CN109564987B - 等离子体设备和等离子体处理方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 42
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract description 96
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018967 Pt—Rh Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011038 discontinuous diafiltration by volume reduction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N lead dioxide Inorganic materials O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
一种等离子体设备(10)。用于对OLED多层膜结构(20)的阳极层(21)进行等离子体处理。等离子体设备(10)包括间隔设置的多个腔室(12)、与多个腔室(12)连接的导气管(14)、以及分别与多个腔室(12)对应连接的多个调节模块(16)。多个腔室(12)用于处理从导气管(14)进入的气体以产生等离子体并将等离子体排出。多个调节模块(16)用于分别调节多个腔室(12)产生的等离子体的浓度。一种等离子体处理方法。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体处理技术领域，特别涉及一种等离子体设备和等离子体处理方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)的多层膜结构包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层。OLED的多层膜结构形成阶梯式的能阶状态，使得阳极层提供的空穴和阴极层提供的电子更容易传输至有机发光层，空穴与电子结合后放出光子。然而，当空穴由阳极层注入空穴注入层时，阳极层与空穴注入层之间过大的位能差会产生萧基能障，使得空穴不易注入。为了降低位能差，一般通过等离子体设备对阳极层进行等离子体处理的方式来增加阳极层中的氧原子的饱和度，以达到提高阳极层的功函数的目的。目前的等离子体设备都是整体式的结构，对阳极层产生整体性的作用，无法消除阳极层的各区域之间的功函数的差异。
发明内容
本发明实施方式提供一种等离子体设备和等离子体处理方法。
本发明实施方式的等离子体设备，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
在某些实施方式中，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门，所述阀门用于调节进入所述腔室的所述气体的流量以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
在某些实施方式中，所述导气管包括开设有进气口的总路及与多个所述腔室对应的多条支路，所述腔室通过对应的所述支路连接至所述总路，多个所述阀门分别设置在多条所述支路上。
在某些实施方式中，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，所述电压调节器用于调节所述第一电极和/或所述第二电极的电压以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
在某些实施方式中，每个所述第二电极设置有均匀分布的多个出气口。
在某些实施方式中，每个所述腔室还包括相对的两个绝缘体侧壁，两个所述绝缘体侧壁连接所述第一电极及所述第二电极，并将相邻的两个所述腔室的两个所述第一电极间隔，及将相邻的两个所述腔室的两个所述第二电极间隔，相邻的两个所述腔室共用一个绝缘体侧壁。
在某些实施方式中，所述多个腔室通过绝缘体间隔设置。
在某些实施方式中，所述第一电极和所述第二电极为金属电极。
在某些实施方式中，所述阳极层采用铟锡氧化物材料。
本发明实施方式的等离子体处理方法，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，所述等离子体处理方法包括：
提供等离子体设备，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度；及
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
在某些实施方式中，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积来实现的。
在某些实施方式中，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。
在某些实施方式中，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积，和控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。
本发明实施方式的等离子体设备和等离子体处理方法，可通过调节模块调节多个腔室产生的等离子体的浓度，从而消除阳极层的各区域之间的功函数的差异，保证阳极层的功函数的均匀性。
本发明实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点可以从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明实施方式的等离子体设备的结构示意图；
