CN109623122B - 一种电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法,属于增材制造监控技术领域。本发明通过视觉监控的方法,在进行电子束熔丝沉积增材制造成形过程中,实时采集熔滴过渡图像,通过图像处理,获得当前熔滴过渡距离信息,根据该熔滴过渡距离信息,调整送丝高度调节轴的滑块高度,实现了熔滴过渡距离的闭环控制,解决了采用开环控制时的粘丝、沉积不连续等问题,避免了熔池飞溅、大滴过渡等现象,提高了沉积过程的稳定性,进而保证了成形过程和产品质量的一致性,提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法,属于增材制造监控技术领域。
背景技术
电子束熔丝制造过程连续稳定是保证成形质量和制造效率的前提,而其中连续送进的丝材在电子束作用下端部熔化形成熔滴并向熔池过渡的过程尤为重要。为实现稳定的液桥过渡,需要保证丝材与电子束轴线相交,且交点位于熔池平面内。然而在加工过程中,由于丝材弯曲、基板不平等因素使得丝材和电子束交点离开熔池表面,当交点高于熔池表面时会造成熔丝不连续,影响沉积质量;当交点低于熔池表面时,会发生粘丝现象,导致沉积过程中断。已有研究者开始针对熔滴过渡距离进行控制研究,例如中国专利CN107584119A,公开了一种提高熔丝沉积过程中送丝稳定性的自适应调节装置,其利用丝材接触熔池时电路导通的原理,可以将熔滴过渡距离维持在零点附近。其缺点是其控制方法为开关控制,系统调整速度慢,而且只能将熔滴过渡距离维持在零点附近,而不能调整该距离值。
发明内容
本发明的目的是提出一种电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制方法,根据工艺要求,通过视觉监控,实现对电子束熔丝沉积增材制造过程中的熔滴过渡距离的闭环控制。
本发明提出的电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制方法,包括以下步骤:
(1)向待沉积增材工件上发射一束高能电子束,电子束将连续送入的丝材熔化,形成熔滴,熔滴过渡到待沉积增材工件上,在待沉积增材工件形成熔池,将电子束轴线L1与熔滴轴线L2的交点P1的纵坐标记为Y1,将电子束轴线L1与熔池长轴L3的交点P2的纵坐标记为Y2,定义熔滴过渡距离为△Y:△Y=Y1–Y2;
(2)开始沉积时,使待沉积增材工件根据设定的轨迹运动,进行电子束熔丝沉积成形;
(3)在采样时刻t,实时采集熔滴过渡区域的图像,对熔滴过渡区域的图像进行图像处理,获得熔滴过渡距离,并根据得到的信息,对电子束熔丝沉积增材制造过程中的熔滴过渡距离进行控制,包括以下步骤:
(3-1)获取熔滴过渡区域的图像,并对图像进行增强和去燥处理,得到增强后的熔滴过渡区域图像;
(3-2)提取增强后的熔滴过渡区域图像中的灰度梯度特征,得到灰度梯度图像;
(3-3)对步骤(3-2)的灰度梯度图像进行阈值分割,得到二值化图像,从二值化图像中检测得到熔池轮廓S2和熔滴轮廓S1;
(3-4)对步骤(3-3)的熔滴轮廓进行霍夫变换,得到丝材末端的熔滴轴线L2的方程F1:
Y=K1X+b1
其中,K1为熔滴轴线L2的斜率,b1为熔滴轴线L2的截距,X为横坐标,Y为纵坐标;
(3-5)对步骤(3-3)的熔池轮廓进行霍夫变换,得到熔池长轴L3的方程F2:
Y=K2X+b2
其中,K2为熔池长轴L3的斜率,b2为熔池长轴L3的截距,X为横坐标,Y为纵坐标;
(3-6)设电子束轴线的横坐标为X3,将X3代入熔滴轴线L2的方程F1中,求解得到电子束轴线与熔滴轴线的交点P1的纵坐标Y1,将X3代入熔池长轴L3方程F2中,求解得到电子束轴线与熔池长轴的交点P2的纵坐标Y2,进而得到当前熔滴过渡距离△Yc:△Yc=Y1–Y2;
