CN109599508A - 电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中，制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。本发明的电致发光器件的制备方法，利用雾化沉积方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，实现高像素显示，像素可达1000PPI。
Description
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管技术领域，具体的涉及一种电致发光器件及其制备方法。
背景技术
量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良的特点。这些特点使得量子点在显示等行业有着广泛的应用，是能够与传统LED以及OLED相共存和替代的先进材料，受到了业界的广泛关注。
近年来，量子点合成工艺经过不断的优化及器件结构的改良，量子点发光二极管的性能有着极大程度的提高，然而在高像素化方面却受到了极大的约束。目前电致发光器件的像素化主要通过喷墨打印、转印来实现，然而由于打印机的重复精度、打印精度以及转印良率等问题，像素一直无法得到提高。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种电致发光器件及其制备方法，以克服现有技术中的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中：
制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。
本发明实施例还提供一种通过上述电致发光器件的制备方法制备得到的电致发光器件。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括：
本发明实施例提供的电致发光器件的制备方法，利用雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与目前光刻或蒸镀用掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，从而实现高像素显示，像素可高达1000PPI。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a是本发明一实施例中电致发光器件的第一结构图；
图1b是本发明一实施例中电致发光器件的第二结构图；
图2是本发明一实施例中第一雾化装置的示意图；
图3是本发明一实施例中第二雾化装置的示意图；
图4是本发明一实施例中第一掩模板的正视结构图；
图5是本发明一实施例中第一掩模板的俯视结构图；
图6是本发明一实施例中第一掩模板的侧视结构图；
图7是本发明一实施例中第二掩模板的正视结构图；
图8是本发明一实施例中第二掩模板的俯视结构图；
图9是本发明一实施例中第二掩模板的侧视结构图。
具体实施方式
鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。
本发明实施例提供的一种电致发光器件的制备方法，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中：
制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。
在一些实施方案中，雾化沉积通过雾化装置实现，所述雾化装置包括：
沉积腔体；
若干雾化口，位于沉积腔体内；
雾化器，位于沉积腔体外部，且通过输送通道与雾化口相连；
掩模版，位于沉积腔体内部，且位于雾化口的下方，所述掩模版包括间隔分布的复数个沉积孔。
在一些较为优选的实施方案中，其中至少两个相邻沉积孔之间为遮挡部，所述遮挡部具有凸起结构，所述凸起结构将沉积到遮挡部上的所述空穴传输层墨水、量子点墨水或电子传输层墨水引流至相邻沉积孔内。
进一步地，所述凸起结构具有圆弧形轮廓。
进一步地，所述掩模版包括由复数个所述遮挡部排列形成的矩阵。
在一些较为优选的实施方案中，所述雾化装置还包括若干惰性气体匀风器，所述若干惰性气体匀风器位于沉积腔体内。
惰性气体匀风器于沉积腔体内的顶部均匀排列，用于使吹出的惰性气体均匀吹拂，以将雾化的墨水均匀向下压力沉降。
在一些较为优选的实施方案中，雾化的方式包括超声雾化、气动雾化和喷嘴雾化方式中的任意一种或多种。
超声雾化方式选用的雾化口为雾化出口，喷嘴雾化方式选用的雾化口为雾化喷嘴。