图2是本发明实施方式的OLED多层膜结构的结构示意图；
图3是本发明实施方式的等离子体处理方法的流程示意图；
图4是本发明实施方式的等离子体设备的工作状态示意图；
图5是本发明另一实施方式的等离子体设备的结构示意图；
主要元件及符号说明：
等离子体设备10、腔室12、第一电极122、第二电极124、出气口1242、绝缘体侧壁126、导气管14、导气通道14a、总路142、进气口1422、支路144、调节模块16、阀门162、电压调节器164、OLED多层膜结构20、阳极层21、空穴注入层22、空穴传输层23、有机发光层24、电子传输层25、电子注入层26、阴极层27。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中，相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的实施方式的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明的实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的实施方式的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明的实施方式中的具体含义。
在本发明的实施方式中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的实施方式的不同结构。为了简化本发明的实施方式的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明的实施方式可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明的实施方式提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参阅图1和图2，本发明实施方式的等离子体设备10用于对OLED多层膜结构20的阳极层21进行等离子体处理。等离子体设备10包括间隔设置的多个腔室12、与多个腔室12连接的导气管14、以及分别与多个腔室12对应连接的多个调节模块16。多个腔室12用于处理从导气管14进入的气体以产生等离子体并将等离子体排出。多个调节模块16用于分别调节多个腔室12产生的等离子体的浓度。
请参阅图图1-图3，本发明实施方式的等离子体处理方法用于对OLED多层膜结构20的阳极层21进行等离子体处理，等离子体处理方法包括：
步骤S10：提供等离子体设备10，等离子体设备10包括间隔设置的多个腔室12、与多个腔室12连接的导气管14、以及分别与多个腔室12对应连接的多个调节模块16，多个腔室12用于处理从导气管14进入的气体以产生等离子体并将等离子体排出，多个调节模块16用于分别调节多个腔室12产生的等离子体的浓度；及
步骤S20：根据阳极层21的各区域之间的功函数的差异控制多个调节模块16调节多个腔室12产生的等离子体的浓度。
本发明实施方式的等离子体设备10和等离子体处理方法，能在阳极层21的各区域的功函数存在差异时，通过调节模块16调节多个腔室12产生的等离子体的浓度，从而在对阳极层21进行等离子体处理的过程中消除阳极层21的各区域之间的功函数的差异，保证阳极层21的功函数的均匀性。
请参阅图2，OLED多层膜结构20从下至上依次包括：阳极层21、空穴注入层22、空穴传输层23、有机发光层24、电子传输层25、电子注入层26和阴极层27。OLED多层膜结构20的多层结构形成阶梯式的能阶状态，使得阳极层21提供的空穴和阴极层27提供的电子更容易传输至有机发光层24，空穴与电子结合后放出光子。然而，当空穴由阳极层21注入空穴注入层22时，阳极层21与空穴注入层22之间过大的位能差会产生萧基能障，使得空穴不易注入。本发明实施方式的等离子体设备10和等离子体处理方法用于对阳极层21进行等离子体处理以提高阳极层21的功函数，从而降低阳极层21与空穴注入层22之间的位能差，并可通过多个调节模块16调节对应的各独立腔室12产生的等离子体的浓度，使得在提高阳极层21整体的功函数的基础上，达到消除阳极层21的各区域之间的功函数的差异的效果。
具体地，气体从导气管14进入各个腔室12，腔室12用于容纳气体并对气体进行等离子体处理以产生等离子体，并将等离子体排出以作用于阳极层21上的不同区域。根据阳极层21的各区域之间的功函数的差异控制多个调节模块16调节多个腔室12产生的等离子体的浓度包括：在阳极层21的某一区域的功函数相对于其他区域较低时，对应的调节模块16调节以增大作用于该区域的腔室12产生的等离子体的浓度以加强等离子体处理效果，使得阳极层21的各区域之间的功函数保持均匀；在阳极层21的某一区域的功函数相对于其他区域较高时，对应的调节模块16调节以降低作用于该区域的腔室12产生的等离子体的浓度以减弱等离子体处理效果，使得阳极层21的各区域之间的功函数保持均匀。例如，以图4为例，阳极层21的区域A的功函数相对于其他区域B较低，则通过对应的调节模块16来调节对应的腔室12(从上至下第二个腔室12)所产生的等离子体的浓度(具体为增大该对应的腔室12所产生的等离子体的浓度)以加强等离子体处理效果。在对阳极层21进行等离子体处理后，阳极层21的整个区域的功函数都得到了提高，区域A的功函数也与其他区域B的功函数相同，从而使得阳极层21的整个区域的功函数分布均匀的效果。
可以理解，功函数的差异通过一般的表面功函数测试仪即可检测得到，本发明实施方式的等离子体处理方法不限制功函数的差异的检测方法。
在本发明实施方式中，对OLED多层膜结构20的阳极层21进行等离子体处理为：将等离子体设备10产生的等离子体喷洒在阳极层21上，以增加阳极层21中的氧原子的饱和度，从而提高阳极层21的功函数。
