带谐振腔的带通滤波器

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