CN109597580B - 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法 - Google Patents

适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109597580B
CN109597580B CN201811464442.6A CN201811464442A CN109597580B CN 109597580 B CN109597580 B CN 109597580B CN 201811464442 A CN201811464442 A CN 201811464442A CN 109597580 B CN109597580 B CN 109597580B
Authority
CN
China
Prior art keywords
now
data
image
storage
load curve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811464442.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109597580A (zh
Inventor
刘笑菲
刘志军
张学增
伍韬
张玉猛
张奔
刘国栋
胡春华
陈斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yantai Dongfang Wisdom Electric Co Ltd
Original Assignee
Yantai Dongfang Wisdom Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yantai Dongfang Wisdom Electric Co Ltd filed Critical Yantai Dongfang Wisdom Electric Co Ltd
Priority to CN201811464442.6A priority Critical patent/CN109597580B/zh
Publication of CN109597580A publication Critical patent/CN109597580A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109597580B publication Critical patent/CN109597580B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
    • G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0625—Power saving in storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0646—Horizontal data movement in storage systems, i.e. moving data in between storage devices or systems
    • G06F3/0652—Erasing, e.g. deleting, data cleaning, moving of data to a wastebasket
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0656—Data buffering arrangements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本发明公开了一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，通过建立镜像区、数据存储指针和数据分段缓存的方法，实现了flash中对负荷曲线数据的循环存储、数据读取和向前修改时间点的数据操作。本发明大大简化了负荷曲线应用层的设计逻辑，避免了对整个sector擦写造成的数据丢失，减少了RAM开销，延长了flash的使用寿命，在极端情况下也完全满足寿命要求。

