CN109546848A - 一种逆变器的过压保护部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种逆变器的过压保护部件,为每相电路设置过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且电路结构相同,在每个过压保护单元设置结构对应的上桥臂电路和下桥臂电路,上下桥臂电路均设置相应的缓冲电容,用于吸收过压;当过压超出缓冲电容的吸收能力时,还可通过电阻放电,增大过压的吸收能力;在外部直流电源的正负母线之间并联蓄能电容器,各缓冲电容吸收的电能量释放到蓄能电容器中,用于为逆变器提供输入电压,有效利用过压的电能量为逆变器工作,并钳制MOSFET器件的漏源电压在正常范围内,既能有效利用过压,又能有效消除过压。
Description
技术领域
本发明涉及过压保护部件,具体涉及一种逆变器的过压保护部件。
背景技术
逆变器用于将直流电转变成交流电,主要包括金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和与之并联的续流二极管。MOSFET快速关断时会产生很大的过压,续流二极管反向恢复时两端电压急剧升高,MOSFET同样会产生很大的过压。MOSFET对电压非常敏感,一旦过压超过MOSFET的最大耐压值,会使得MOSFET过热甚至击穿,还会增大开关损耗、危害电机相间绝缘、产生强烈的电磁干扰,影响设备的正常运行。
在逆变器增设吸收电路可解决上述技术问题,吸收电路包括C型、RC型、RCD充放电型以及RCD放电阻止型。C型吸收电路的缺点在于随着功率级别的增大,吸收电路中的电容与直流母线寄生电感形成LC振荡电路,当MOSFET导通时,电容通过MOSFET放电会导致漏极电流急剧增大;RC型吸收电路的缺点在于使用大容量MOSFET时会引起漏极电流升高,吸收效果变差;RCD充放电型吸收电路的缺点在于在功率增大时,回路寄生电感变大,不能有效控制瞬变电压,虽有很好的过压吸收能力,但仍会引起漏极电流升高,损耗增大;RCD放电阻止型吸收电路将过压的能量回馈给电源,其优点在于产生的功耗小、能有效抑制振荡、回路寄生电感小、过压抑制效果好、不会引起集电极电流上升,适合高频大功率的逆变器,其缺点在于吸收电路中的电容只能将过压能量回馈给电源,当MOSFET的漏极电流过大时,过压吸收不完全。
发明内容
本发明提供一种逆变器的过压保护部件,解决现有逆变器不能有效消除过压导致设备稳定性差的问题。
本发明通过以下技术方案解决上述问题:
一种逆变器的过压保护部件,包括至少一个过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且结构相同;所述过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管,分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管;所述第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连,所述第二二极管的阳极接地,所述第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连,第一MOSFET的漏极接外部直流电源;所述第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第二MOSFET的源极接地,所述第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连,所述第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连,所述第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
进一步地,所述第一MOSFET为Q8、第二MOSFET为Q5、第一电阻为R1、第二电阻为R3、第三电阻为R2、第四电阻为R4、第一电容为C1、第二电容为C8、第一二极管为D2、第二二极管为D3、第三二极管为D4以及第四二极管为D1;所述Q8、R1、R3、C1、D2、D3组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述R1并联在Q8的漏极和源极之间,所述C1和D2串联之后并联在Q8的漏极和源极之间,所述D2的阳极经R3与D3的阴极相连,所述D3的阳极接地,所述D2的阴极与Q8的源极相连,Q8的源极与Q5的漏极相连,Q8的漏极接外部直流电源;所述Q5、R2、R4、C8、D4和D1组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述R2并联在Q5的漏极和源极之间,所述D4和C8串联之后并联在Q5的漏极和源极之间,所述Q5的源极接地,所述D4的阳极与Q5的漏极相连,所述D4的阴极经R4与D1的阳极相连,所述D1的阴极与Q8的漏极相连。
进一步地,所述第一电阻和第三电阻为压敏电阻。
进一步地,所述各二极管为快恢复二极管或肖特基二极管。
进一步地,在所述外部直流电源的正负母线之间并联接入蓄能电容器。
与现有技术相比,具有如下特点:
为每相电路设置过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且电路结构相同,在每个过压保护单元设置结构对应的上桥臂电路和下桥臂电路,上下桥臂电路均设置相应的缓冲电容,用于吸收过压;当过压超出缓冲电容的吸收能力时,还可通过电阻放电,增大过压的吸收能力;在外部直流电源的正负母线之间并联蓄能电容器,各缓冲电容吸收的电能量释放到蓄能电容器中,用于为逆变器提供输入电压,有效利用过压的电能量为逆变器工作,并钳制MOSFET器件的漏源电压在正常范围内,既能有效利用过压,又能有效消除过压。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。