(3-7)根据待沉积增材工件的工艺要求,设定一个目标熔滴过渡距离△Yo,计算当前熔滴过渡距离△Yc与目标熔滴过渡距离△Yo的偏差E:E=△Yo-△Yc,将E作为实时监控的状态量;
(3-8)根据步骤(3-7)的实时监控状态量E,利用比例-积分-微分控制方法,通过下式计算熔滴过渡距离△Y的调整量ε:
其中,t为采样时刻,KP为比例-积分-微分控制中的比例系数,该比例系数的取值范围为0.1~10,TI为比例-积分-微分控制中的积分系数,该比例系数的取值范围为0.01~0.5,TD为比例-积分-微分控制中的微分系数,该微分系数的取值范围为0.01~0.5;
(3-9)根据调整量ε,使丝材沿Y轴作相应移动,实现对电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制。
本发明提出的电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法,其优点是:
本发明的电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法,通过视觉监控的方法,在进行电子束熔丝沉积增材制造成形过程中,实时采集熔滴过渡图像,通过图像处理,获得当前熔滴过渡距离信息,根据该熔滴过渡距离信息,调整送丝高度调节轴的滑块高度,实现了熔滴过渡距离的闭环控制,解决了采用开环控制时的粘丝、沉积不连续等问题,避免了熔池飞溅、大滴过渡等现象,提高了沉积过程的稳定性,进而保证了成形过程和产品质量的一致性,提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明提出的电子束熔丝沉积熔滴过渡距离的控制方法中涉及的熔滴过渡距离计算示意图。
具体实施方式
本发明提出的电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制方法,包括以下步骤:
(1)向待沉积增材工件上发射一束高能电子束,电子束将连续送入的丝材熔化,形成熔滴,熔滴过渡到待沉积增材工件上,在待沉积增材工件形成熔池,将电子束轴线L1与熔滴轴线L2的交点P1的纵坐标记为Y1,将电子束轴线L1与熔池长轴L3的交点P2的纵坐标记为Y2,定义熔滴过渡距离为△Y:△Y=Y1–Y2,如图1所示;
(2)开始沉积时,使待沉积增材工件根据设定的轨迹运动,进行电子束熔丝沉积成形;
(3)在采样时刻t,实时采集熔滴过渡区域的图像,对熔滴过渡区域的图像进行图像处理,获得熔滴过渡距离,并根据得到的信息,对电子束熔丝沉积增材制造过程中的熔滴过渡距离进行控制,包括以下步骤:
(3-1)获取熔滴过渡区域的图像,并对图像进行增强和去燥处理,得到增强后的熔滴过渡区域图像;本发明的一个实施例中,利用自适应滤波方法消除图像噪声,以增强熔滴过渡区域的图像特征。
(3-2)提取增强后的熔滴过渡区域图像中的灰度梯度特征,得到灰度梯度图像;本发明的一个实施例中,使用Sobel/Prewitt/LoG/HoG算子计算图像的灰度梯度,凸显熔滴过渡区域的熔滴和熔池信息。
(3-3)对步骤(3-2)的灰度梯度图像进行阈值分割,得到二值化图像,从二值化图像中检测得到熔池轮廓S2和熔滴轮廓S1,如图1所示;本发明的一个实施例中,使用采用自适应阈值分割、连通域提取等手段计算熔池轮廓和熔滴轮廓;
(3-4)对步骤(3-3)的熔滴轮廓进行霍夫变换,得到丝材末端的熔滴轴线L2的方程F1:
Y=K1X+b1
其中,K1为熔滴轴线L2的斜率,b1为熔滴轴线L2的截距,X为横坐标,Y为纵坐标;
(3-5)对步骤(3-3)的熔池轮廓进行霍夫变换,得到熔池长轴L3的方程F2:
Y=K2X+b2
其中,K2为熔池长轴L3的斜率,b2为熔池长轴L3的截距,X为横坐标,Y为纵坐标;
