CN109461672A - 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 - Google Patents
一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109461672A CN109461672A CN201811149757.1A CN201811149757A CN109461672A CN 109461672 A CN109461672 A CN 109461672A CN 201811149757 A CN201811149757 A CN 201811149757A CN 109461672 A CN109461672 A CN 109461672A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wall
- snap
- gauge
- circular plate
- monocrystalline silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明是涉及传感器的技术领域,具体是涉及一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板,且转动柱下端封底;每相邻两个圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔,且滑孔与转动柱内壁连通;每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽;滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板,且卡板用于固定单晶硅片;卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接,本发明具有使用方便、提高刻蚀效率、提高刻蚀效果、降低工人劳动强度等优点。
Description
技术领域
本发明是涉及传感器的技术领域,具体是涉及一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中,均需对其进行刻蚀处理;现有的刻蚀加工过程中,其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上,并通过向片架所在位置导入反应气体,并使得反应气体在电场环境下产生等离子体,以对单晶硅进行刻蚀;片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度,然而现在的刻蚀过程中,都是将单晶硅片叠放在片架上,叠放的单晶硅片在刻蚀的过程中,会造成单晶硅刻蚀时只能对其单面进行有效刻蚀,另一面刻蚀效果较差,也就降低了刻蚀的效果。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,用于解决现有的传感器单晶硅刻蚀时只能对其单面进行有效刻蚀,另一面刻蚀效果较差、刻蚀效率低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明公开了一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴;所述反应室外侧设置有电磁线圈;
所述的片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板,且转动柱下端封底;每相邻两个所述圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔,且滑孔与转动柱内壁连通;每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽,且滑槽沿着圆环板的径向设置;所述滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板,且卡板用于固定单晶硅片;所述卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接。
优选的:所述卡板由一个水平杆和一个U型杆组成,且U型杆上下两端内壁分别开设有卡槽。
优选的:所述卡槽内壁设置有弹性橡胶垫。
优选的:所述卡板上的水平杆远离卡板上的U型板的一端的宽度大于滑孔的直径。
优选的:所述转动柱内壁的上下两端分别固定连接有限位环,两个所述限位环内壁滑动连接有拉杆,所述拉杆外壁转动连接有多组转动杆,且每组转动杆的数量与相邻两个圆环板之间的转动柱外壁的滑孔数量相同,所述转动杆与卡板上的水平杆转动连接。
如上所述,本发明的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,具有以下有益效果:通过在圆环板上设置滑槽,并在滑槽内设置用于固定传感器单晶硅片的卡板,通过将单晶硅片竖立固定,这就能有效的将单晶硅片的两面暴露,使得刻蚀更加充分;通过限位环、拉杆、转动杆,能够使得卡板在滑槽内滑动,这就能能够方便工人放置或取下单晶硅片,提高了效率。
附图说明
图1是本发明一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置的主视图。
图2是本发明片架的主视图。
图3是本发明卡板的结构示意图。
图4是本发明实施例四片架部分部件的俯视图。
图5是本发明实施例四中转动柱的剖视图 。
图6是本发明实施例四拉动拉杆的剖视图。
其中:反应室1、送气管道2、气源室3、抽气管道4、真空泵5、片架6、转动柱61、滑孔611、圆环板62、滑槽621、伺服电机7、电磁线圈8、限位环9、拉杆10、转动杆11、卡板12、卡槽121、橡胶垫122。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
实施例1
如图1-3所示,本发明公开了一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,包括有反应室1,反应室1的上端部设置有送气管道2,其连接至设置在反应室1外部的气源室3,反应室3的下端部设置有抽气管道4,其连接至设置在反应室外部的真空泵5;所述反应室1的轴线位置设置有片架6,其连接至设置在反应室1外部的伺服电机7的输出轴;所述反应室1外侧设置有电磁线圈8;
所述的片架6由空心圆柱形转动柱61和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板62,且转动柱61下端封底;每相邻两个所述圆环板62之间的转动柱61外壁均匀的开设有若干等高的滑孔611,且滑孔611与转动柱61内壁连通;每相邻两个圆环板62相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽621,且滑槽621沿着圆环板62的径向设置;所述滑孔611内滑动连接有贯穿滑孔611的卡板12,且卡板12用于固定单晶硅片;所述卡板12与相邻两个圆环板62上位置对应的滑槽621滑动连接。