Description

适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法
技术领域
本发明涉及一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法。
背景技术
随着智能电表的推广，用户对其功能提出了越来越高的要求。负荷曲线存储是一种很常用且非常重要的功能。电表按某一固定间隔周期(如1分钟、5分钟、10分钟等)记录电表运行过程中的电压、电流、电量等信息，然后将这些信息按时间顺序绘制成负荷曲线。
负荷曲线占用的存储空间非常大，假设每隔15分钟记录一次负荷信息，那么记录90天的数据就需要1M以上的空间。因此，在智能电表设计中一般采用flash作为负荷曲线的存储器件。
flash的擦除操作一般按照sector进行，即每次至少擦除一个sector占用的空间，flash的一个sector一般为4K字节，flash每个sector的擦写寿命一般为10万次。
负荷曲线数据需要进行循环存储，即负荷曲线数据记录到存储区的末尾时，下一次存储负荷曲线数据会覆盖最早的一条记录。负荷曲线数据的另一个特点是，如果用户向前修改智能电表的时间，负荷曲线需要擦除修改时间点之后的所有数据，并从该修改的时间点继续记录。
源于flash的操作特点，目前负荷曲线存储处理存在以下缺陷：
1)负荷曲线数据进行循环存储的时候，每次擦除时整个sector的数据都会被擦除掉，导致数据丢失；
2)如果用户向前修改智能电表的时间，在智能电表的单片机中需要开辟一个sector大小的RAM区域(一般为4K字节)，用于缓存要修改的时间点所在的sector内的数据，在开辟的缓存区域中，将修改的时间点之前的数据保留，时间点之后的数据清除，再将数据写回相应的sector中，这对RAM较小的单片机，比如51系列单片机，开销是巨大的。
发明内容
本发明提出了一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，其目的在于：(1)避免擦除整个sector时丢失数据；(2)减小RAM开销。
本发明技术方案如下：
一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，步骤为：
1)对flash按N:1的比例建立存储区和镜像区，N为正整数，所述镜像区包含若干镜像块，所述存储区包含数量为镜像块N倍的存储块，每N个存储块共用一个镜像块，镜像块与存储块的大小一致；
2)建立存储指针Psave，用于标识当前负荷曲线数据的存储地址，存储指针在上电时刻加载至RAM中；
3)在RAM中建立缓存区，存储块的大小为缓存区大小的整数倍；
4)在负荷曲线发生循环存储时，按照如下步骤进行：根据Psave定位到记录当前负荷曲线数据的存储块Snow以及Snow所对应的镜像块Simage，然后将Simage擦除，再将Snow中的数据通过缓存区分批存入Simage中，然后将Snow的数据擦除，此后直接将负荷曲线数据写入到Snow中，直至Snow写满后再次根据Psave定位新的Snow与Simage继续存储。
作为本发明的进一步改进：读取负荷曲线数据时，判断要读取的地址Addr是否在当前的Snow中：
如果在Snow中，则先读取Snow中Addr所指向的数据，如果读出的数据为0xff，表明Snow当前已经被擦除，则继续读取Snow所对应的Simage中Addr对应位置的数据，并将Simage的数据作为正确数据，如果读出的数据不是0xff，则继续读取且将Snow的数据作为正确数据；
如果读取的地址不在Snow中，则直接读取Addr地址所指向的数据。
作为本发明的进一步改进：在负荷曲线发生向前修改时间的操作时，步骤为：查找要修改的时间点所在的负荷曲线记录地址Addr′，根据Addr′计算出要修改的时间点所在的存储块Snow’以及Snow’对应的镜像块Simage’，再将Simage’擦除，然后从Snow’起始地址至Addr′之间的数据通过缓存区分批存入Simage’中，再将Snow’的数据擦除，然后将Simage’中的数据通过缓存区分批写回Snow’中，而后从Addr′处继续写入。
作为本发明的进一步改进：为存储块与镜像块分别按顺序编号，将存储块编号用Index表示，对应的镜像块编号用Indeximage表示，则：当
Figure BDA0001889355670000031
时，对应的
Figure BDA0001889355670000032
当
Figure BDA0001889355670000033
时，对应的
Figure BDA0001889355670000041
Figure BDA0001889355670000042
取整除计算后的整数。
作为本发明的进一步改进：所述根据Psave定位到记录当前负荷曲线数据的存储即Snow以及Snow所对应的镜像块Simage的具体步骤为：
首先根据公式
Figure BDA0001889355670000043
得到Snow的存储块编号，size为存储块大小，然后根据Index求得对应的Indeximage即为Simage的镜像块编号。
相对于现有技术，本发明具有以下积极效果：(1)大大简化了负荷曲线应用层的设计逻辑，循环存储时，所擦除的是镜像sector中的数据，该数据只是上一轮存储时放置在镜像sector中的旧数据，而非当前连续的负荷曲线数据的起始数据，同时当前的起始数据会被写入镜像sector后再对待写入的sector进行擦除，避免了数据丢失；(2)通过缓存区分批进行sector间的数据转移，减少了RAM开销。
附图说明
图1是本发明负荷曲线循环存储的流程示意图。
图2是本发明读取负荷曲线数据的流程示意图。
图3是本发明向前修改时间flash的操作流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的技术方案：
不失一般性，假设flash的存储空间为4M字节，每个sector即块的大小为4K字节。为方便计算，假设flash共包含1000个4K字节sector。
一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，步骤为：
1)对flash按4:1的比例建立存储区和镜像区，所述镜像区包含若干镜像块，所述存储区包含数量为镜像块4倍的存储块，每4个存储块共用一个镜像块，4M字节的flash芯片分配800K字节的镜像区，每个镜像块的大小为4K字节即一个sector，共包含200个镜像块，剩余空间是用于数据存储的存储块，共800个存储块；
为存储块与镜像块分别按顺序编号，将存储块编号用Index表示，对应的镜像块编号用Indeximage表示，则：
当
Figure BDA0001889355670000051
时，对应的
Figure BDA0001889355670000052
当
Figure BDA0001889355670000053
时，对应的
Figure BDA0001889355670000054
Figure BDA0001889355670000055
取整除计算后的整数。
2)建立存储指针Psave，用于标识当前负荷曲线数据的存储地址，存储指针在上电时刻加载至RAM中，占用4字节空间，；
3)在RAM中建立缓存区，缓存区的大小可根据单片机的实际内存分配，本实施例为512字节；
4)如图1，在负荷曲线发生循环存储时，按照如下步骤进行：
4a)首先根据公式
Figure BDA0001889355670000056
得到Psave对应的当前存储块Snow的编号；
4b)根据Index求得对应的Indeximage即为Snow所对应的镜像块Simage的编号；
4c)将Simage擦除；
4d)将Snow中的数据通过缓存区分8次存入Simage中；
4e)将Snow的数据擦除为0xff；
4f)此后直接将负荷曲线数据写入到Snow中，直至Snow写满后再次根据Psave定位新的Snow与Simage继续存储。
5)如图2，读取负荷曲线数据时，步骤为：
5a)判断要读取的地址Addr是否在当前的Snow中，如果不在，执行5b)，否则执行5c)；
5b)直接读取Addr地址所指向的数据作为正确数据返回；
5c)读取Snow中Addr所指向的数据，如果读出的数据不为0xff，执行5d)；否则表明Snow当前已经被擦除，执行5e)；
5d)直接读取Snow在Addr处的数据作为正确数据返回；
5e)计算Addr地址相对于Snow起始地址的偏移，继续读取Snow所对应的Simage中相同偏移位置的数据，并作为正确数据返回；
6)如图3，在负荷曲线发生向前修改时间的操作时，步骤为：
6a)查找要修改的时间点所在的负荷曲线记录地址Addr′；
6b)根据Addr′计算出要修改的时间点所在的存储块Snow’；
6c)根据Snow’定位到对应的镜像块Simage’；
6d)将Simage’擦除；
6e)从Snow’起始地址至Addr′之间的数据通过缓存区分8次存入Simage’中；
6f)将Snow’的数据擦除为0xff；
6g)将Simage’中的数据通过缓存区分8次写回Snow’中，而后从Addr′处继续写入。
按照电能表20年寿命设计，负荷曲线按照极端情况下1分钟记录一次，采用本发明的方案，对flash的sector最大擦写次数是1.5万次，满足flash寿命设计需要。