在一些较为优选的实施方案中，所述雾化器至少用于对空穴传输层墨水、量子点墨水和电子传输层墨水中的任意一种或多种进行雾化处理，并且所述雾化器的雾化物经过所述若干雾化口朝所述掩模版输出，所述掩模版掩盖在空穴传输层、量子点发光层和电子传输层的任意一种或多种上。
在一些较为优选的实施方案中，制备量子点发光层中，所述复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，其中在所述第一方向上，任意两个相邻沉积孔之间间隔两个或两个以上子像素，而在所述第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔。
在一些实施方案中，所述量子点墨水包括量子点和第一溶剂。
在一些较为优选的实施方案中，所述量子点包括II-VI、III-V、IV-VI族量子点和钙钛矿量子点中的任意一种或两种以上的组合。
进一步地，所述II-VI族量子点的材质包括CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的任意一种或两种以上的组合，所述III-V族量子点的材质包括InP、InAs和InAsP中的任意一种或两种以上的组合，所述IV-VI族量子点的材质包括PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第一溶剂采用弱极性溶剂。
在一些较为优选的实施方案中，所述第一溶剂包括C6-C16的烷烃、烷基为C1-C12的烷基苯、溶剂油和C2-C14醇中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第一溶剂的沸点介于100-300℃之间。
在一些较为优选的实施方案中，按质量百分比计，所述量子点墨水中量子点的含量为0.5％-10％。
在一些实施方案中，所述量子点墨水的表面张力介于25-32dyne/cm之间。
在一些实施方案中，所述电子传输层墨水包括电子传输材料和第二溶剂。
在一些较为优选的实施方案中，所述电子传输材料包括N型纳米半导体材料。
进一步地，所述N型纳米半导体材料包括ZnO、ZnMgO和TiO2中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第二溶剂包括主溶剂和辅助溶剂。
进一步地，所述主溶剂包括乙醇、丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、丙三醇、1，2-丁二醇、1，4-戊二醇、1，3-丁二醇、2-甲基-2，4-戊二醇、2，2-二甲基-1，3-丙二醇、丁三醇、季戊四醇、DMF和C5-C11醇中的任意一种或两种以上的组合，所述辅助溶剂包括丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、乙二醇丙醚醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇甲醚正丙酸酯、乙二醇乙醚正丙酸酯、乙二醇丙醚正丙酸酯、乙二醇甲醚异丙酸酯、乙二醇乙醚异丙酸酯、乙二醇丙醚异丙酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇丙醚醋酸酯、丙二醇甲醚正丙酸酯、丙二醇乙醚正丙酸酯、丙二醇丙醚正丙酸酯、丙二醇甲醚异丙酸酯、丙二醇乙醚异丙酸酯、丙二醇丙醚异丙酸酯、二乙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇乙醚、二乙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚醋酸酯、二丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇乙醚醋酸酯、二丙二醇丙醚醋酸酯、二丙二醇丁醚、二丙二醇丁醚醋酸酯中、乙二醇单己醚、二甘醇乙醚和乙二醇二丁醚中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第二溶剂的沸点介于70-250℃之间。
在一些较为优选的实施方案中，按质量百分比计，所述电子传输层墨水中电子传输材料的含量为0.5％-10％。
在一些实施方案中，所述电子传输层墨水的表面张力介于23-30dyne/cm之间。
在一些实施方案中，所述空穴传输层墨水包括空穴传输材料和第三溶剂。
在一些较为优选的实施方案中，所述空穴传输材料包括TFB、PVK、Poly TPD中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第三溶剂包括氯苯、烷基为C2-C12的烷基苯和芳烃溶剂油中的任意一种或两种以上的组合。
