CN109524519A - 一种氮化物量子阱结构发光二极管 - Google Patents
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- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910016920 AlzGa1−z Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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Abstract
本发明氮化物量子阱结构发光二极管,由下至上依次包括:N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体,量子阱为多量子阱结构,由垒层与阱层交叠构成,阱层由下至上包含有AlxGa1‑xN层和InyAl1‑yN层,其中,0.9≥x≥0.4,0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type‑II型能带排列的量子阱结构,提高TE偏振的发光强度,从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管,特别是一种深紫外氮化物量子阱结构发光二极管。
背景技术
III族氮化物紫外光源可应用在许多领域,如杀菌、水净化、聚合物固化、荧光分析、传感技术、快速分解环境中的有害物质以及作为高密度光记录和LED照明的光源等等。相比传统紫外光源汞灯,半导体UV光源具有可调的频率、小巧便携、低功耗、无汞环保等优势。
在过去的十年中,氮化物UV LED取得了很大的进步,市场规模已大幅扩展。由于成本、功率和效率的限制,波长范围在250至300nm的UV-B和UV-C LED的应用,就目前而言仍处于起步阶段。实际上,市场上可购买的UVB和UVC LED产品的量子效率往往只有1%-2%。这与近紫外和蓝光LED的发光效率相去甚远。一般认为,随着铝组分的增加,深紫外LED的研制会面临很多独特的技术困难,如高位错密度的晶体材料(一般在109-1010cm-2甚至更高)、高Mg受主的激活能(最高可达510-600meV)、由于内吸收、内部全反射和偏振特性而导致的非常低的抽取效率(通常低于8%)等等。基于这些技术难点,普遍的策略是改进外延生长技术或设计新的器件结构,如采用侧向外延技术提高材料质量、设计电子阻挡层来提高载流子注入效率、利用侧墙反射方法或设计具有高TE偏振光强度的量子阱层结构等方法提高抽取效率。
鉴于目前深紫外LED较低的光抽取效率等问题,有必要提出一种新的量子阱结构如type-II型能带排列结构,通过调整量子阱的能带排列提高TE偏振光强度,进而提高光抽取效率。
发明内容
本发明的目的在于:克服上述现有技术的缺陷,提出一种结构简单的氮化物量子阱结构发光二极管。
为了达到上述目的,本发明提出的氮化物量子阱结构发光二极管,由下至上依次包括:N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体,其特征在于:所述量子阱为多量子阱结构,由垒层与阱层交叠构成,所述阱层由下至上包含有AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层,其中,0.9≥x≥0.4,0.35≥y≥0.04。
本发明还具有以下进一步的特征:
1、所述AlxGa1-xN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内;InyAl1-yN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内。
2、所述阱层还包含位于InyAl1-yN层上方的AlzGa1-zN层,其中,0.9≥z≥0.4。
3、所述AlzGa1-zN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内。
4、所述量子阱的垒层为InyAlxGa1-x-yN层,其中,1≥x≥0.5,0.25≥y≥0。
5、所述垒层厚度在6-15纳米范围内,垒层带隙大于阱层带隙。
6、所述量子阱的能带结构为type-II型排列。
7、发光波长在210-300nm光谱范围内。
本发明通过设计一种type-II型能带排列的量子阱结构,提高TE偏振的发光强度,从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1为type-II型能带排列量子阱结构深紫外LED器件的结构示意图。
图2为实施例1的具有type-II型能带排列量子阱结构的阱层和垒层势能剖面图。
图3为InAlN/AlGaN异质结价带偏移值(ΔEv)与导带偏移值(ΔEc)的乘积图。
图4为通过数值仿真获得的type-II型量子阱结构LED器件和传统LED器件的TE偏振的自发发射谱。
图5为实施例2的具有type-II型能带排列量子阱结构的阱层和垒层势能剖面图。
附图标注:10-衬底;20-缓冲层;30-超晶格层;40-N型氮化物半导体;50-多量子阱结构;51-垒层;52-阱层;52-a1-阱层中的第一层AlGaN层;52-a2-阱层中的第二层InAlN层;52-a3-阱层中的第三层AlGaN层;60-P型氮化物半导体;70-P型欧姆接触层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1
本实施例公开一种具有type-II型能带排列的量子阱结构深紫外氮化物发光二极管,通过调控量子阱的能带排列,提升量子阱TE模的自发发射率,从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
图1为本发明深紫外LED的结构示意图。从下至上依次包括衬底10、缓冲层20、超晶格层30、N型氮化物半导体40、多量子阱结构50、P型氮化物半导体60、和P型欧姆接触层70。其中,多量子阱结构50由垒层51和阱层52交错堆叠形成。
本实施例中,阱层由AlxGa1-xN层52-a1和InyAl1-yN层52-a2构成。参见附图2,从InAlN/AlGaN量子阱的势能剖面中,可见阱层的能带排列为type-II型排列。通过调整AlxGa1-xN层铝组分和InyAl1-yN层铟组分,即可获得type-II型能带排列的结构。图3示出了通过线性插值方法计算得到的导带偏移值(ΔEc)与价带偏移值(ΔEv)乘积图。白色区域A为可获得type-II型能带排列的铟、铝组分区间,即AlxGa1-xN层的Al组分在0.95≥x≥0.4范围;InyAl1-yN层的In组分大致在0.35≥y≥0.025范围。
阱层中,所设计的AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层的Al组分在0.9≥x≥0.4范围; In组分在0.35≥y≥0.04范围,厚度均在一个原子层到4纳米范围内;垒层InyAlxGa1-x-yN层的厚度在6-15纳米范围内,垒层带隙比阱层带隙大。多量子阱结构的周期数在2-20之间。
通过有效质量理论计算可知,如图4所示,本实施例type-II型量子阱结构LED器件的TE模自发发射率远大于传统AlGaN基LED的发射率。对于沿c轴生长的氮化物LED器件,TE模发射可有效地从器件表面出射,而TM模发射从表面出射率低下。因此,提高深紫外氮化物LED器件的TE模发射率,可有效提高LED器件的光抽取效率,进而提高其发光效率。
实施例2
本实施例公开了一种具有type-II型能带排列的量子阱结构深紫外氮化物发光二极管,与实施例1的区别在于,如图5所示,阱层中除了第一层AlxGa1-xN层52-a1和第二层InyAl1-yN层52-a2,还包括第三层AlzGa1-zN层52-a3。经计算z 的取值在0.4-0.9之间效果较好。利用三层结构设计的type-II型排列的阱层,可进一步提高深紫外LED的光抽取效率和发光效率。
除上述实施例外,本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本发明要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种氮化物量子阱结构发光二极管,由下至上依次包括:N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体,其特征在于:所述量子阱为多量子阱结构,由垒层与阱层交叠构成,所述阱层由下至上包含有AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层,其中,0.9≥x≥0.4,0.35≥y≥0.04。
2.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述AlxGa1-xN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内;InyAl1-yN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内。
3.根据权利要求2所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述阱层还包含位于InyAl1-yN层上方的AlzGa1-zN层,其中,0.9≥z≥0.4。
4.根据权利要求3所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述AlzGa1-zN层的厚度在一个原子层到4纳米范围内。
5.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述量子阱的垒层为InyAlxGa1-x-yN层,其中,1≥x≥0.5,0.25≥y≥0。
6.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述垒层厚度在6-15纳米范围内,垒层带隙大于阱层带隙。
7.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:所述量子阱的能带结构为type-II型排列。
8.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:发光波长在210-300nm光谱范围内。
9.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:N型氮化物半导体的下方还依次设置有衬底、缓冲层和超晶格层。
10.根据权利要求1所述的氮化物量子阱结构发光二极管,其特征在于:P型氮化物半导体上方设置有P型欧姆接触层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811546510.3A CN109524519B (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种氮化物量子阱结构发光二极管 |
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---|---|---|---|
CN201811546510.3A CN109524519B (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种氮化物量子阱结构发光二极管 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109524519A true CN109524519A (zh) | 2019-03-26 |
CN109524519B CN109524519B (zh) | 2020-12-25 |
Family
ID=65795650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811546510.3A Active CN109524519B (zh) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | 一种氮化物量子阱结构发光二极管 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN109524519B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
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