CN109576671A - 一种多晶硅薄膜电极制备工艺 - Google Patents

一种多晶硅薄膜电极制备工艺 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。本发明利用多晶硅材料优良的导电性，可以直接充当工作电极，一层多晶硅的生长就可以获得一个工作电极平面，相对体加工的刻蚀、沉积金属等工艺技术要简单的多，成品率相对较高。

Description

一种多晶硅薄膜电极制备工艺
技术领域
本发明涉及多晶硅薄膜电极技术领域，具体涉及一种多晶硅薄膜电极制备工艺。
背景技术
电场测量具有十分重要的意义。在气象领域，监测地表及高空大气电场变化，可获知雷电的孕育、发展及发生信息，为雷电预警提供重要指标，从而为导弹和卫星等飞行器的发射升空提供重要的安全保障，也能够为森林、景区、输电线路、石化炼厂提供预警信息；在电网领域，监测输电线路及变电站等附近的电场，可准确获知交直流电压及相位信息，为智能电网输电状态提供重要参考，也可获知输电线路附近民宅等设施附近电场强度，为评估电网电磁环境影响提供依据；在石化领域，人体、设备、油气等当静电荷积累到一定程度后容易引发放电，造成火灾、爆炸等严重的安全事故，通过监测电场，评估静电高危区域带电情况，为石化领域安全生产提供有力支撑。
特别在地下电缆监测领域，对于电场监测能够非接触式的测得电缆的运行情况，因此电场传感器非常重要。电场传感器包含了两个重要的结构：屏蔽、感应电极，现有的有硅—玻璃衬底复合结构、硅膜屏蔽电极、金属薄膜屏蔽电极，但是这些电极加工的刻蚀、沉积金属等工艺技术非常复杂，成品率相对较低，因此需要一种多晶硅薄膜电极。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种多晶硅薄膜电极制备工艺，利用多晶硅材料优良的导电性，可以直接充当工作电极，一层多晶硅的生长就可以获得一个工作电极平面，相对体加工的刻蚀、沉积金属等工艺技术要简单的多，成品率相对较高。
为解决上述技术问题，本发明提供一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
进一步的，衬底的材料为石英、单晶硅或石墨。
进一步的，氧化硅或氮化硅颗粒膜采用喷涂、印刷或化学气相沉积制备。
进一步的，所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
进一步的，所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
进一步的，所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
进一步的，利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4或SiHCl3，氮源气体是NH3。
进一步的，利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4或SiHCl3，氧源气体是O2。
进一步的，所述多晶硅薄膜的沉积温度为800℃～1000℃。
进一步的，所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4或SiHCl3。
本发明的有益效果是：
1.多晶硅材料优良的导电性，可以直接充当工作电极，一层多晶硅的生长就可以获得一个工作电极平面，相对体加工的刻蚀、沉积金属等工艺技术要简单的多，成品率相对较高。
2.由于生长多晶硅的厚度可以很薄，因此振动单元的质量较小，能够获得高的谐振频率，有利于增大感应信号。
3.在两层多晶硅薄膜之间加入的氧化硅牺牲层，利用该牺牲层的疏松性能够轻松的分离两层多晶硅薄膜，且分离后的氧化硅清理掉附着物后可以重复使用，大大降低生产成本。
附图说明
图1为本发明多晶硅感应电极成型图；
图2为本发明氧化硅牺牲层成型图；
图3为本发明多晶硅屏蔽电极成型图；
图4为本发明去除牺牲层后的电极成型图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图1-4，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一，本实施例提供了一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
衬底的材料为石英。
氧化硅或氮化硅颗粒膜采用化学气相沉积制备。
所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氮源气体是NH3。
利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氧源气体是O2。
所述多晶硅薄膜的沉积温度为850℃。
所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4。
实施例二，本实施例提供了一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
衬底的材料为石英。
氧化硅或氮化硅颗粒膜采用化学气相沉积制备。
所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氮源气体是NH3。
利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氧源气体是O2。
所述多晶硅薄膜的沉积温度为900℃。
所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4。
实施例三，本实施例提供了一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
衬底的材料为石英。
氧化硅或氮化硅颗粒膜采用化学气相沉积制备。
所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氮源气体是NH3。
利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氧源气体是O2。
所述多晶硅薄膜的沉积温度为950℃。
所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4。
实施例四，本实施例提供了一种多晶硅薄膜电极制备工艺，包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
衬底的材料为石英、单晶硅或石墨。
氧化硅或氮化硅颗粒膜采用化学气相沉积制备。
所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氮源气体是NH3。
利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4，氧源气体是O2。
所述多晶硅薄膜的沉积温度为1000℃。
所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：
S1、首先在衬底上制备一层氮化硅绝缘层；
S2、在该氮化硅绝缘层高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作感应电极；
S3、在该多晶硅薄膜上方制备氧化硅牺牲层；
S4、在该氧化硅牺牲层上方高温下采用化学气相沉积技术沉积一层多晶硅薄膜用来制作屏蔽电极；
S5、利用氧化硅疏松性将氧化硅清除，分离开感应电机和屏蔽电极。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：衬底的材料为石英、单晶硅或石墨。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：氧化硅或氮化硅颗粒膜采用喷涂、印刷或化学气相沉积制备。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：所述第一层多晶硅薄膜的厚度为0.5微米。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：所述氧化硅牺牲层的厚度为0.5微米。
6.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：所述第二层多晶硅薄膜的厚度为2微米。
7.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：利用化学气相沉积的方法沉积氮化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4或SiHCl3，氮源气体是NH3。
8.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：利用化学气相沉积的方法沉积氧化硅绝缘层时，硅源气体为SiH4或SiHCl3，氧源气体是O2。
9.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：所述多晶硅薄膜的沉积温度为800℃～1000℃。
10.如权利要求1所述的多晶硅薄膜电极制备工艺，其特征在于：所述多晶硅薄膜的沉积所采用的气体为SiH4或SiHCl3。
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