在一些较为优选的实施方案中，所述第三溶剂的沸点介于110-300℃之间。
在一些较为优选的实施方案中，按质量百分比计，所述空穴传输层墨水中空穴传输材料的含量为0.5％-10％。
在一些实施方案中，所述空穴传输层墨水的表面张力介于25-32dyne/cm之间。
本发明实施例的另一个方面还提供由所述电致发光器件的制备方法制备的电致发光器件。
在一些具体的实施例中，电致发光器件的制备方法包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中：
制备空穴传输层具体为：利用超声雾化、气动雾化或喷嘴雾化的方式将空穴传输层墨水进行雾化，雾化后的空穴传输层墨水通过沉降方式经过掩模版沉积到电致发光器件中对应的像素坑中。其中，遮挡部具有凸起结构，以便掩模板遮挡部位的沉积液可以引流至相邻沉积孔内，复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，第一方向上，任意两个相邻沉积孔之间可以无间隔子像素，也可以间隔两个子像素，第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔子像素，对应相邻子像素。从而，空穴传输层可先后对应沉积在R、G、B像素区域，也可同时沉积在R、G、B像素区域，经过真空退火最终实现在像素区域中均匀成膜。
制备量子点发光层具体为：利用超声雾化、气动雾化或喷嘴雾化的方式将量子点墨水进行雾化，雾化后的量子点墨水通过沉降方式经过掩模版沉积到电致发光器件中对应的像素坑中。其中，遮挡部具有凸起结构，以便掩模板遮挡部位的沉积液可以引流至相邻沉积孔内，复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，第一方向上，任意两个相邻沉积孔之间间隔两个子像素，第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔子像素，对应相邻子像素，从而实现RGB像素分离。分别向子像素中沉淀红绿蓝量子点墨水，经过真空退火最终实现在像素中均匀成膜。
制备电子传输层具体为：利用超声雾化、气动雾化或喷嘴雾化的方式将电子传输层墨水进行雾化，雾化后的电子传输层墨水通过沉降方式经过掩模版沉积到电致发光器件中对应的像素坑中。其中，遮挡部具有凸起结构，以便掩模板遮挡部位的沉积液可以引流至相邻沉积孔内，复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，第一方向上，任意两个相邻沉积孔之间可以无间隔子像素，也可以间隔两个子像素，第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔子像素，对应相邻子像素。从而，电子传输层可先后对应沉积在R、G、B像素区域，也可同时沉积在R、G、B像素区域，经过真空退火最终实现在像素中均匀成膜。
本发明实施例的另一个方面还提供由所述电致发光器件的制备方法制备的电致发光器件。
以下通过实施例并结合附图进一步详细说明本发明的技术方案。然而，所选的实施例仅用于说明本发明，而不限制本发明的范围。
实施例1
以质量百分比计，将10％的量子点、70％的十四烷、6％的十二烷、11％的正辛醇、3％的正壬醇混合成量子点墨水，表面张力为26.1dyne/cm，黏度为6.8cp；将10％的ZnO、70％乙二醇、19％的DMF以及1％的乙二醇丁醚醋酸酯混合成电子传输层墨水，表面张力为25.7dyne/cm，黏度为11.0cp。将10％的TFB、90％氯苯混合成空穴传输层墨水，表面张力为32dyne/cm，黏度为8.7cp。
实施例2
将5％的量子点、85％的D110溶剂油、8％的正壬醇、2％的正癸醇混合成量子点墨水，表面张力为29.8dyne/cm，黏度为9.2cp；将5％的ZnO、70％2-甲基-2，4-戊二醇、30％的正辛醇以及4％正丁醇以及1％二丙二醇甲醚的混合成电子传输层墨水，表面张力为25.5dyne/cm，黏度为9.8cp。将5％的PVK、75％己基苯、20％芳烃溶剂油混合成空穴传输层墨水，表面张力为31dyne/cm，黏度为7.2cp。
实施例3
将0.5％的量子点、85％的联环己烷、11.5％的正庚醇，3％的正壬醇混合成量子点墨水，表面张力为31dyne/cm，黏度为13.7cp；将0.5％的ZnO、55.5％2，2-二甲基-1，3-丙二醇、40％的正辛醇以及4％正丁醇以及1％二丙二醇丁醚的混合成电子传输层墨水，表面张力为27.8dyne/cm，黏度为13.6cp。将0.5％的PolyTPD、99.5％芳烃溶剂油混合成空穴传输层墨水，表面张力为28.0dyne/cm，黏度为5.1cp。
实施例4
将2％的量子点、70％的直链溶剂油、14％的芳烃溶剂油、14％的正壬醇混合成量子点墨水，表面张力为29.1dyne/cm，黏度为8.1cp；将2％的ZnO、30％二丙二醇、50％的己二醇、18％二丙二醇丁醚的混合成电子传输层墨水，表面张力为28.58dyne/cm，黏度为15.1cp。将0.5％的PolyTPD、98.5％芳烃溶剂油混合成空穴传输层墨水，表面张力为28.0dyne/cm，黏度为5.1cp。
电致发光器件的第一结构可以为正置器件，如图1a所示，包括从下向上依次设置的玻璃或柔性材料衬底11、阳极12、空穴传输层13、量子点发光层14、电子传输层15及阴极16。
电致发光器件的制备方法包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种。
雾化装置包括：沉积腔体1、位于沉积腔体1内的若干雾化口2、位于沉积腔体1外部且通过输送通道与雾化口2相连的雾化器3、位于沉积腔体1内部且位于雾化口2下方的掩模版4，掩模版4包括间隔分布的复数个沉积孔。
具体的，制备空穴传输层包括：
(1)将空穴传输层墨水雾化，雾化方式可以选择喷嘴雾化、超声雾化或气动雾化。
空穴传输层墨水可以通过喷嘴雾化实现像素化，即通过第一雾化装置实现雾化沉积(图2)或是超声雾化实现像素化，即通过第二雾化装置实现雾化沉积(图3)。图2中雾化器3未示出。
喷嘴雾化方式选用的雾化口2为雾化喷嘴雾化口，具体地，若通过喷嘴雾化的方式，空穴传输层墨水通过加压从墨水盒中流向雾化喷嘴雾化口，在压力的作用下，通过雾化喷嘴雾化口的毛细管路，并高速从细小的雾化喷嘴雾化口中喷射出来，并与空气摩擦产生雾化，并通过重力以及出雾化喷嘴雾化口时的初始速度来实现自然沉积，也可通过附加一定的由上而下的惰性气体吹拂实现加速沉积，惰性气体可通过加压，从惰性气体盒(图2未示出)中流经雾化口2吹出，可在雾化装置中设置若干惰性气体匀风器8，若干惰性气体匀风器8于沉积腔体1内的顶部均匀排列，用于使吹出的惰性气体均匀吹拂，以将雾化的墨水均匀向下压力沉降。
通过控制压力和雾化喷嘴1大小来控制雾化液滴大小以及初始下沉速度，液滴体积控制在1-100pl，优化的控制在5-30pl大小为宜。
超声雾化方式选用的雾化口2为雾化出口，若通过超声雾化的方式，主要利用电子高频震荡，通过雾化装置中的陶瓷雾化片的高频震荡，将空穴传输层墨水打散而产生自然飘逸的雾化液滴，并通过气流吹动将雾化液滴通过雾化出口中吹出至沉积腔体1中。通过控制空穴传输层墨水表面张力和粘度以及震荡频率来实现雾化液滴大小，液滴体积控制在1-100pl，优化的控制在5-30pl大小为宜，沉积速度取决于雾化吹出气流的流速大小。惰性气体可通过加压，从惰性气体盒7中流经雾化口2吹出，惰性气体匀风器8于沉积腔体1内的顶部均匀排列，用于使吹出的惰性气体均匀吹拂，以将雾化的墨水均匀向下压力沉降。
(2)雾化后的空穴传输层墨水通过沉降方式经过掩模版4沉积到R、G、B像素区域。
掩模版包括间隔分布的复数个沉积孔，每一沉积孔与至少一像素坑对应设置，复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列。
掩模板可有两种结构，一种是第一掩模板，即在第一方向及第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间均无间隔子像素，另一种是第二掩模板，即在第一方向上任意两个相邻沉积孔之间间隔两个子像素，第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔子像素，对应相邻子像素，从而实现RGB像素分离。
第一掩模板的结构见图4～6所示，第二掩模板的结构见图7～9所示。
第一掩模板与第二掩模板均设有复数个呈阵列排布的沉积孔5，相邻沉积孔5之间为凸起结构6，凸起结构6构成了导流掩模矩阵状，凸起结构6能够将沉积到遮挡部上的空穴传输层墨水引流至相邻沉积孔5内。
在制备空穴传输层时，可选用第一掩模板或第二掩模板，一部分雾化后的空穴传输层墨水直接落在掩模板的沉积孔5中，另一部分雾化后的量子点墨水落在掩模板的凸起结构6上，而后顺势导流入相邻的沉积孔5中，从而沉积到对应的像素坑中。当选用第一掩模板时，空穴传输层可同时沉积在R、G、B像素区域，当选用第二掩模板时，空穴传输层可先后分别对应沉积在R、G、B像素区域，后经过真空退火最终实现均匀成膜。
具体的，制备量子点发光层包括：
(1)将量子点墨水雾化，雾化方式可以选择喷嘴雾化、超声雾化或气动雾化。
量子点墨水可以通过喷嘴雾化实现像素化，即通过第一雾化装置实现雾化沉积(图2)或是超声雾化实现像素化，即通过第二雾化装置实现雾化沉积(图3)。具体雾化沉积的方式与前述空穴传输层墨水的雾化沉积基本一致，故此不再赘述。
(2)雾化后的量子点墨水通过沉降方式经过掩模版4沉积到R、G、B像素区域。制备量子点发光层时选用第二掩模板，即在第一方向上任意两个相邻沉积孔之间间隔两个子像素，第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔子像素，对应相邻子像素，从而实现RGB像素分离。一部分雾化后的量子点墨水直接落在掩模板的沉积孔5中，另一部分雾化后的量子点墨水落在掩模板的凸起结构6上，而后顺势导流入相邻的沉积孔5中，从而沉积到对应的像素坑中。量子点墨水根据所添加量子点的不同可以分为红量子点墨水及绿量子点墨水，根据需求分别向子像素中沉淀红绿量子点墨水，经过真空退火最终实现在像素中均匀成膜。量子点发光层可直接通过雾化沉积的方式沉积在空穴传输层上。
具体的，制备电子传输层包括：
(1)将电子传输层墨水雾化，雾化方式可以选择喷嘴雾化、超声雾化或气动雾化。
电子传输层墨水可以通过喷嘴雾化实现像素化，即通过第一雾化装置实现雾化沉积(图2)或是超声雾化实现像素化，即通过第二雾化装置实现雾化沉积(图3)。具体雾化沉积的方式与前述空穴传输层墨水的雾化沉积基本一致，故此不再赘述。
(2)雾化后的电子传输层墨水通过沉降方式经过掩模版4沉积到R、G、B像素区域。制备量子点发光层时可以选用第一掩模板或第二掩模板。当选用第一掩模板时，电子传输层可同时沉积在R、G、B像素区域，当选用第二掩模板时，电子传输层可先后分别对应沉积在R、G、B像素区域，后经过真空退火最终实现均匀成膜。电子传输层可直接通过雾化沉积的方式沉积在量子点发光层上。
此外，电致发光器件也可以为倒置器件，即具有第二结构，如图1b所示，包括从下向上依次设置的玻璃或柔性材料衬底11、阴极16、电子传输层15、量子点发光层14、空穴传输层13及阳极12。即先沉积电子传输层，之后沉积量子点发光层及空穴传输层，均可通过雾化沉积的方式依次沉积。
本发明利用雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，与目前光刻或蒸镀用掩模版相配合来实现空穴传输层、量子点发光层及电子传输层的像素化，从而实现高像素显示，像素可高达1000PPI。
应当理解，以上所述的仅是本发明的一些实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的创造构思的前提下，还可以做出其它变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：通过雾化沉积的方式制备空穴传输层、量子点发光层及电子传输层中的任意一种或多种，其中：
制备空穴传输层具体包括：将空穴传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备量子点发光层具体包括：将量子点墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜；
制备电子传输层具体包括：将电子传输层墨水雾化后，通过沉积方式经掩模版沉积后，固化成膜。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：雾化沉积通过雾化装置实现，所述雾化装置包括：
沉积腔体；
若干雾化口，位于沉积腔体内；
雾化器，位于沉积腔体外部，且通过输送通道与雾化口相连；
掩模版，位于沉积腔体内部，且位于雾化口的下方，所述掩模版包括间隔分布的复数个沉积孔。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：其中至少两个相邻沉积孔之间为遮挡部，所述遮挡部具有凸起结构，所述凸起结构将沉积到遮挡部上的所述空穴传输层墨水、量子点墨水或电子传输层墨水引流至相邻沉积孔内；优选的，所述凸起结构具有圆弧形轮廓；优选的，所述掩模版包括由复数个所述遮挡部排列形成的矩阵。
4.根据权利要求2所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述雾化装置还包括若干惰性气体匀风器，所述若干惰性气体匀风器位于沉积腔体内。
和/或，雾化的方式包括超声雾化、气动雾化和喷嘴雾化方式中的任意一种或多种。
5.根据权利要求2所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述雾化器至少用于对空穴传输层墨水、量子点墨水和电子传输层墨水中的任意一种或多种进行雾化处理，并且所述雾化器的雾化物经过所述若干雾化口朝所述掩模版输出，所述掩模版掩盖在空穴传输层、量子点发光层和电子传输层的任意一种或多种上。
