CN109506691A - 用于惯性传感器的阻挡块 - Google Patents

用于惯性传感器的阻挡块 Download PDF

Info

Publication number
CN109506691A
CN109506691A CN201811631788.0A CN201811631788A CN109506691A CN 109506691 A CN109506691 A CN 109506691A CN 201811631788 A CN201811631788 A CN 201811631788A CN 109506691 A CN109506691 A CN 109506691A
Authority
CN
China
Prior art keywords
stopper
ontology
inertial sensor
substrate surface
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811631788.0A
Other languages
English (en)
Inventor
颜培力
裘进
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHANGHAI XIRUI TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
SHANGHAI XIRUI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI XIRUI TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI XIRUI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201811631788.0A priority Critical patent/CN109506691A/zh
Publication of CN109506691A publication Critical patent/CN109506691A/zh
Priority to PCT/CN2019/119351 priority patent/WO2020134714A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G01D11/16—Elements for restraining, or preventing the movement of, parts, e.g. for zeroising

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于惯性传感器的阻挡块，设置在一基底表面，用于阻挡质量块的惯性移动，包括：本体，所述本体与所述惯性质量块接触的位置为圆角，且所述本体与所述基底表面为同一材料。本发明阻挡块与基底表面为同一材料，利用同质材料结合紧密的特点，可以增加阻挡块的牢固程度，不易从基底上脱落；并且将阻挡块与质量块接触的位置为圆角，可以增大阻挡块与质量块之间的有效接触面积，降低阻挡块被撞击后破损的可能性。

Description

用于惯性传感器的阻挡块
技术领域
本发明涉及MEMS技术领域，尤其涉及一种用于惯性传感器的阻挡块。
背景技术
阻挡块结构是IC/MEMS传感器芯片，特别是惯性器件的重要的一部分。但是现有技术中的阻挡块结构，受冲击或者震动时易破损、易产生电荷积累、易粘连。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于惯性传感器的阻挡块，受冲击或者震动时不易破损。
为了解决上述问题，本发明提供了一种用于惯性传感器的阻挡块，设置在一基底表面，用于阻挡质量块的惯性移动，包括：本体，所述本体与所述惯性质量块接触的位置为圆角，且所述本体与所述基底表面为同一材料。
可选的，所述阻挡块进一步包括导电体，所述导电体设置在所述本体内部，并与所述基底内的导电层连接
可选的，所述导电体的材料为金属。
可选的所述本体为绝缘材料。
可选的，所述阻挡块进一步包括覆盖层，所述覆盖层覆盖于本体表面，所述覆盖层为疏水材料；
可选的，所述覆盖层的材料为氮化硅。
可选的，所述本体沿着平行于基底表面方向的横截面形状为矩形、圆形、椭圆形、三角形、以及正多边形中的任意一种。。
可选的，所述本体沿着平行于基底表面方向的横截面形状为矩形、圆形、椭圆形、三角形、以及正多边形中的任意一种。
本发明阻挡块与基底表面为同一材料，利用同质材料结合紧密的特点，可以增加阻挡块的牢固程度，不易从基底上脱落；并且将阻挡块与质量块接触的位置为圆角，可以增大阻挡块与质量块之间的有效接触面积，降低阻挡块被撞击后破损的可能性。
附图说明
附图1所示是本发明一具体实施方式所述惯性传感器的部分结构示意图。
附图2所示是附图1的结构在质量块绕锚点发生位移并与阻挡块相接触的状态示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的用于惯性传感器的阻挡块的具体实施方式做详细说明。
附图1所示是本具体实施方式所述惯性传感器的部分结构示意图，包括阻挡块10、质量块11、以及基底12。所述阻挡块10包括本体101、覆盖层102以及导电体103。
附图2所示是附图1的结构在质量块11绕锚点14发生位移并与阻挡块10相接触的状态示意图。从图中可以看出，将所述本体101与所述质量块11接触的位置为圆角，可以增大本体101与质量块11之间的有效接触面积，降低阻挡块被撞击后破损的可能性。且所述本体101与所述基底12表面为同一材料，利用同质材料结合紧密的特点，可以增加阻挡块10的牢固程度，不易从基底12上脱落。
并且，本体101为绝缘材料，可以防止反复撞击产生的电荷积累。电荷积累会在阻挡块10和质量块11之间耦合出额外的静电力，导致传感器测量偏差。
进一步的，设置覆盖层可以进一步增加阻挡块10的牢固程度。并且，将覆盖层102设置为疏水材料，优选为氮化硅，可以防止水汽玷污，防止阻挡块10和质量块11之间发生粘连。
并且，阻挡块10还可以进一步设置有导电体103与基底12内的导电层121连接，可以将阻挡块10上积累的电荷通过基地12导出，也可以起到避免电荷积累的作用。
为了优化本体101与质量块11之间的有效接触面积，可以根据需要，将所述本体101沿着平行于基底12表面方向的横截面形状为矩形、圆形、椭圆形、三角形、以及正多边形中的任意一种。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种用于惯性传感器的阻挡块，设置在一基底表面，用于阻挡质量块的惯性移动，其特征在于，包括：
本体，所述本体与所述惯性质量块接触的位置为圆角，且所述本体与所述基底表面为同一材料。
2.根据权利要求1所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述阻挡块进一步包括导电体，所述导电体设置在所述本体内部，并与所述基底内的导电层连接。
3.根据权利要求2所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述导电体的材料为金属。
4.根据权利要求1所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述本体为绝缘材料。
5.根据权利要求1所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述阻挡块进一步包括覆盖层，所述覆盖层覆盖于本体表面，所述覆盖层为疏水材料。
6.根据权利要求5所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述覆盖层的材料为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的用于惯性传感器的阻挡块，其特征在于，所述本体沿着平行于基底表面方向的横截面形状为矩形、圆形、椭圆形、三角形、以及正多边形中的任意一种。
CN201811631788.0A 2018-12-29 2018-12-29 用于惯性传感器的阻挡块 Pending CN109506691A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811631788.0A CN109506691A (zh) 2018-12-29 2018-12-29 用于惯性传感器的阻挡块
PCT/CN2019/119351 WO2020134714A1 (zh) 2018-12-29 2019-11-19 用于惯性传感器的阻挡块

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811631788.0A CN109506691A (zh) 2018-12-29 2018-12-29 用于惯性传感器的阻挡块

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109506691A true CN109506691A (zh) 2019-03-22

Family

ID=65755801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811631788.0A Pending CN109506691A (zh) 2018-12-29 2018-12-29 用于惯性传感器的阻挡块

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109506691A (zh)
WO (1) WO2020134714A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020134714A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 上海矽睿科技有限公司 用于惯性传感器的阻挡块

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1721858A (zh) * 2004-07-12 2006-01-18 富士通媒体部品株式会社 惯性传感器
CN102156194A (zh) * 2011-03-07 2011-08-17 东南大学 加速度计止挡结构
KR20120105161A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성전기주식회사 관성 센서 및 그 제조방법
CN104345167A (zh) * 2013-07-31 2015-02-11 霍尼韦尔国际公司 稳健操作通过严重冲击和加速的mems装置机构增强
CN106115607A (zh) * 2016-06-30 2016-11-16 杭州士兰集成电路有限公司 Mems器件及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3000484B1 (fr) * 2012-12-27 2017-11-10 Tronic's Microsystems Dispositif micro-electromecanique comprenant une masse mobile apte a se deplacer hors du plan
EP3117245B1 (en) * 2014-03-14 2021-12-29 BP Exploration Operating Company Limited Seismic sensor
CN105225887B (zh) * 2015-10-15 2017-09-08 上海交通大学 一种紧约束型水平敏感的微机械惯性开关
CN205070840U (zh) * 2015-10-27 2016-03-02 南昌工程学院 压电-摩擦电复合式mems宽频能量采集器
CN205981220U (zh) * 2016-08-17 2017-02-22 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种用于高过载环境的微机械陀螺结构
CN109506691A (zh) * 2018-12-29 2019-03-22 上海矽睿科技有限公司 用于惯性传感器的阻挡块

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1721858A (zh) * 2004-07-12 2006-01-18 富士通媒体部品株式会社 惯性传感器
CN102156194A (zh) * 2011-03-07 2011-08-17 东南大学 加速度计止挡结构
KR20120105161A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성전기주식회사 관성 센서 및 그 제조방법
CN104345167A (zh) * 2013-07-31 2015-02-11 霍尼韦尔国际公司 稳健操作通过严重冲击和加速的mems装置机构增强
CN106115607A (zh) * 2016-06-30 2016-11-16 杭州士兰集成电路有限公司 Mems器件及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020134714A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 上海矽睿科技有限公司 用于惯性传感器的阻挡块

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020134714A1 (zh) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9054294B2 (en) Soft mechanical stops to limit over-travel of proof masses in cantilevered piezoelectric devices
TWI550743B (zh) 微機電系統裝置及形成一微機電系統裝置之方法
US7185541B1 (en) MEMS magnetic device and method
EP2762441A3 (en) Internal electrical contact for enclosed MEMS devices
CN109506691A (zh) 用于惯性传感器的阻挡块
WO2014197232A1 (en) Methods for stiction reduction in mems sensors
US20130307096A1 (en) Hybrid intergrated component
US20150264476A1 (en) Acoustic transducer
JP2014526149A5 (zh)
US20180321037A1 (en) Comb-driven substrate decoupled annulus pitch/roll baw gyroscope with slanted quadrature tuning electrode
EP1760746A3 (en) MEMS device having standoff bumps and folded component
EP2495212A3 (en) Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
JP6471122B2 (ja) 積層ダイのための応力隔離特徴
WO2010059333A3 (en) Semiconductor die structures for wafer-level chipscale packaging of power devices, packages and systems for using the same, and methods of making the same
EP2816590A3 (en) Semiconductor device with anchor means for the sealing resin
WO2015018310A1 (zh) 基于高阻材料的电场传感器封装元件
JP2017020897A5 (zh)
CN110050409A (zh) 振动发电装置
US10760910B2 (en) Sensor device employing MEMS
TWI549897B (zh) 微機電系統晶片
JP2017058197A5 (zh)
EP3168872A3 (en) Semiconductor package assembley
CN107251253B (zh) 压电振动部件和涂布方法
JP2015005788A5 (zh)
CN107074528A (zh) Mems构件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: Room 307, 3rd floor, 1328 Dingxi Road, Changning District, Shanghai 200050

Applicant after: Shanghai Sirui Technology Co.,Ltd.

Address before: 201815 room 3157, building 3, No. 1368, Xingxian Road, Jiading District, Shanghai

Applicant before: Shanghai Silicon Technology Co.,Ltd.