在某些实施方式中，等离子体处理方法在步骤S20后还包括：将多个腔室12产生的等离子体喷洒在阳极层21上分别与多个腔室12对应的各区域。
在一个例子中，等离子体处理为O2-Plasma处理(氧等离子体处理)。从导气管14进入腔室12的气体可以为空气，如此，成本较低。当然，为了提高氧等离子体处理的效率等，从导气管14进入腔室12的气体也可以为氧气，或其他包含更高浓度的氧气的混合气体。
请再次参阅图1，在某些实施方式中，导气管14形成多条导气通道14a。每个调节模块16包括设置在多条导气通道14a上的阀门162。阀门162用于调节进入腔室12的气体的流量以调节腔室12产生的等离子体的浓度。
在某些实施方式中，导气管14形成多条导气通道14a。每个调节模块16包括设置在每条导气通道14a上的阀门162。步骤S20可通过控制多个阀门162的开放面积来实现。
可以理解，当阀门162的开放面积越大，由导气通道14a进入对应的腔室12的气体的流量越大，腔室12产生的等离子体的浓度越高，等离子体处理效果越强；当阀门162的开放面积越小，由导气通道14a进入对应的腔室12的气体的流量越小，腔室12产生的等离子体的浓度越低，等离子体处理效果越弱。在本实施方式中，步骤S20根据阳极层21的各区域之间的功函数的差异控制多个阀门162的开放面积，以调节对应的多个腔室12产生的等离子体的浓度。
在某些实施方式中，导气管14包括开设有进气口1422的总路142及与多个腔室12对应的多条支路144。腔室12通过对应的支路144连接至总路142。多个阀门162分别设置在多条支路144上。
具体地，多条支路144与总路142连接。气体从总路142的进气口1422进入，再经过分流进入各支路144以到达各个腔室12。各支路144无需设置单独的进气口1422，简化了导气管14的结构。各阀门162设置在各支路144上，以调节各支路144的气体的流量，从而调节对应的各个腔室12产生的等离子体的浓度。
请参阅图1和图5，在某些实施方式中，每个腔室12包括第一电极122和第二电极124。第一电极122和第二电极124相对设置。调节模块16为电压调节器164。每个电压调节器164对应一个腔室12，电压调节器164用于调节对应的腔室12的第一电极122和/或对应的腔室12的第二电极124的电压以调节对应的腔室12产生的等离子体的浓度。
在某些实施方式中，每个腔室12包括第一电极122和第二电极124。第一电极122和第二电极124相对设置。每个调节模块16包括电压调节器164。步骤S20可通过控制多个电压调节器164施加在第一电极122和/或第二电极124的电压来实现。
具体地，电压调节器164通过电源线连接至电源。电源用于为第一电极122和第二电极124提供电力供应，以使第一电极122和第二电极124之间形成交变电场，气体在电场的作用下放电离解、电离而生成等离子体。可以理解，等离子体是由部分电子被剥夺后的原子及原子团被电离后产生的正负离子组成的离子化气体状物质。
在一个实施方式中，电压调节器164连接对应的腔室12的第一电极122，对应的腔室12的第二电极124接地。电压调节器164用于调节第一电极122的电压，从而调节对应的腔室12产生的等离子体的浓度。
在一个实施方式中，电压调节器164连接对应的腔室12的第二电极124，对应的腔室12的第一电极122接地。电压调节器164用于调节第二电极124的电压，从而调节对应的腔室12产生的等离子体的浓度。
在一个实施方式中，电压调节器164连接对应的腔室12的第一电极122和对应的腔室12的第二电极124。电压调节器164用于调节对应的腔室12的第一电极122的电压和对应的腔室12的第二电极124的电压，从而调节腔室12产生的等离子体的浓度。
当电压调节器164调节施加在第一电极122和/或第二电极124的电压以使得电场的强度增强时，对应的腔室12产生的等离子体的浓度越高，等离子体处理效果越强；当电压调节器164调节施加在第一电极122和/或第二电极124的电压以使得电场的强度减弱时，对应的腔室12产生的等离子体的浓度越低，等离子体处理效果越弱。
在本实施方式中，步骤S20根据阳极层21的各区域之间的功函数的差异控制多个电压调节器164施加在第一电极122和/或第二电极124的电压，以分别调节多个腔室12产生的等离子体的浓度。
在某些实施方式中，导气管14形成多条导气通道14a。每个调节模块16包括设置在每条导气通道14a上的阀门162。每个腔室12包括第一电极122和第二电极124。第一电极122和第二电极124相对设置。每个调节模块16包括电压调节器164。步骤S20可通过控制多个阀门162的开放面积，和控制多个电压调节器164施加在第一电极122和/或第二电极124的电压来实现。
具体地，调节模块16可以同时包括阀门162和电压调节器164，阀门162用于调节进入腔室12的气体的流量，电压调节器164用于调节第一电极122和/或第二电极124的电压。在本实施方式中，步骤S20根据阳极层21的各区域之间的功函数的差异控制多个阀门162的开放面积，和控制多个电压调节器164施加在第一电极122和/或第二电极124的电压，以调节多个腔室12产生的等离子体的浓度。
请参阅图1，在某些实施方式中，每个第二电极124设置有均匀分布的多个出气口1242。
具体地，多个出气口1242均匀分布，使得每个腔室12排出的等离子体均匀的作用于阳极层21上的对应区域，有利于同一个腔室12作用在阳极层21上的对应区域的各处的功函数保持均匀。
在一个例子中，出气口1242为圆孔状。在其他例子中，出气口1242还可为方孔、椭圆形孔、三角形孔等等各种形状。