(3-6)由于电子束为一竖直线,设电子束轴线的横坐标为X3,将X3代入熔滴轴线L2的方程F1中,求解得到电子束轴线与熔滴轴线的交点P1的纵坐标Y1,将X3代入熔池长轴L3方程F2中,求解得到电子束轴线与熔池长轴的交点P2的纵坐标Y2,进而得到当前熔滴过渡距离△Yc:△Yc=Y1–Y2;
(3-7)根据待沉积增材工件的工艺要求,设定一个目标熔滴过渡距离△Yo,计算当前熔滴过渡距离△Yc与目标熔滴过渡距离△Yo的偏差E:E=△Yo-△Yc,将E作为实时监控的状态量;
(3-8)根据步骤(3-7)的实时监控状态量E,利用比例-积分-微分控制方法,通过下式计算熔滴过渡距离△Y的调整量ε:
其中,t为采样时刻,KP为比例-积分-微分控制中的比例系数,该比例系数的取值范围为0.1~10,本发明的一个实施例中,取值为0.5,TI为比例-积分-微分控制中的积分系数,该比例系数的取值范围为0.01~0.5,本发明的一个实施例中,取值为0.1,TD为比例-积分-微分控制中的微分系数,该微分系数的取值范围为0.01~0.5,本发明的一个实施例中,取值为0.1,
(3-9)根据调整量ε,使丝材沿Y轴作相应移动,实现对电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制。
Claims (1)
1.一种电子束熔丝沉积中熔滴过渡距离的控制方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
(1)向待沉积增材工件上发射一束高能电子束,电子束将连续送入的丝材熔化,形成熔滴,熔滴过渡到待沉积增材工件上,在待沉积增材工件形成熔池,将电子束轴线L1与熔滴轴线L2的交点P1的纵坐标记为Y1,将电子束轴线L1与熔池长轴L3的交点P2的纵坐标记为Y2,定义熔滴过渡距离为△Y:△Y=Y1–Y2;
(2)开始沉积时,使待沉积增材工件根据设定的轨迹运动,进行电子束熔丝沉积成形;
(3)在采样时刻t,实时采集熔滴过渡区域的图像,对熔滴过渡区域的图像进行图像处理,获得熔滴过渡距离,并根据得到的信息,对电子束熔丝沉积增材制造过程中的熔滴过渡距离进行控制,包括以下步骤:
(3-1)获取熔滴过渡区域的图像,并对图像进行增强和去燥处理,得到增强后的熔滴过渡区域图像;
(3-2)提取增强后的熔滴过渡区域图像中的灰度梯度特征,得到灰度梯度图像;
(3-3)对步骤(3-2)的灰度梯度图像进行阈值分割,得到二值化图像,从二值化图像中检测得到熔池轮廓S2和熔滴轮廓S1;
(3-4)对步骤(3-3)的熔滴轮廓进行霍夫变换,得到丝材末端的熔滴轴线L2的方程F1:
Y=K1X+b1
其中,K1为熔滴轴线L2的斜率,b1为熔滴轴线L2的截距,X为横坐标,Y为纵坐标;
(3-5)对步骤(3-3)的熔池轮廓进行霍夫变换,得到熔池长轴L3的方程F2:
Y=K2X+b2
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(3-6)设电子束轴线的横坐标为X3,将X3代入熔滴轴线L2的方程F1中,求解得到电子束轴线与熔滴轴线的交点P1的纵坐标Y1,将X3代入熔池长轴L3方程F2中,求解得到电子束轴线与熔池长轴的交点P2的纵坐标Y2,进而得到当前熔滴过渡距离△Yc:△Yc=Y1–Y2;
(3-7)根据待沉积增材工件的工艺要求,设定一个目标熔滴过渡距离△Yo,计算当前熔滴过渡距离△Yc与目标熔滴过渡距离△Yo的偏差E:E=△Yo-△Yc,将E作为实时监控的状态量;
(3-8)根据步骤(3-7)的实时监控状态量E,利用比例-积分-微分控制方法,通过下式计算熔滴过渡距离△Y的调整量ε:
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