CN109616487A - 背照式图像传感器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明技术方案公开了一种背照式图像传感器及其制造方法，所述背照式图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；像素级存储节点，位于所述半导体衬底内且与所述光电二极管相关联；隔离结构，位于所述半导体衬底背面且遮蔽对应的像素级存储节点；滤色片，位于所述隔离结构之间且对应于所述光电二极管。本发明技术方案无需在半导体衬底内形成反射材料就可以阻挡入射辐射撞击像素级存储节点，从而防止污染存储在像素级存储节点中的电荷，提高了图像传感器的性能。

Description

背照式图像传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。
背景技术
通常，通过在图像传感器阵列的每个像素内放置除光电二极管和读出电路之外的存储元件来实施全局快门(global shutter)像素。存储元件配置为临时存储光生电荷，从而允许图像传感器阵列的每一行在同一时间开始曝光。在曝光结束时，将光生电荷载体从光电二极管全局性地转移至相关联的像素级存储节点。通过使用像素级存储节点以在每一个单独的像素处进行电荷累积和读出操作，可以省去卷帘快门脉冲(rolling shutterpulses)的使用。
现有通常采用前照式(FSI)图像传感器实现全局快门像素，这是因为前照式图像传感器具有位于像素区域上的金属互连层，金属互连层可以阻挡入射辐射撞击(striking)像素级存储节点，从而防止由于像素级存储节点内生成寄生电子-空穴对而导致的全局快门效率(GSE)的退化，即防止寄生电子-空穴对污染存储在像素级存储节点中的电荷。背照式(BSI)图像传感器不具有用于屏蔽像素级存储节点的金属互连层以避免入射辐射，从而导致背照式图像传感器在全局快门像素配置中具有缺点。另一方面，由于背照式图像传感器不具有位于光电二极管的光学路径内的金属互连层，所以背照式图像传感器具有比前照式图像传感器更好的量子转换效率。
因此，为解决背照式图像传感器实现全局快门像素而避免入射辐射在像素级存储节点产生噪声的问题，现有的一种方法是在半导体衬底内布置介于像素级存储节点与沿着半导体衬底背侧延伸的平面之间的反射材料，然而，这种配置需要刻蚀半导体衬底并在所述半导体衬底内沉积反射材料，这就可能会破坏半导体衬底表面而引起白像素性能变差，从而降低背照式图像传感器的性能。
发明内容
本发明技术方案要解决的技术问题是现有利用在半导体衬底内形成反射材料来避免入射辐射在像素级存储节点产生噪声会降低背照式图像传感器的性能。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种背照式图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；像素级存储节点，位于所述半导体衬底内且与所述光电二极管相关联；隔离结构，位于所述半导体衬底背面且遮蔽对应的像素级存储节点；滤色片，位于所述隔离结构之间且对应于所述光电二极管。
可选的，所述隔离结构包括反射膜、不透光介质膜或滤色片复合层，所述滤色片复合层包括红色滤色片和蓝色滤色片。
可选的，所述隔离结构包括金属栅格。
可选的，所述背照式图像传感器还包括：微透镜，位于所述滤色片上。
可选的，所述隔离结构还遮蔽所述半导体衬底内对应像素单元的器件结构。
为解决上述技术问题，本发明技术方案还提供一种背照式图像传感器的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成分立排列的光电二极管以及与所述光电二极管相关联的像素级存储节点；在所述半导体衬底背面形成隔离结构，所述隔离结构遮蔽对应的像素级存储节点；在所述隔离结构之间形成滤色片，所述滤色片对应于所述光电二极管。
可选的，所述隔离结构包括反射膜、不透光介质膜或滤色片复合层，所述滤色片复合层包括红色滤色片和蓝色滤色片。
可选的，所述形成隔离结构包括：在所述半导体衬底背面形成分立排列的金属栅格，所述金属栅格至少遮蔽所述半导体衬底内对应的像素级存储节点。
可选的，所述背照式图像传感器的制造方法还包括：在所述滤色片上形成微透镜。
可选的，所述隔离结构还遮蔽所述半导体衬底内对应像素单元的器件结构。
与现有技术相比，本发明技术方案具有以下有益效果：
由于位于滤色片之间、遮蔽像素级存储节点的隔离结构避免了入射辐射到达像素级存储节点，因此不需要再刻蚀半导体衬底，以在半导体衬底内的像素级存储节点上形成沉积反射材料的沟槽，由此避免了因刻蚀半导体衬底而引起的白像素性能变差，进而提高了背照式图像传感器的性能。
位于滤色片之间、遮蔽像素级存储节点的隔离结构可以阻挡入射辐射撞击像素级存储节点，从而防止由于像素级存储节点内生成寄生电子-空穴对而导致的全局快门效率的退化，即防止寄生电子-空穴对污染存储在像素级存储节点中的电荷。
由于不需要刻蚀半导体衬底形成沟槽，也不需要在半导体衬底内沉积反射材料，滤色片之间的隔离结构可以采用现有工艺形成，因此其形成工艺简单且易于实现，并且简化了背照式图像传感器的制造工艺。
附图说明
图1为一种背照式图像传感器的截面结构示意图；
图2为本发明实施例的背照式图像传感器的截面结构示意图；
图3至图6为本发明实施例的背照式图像传感器的制造方法的步骤对应的截面结构示意图。
具体实施方式
图1为现有的一种背照式图像传感器的结构示意图，所述背照式图像传感器包括：半导体衬底100，半导体衬底100内的感测元件(例如光电二极管)110、像素级存储节点120、浅沟槽隔离结构130和器件结构140a、形成在半导体衬底正面100f的器件结构140b和金属互连层210、形成在金属互连层210内的金属互连结构210a、依次形成在半导体衬底背面100b的钝化层310、介电材料层320、滤色片340和微透镜350，形成在滤色片340之间的栅格结构330。特别地，为了实现全局快门像素而避免入射辐射，在半导体衬底100内还布置有介于像素级存储节点120与沿着半导体衬底背侧延伸的平面100b之间的反射材料150。这种配置需要刻蚀半导体衬底100在像素级存储节点120上形成沟槽，再在所述沟槽内沉积反射材料150。然而，刻蚀半导体衬底会对半导体衬底表面造成损伤而形成缺陷陷阱，这些缺陷陷阱会造成像素的暗电流显著增大，导致图像传感器的白像素显著变多，也就是引起白像素性能变差，从而影响背照式图像传感器的性能。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种背照式图像传感器，通过增大滤色片之间的隔离结构来阻挡入射辐射到达像素级存储节点，因此不需要再刻蚀半导体衬底并沉积反射材料。
请参考图2，本发明实施例的背照式图像传感器至少包括：半导体衬底10，所述半导体衬底10内形成有分立排列的光电二极管11；像素级存储节点12，位于所述半导体衬底10内且与所述光电二极管11相关联；隔离结构33，位于所述半导体衬底背面10b且遮蔽对应的像素级存储节点12；滤色片34，位于所述隔离结构33之间且对应于所述光电二极管11。隔离结构33配置为允许入射辐射到达光电二极管11同时防止入射辐射到达像素级存储节点12，从而防止像素级存储节点12的污染。
继续参考图2，背照式图像传感器还包括：形成在半导体衬底10内的浅沟槽隔离结构13和器件结构14a、形成在半导体衬底正面10f的器件结构14b和金属互连层21、形成在金属互连层21内的金属互连结构21a、形成在半导体衬底背面10b的钝化层31和介电材料层32、形成在滤色片34和隔离结构33上的微透镜35。
下面结合图3至图6，对本发明技术方案的背照式图像传感器及其制造方法进行详细说明。
请参考图3，提供半导体衬底10，在所述半导体衬底10内形成分立排列的光电二极管11以及与所述光电二极管11相关联的像素级存储节点12。
半导体衬底10可以为硅衬底，或者，半导体衬底10的材料也可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟，半导体衬底10还可以为绝缘体上的硅衬底或者绝缘体上的锗衬底，或者是生长有外延层的衬底。
光电二极管11作为感测元件，用于将接收到的光信号转换为电信号。光电二极管11配置为从入射辐射(如，光子)生成电荷载体(如，电子、空穴)。光电二极管11可以包括具有第一掺杂类型(例如，n型掺杂)的第一区域和具有第二掺杂类型(例如，p型掺杂)的第二区域，第二掺杂类型不同于第一掺杂类型。可以通过利用一种或多种掺杂物质来选择性地注入半导体衬底10以在半导体衬底内10形成一个或多个掺杂区域，由此形成光电二极管11。
像素级存储节点12与光电二极管11相关联，像素级存储节点12形成于半导体衬底10内、横向偏离光电二极管11的位置。像素级存储节点12配置为存储光电二极管11内生成的电荷载体。像素级存储节点12可以包括具有第一掺杂类型(例如，n型掺杂)的第三区域和具有第二掺杂类型(例如，p型掺杂)的第四区域，第二掺杂类型不同于第一掺杂类型。第四区域配置为将电荷载体限制于第三区域内，从而提高像素级存储节点12的电荷载体的存储能力。可以通过利用一种或多种掺杂物质来选择性地注入半导体衬底10以在半导体衬底内10形成一个或多个掺杂区域，由此形成像素级存储节点12。
进一步，半导体衬底10具有相对的正面10f和背面10b，在靠近半导体衬底正面10f的半导体衬底10内还形成有构成像素单元的器件结构14a(例如，传输晶体管栅极结构、存储晶体管栅极结构、复位晶体管栅极结构)；在半导体衬底正面10f也形成有构成像素单元的器件结构14b(例如，浮置扩散节点、源极区域、漏极区域)；在靠近半导体衬底正面10f的半导体衬底10内还形成有浅沟槽隔离结构(STI)13，用于隔离各个像素单元。
另外，半导体衬底正面10b形成有金属互连层21，金属互连层21内形成有金属互连结构21a。半导体衬底10可以通过金属互连层21键合(bonding)在载片(Carrier Wafer)上。
请参考图4，在所述半导体衬底背面10b形成隔离结构33，所述隔离结构33遮蔽对应的像素级存储节点12。
在具体实施时，可以先在半导体衬底背面10b依次形成钝化层31和介电材料层32。钝化层31可以包括抗反射涂层(ARC)，钝化层31也可以包括有机聚合物或金属氧化物等。介电材料层32可以包括氧化物或高介电常数(high K)材料层等。