在某些实施方式中，每个腔室12还包括相对的两个绝缘体侧壁126。两个绝缘体侧壁126连接第一电极122及第二电极124，并将相邻的两个腔室12的两个第一电极122间隔，及将相邻的两个腔室12的两个第二电极124间隔。相邻的两个腔室12共用一个绝缘体侧壁126。
具体地，绝缘体侧壁126可以采用陶瓷材料。陶瓷材料对氧等离子体具有较好的耐腐蚀性，且具有良好的电绝缘性，能够承受第一电极122和/或第二电极124上施加的高压，并能实现将相邻的两个腔室12的第一电极122和第二电极124的电隔离和相邻的两个腔室12之间的气体隔离。
另外，相邻的两个腔室12共用一个绝缘体侧壁126有利于减小成本和减小占用体积。
在某些实施方式中，多个腔室12通过绝缘体间隔设置。同理，绝缘体可以采用陶瓷材料，在此不再详细说明。
在某些实施方式中，第一电极122和第二电极124为金属电极。
具体地，第一电极122和第二电极124可以采用单一金属、合金或金属氧化物等，例如，第一电极122和第二电极124为单一金属时，可以为Ni、Fe、Pb、Pt、Hg、及Ti等中的任意一种。第一电极122和第二电极124为合金时，可以为Pt-Rh合金、Pt-Au合金、及Pt-Pd合金等中的任意一种。第一电极122和第二电极124为金属氧化物时，可以为RuO2、MnO2、PbO2、及NIO等中的任意一种。
在某些实施方式中，阳极层21采用铟锡氧化物材料。由于铟锡氧化物(ITO)材料具有很好的导电性和透明性，阳极层21可以阻断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。
本发明实施方式的腔室12和调节模块16的个数可以根据实际情况来确定，例如可以根据如玻璃世代(例如，阳极层21)的尺寸来确定。在玻璃的尺寸相同的情况下，腔室12的个数越多，等离子体处理达到的效果越好。当然，在确定腔室12的个数时，也应该考虑到技术难度和成本问题。
本发明实施方式的等离子体设备10的示例中，多个腔室12呈一行或一列分布，每个腔室12对应阳极层21的一行或一列的区域。需要指出的是，多个腔室12也可以呈矩阵分布。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理模块的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，"计算机可读介质"可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(控制方法)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。
应当理解，本发明的实施方式的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
此外，在本发明的各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施方式，可以理解的是，上述实施方式是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施实施进行变化、修改、替换和变型。
Claims (13)
1.一种等离子体设备，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，其特征在于，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度，及根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
2.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在每条所述导气通道上的阀门，所述阀门用于调节进入所述腔室的所述气体的流量以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
3.根据权利要求2所述的等离子体设备，其特征在于，所述导气管包括开设有进气口的总路及与多个所述腔室对应的多条支路，所述腔室通过对应的所述支路连接至所述总路，多个所述阀门分别设置在多条所述支路上。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，所述电压调节器用于调节所述第一电极和/或所述第二电极的电压以调节所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
5.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述第二电极设置有均匀分布的多个出气口。
6.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，每个所述腔室还包括相对的两个绝缘体侧壁，两个所述绝缘体侧壁连接所述第一电极及所述第二电极，并将相邻的两个所述腔室的两个所述第一电极间隔，及将相邻的两个所述腔室的两个所述第二电极间隔，相邻的两个所述腔室共用一个绝缘体侧壁。
7.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述多个腔室通过绝缘体间隔设置。
8.根据权利要求4所述的等离子体设备，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极为金属电极。
9.根据权利要求1所述的等离子体设备，其特征在于，所述阳极层采用铟锡氧化物材料。
10.一种等离子体处理方法，用于对OLED多层膜结构的阳极层进行等离子体处理，其特征在于，所述等离子体处理方法包括：
提供等离子体设备，所述等离子体设备包括间隔设置的多个腔室、与多个所述腔室连接的导气管、以及分别与多个所述腔室对应连接的多个调节模块，多个所述腔室用于处理从所述导气管进入的气体以产生等离子体并将所述等离子体排出，多个所述调节模块用于分别调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度；及
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在多条所述导气通道上的阀门，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积来实现的。
12.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。
13.根据权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于，所述导气管形成多条导气通道，每个所述调节模块包括设置在每条所述导气通道上的阀门，每个所述腔室包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，每个所述调节模块包括电压调节器，
根据所述阳极层的各区域之间的功函数的差异控制多个所述调节模块调节多个所述腔室产生的所述等离子体的浓度是通过控制多个所述阀门的开放面积，和控制多个所述电压调节器施加在所述第一电极和/或所述第二电极的电压来实现的。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2017/089989 WO2019000164A1 (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 等离子体设备和等离子体处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109564987A CN109564987A (zh) | 2019-04-02 |
| CN109564987B true CN109564987B (zh) | 2021-06-11 |
Family
ID=64742686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201780050105.XA Active CN109564987B (zh) | 2017-06-26 | 2017-06-26 | 等离子体设备和等离子体处理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109564987B (zh) |
| WO (1) | WO2019000164A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115446061B (zh) * | 2022-09-05 | 2023-11-24 | 乐金显示光电科技(中国)有限公司 | Oled模块的处理方法、装置、电子设备及存储介质 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102460649A (zh) * | 2009-05-13 | 2012-05-16 | 应用材料公司 | 经阳极处理的喷头 |
| CN102610765A (zh) * | 2012-04-06 | 2012-07-25 | 复旦大学 | 一种提高氧化铟锡透明导电膜表面功函数的表面修饰方法 |
| CN103117201A (zh) * | 2011-11-17 | 2013-05-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Pecvd装置及半导体器件的形成方法 |
| CN106816353A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 等离子体源单元、等离子体源装置及其应用 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5192214B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法 |
-
2017
- 2017-06-26 CN CN201780050105.XA patent/CN109564987B/zh active Active
- 2017-06-26 WO PCT/CN2017/089989 patent/WO2019000164A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102460649A (zh) * | 2009-05-13 | 2012-05-16 | 应用材料公司 | 经阳极处理的喷头 |
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| CN106816353A (zh) * | 2015-12-02 | 2017-06-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 等离子体源单元、等离子体源装置及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019000164A1 (zh) | 2019-01-03 |
| CN109564987A (zh) | 2019-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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|
| GR01 | Patent grant | ||
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