6.根据权利要求2所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：制备量子点发光层中，所述复数个沉积孔分别沿相互垂直交叉的第一方向和第二方向排布形成阵列，其中在所述第一方向上，任意两个相邻沉积孔之间间隔两个或两个以上子像素，而在所述第二方向上，任意两个相邻沉积孔之间无间隔。
7.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述量子点墨水包括量子点和第一溶剂；
优选的，所述量子点包括II-VI、III-V、IV-VI族量子点和钙钛矿量子点中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述II-VI族量子点的材质包括CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe和CdZnSeSTe中的任意一种或两种以上的组合，所述III-V族量子点的材质包括InP、InAs和InAsP中的任意一种或两种以上的组合，所述IV-VI族量子点的材质包括PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的任意一种或两种以上的组合；优选的，所述第一溶剂采用弱极性溶剂；
优选的，所述第一溶剂包括C6-C16的烷烃、烷基为C1-C12的烷基苯、溶剂油和C2-C14醇中的任意一种或两种以上的组合；
优选的，所述第一溶剂的沸点介于100-300℃之间；
优选的，按质量百分比计，所述量子点墨水中量子点的含量为0.5％-10％；
和/或，所述量子点墨水的表面张力介于25-32dyne/cm之间。
8.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述电子传输层墨水包括电子传输材料和第二溶剂；
优选的，所述电子传输材料包括N型纳米半导体材料；优选的，所述N型纳米半导体材料包括ZnO、ZnMgO和TiO2中的任意一种或两种以上的组合；
优选的，所述第二溶剂包括主溶剂和辅助溶剂；优选的，所述主溶剂包括乙醇、丙醇、正丁醇、异丁醇、乙二醇、丙三醇、1，2-丁二醇、1，4-戊二醇、1，3-丁二醇、2-甲基-2，4-戊二醇、2，2-二甲基-1，3-丙二醇、丁三醇、季戊四醇、DMF和C5-C11醇中的任意一种或两种以上的组合，所述辅助溶剂包括丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、乙二醇丙醚醋酸酯、乙二醇丁醚、乙二醇丁醚醋酸酯、乙二醇甲醚正丙酸酯、乙二醇乙醚正丙酸酯、乙二醇丙醚正丙酸酯、乙二醇甲醚异丙酸酯、乙二醇乙醚异丙酸酯、乙二醇丙醚异丙酸酯、丙二醇乙醚醋酸酯、丙二醇丙醚醋酸酯、丙二醇甲醚正丙酸酯、丙二醇乙醚正丙酸酯、丙二醇丙醚正丙酸酯、丙二醇甲醚异丙酸酯、丙二醇乙醚异丙酸酯、丙二醇丙醚异丙酸酯、二乙二醇甲醚醋酸酯、二乙二醇乙醚、二乙二醇乙醚醋酸酯、二乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚醋酸酯、二丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇乙醚醋酸酯、二丙二醇丙醚醋酸酯、二丙二醇丁醚、二丙二醇丁醚醋酸酯中、乙二醇单己醚、二甘醇乙醚和乙二醇二丁醚中的任意一种或两种以上的组合；
优选的，所述第二溶剂的沸点介于70-250℃之间；
优选的，按质量百分比计，所述电子传输层墨水中电子传输材料的含量为0.5％-10％；
和/或，所述电子传输层墨水的表面张力介于23-30dyne/cm之间。
9.根据权利要求1所述的电致发光器件的制备方法，其特征在于：所述空穴传输层墨水包括空穴传输材料和第三溶剂；
优选的，所述空穴传输材料包括TFB、PVK、Poly TPD中的任意一种或两种以上的组合；
优选的，所述第三溶剂包括氯苯、烷基为C2-C12的烷基苯和芳烃溶剂油中的任意一种或两种以上的组合；
优选的，所述第三溶剂的沸点介于110-300℃之间；
优选的，按质量百分比计，所述空穴传输层墨水中空穴传输材料的含量为0.5％-10％；
和/或，所述空穴传输层墨水的表面张力介于25-32dyne/cm之间。
10.由权利要求1-9中任一项所述方法制备的电致发光器件。
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