图1为本发明结构原理框图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明,但本发明并不局限于这些实施例。
一种逆变器的过压保护部件,包括至少一个过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且结构相同;过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管,分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管;第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连,第二二极管的阳极接地,第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连,第一MOSFET的漏极接外部直流电源;第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,第二MOSFET的源极接地,第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连,第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连,第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
本发明应用在电动叉车控制系统时,外部直流电源为+48V,逆变器包括A、B、C三相电路,为每相电路设置过压保护单元,各过压保护单元的电路结构完全相同,用于消除各相电路上的MOSFET器件产生的过压。
A相的过压保护单元中,第一MOSFET为Q8、第二MOSFET为Q5、第一电阻为R1、第二电阻为R3、第三电阻为R2、第四电阻为R4、第一电容为C1、第二电容为C8、第一二极管为D2、第二二极管为D3、第三二极管为D4以及第四二极管为D1;Q8、R1、R3、C1、D2、D3组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,R1并联在Q8的漏极和源极之间,C1和D2串联之后并联在Q8的漏极和源极之间,D2的阳极经R3与D3的阴极相连,D3的阳极接地GND,D2的阴极与Q8的源极相连,Q8的源极与Q5的漏极相连,Q8的漏极接外部直流电源;Q5、R2、R4、C8、D4和D1组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,R2并联在Q5的漏极和源极之间,D4和C8串联之后并联在Q5的漏极和源极之间,Q5的源极接地GND,D4的阳极与Q5的漏极相连,D4的阴极经R4与D1的阳极相连,D1的阴极与Q8的漏极相连。
同理,在B相的过压保护单元中,对应的两个MOSFET分别为Q3和Q4,对应的四个电阻分别为R17、R9、R33和R15,对应的两个电容分别为C6和C17,对应的四个二极管分别为D13、D11、D5和D8,各器件的电路连接与A相的过压保护单元对应相同。
同理,在C相的过压保护单元中,对应的两个MOSFET分别为Q1和Q2,对应的四个电阻分别为R18、R11、R34和R23,对应的两个电容分别为C7和C18,对应的四个二极管分别为D7、D12、D6和D9,各器件的电路连接与A相的过压保护单元对应相同。
为充分吸收和利用MOSFET产生的过压能量,提高相电路的可靠性和电磁兼容性,在设置各过压保护单元的基础上,还在所述外部直流电源的正负母线之间并联接入蓄能电容器,用于吸收缓冲电容C1、C8释放的电能,同时,蓄能电容器还起到滤波作用,在外部直流电源的正负母线之间提供低阻抗的放电回路。另外,过压会注入外部直流电源,产生频谱分量复杂、幅值很高的电源噪声,既降低自身性能,又对周围设备产生电磁干扰,蓄能电容器的设置,能吸收该电源噪声,改善外部直流电源性能,消除对周围设备的电磁干扰。
蓄能电容器为大小不等的几组电容,并联接入直流电源的正负母线上,均匀分布在三相桥臂的周围,蓄能电容器在蓄能的同时起到滤波作用。蓄能电容器用于吸收缓冲电容C1放出的电能,具有平缓电压和滤波的作用。在逆变器中,蓄能电容器是外部直流电源与电机之间的储能元件,起到稳定逆变器母线电压的作用,直接影响设备的功率密度、安全性和可能性。蓄能电容器容值越大,外部直流电源输出的电压就越稳定,但是蓄能电容器不宜选择电容过大的电解电容,大电容在高频时显现出来电感特性失去滤波的作用。因此,蓄能电容器应选用小于10微法的陶瓷电容,为了提高储能电容对高频杂波的吸收能力,在蓄能电容器的基础上加装100nF×3个陶瓷电容,电容必须均匀的分布在三相桥臂的MOSFET器件旁,使得在宽频率范围内仍具有很好的滤波效果。
电阻R1为压敏电阻,同理,电阻R2也为压敏电阻。金属氧化物压敏电阻是一种良好的电压尖峰抑制器件,具有响应快、能够抑制高过压、窄宽度过压的特点。金属氧化物压敏电阻具有通容电流大,漏电流小的优点,广泛的应用到大功率逆变器中,同时压敏电阻也等效为与电机并联接入逆变器中,也能起到保护电机相间绝缘的作用,当电机反电势过高时,压敏电阻可以保护逆变器不被击穿。
6路SVPWM信号分别输入至Q8、Q5、Q3、Q4、Q1和Q2的栅极,各MOSFET器件在SVPWM驱动信号的控制下进行导通和关断,以产生三相对称可调的交流电驱动电机。
A相过压保护单元中Q8关断时,其漏极和源极之间产生过压,过压通过二极管D2向缓冲电容C1充电,逆变器中的寄生电感的磁场能量转换为电场能量存储在缓冲电容C1中,当缓冲电容C1充电结束后,二极管D2阻止缓冲电容C1通过Q8放电,缓冲电容C1通过二极管D3和电阻R3向蓄能电容器充电,过压的能量再次转换为可以利用的电能存储在蓄能电容器中。当产生的过压超出缓冲电容C1的吸收能力时,压敏电阻R1的阻值急剧减小,快速泄放能量,钳制漏源电压在正常范围内。同理,A相过压保护单元Q5关断时,产生的过压通过二极管D4向电容C8充电,逆变器的寄生电感的电磁能量转化为电场能存入电容C8中,抑制了Q5漏源过电压的产生。C8储存的电场能量通过电阻R4和二极管D1向蓄能电容器泄能,防止Q5的漏极电流升高。当Q5的关断电流过大,产生的过压超出电容C8的吸收能力时,压敏电阻R2的阻值急剧减小,快速泄放掉寄生电感产生的能量,把Q5漏源间电压稳定在正常范围内。通过上述介绍可知,该过压保护单元中的电容不会与寄生电感形成LC振荡电路,不会增大电路中的寄生电感,不会出现Q8漏极电流急剧增大的情况,也不会增大开关损耗,且吸收方式并非单一,不会出现过压吸收不完全的现象,吸收过压的效果好。
各二极管为正向导通压降小、反向耐压有足够余量、反向恢复时间短的快恢复二极管或肖特基二极管。一旦二极管的反向恢复时间延长,过压保护单元的功耗就会变大,在二极管反向恢复时MOSFET的漏源极间电压就会发生大幅度的振荡,因此要选择瞬态正向压降低,反向恢复平顺且时间短的二极管。二极管D3可以防止电路发生振荡,电阻R3则用于限流。
由于过压保护单元中的上下桥臂电路结构相对应,各过压保护单元电路结构相同,因此,通过上述求解方式,可对应地计算出各缓冲电容以及各电阻值的取值。
Claims (5)
1.逆变器的过压保护部件,其特征在于:
包括至少一个过压保护单元,各过压保护单元并联连接,且结构相同;
所述过压保护单元包括两个MOSFET、四个电阻、两个电容以及四个二极管,分别为第一MOSFET、第二MOSFET、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管以及第四二极管;
所述第一MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一电容、第一二极管、第二二极管组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述第一电阻并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一电容和第一二极管串联之后并联在第一MOSFET的漏极和源极之间,所述第一二极管的阳极经第二电阻与第二二极管的阴极相连,所述第二二极管的阳极接地,所述第一二极管的阴极与第一MOSFET的源极相连,第一MOSFET的源极与第二MOSFET的漏极相连,第一MOSFET的漏极接外部直流电源;
所述第二MOSFET、第三电阻、第四电阻、第二电容、第三二极管和第四二极管组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述第三电阻并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第三二极管和第二电容串联之后并联在第二MOSFET的漏极和源极之间,所述第二MOSFET的源极接地,所述第三二极管的阳极与第二MOSFET的漏极相连,所述第三二极管的阴极经第四电阻与第四二极管的阳极相连,所述第四二极管的阴极与第一MOSFET的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护部件,其特征在于:
所述第一MOSFET为Q8、第二MOSFET为Q5、第一电阻为R1、第二电阻为R3、第三电阻为R2、第四电阻为R4、第一电容为C1、第二电容为C8、第一二极管为D2、第二二极管为D3、第三二极管为D4以及第四二极管为D1;
所述Q8、R1、R3、C1、D2、D3组成上桥臂电路;在上桥臂电路中,所述R1并联在Q8的漏极和源极之间,所述C1和D2串联之后并联在Q8的漏极和源极之间,所述D2的阳极经R3与D3的阴极相连,所述D3的阳极接地,所述D2的阴极与Q8的源极相连,Q8的源极与Q5的漏极相连,Q8的漏极接外部直流电源;
所述Q5、R2、R4、C8、D4和D1组成下桥臂电路;在下桥臂电路中,所述R2并联在Q5的漏极和源极之间,所述D4和C8串联之后并联在Q5的漏极和源极之间,所述Q5的源极接地,所述D4的阳极与Q5的漏极相连,所述D4的阴极经R4与D1的阳极相连,所述D1的阴极与Q8的漏极相连。
3.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护部件,其特征在于:所述第一电阻和第三电阻为压敏电阻。
4.根据权利要求1所述的逆变器的过压保护部件,其特征在于:所述各二极管为快恢复二极管或肖特基二极管。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的逆变器的过压保护部件,其特征在于:在所述外部直流电源的正负母线之间并联接入蓄能电容器。
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CN201811379868.1A CN109546848A (zh) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | 一种逆变器的过压保护部件 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112234810A (zh) * | 2020-09-04 | 2021-01-15 | 西安交通大学 | 一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路 |
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2018
- 2018-11-12 CN CN201811379868.1A patent/CN109546848A/zh active Pending
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