然后，在介电材料层32上形成隔离结构33。隔离结构33的材料可以是具有隔离作用或遮光作用的材料。本发明实施例中，隔离结构33既用于阻挡入射光，避免发生光学串扰而影响成像效果；隔离结构33又用于阻挡入射辐射到达像素级存储节点12，因此隔离结构33至少要遮蔽像素级存储节点12，以图4所示为例，隔离结构33位于像素级存储节点12的上方，且隔离结构33的横向宽度至少等于像素级存储节点12的横向宽度，隔离结构33的横向宽度也可以大于像素级存储节点12的横向宽度。隔离结构33可以包括钨、铜或铝等金属，隔离结构33也可以包括反射膜、不透光介质膜或滤色片复合层，所述滤色片复合层包括红色滤色片和蓝色滤色片。
本实施例中，形成隔离结构33包括在半导体衬底背面10b形成分立排列的金属栅格，所述金属栅格至少遮蔽半导体衬底内的像素级存储节点。具体地，形成隔离结构33可以包括：在介电材料层32上形成金属层，可以利用沉积工艺或镀敷工艺形成金属层，金属层的材料可以为钨、铜或铝；刻蚀所述金属层，形成分立排列的金属栅格，金属栅格之间具有暴露所述介电材料层32的开口33a。隔离结构33还可以包括包覆所述金属栅格侧壁和顶部的保护层(未图示)，所述保护层的作用是防止所述金属栅格中的金属物质扩散进入滤色片中，从而影响图像传感器的性能。
开口33a的位置与半导体衬底10内光电二极管11对应，具体地，开口33a位于光电二极管11的正上方，且开口33a完全暴露介电材料层32的对应光电二极管11的区域，以图4所示为例，开口33a的横向宽度应大于或等于光电二极管11的横向宽度，如开口33a的横向宽度略大于光电二极管11的横向宽度；金属栅格位于像素级存储节点12的上方，且金属栅格的横向宽度大于或等于像素级存储节点12的横向宽度，以遮蔽像素级存储节点12。进一步，所述隔离结构33还可以遮蔽半导体衬底10内对应像素单元的器件结构14a，以防止入射辐射到达半导体衬底内的器件结构并污染器件结构，影响器件性能。以图4所示为例，隔离结构33的横向宽度可以等于或略大于包含有像素级存储节点12、器件结构14a和浅沟槽隔离结构13的区域的横向宽度。
在其它实施例中，形成所述隔离结构也可以包括：在所述介电材料层上形成无定型碳层；刻蚀所述无定型碳层形成露出所述介电材料层的凹槽，所述凹槽定义出隔离结构的位置和尺寸；在所述无定型碳层表面、凹槽侧壁及底部形成保护层；在所述保护层表面形成金属层，所述金属层填满所述凹槽；平坦化所述金属层至露出所述无定型碳层上的所述保护层；去除所述无定型碳层及其上的所述保护层，露出分立排列的隔离结构。
现有技术，因为隔离结构没有遮蔽像素级存储节点，如果不在半导体衬底内形成反射材料，在曝光时，入射光就会照射到像素级存储节点，由此在像素级存储节点内产生噪声而影响图像质量。本实施例在形成隔离结构时相对现有技术增加隔离结构的遮盖面积，使得隔离结构能够阻挡入射辐射污染像素级存储节点，因此不需要增加额外的工艺步骤就解决了像素级存储节点的噪声问题。
请参考图5，在所述隔离结构33之间形成滤色片34，所述滤色片对应于所述光电二极管11。
滤色片34形成在隔离结构33之间，也就是，滤色片34填充在隔离结构33之间的开口33a中，且滤色片34的顶面与隔离结构33顶面齐平。所述隔离结构33呈网格状分布，各滤色片34呈阵列排布。所述滤色片34可以包括红色滤色片、绿色滤色片以及蓝色滤色片。且对应于每个光电二极管11上仅形成一种颜色的滤色片34，则进入滤色片36的入射光能够被一种颜色的滤色片滤色，然后照射到光电二极管11表面的入射光为单色光，所述光电二极管11吸收单色光，将光信号转换为电信号。
请参考图6，在所述滤色片34上形成微透镜35。
微透镜35对应于滤色片34，每个滤色片34上形成一个微透镜35，由于滤色片34呈阵列排布，对应地，微透镜35也呈阵列排布。微透镜35用于聚焦入射光，使经过微透镜35的入射光能够透过滤色片34照射到该微透镜35所对应的光电二极管11上。
本实施例中，形成所述微透镜35包括：在滤色片34和隔离结构33上沉积透镜材料形成透镜材料层；在所述透镜材料层上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影，形成间隔排列的微透镜图形；以所述光刻胶层为掩膜，沿微透镜图形刻蚀所述透镜材料层至露出隔离结构33，形成间隔排列的微透镜35；采用回流工艺，使微透镜35表面凸起。在其他实施例中，可以通过采用具有渐变透光率的掩膜版，使得曝光后的光刻胶具有不同的厚度，在后续蚀刻的过程中实现对微透镜35边缘和中心不同厚度的蚀刻量，由此形成表面凸起的微透镜35。
本发明虽然已以较佳实施方式公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施方式所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；
像素级存储节点，位于所述半导体衬底内且与所述光电二极管相关联；
隔离结构，位于所述半导体衬底背面且遮蔽对应的像素级存储节点；
滤色片，位于所述隔离结构之间且对应于所述光电二极管。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括反射膜、不透光介质膜或滤色片复合层，所述滤色片复合层包括红色滤色片和蓝色滤色片。
3.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括金属栅格。
4.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：微透镜，位于所述滤色片上。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述隔离结构还遮蔽所述半导体衬底内对应像素单元的器件结构。
6.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底内形成分立排列的光电二极管以及与所述光电二极管相关联的像素级存储节点；
在所述半导体衬底背面形成隔离结构，所述隔离结构遮蔽对应的像素级存储节点；
在所述隔离结构之间形成滤色片，所述滤色片对应于所述光电二极管。
7.如权利要求6所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述隔离结构包括反射膜、不透光介质膜或滤色片复合层，所述滤色片复合层包括红色滤色片和蓝色滤色片。
8.如权利要求6所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述形成隔离结构包括：在所述半导体衬底背面形成分立排列的金属栅格，所述金属栅格至少遮蔽所述半导体衬底内对应的像素级存储节点。
9.如权利要求6所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，还包括：
在所述滤色片上形成微透镜。
10.如权利要求6所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述隔离结构还遮蔽所述半导体衬底内对应像素单元的器件结构。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110379825A (zh) * 2019-07-16 2019-10-25 德淮半导体有限公司 背照式图像传感器及其形成方法
TWI707465B (zh) * 2019-10-09 2020-10-11 晶相光電股份有限公司 影像感測裝置及其形成方法
CN114205002A (zh) * 2022-02-18 2022-03-18 晶芯成(北京)科技有限公司 一种通信接收装置、制造方法及电子设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020011614A1 (en) * 1998-12-08 2002-01-31 Howard E Rhodes Method for forming a low leakage contact in a cmos imager
CN106229322A (zh) * 2016-07-27 2016-12-14 上海集成电路研发中心有限公司 一种背照堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法
CN106611766A (zh) * 2015-10-26 2017-05-03 台湾积体电路制造股份有限公司 背照式图像传感器及其形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020011614A1 (en) * 1998-12-08 2002-01-31 Howard E Rhodes Method for forming a low leakage contact in a cmos imager
CN106611766A (zh) * 2015-10-26 2017-05-03 台湾积体电路制造股份有限公司 背照式图像传感器及其形成方法
CN106229322A (zh) * 2016-07-27 2016-12-14 上海集成电路研发中心有限公司 一种背照堆叠式全局曝光像素单元结构及其形成方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110379825A (zh) * 2019-07-16 2019-10-25 德淮半导体有限公司 背照式图像传感器及其形成方法
TWI707465B (zh) * 2019-10-09 2020-10-11 晶相光電股份有限公司 影像感測裝置及其形成方法
CN112635498A (zh) * 2019-10-09 2021-04-09 晶相光电股份有限公司 影像感测装置及其形成方法
US11404464B2 (en) 2019-10-09 2022-08-02 Silicon Optronics, Inc. Image sensing device and method of forming the same
CN114205002A (zh) * 2022-02-18 2022-03-18 晶芯成(北京)科技有限公司 一种通信接收装置、制造方法及电子设备
CN114205002B (zh) * 2022-02-18 2023-03-10 晶芯成(北京)科技有限公司 一种通信接收装置、制造方法及电子设备

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