Claims (4)

1.一种适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，其特征在于步骤为：
1)对flash按N：1的比例建立存储区和镜像区，N为正整数，所述镜像区包含若干镜像块，所述存储区包含数量为镜像块N倍的存储块，每N个存储块共用一个镜像块，镜像块与存储块的大小一致；
2)建立存储指针Psave，用于标识当前负荷曲线数据的存储地址，存储指针在上电时刻加载至RAM中；
3)在RAM中建立缓存区，存储块的大小为缓存区大小的整数倍；
4)在负荷曲线发生循环存储时，按照如下步骤进行：根据Psave定位到记录当前负荷曲线数据的存储块Snow以及Snow所对应的镜像块Simage，然后将Simage擦除，再将Snow中的数据通过缓存区分批存入Simage中，然后将Snow的数据擦除，此后直接将负荷曲线数据写入到Snow中，直至Snow写满后再次根据Psave定位新的Snow与Simage继续存储；
在负荷曲线发生向前修改时间的操作时，步骤为：查找要修改的时间点所在的负荷曲线记录地址Addr′，根据Addr′计算出要修改的时间点所在的存储块Snow’以及Snow’对应的镜像块Simage’，再将Simage’擦除，然后从Snow’起始地址至Addr′之间的数据通过缓存区分批存入Simage’中，再将Snow’的数据擦除，然后将Simage’中的数据通过缓存区分批写回Snow’中，而后从Addr′处继续写入。
2.如权利要求1所述的适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，其特征在于：读取负荷曲线数据时，判断要读取的地址Addr是否在当前的Snow中：
如果在Snow中，则先读取Snow中Addr所指向的数据，如果读出的数据为Oxff，表明Snow当前已经被擦除，则继续读取Snow所对应的Simage中Addr对应位置的数据，并将Simage的数据作为正确数据，如果读出的数据不是Oxff，则继续读取且将Snow的数据作为正确数据；如果读取的地址不在Snow中，则直接读取Addr地址所指向的数据。
3.如权利要求1或2所述的适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，其特征在于：为存储块与镜像块分别按顺序编号，将存储块编号用Index表示，对应的镜像块编号用Indeximage表示，则：当
Figure FDA0003185666740000021
时，对应的
Figure FDA0003185666740000022
当
Figure FDA0003185666740000023
对，对应的
Figure FDA0003185666740000024
Figure FDA0003185666740000025
取整除计算后的整数。
4.如权利要求3所述的适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法，其特征在于：所述根据Psave定位到记录当前负荷曲线数据的存储即Snow以及Snow所对应的镜像块Simage的具体步骤为：
首先根据公式
Figure FDA0003185666740000026
得到Snow的存储块编号，size为存储块大小，然后根据Index求得对应的Indeximage即为Simage的镜像块编号。
CN201811464442.6A 2018-12-03 2018-12-03 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法 Active CN109597580B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811464442.6A CN109597580B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811464442.6A CN109597580B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109597580A CN109597580A (zh) 2019-04-09
CN109597580B true CN109597580B (zh) 2021-10-29