优选的:所述卡板12由一个水平杆和一个U型杆组成,且U型杆上下两端内壁分别开设有卡槽121。
本发明是这样实施的:
根据【图1】,气源室3将反应气体通过送气管道2送入反应室1,通过伺服电机7带动片架6转动,通过真空泵5和抽气管道4将反应室1内的反应气体抽离反应室1;
当需要取下或放置单晶硅片时,根据【图2】、【图4】,通过将卡板12沿着滑槽621向圆环板62外壁方向滑动,然后再将单晶硅片放置在卡板12的两个卡槽121内,放置完成后再将卡板12滑动至原来位置,此时再进行刻蚀。
本发明的有益效果:
通过在圆环板62上设置滑槽621,并在滑槽621内设置用于固定传感器单晶硅片的卡板12,通过将单晶硅片竖立固定,这就能有效的将单晶硅片的两面暴露,使得刻蚀更加充分。
实施例二
作为进一步改进:根据【图3】,所述卡槽121内壁设置有弹性橡胶垫122。本实施例改进的优点:用于防止单晶硅片被卡板12损坏。
本实施例其余特征和优点与实施例一相同。
实施例三
作为进一步改进:所述卡板12上的水平杆远离卡板12上的U型板的一端的宽度大于滑孔611的直径。本实施例改进的优点:防止卡杆12脱离滑孔611。
本实施例其余特征和优点与实施例二相同。
实施例四
作为进一步改进:根据【图4】、【图5】、【图6】,所述转动柱61内壁的上下两端分别固定连接有限位环9,两个所述限位环9内壁滑动连接有拉杆10,所述拉杆10外壁转动连接有多组转动杆11,且每组转动杆11的数量与相邻两个圆环板62之间的转动柱61外壁的滑孔611数量相同,所述转动杆11与卡板12上的水平杆转动连接。本实施例改进的优点:通过向上或者向下拉动拉杆10,使得拉杆10带动转动杆11转动,转动杆11的转动会推动卡板12上的水平杆在滑孔611内滑动,从而完成卡板12集体移动,具有解放劳动力,提高单晶硅片的固定效率的作用。
本实施例其余特征和优点与实施例三相同。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案;因此,尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本发明进行修改或等同替换;而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。
Claims (5)
1.一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,包括有反应室,反应室的上端部设置有送气管道,其连接至设置在反应室外部的气源室,反应室的下端部设置有抽气管道,其连接至设置在反应室外部的真空泵;所述反应室的轴线位置设置有片架,其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴;所述反应室外侧设置有电磁线圈;其特征在于:
所述的片架由空心圆柱形转动柱和均匀固定连接在转动柱外壁的圆环板,且转动柱下端封底;每相邻两个所述圆环板之间的转动柱外壁均匀的开设有若干等高的滑孔,且滑孔与转动柱内壁连通;每相邻两个圆环板相对面分别均匀的开设有若干位置对应的滑槽,且滑槽沿着圆环板的径向设置;所述滑孔内滑动连接有贯穿滑孔的卡板,且卡板用于固定单晶硅片;所述卡板与相邻两个圆环板上位置对应的滑槽滑动连接。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,其特征在于:所述卡板由一个水平杆和一个U型杆组成,且U型杆上下两端内壁分别开设有卡槽。
3.根据权利要求2所述的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,其特征在于:所述卡槽内壁设置有弹性橡胶垫。
4.根据权利要求3所述的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,其特征在于:所述卡板上的水平杆远离卡板上的U型板的一端的宽度大于滑孔的直径。
5.根据权利要求4所述的一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置,其特征在于:所述转动柱内壁的上下两端分别固定连接有限位环,两个所述限位环内壁滑动连接有拉杆,所述拉杆外壁转动连接有多组转动杆,且每组转动杆的数量与相邻两个圆环板之间的转动柱外壁的滑孔数量相同,所述转动杆与卡板上的水平杆转动连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811149757.1A CN109461672B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811149757.1A CN109461672B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109461672A true CN109461672A (zh) | 2019-03-12 |
CN109461672B CN109461672B (zh) | 2021-06-29 |
Family
ID=65607177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811149757.1A Active CN109461672B (zh) | 2018-09-29 | 2018-09-29 | 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109461672B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110153114A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-23 | 昆山国显光电有限公司 | 一种管道清洁装置、管道及刻蚀设备 |
CN111893573A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-06 | 昆山盛睿杰机电科技有限公司 | 一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
CN112853500A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 张利峰 | 一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040041086A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-04 | Tsubame Musen, Inc. | Rotary encoder and method of manufacturing substrate thereof |
CN105161411A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-12-16 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置 |
CN105448775A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-03-30 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 双面气相刻蚀装置 |
CN205912367U (zh) * | 2016-07-29 | 2017-01-25 | 合肥开泰机电科技有限公司 | 电路板钻孔干法金属化设备 |
US20170229309A1 (en) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Applied Materials, Inc. | Flow distribution plate for surface fluorine reduction |
CN107394006A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-24 | 晶科能源有限公司 | 一种n型双面电池制备方法 |
-
2018
- 2018-09-29 CN CN201811149757.1A patent/CN109461672B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040041086A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-04 | Tsubame Musen, Inc. | Rotary encoder and method of manufacturing substrate thereof |
CN105448775A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-03-30 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 双面气相刻蚀装置 |
CN105161411A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-12-16 | 江苏德尔森传感器科技有限公司 | 可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置 |
US20170229309A1 (en) * | 2016-02-04 | 2017-08-10 | Applied Materials, Inc. | Flow distribution plate for surface fluorine reduction |
CN205912367U (zh) * | 2016-07-29 | 2017-01-25 | 合肥开泰机电科技有限公司 | 电路板钻孔干法金属化设备 |
CN107394006A (zh) * | 2017-07-19 | 2017-11-24 | 晶科能源有限公司 | 一种n型双面电池制备方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110153114A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-23 | 昆山国显光电有限公司 | 一种管道清洁装置、管道及刻蚀设备 |
CN111893573A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-06 | 昆山盛睿杰机电科技有限公司 | 一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
CN112853500A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-05-28 | 张利峰 | 一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109461672B (zh) | 2021-06-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109461672A (zh) | 一种刻蚀均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 | |
US10204818B2 (en) | Device for holding and rotating plate shaped article | |
US9454080B2 (en) | Spin treatment apparatus | |
US7992877B2 (en) | Non contact substrate chuck | |
CN109461691A (zh) | 晶圆支撑装置 | |
CN105817929A (zh) | 一种回转体机匣夹具系统及其使用方法 | |
CN101174098A (zh) | 用于等离子体反应器系统的工件旋转装置 | |
CN107081855A (zh) | 卡盘工作台机构 | |
CN207947701U (zh) | 一种新能源电机扭头机插片机构 | |
KR102402297B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
CN105690210A (zh) | 一种全自动气门锁夹槽的磨削装置 | |
CN105161411A (zh) | 可实现定位加工的传感器单晶硅刻蚀装置 | |
CN205325222U (zh) | 一种可调节式支撑工装 | |
CN103600247B (zh) | 法兰型工件部装工具 | |
CN209190341U (zh) | 附件头的换头装置 | |
JP2502625B2 (ja) | 縦型反応装置 | |
CN106695554B (zh) | 磨抛夹具 | |
CN209167478U (zh) | 串行eeprom芯片的检测装置中的调节定位机构 | |
CN106111465A (zh) | 一种加密光盘生产线用旋涂装置 | |
CN212806250U (zh) | 一种用于锗片甩干的甩干盘及包含它的氮气式锗片甩干装置 | |
TW202044451A (zh) | 包括單一晶圓、縮小體積的處理室的系統 | |
CN219123208U (zh) | 一种晶圆载台装置 | |
CN217425920U (zh) | 晶圆涂胶显影工艺设备用晶圆载片 | |
CN221230989U (zh) | 一种具清洁机构的键盘生产用的键盘上色装置 | |
CN214720788U (zh) | 直流无刷电机注塑铁芯侧面打孔设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |