CN109545916A - 一种紫外led外延片结构及其制备方法 - Google Patents
一种紫外led外延片结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109545916A CN109545916A CN201811453587.6A CN201811453587A CN109545916A CN 109545916 A CN109545916 A CN 109545916A CN 201811453587 A CN201811453587 A CN 201811453587A CN 109545916 A CN109545916 A CN 109545916A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- type algan
- constituent content
- type
- ultraviolet led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 5
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 138
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种紫外LED外延片结构及其制备方法,属于半导体技术领域,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN插入层、电子阻档层、P型AlGaN层、P型GaN层;所述的P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长,从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形。本发明可以改善紫外LED的内量子效率低和光输出功率低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种紫外LED外延片结构及其制备方法。
背景技术
根据不同波长范围,紫外光可划分为:长波紫外UVA(320-400nm)、中波紫外UVB(280-320nm)、短波紫外UVC(200-280nm)和真空紫外Vacuum UV(10-200nm)。对于不同波长范围的紫外光在不同的领域具有非常强大的市场价值,如:长波紫外UVA(320-400nm)被应用在UV固化、防伪鉴定等。此外,紫外LED具有节能、环保、安全、寿命长、低耗、低热等优点。因此,紫外LED越来越受研究者们的关注。
当前制备紫外LED外延片主要采用III族氮化物AlGaN材料,其禁带宽度适合制备出紫外波段器件,并且可以通过改变材料中Al组分來得到不同禁带宽度的AlGaN材料。因此,通常采用改变紫外LED量子阱内的Al组分的大小来制备出发射波长在200-400nm内变化的紫外LED。但是就目前工艺技术制备出的AlGaN仍存在如下问题:1)高Al组分III族氮化物材料的高缺陷密度导致严重的非辐射复合;2)强大的极化场引起能带弯曲致使量子阱内大部分电子的泄露。这就使得紫外LED面临内量子效率、光输出功率均比较低等问题。
发明内容
有鉴于此,本发明要解决的技术问题是提供一种紫外LED外延片结构及其制备方法,以解决现有紫外LED外延片多量子阱发光层中电子泄露、空穴注入效率低等问题。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案如下:
一种紫外LED外延片结构,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型AlGaN层、AlxGa1- xN/AlyGa1-yN多量子阱层、P型AlGaN插入层、P型AlGaN电子阻档层、P型AlGaN层、P型GaN层;所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中AI组分含量x<y;
所述的P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层中AI组分含量线性降低从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层中AI组分含量线性增长从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形。
进一步的,所述的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中,AlxGa1-xN为阱层,AlyGa1-yN为垒层,且AI组分含量0≤x<y<1。
进一步的,所述的P型AlGaN电子阻档层为AlmGa1-mN,AI组分含量m的取值范围为:y<m<1。
进一步的,所述的P型AlGaN插入层的总厚度为10-20nm。
进一步的,所述的P型AlGaN插入层中每一层AI组分厚度为1-4nm。
进一步的,所述的P型AlGaN插入层中除最后一层AI组分线性增加层以外其他AI组分线性增加层为AlznGa1-znN,zn为第n个组分线性增加结构层AI组分值,该层AI组分值zn以上一层AI组分值最小值为初始值线性递增到yan,其中yan为第n个Al组分线性增加结构层AI组分值最大值,其中y<yan<1;所述的P型AlGaN插入层除第一层和最后一层AI组分线性增加层以外其他AI组分线性增加层为AlaGa1-aN,该层Al组分值由初始值yb线性递增到a,其中a的取值范围为yb<a<1。
进一步的,所述的P型AlGaN插入层中AI组分线性下降的结构层为AlbnGa1-bnN,该层AI组分值bn以上一层AI组分值最大值为初始值线性降低到ybn,其中bn为第n个组分线性下降结构层AI组分值,ybn为第n个组分线性下降结构层AI组分值最小值,n为正整数,其中0<ybn<yan<1。
进一步的,所述的P型AlGaN插入层从底向上最后一层为AlnGa1-nN,该层AI组分值n以上一层下降结构层的组分最小值为初始值线性递增到m。
本发明还提供一种紫外LED外延片结构制备方法,包含以下步骤:
在氢气气氛、温度为1000-1100℃下,在衬底上生长一层2.5-3μm厚的非掺杂AlGaN缓冲层;
在氢气气氛且温度1000-1200℃下,在缓冲层上生长N型铝镓氮层,其厚度为2.5-3μm,N型掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3;
在氮气气氛、温度为1000℃下,在N型铝镓氮层上生长多量子阱发光层,其中量子阱厚度为3-7nm,量子垒厚度为9-20nm;
在氮气气氛、温度为900-1000℃下,在发光层上生长P型AlGaN插入层,所述P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形;
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN插入层上生长P型AlGaN电子阻档层,其厚度为15-25nm,P型掺杂浓度为1×1017-2×1017cm-3;
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN电子阻档层上生长P型AlGaN层,其厚度为80-100nm,P型掺杂浓度为1×1017-2×1017cm-3;
最后在氢气气氛且温度为900-1000℃下生长P型铝镓氮层,其厚度为10-20nm,P型掺杂浓度为1×1018-2×1018cm-3。
本发明实现的紫外LED外延片结构及其制备方法,在外延片的发光层与电子阻挡层之间设置AI组份含量呈锯齿状的插入层,可以进一步阻挡电子的泄露,以及起到了储存空穴的作用,最终可以改善紫外LED的内量子效率低和光输出功率低的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的AlGaN基紫外LED外延片的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的AlGaN基紫外LED外延片的结构中的插入层的结构示意图;
图3为本发明的AlGaN基紫外LED内量子效率结果图;
图4为本发明的AlGaN基紫外LED光输出功率结果图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,以下结合附图和实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种紫外LED外延片结构,如图1所示,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层、P型AlGaN插入层、P型AlGaN电子阻档层、P型AlGaN层、P型GaN层;所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中AI组分含量x<y;优选的,所述衬底优选蓝宝石衬底,所述缓冲层为未掺杂缓冲层,所述N型AlGaN层为Al0.15Ga0.85N,其厚度为3μm,掺杂元素为硅且浓度为5×1018cm-3;所述P型AlGaN电子阻档层为Al0.3Ga0.7N,其厚度为20nm,掺杂元素为镁且浓度为1×1017cm-3。所述P型AlGaN层为Al0.15Ga0.85N,其厚度为90nm,掺杂元素为镁且浓度为1×1017cm-3;所述P型GaN层,其厚度为10nm,掺杂元素为镁且浓度为2×1018cm-3。
本实施例所涉及的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中,AlxGa1-xN为阱层,AlyGa1-yN为垒层,且AI组分含量0≤x<y<1;所述的P型AlGaN电子阻档层为AlmGa1-mN,AI组分含量m的取值范围为:y<m<1。例如,所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层(x<y)为6个周期的GaN/Al0.15Ga0.85N多量子阱层,其中阱的厚度为3nm,垒的厚度为9nm。
本实施例所涉及的P型AlGaN插入层包含多层,如图2所示,由底向上分为奇数层和偶数层,每一层AI组分厚度为1-4nm;其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低;或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长,从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形。所述的P型AlGaN插入层的总厚度为10-20nm;所述的P型AlGaN插入层中除最后一层AI组分线性增加层以外其他AI组分线性增加层为AlznGa1-znN,zn为第n个组分线性增加结构层AI组分值,该层AI组分值zn以上一层AI组分值最小值为初始值线性递增到yan,其中yan为第n个Al组分线性增加结构层AI组分值最大值,其中y<yan<1;所述的P型AlGaN插入层除第一层和最后一层AI组分线性增加层以外其他AI组分线性增加层为AlaGa1-aN,该层Al组分值由初始值yb线性递增到a,其中a的取值范围为yb<a<1;P型AlGaN插入层中AI组分线性下降的结构层为AlbnGa1-bnN,该层AI组分值bn以上一层AI组分值最大值为初始值线性降低到ybn,其中bn为第n个组分线性下降结构层AI组分值,ybn为第n个组分线性下降结构层AI组分值最小值,n为正整数,其中0<ybn<yan<1;P型AlGaN插入层从底向上最后一层为AlnGa1-nN,该层AI组分值n以上一层下降结构层的组分最小值为初始值线性递增到m。举例来说,假如所述P型AlGaN插入层的总厚度为10nm,将其平均分成五等份:第一、二、三层为线性变化AI组分的Alz1Ga1-z1N层,其中z1由初始值0.15线性递增到0.3;第二、四层为线性变化AI组分的AlnGa1-nN,其中n由初始值0.3线性降低到0.15。如图3和图4所示,由于在多量子阱发光层和P型电子阻挡层之间插入锯齿状的插入层,能够提高紫外LED的电子限制能力、空穴注入效率,增强电子空穴辐射复合效率,从而提高紫外LED的内量子效率和光输出功率。
该紫外LED外延片结构制备过程为:
在氢气气氛、温度为1000-1100℃下,在衬底上生长一层厚度2.5-3um的非掺杂AlGaN缓冲层;优选,所述衬底优选蓝宝石衬底,
在氢气气氛且温度1000-1200℃下,在缓冲层上生长N型铝镓氮层;优选,所述缓冲层为未掺杂缓冲层,所述N型AlGaN层为Al0.15Ga0.85N,其厚度为3μm,掺杂元素为硅且浓度为5×1018cm-3;
在氮气气氛、温度为1000℃下,在N型铝镓氮层上生长多量子阱发光层;
在氮气气氛、温度为900-1000℃下,在发光层上生长P型AlGaN插入层,所述P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长,从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形;例如,所述P型AlGaN插入层的总厚度为10nm,将其平均分成五等份:第一、二、三层为线性变化AI组分的Alz1Ga1-z1N层,其中z1由初始值0.15线性递增到0.3;
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN插入层上生长P型AlGaN电子阻档层;所述P型AlGaN电子阻档层为Al0.3Ga0.7N,其厚度为20nm,掺杂元素为镁且浓度为1×1017cm-3。
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN电子阻档层上生长P型AlGaN层;所述P型AlGaN层为Al0.15Ga0.85N,其厚度为90nm,掺杂元素为镁且浓度为1×1017cm-3。
最后在氢气气氛且温度为900-1000℃下生长P型GaN层;所述P型GaN层生长在P型AlGaN层上,其厚度为10nm,掺杂元素为镁且浓度为2×1018cm-3。
由于本发明是在多量子阱层与电子阻挡层之间加入锯齿状的插入层,该插入层能够减缓量子层与电子阻挡层间的极化效应,从而提高了紫外LED对电子的限制能力以及提高了空穴的有效注入,进而提高了载流子在多量子阱层的复合效率。另外,锯齿状插入层能够进一步阻挡电子的泄露以及能够充当空穴储存层。
以上参照附图说明了本发明的优选实施例,并非因此局限本发明的权利范围。本领域技术人员不脱离本发明的范围和实质内所作的任何修改、等同替换和改进,均应在本发明的权利范围之内。
Claims (9)
1.一种紫外LED外延片结构,由下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型AlGaN层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层、P型AlGaN插入层、P型AlGaN电子阻档层、P型AlGaN层、P型GaN层;其特征在于:所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中AI组分含量x<y;
所述的P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形。
2.根据权利要求1所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的AlxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层中,AlxGa1-xN为阱层,AlyGa1-yN为垒层,且AI组分含量0≤x<y<1。
3.根据权利要求1的一种紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN电子阻档层为AlmGa1-mN,AI组分含量m的取值范围为:y<m<1。
4.根据权利要求1所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN插入层的总厚度为10-20nm。
5.根据权利要求1所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN插入层中每一层AI组分厚度为1-4nm。
6.根据权利要求1所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN插入层中除最后一层AI组分线性增加层以外,其他AI组分线性增加层为AlznGa1-znN,zn为第n个组分线性增加结构层AI组分值,该层AI组分值zn以上一层中AI组分最小值为初始值线性递增到yan,其中yan为第n个Al组分线性增加结构层AI组分值最大值,其中y<yan<1;所述的P型AlGaN插入层除第一层和最后一层AI组分线性增加层以外,其他AI组分线性增加层为AlaGa1-aN,该层Al组分值由初始值yb线性递增到a,其中a的取值范围为yb<a<1。
7.根据权利要求6所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN插入层中AI组分线性下降的结构层为AlbnGa1-bnN,该层AI组分值bn以上一层中AI组分值最大值为初始值线性降低到ybn,其中bn为第n个组分线性下降结构层AI组分值,ybn为第n个组分线性下降结构层AI组分值最小值,n为正整数,其中0<ybn<yan<1。
8.根据权利要求7所述的紫外LED外延片结构,其特征在于,所述的P型AlGaN插入层从底向上最后一层为AlnGa1-nN,该层AI组分值n以上一层下降结构层的组分最小值为初始值线性递增到m。
9.一种紫外LED外延片结构制备方法,其特征在于包含以下步骤:
在氢气气氛、温度为1000-1100℃下,在衬底上生长一层2.5-3μm厚的非掺杂AlGaN缓冲层;
在氢气气氛且温度1000-1200℃下,在缓冲层上生长N型铝镓氮层,其厚度为2.5-3μm,N型掺杂浓度为1×1018-5×1018cm-3;
在氮气气氛、温度为1000℃下,在N型铝镓氮层上生长多量子阱发光层,其中量子阱厚度为3-7nm,量子垒厚度为9-20nm;
在氮气气氛、温度为900-1000℃下,在发光层上生长P型AlGaN插入层,所述P型AlGaN插入层包含多层,由底向上分为奇数层和偶数层,其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形,或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形;
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN插入层上生长P型AlGaN电子阻档层,其厚度为15-25nm,P型掺杂浓度为1×1017-2×1017cm-3;
在氮气气氛、温度为1000-1200℃下,在所述P型AlGaN电子阻档层上生长P型AlGaN层,其厚度为80-100nm,P型掺杂浓度为1×1017-2×1017cm-3;
最后在氢气气氛且温度为900-1000℃下生长P型铝镓氮层,其厚度为10-20nm,P型掺杂浓度为1×1018-2×1018cm-3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811453587.6A CN109545916B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种紫外led外延片结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811453587.6A CN109545916B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种紫外led外延片结构及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109545916A true CN109545916A (zh) | 2019-03-29 |
CN109545916B CN109545916B (zh) | 2020-12-22 |
Family
ID=65851853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811453587.6A Active CN109545916B (zh) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 一种紫外led外延片结构及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109545916B (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110224048A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-09-10 | 华南师范大学 | 一种紫外led外延结构 |
CN112242464A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-19 | 苏州紫灿科技有限公司 | 一种具有空穴蓄积结构的深紫外led及其制备方法 |
CN112701196A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-23 | 广东省科学院半导体研究所 | AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法 |
CN113725328A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-30 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法和应用 |
CN114464711A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-10 | 山东大学 | 一种深紫外发光二极管及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
CN204946923U (zh) * | 2015-08-15 | 2016-01-06 | 华南理工大学 | 具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构 |
CN107170864A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-15 | 华南师范大学 | 一种led外延片及其制备方法 |
US20180013042A1 (en) * | 2015-08-26 | 2018-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode (led), led package and apparatus including the same |