Family

ID=65959515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811464442.6A Active CN109597580B (zh) 2018-12-03 2018-12-03 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109597580B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111767037B (zh) * 2020-06-28 2023-09-12 烟台东方威思顿电气有限公司 一种脚本化的智能电表事件判断方法
CN113220692B (zh) * 2021-06-01 2022-09-13 烟台东方威思顿电气有限公司 负荷曲线数据存取方法
CN113220668B (zh) * 2021-06-01 2022-05-27 烟台东方威思顿电气有限公司 基于分组的负荷曲线数据存取方法
CN116719845B (zh) * 2023-08-07 2023-11-10 烟台东方威思顿电气有限公司 电能表周期冻结数据的快速查询方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101354678A (zh) * 2008-09-10 2009-01-28 浪潮齐鲁软件产业有限公司 基于NorFlash的数据滚存方法
CN102169420A (zh) * 2011-04-18 2011-08-31 杭州海康威视系统技术有限公司 缓冲区循环读写方法及装置
US8040727B1 (en) * 1989-04-13 2011-10-18 Sandisk Corporation Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors
CN102339254A (zh) * 2011-06-17 2012-02-01 杭州炬华科技股份有限公司 用于智能电能表的flash数据存储方法
CN103914393A (zh) * 2014-04-11 2014-07-09 四川华拓光通信股份有限公司 一种基于mcu的flash不丢失更新存储方法
EP2793132A2 (en) * 2007-11-21 2014-10-22 Violin Memory, Inc. Method and system for recovery of metadata in a flash memory system
CN105677383A (zh) * 2015-12-28 2016-06-15 北京华大智宝电子系统有限公司 一种智能卡数据更新方法
CN106383693A (zh) * 2016-08-30 2017-02-08 武汉阿迪克电子股份有限公司 一种智能集中器及以测量点为标签的数据处理方法
CN106646333A (zh) * 2016-12-21 2017-05-10 烟台东方威思顿电气股份有限公司 智能电能表在线监测及远程控制系统
CN108279852A (zh) * 2017-12-27 2018-07-13 浙江恒业电子有限公司 用于智能电能表中提高norflash使用寿命的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8040727B1 (en) * 1989-04-13 2011-10-18 Sandisk Corporation Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors
EP2793132A2 (en) * 2007-11-21 2014-10-22 Violin Memory, Inc. Method and system for recovery of metadata in a flash memory system
CN101354678A (zh) * 2008-09-10 2009-01-28 浪潮齐鲁软件产业有限公司 基于NorFlash的数据滚存方法
CN102169420A (zh) * 2011-04-18 2011-08-31 杭州海康威视系统技术有限公司 缓冲区循环读写方法及装置
CN102339254A (zh) * 2011-06-17 2012-02-01 杭州炬华科技股份有限公司 用于智能电能表的flash数据存储方法
CN103914393A (zh) * 2014-04-11 2014-07-09 四川华拓光通信股份有限公司 一种基于mcu的flash不丢失更新存储方法
CN105677383A (zh) * 2015-12-28 2016-06-15 北京华大智宝电子系统有限公司 一种智能卡数据更新方法
CN106383693A (zh) * 2016-08-30 2017-02-08 武汉阿迪克电子股份有限公司 一种智能集中器及以测量点为标签的数据处理方法
CN106646333A (zh) * 2016-12-21 2017-05-10 烟台东方威思顿电气股份有限公司 智能电能表在线监测及远程控制系统
CN108279852A (zh) * 2017-12-27 2018-07-13 浙江恒业电子有限公司 用于智能电能表中提高norflash使用寿命的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109597580A (zh) 2019-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109597580B (zh) 适用于智能电表负荷曲线存储的flash操作方法
US9747202B1 (en) Storage module and method for identifying hot and cold data
KR101002978B1 (ko) 플래시 메모리 관리 시스템 및 방법
CN101354681B (zh) 存储器系统、非易失性存储器的磨损均衡方法及装置
US11232041B2 (en) Memory addressing
US8015346B2 (en) Memory system having hybrid density memory and methods for wear-leveling management and file distribution management thereof
US10545876B2 (en) Control unit for data storage system and method for updating logical-to-physical mapping table
CN103577342B (zh) 管理闪存中所储存的数据的方法及相关记忆装置与控制器
US8060684B2 (en) Memory control apparatus, memory control method and program
US7526600B2 (en) Data management device and method for flash memory
CN111033477A (zh) 逻辑到物理映射
KR101784893B1 (ko) 컨트롤러, 플래시 메모리 장치, 데이터 블록 안정성을 확인하는 방법, 그리고 플래시 메모리 장치에 데이터를 저장하는 방법
US20100088482A1 (en) Process and Method for Erase Strategy in Solid State Disks
CN112231244B (zh) 应用于SoftSIM的SIM卡文件擦写系统、方法和可读存储介质
CN108595110B (zh) 一种利用Nand特性提高读性能的方法及固态硬盘
CN109284252B (zh) 一种通信设备中轻量级文件系统管理方法
JPWO2009107393A1 (ja) アクセス装置、情報記録装置、コントローラ、及び情報記録システム
CN110377599A (zh) 键值存储装置及其操作方法
CN112463020A (zh) 基于Flash的数据存取方法、装置及设备
US20070294467A1 (en) Multi-Channel Flash Memory Data Access Method
US11126624B2 (en) Trie search engine
KR20020092261A (ko) 멀티-플레인 구조의 플래시 메모리 관리 방법
CN104391804B (zh) 一种nand flash数据存储方法
CN110286848B (zh) 数据处理方法及装置
CN111324284B (zh) 一种存储器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant