CN109547123B - 一种td-lte基站电磁辐射预测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种TD‑LTE基站电磁辐射预测方法,该方法根据实际TD‑LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行配比,结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率,从而得到不同预测点位的TD‑LTE基站电磁辐射强度。本发明提出了一种新的TD‑LTE基站电磁辐射预测方法,该方法对TD‑LTE基站电磁辐射预测有着很大的参考价值。
Description
技术领域
本发明涉及一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法。
背景技术
随着通信事业的快速发展,移动通信已经渗透到社会生活各个方面,给人们带来极大的便利,也使人们对移动通信基站的电磁辐射问题产生焦虑,通信基站的电磁辐射与基站天线的发射功率、增益、损耗以及基站系统的配置结构等参数相关,而且基站厂家给出的功率不是天线端口实际发射功率,如果不考虑这些因素,很难对基站电磁辐射进行有效的预测,在目前已公开的文献和专利中,还没有针对天线端口实际发射功率的一种TD-LTE(Time Division Long Term Evolution)基站电磁辐射预测方法。
针对现有技术中存在的不足,本专利提出了一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,该方法根据实际TD-LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行配比,结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率,从而得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度。通过本发明提出的预测方法,对TD-LTE基站电磁辐射预测有着很大的参考价值。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,包括以下步骤:
1)、根据TD-LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行比例A;
2)、通过步骤1)得到的下行比例A,并结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率P,单位为dBm;
3)、根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P,得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S,单位为μW/cm2。
上述的一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,所述步骤1)中,基站上下行配比中的下行比例A的表达式为:
上式中,A为基站上下行配比中的下行比例,a为下行子帧所占比例,b为特殊子帧所占比例,c为下行导频时隙长度,单位为ms,d为特殊子帧长度,单位为ms。
上述的一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,所述步骤2)中,天线端口实际发射功率P的表达式为:
P=10×(log10(P1×A×B×η×n×m)+3)
上式中,P为天线端口实际发射功率,单位为dBm,P1为单通道发射功率,单位为W,A为基站上下行配比中的下行比例,B为基站系统网络负荷比例,η为智能天线效率,n为基站通道数,单位为个,m为基站载波数,单位为个。
上述的一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,所述步骤3)中,根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P,得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S的表达式为:
上式中,S为TD-LTE基站电磁辐射强度,单位为μW/cm2,P为天线端口实际发射功率,单位为dBm,G为天线增益,单位为dBi,L为天线系统损耗,单位为dB,r为在天线轴向上测量位置与天线的距离,单位为m。
本发明的有益效果在于:本方法根据实际TD-LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行配比,结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率,从而得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度。通过本发明提出的评估方法,对TD-LTE基站电磁辐射预测有着很大的参考价值。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
本发明实施地点为室外,实施对象为TD-LTE基站,测量设备采用KEYSIGHT N9918A便携式频谱分析仪和接收天线,天线增益G=15dBi,天线系统损耗L=6.2dB。
本发明的一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,包括以下步骤:
1)、根据TD-LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行比例A;
2)、通过步骤1)得到的下行比例A,并结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率P,单位为dBm;
3)、根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P,得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S,单位为μW/cm2。
所述步骤1)中,通过TD-LTE基站网管系统可得到,下行子帧所占比例a=60%,特殊子帧所占比例b=20%,下行导频时隙长度c=10ms,特殊子帧长度d=14ms,因此,其上下行配比中的下行比例为A:
所述步骤2)中,已知基站系统网络负荷比例B=40%,基站单通道发射功率P1=5W,智能天线效率η=80%,基站通道数n=8个,基站载波数m=3个,结合步骤1)中得到的下行比例A,求出天线端口实际发射功率P为:
P=10×(log10(P1×A×B×η×n×m)+3)
=10×(log10(5×74.3%×40%×80%×8×3)+3)
=44.55dBm
所述步骤3)中,天线增益G=15dBi,天线系统损耗L=6.2dB,结合步骤2)得到的天线端口实际发射功率P=44.55dBm,根据公式
上式中,r为在天线轴向上测量位置与天线的距离,单位为m,将不同的r值代入上式,可得到相应预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S,并且S的预测值以及相对应的实际测量值S1如表1所示:
表1 TD-LTE基站电磁辐射强度S的预测值以及相对应的实际测量值S1
r(m) | 15 | 20 | 25 | 30 | 35 | 40 | 45 |
S(μW/cm<sup>2</sup>) | 7.65 | 4.30 | 2.75 | 1.91 | 1.40 | 1.08 | 0.85 |
S<sub>1</sub>(μW/cm<sup>2</sup>) | 7.74 | 4.37 | 2.81 | 1.95 | 1.44 | 1.13 | 0.87 |
经过表1中预测值与测量值对比,发现预测值与测量值比较一致,验证了本发明专利提出的预测方法的有效性。
Claims (1)
1.一种TD-LTE基站电磁辐射预测方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、根据TD-LTE基站系统的帧结构,得到基站上下行配比中的下行比例A:
上式中,A为基站上下行配比中的下行比例,a为下行子帧所占比例,b为特殊子帧所占比例,c为下行导频时隙长度,单位为ms,d为特殊子帧长度,单位为ms;
2)、通过步骤1)得到的下行比例A,并结合基站系统网络负荷比例、基站单通道发射功率、智能天线效率、基站通道数以及基站载波数,得到天线端口实际发射功率P:
P=10×(log10(P1×A×B×η×n×m)+3)
上式中,P为天线端口实际发射功率,单位为dBm,P1为单通道发射功率,单位为W,A为基站上下行配比中的下行比例,B为基站系统网络负荷比例,η为智能天线效率,n为基站通道数,单位为个,m为基站载波数,单位为个;
3)、根据步骤2)得到的天线端口实际发射功率P,得到不同预测点位的TD-LTE基站电磁辐射强度S:
上式中,S为TD-LTE基站电磁辐射强度,单位为μW/cm2,P为天线端口实际发射功率,单位为dBm,G为天线增益,单位为dBi,L为天线系统损耗,单位为dB,r为在天线轴向上测量位置与天线的距离,单位为m。
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