CN108110104A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
CN108365069A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-03 | 华南师范大学 | 一种高亮度v型极化掺杂深紫外led制备方法 |
-
2018
- 2018-11-30 CN CN201811453587.6A patent/CN109545916B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102623599A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-01 | 华灿光电股份有限公司 | 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管 |
CN204946923U (zh) * | 2015-08-15 | 2016-01-06 | 华南理工大学 | 具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构 |
US20180013042A1 (en) * | 2015-08-26 | 2018-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode (led), led package and apparatus including the same |
CN107170864A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-09-15 | 华南师范大学 | 一种led外延片及其制备方法 |
CN108110104A (zh) * | 2018-01-18 | 2018-06-01 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
CN108365069A (zh) * | 2018-02-06 | 2018-08-03 | 华南师范大学 | 一种高亮度v型极化掺杂深紫外led制备方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110224048A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-09-10 | 华南师范大学 | 一种紫外led外延结构 |
CN112242464A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-19 | 苏州紫灿科技有限公司 | 一种具有空穴蓄积结构的深紫外led及其制备方法 |
CN112701196A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-23 | 广东省科学院半导体研究所 | AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法 |
CN113725328A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-30 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法和应用 |
CN113725328B (zh) * | 2021-08-10 | 2024-02-06 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种紫外led外延结构及其制备方法和应用 |
CN114464711A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-10 | 山东大学 | 一种深紫外发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109545916B (zh) | 2020-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109545916A (zh) | 一种紫外led外延片结构及其制备方法 | |
KR100574738B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 | |
CN108028300B (zh) | 氮化物半导体发光元件 | |
US9257599B2 (en) | Semiconductor light emitting device including hole injection layer | |
CN105977356B (zh) | 一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管 | |
CN103681985B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制作方法 | |
CN104659170B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
CN104681676B (zh) | 一种发光二极管外延片 | |
CN110752279B (zh) | 一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法 | |
CN107134514B (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | |
CN102903807B (zh) | 一种发光二极管的外延片以及发光二极管 | |
CN107195736A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法 | |
CN115863501B (zh) | 一种发光二极管外延片及其制备方法 | |
US20120273758A1 (en) | Nitride semiconductor light-emitting diode device | |
CN109256444A (zh) | 一种发光二极管的外延片及其制备方法 | |
CN108447953A (zh) | 一种氮化物发光二极管组件 | |
US8546846B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device | |
CN110047980B (zh) | 一种紫外led外延结构及其制备方法 | |
JP2001298215A (ja) | 発光素子 | |
CN109768136A (zh) | 一种发光二极管外延片及其生长方法 | |
KR102444467B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
CN109166950B (zh) | 发光二极管的半导体芯片及其量子阱层和制造方法 | |
CN208580758U (zh) | 一种发光二极管外延片及发光二极管 | |
CN107919415B (zh) | 发光二极管及其制作方法 | |
KR101063286B1 (ko) | 확산방지층을 갖는 발광다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |