CN109452153A - 一种促榔榆容器苗快速生长方法 - Google Patents

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蒋泽平
陈庆生
祝亚云
孙海楠
吴纲
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    • A01G31/00—Soilless cultivation, e.g. hydroponics

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  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental Sciences (AREA)
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Abstract

本发明涉及一种促榔榆容器苗快速生长方法，主要包括如下步骤：（1）建苗木培育池，加水；（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有泥炭土和珍珠岩按照体积比为（5‑7）：（3‑5）混合基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘；（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置与步骤（1）的苗木培育池中培育，待出苗后在苗木培育池的水中添加硝酸铵125‑205g/L、磷酸二氢钾15‑35g/L、硝酸钾150‑280g/L、硫酸亚铁50‑80mg/L、硼酸12‑20mg/L、硝酸镧0.2mg/L,每7天添加1次；（4）培养榔榆根茎1cm以上、根长4‑8cm。本发明的育苗方法操作简单、出苗率高、生长快、苗木健壮、成本低。

Description

一种促榔榆容器苗快速生长方法
技术领域
本发明涉及用材树种苗木培育栽培领域，尤其涉及一种促榔榆容器苗快速生长方法。
背景技术
榔榆（Ulmus parvifolia）为榆科榆属落叶乔木，树干通直圆满，枝叶细密，深秋叶黄色或红色，树型优美，具有较高的观赏价值的珍贵彩色树种。
国外以榔榆作培育抗榆树荷兰病杂种的亲本材料资源收集保存；利用榔榆具有抗旱性、耐热性，尤其具有抗DED的特性，Lindstrome等(1991)对6个榔榆品种开展抗冻性测定，以期筛选出优良品种；Benet等(1995)利用RAPD技术在榔榆自交群体中通过BSA法筛选得到了与榔榆黑叶斑病抗性基因相连锁的3个RAPD分子标记，为利用分子标记辅助选择进行了有益探索。
国内榔榆开展了繁殖技术研究。程雪梅等（2014）进行了播种育苗试验，王国枢等（2014）在榔榆大苗培育技术上探索，刘雪梅等（2005）研究了全光雾扦插技术；我国榔榆长期以来作为传统的盆景素材培育，极少开展用材树种培育；没有开展遗传改良及良种选育研究,有待于填补空白。而榔榆虽然有播种育苗试验文献，但在容器播种苗培育及促进快速生长方面未有报道。
发明内容
发明目的：本发明所要解决的技术问题是提供一种促榔榆容器苗快速生长方法。
技术方案：为了解决容器播种育苗快速生长成苗，尽早推广应用新品种，本发明提供以下技术方案：
一种促榔榆容器苗快速生长方法，包括以下步骤：
（1）建苗木培育池，加水；
（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有泥炭土和珍珠岩按照体积比为（5-7）：（3-5）混合基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘；
（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置与步骤（1）的苗木培育池中培育，待出苗后在苗木培育池的水中添加硝酸铵125-205g/L、磷酸二氢钾15-35g/L、硝酸钾150-280g/L、硫酸亚铁50-80mg/L、硼酸12-20mg/L、硝酸镧0.2mg/L,每7天添加1次；
（4）培养榔榆根茎1cm以上、根长4-8cm。
其中，步骤（2）中所述榔榆种子处理将榔榆种子用水浸泡12-36h，浸泡温度为20-30℃。
作为优选地，步骤（2）中用水浸泡20h，浸泡温度为25℃。
其中，步骤（2）中所述泥炭土和珍珠岩体积比为7:3。
其中，步骤（3）中所述培育条件为：温度15-30℃，湿度40-85%。
作为优选地，步骤（3）中培育条件为：温度为20-28℃，湿度50-80%。
其中，步骤（3）中所述培育期间，修剪叶片和根系。
其中，所述培育期间，修剪叶片和根系的方法是：真叶长出后，将子叶叶片剪去1/3；播种60d后，将伸出育苗盘的根去除；播种75d时，将子叶全部剪去，控制育苗盘的须根长4-8cm。
其中步骤（3）中所述培育期间，榔榆苗株高达3cm时，进行间苗和补苗。
有益效果：本发明的有益效果在于：本发明的育苗方法操作简单、出苗率高、生长快、苗木健壮、成本低。使用该发明专利，能够大幅度降低生产成本，提高经济效益，有利加快榔榆新品种推广应用。
具体实施方式
实施例1：
（1）建苗木培育池，加水；
（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有泥炭土和珍珠岩按照体积比为7：3混合基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘,
榔榆种子处理是将榔榆种子用水浸泡12h，浸泡温度为30℃；
（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置与步骤（1）的苗木培育池中培育，待出苗后在苗木培育池的水中添加硝酸铵125g/L、磷酸二氢钾15g/L、硝酸钾150g/L、硫酸亚铁50mg/L、硼酸12mg/L、硝酸镧0.2mg/L，每7天添加1次；培育条件为温度25℃，湿度50%；培育期间，修剪叶片和根系的方法是：真叶长出后，将子叶叶片剪去1/3；播种60d后，将伸出育苗盘的根去除；播种75d时，将子叶全部剪去，控制育苗盘的须根长4cm；榔榆苗株高达3cm时，进行间苗和补苗；
（4）培养榔榆根茎达1cm以上、根长4cm。
本实施例，榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了38.8%，地径生长提高了21.65%。
关于本发明实施例中所提到的普通容器播种育苗步骤如下：
（1）建苗床，用于放置育苗容器；
（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有营养土的培育基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘,榔榆种子处理是将榔榆种子用温水浸泡12h；
（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置与步骤（1）苗床上，待出苗后，开展除草、喷施营养；榔榆苗株高达3cm时，进行间苗和补苗；病虫害防治；秋季断根处理；
（4）培养榔榆容器播种苗根茎达1cm，根系长3cm。
实施例2：
（1）建苗木培育池，加水；
（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有泥炭土和珍珠岩按照体积比为7：3混合基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘,
榔榆种子处理是将榔榆种子用水浸泡26h，浸泡温度为20℃；
（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置与步骤（1）的苗木培育池中培育，待出苗后在苗木培育池的水中添加硝酸铵205g/L、磷酸二氢钾35g/L、硝酸钾280g/L、硫酸亚铁80mg/L、硼酸20mg/L、硝酸镧0.2mg/L,每7天添加1次；培养条件为温度28℃，湿度80%；培养期间，修剪叶片和根系的方法是：真叶长出后，将子叶叶片剪去1/3；播种60d后，将伸出育苗盘的根去除；播种75d时，将子叶全部剪去，控制育苗盘的须根长8cm；榔榆苗株高达3cm时，进行间苗和补苗；
（4）培养榔榆根茎1cm以上、根长8cm。
本实施例，榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了45.2%，地径生长提高了22.15%。
实施例3
与实施例1基本一样，所不同的在于，所述泥炭土和珍珠岩按照体积比为5：3，所述苗木培育池的水中添加硝酸铵165g/L、磷酸二氢钾25g/L、硝酸钾215g/L、硫酸亚铁65mg/L、硼酸16mg/L、硝酸镧0.2mg/L，本实施例中，榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了33.28%，地径生长提高了20.15%。
实施例4
与实施例1基本一样，所不同的在于，所述泥炭土和珍珠岩按照体积比为7：5，所述浸泡温度为25℃，用水浸泡20h，培育条件为温度20℃，湿度65%；本实施例中，榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了35.16%，地径生长提高了21.46%。
对比例1
与实施例1基本一样，所不同的在于，所述混合基质泥炭土和珍珠岩按照体积比为1:1，榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了16.32%，地径生长提高了12.64%。
对比例2
与实施例1基本一样，所不同的在于，水中添加硝酸铵230g/L、磷酸二氢钾40g/L、硝酸钾300g/L、硫酸亚铁100mg/L、硼酸30mg/L、硝酸镧0.4mg/L,榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了13.23%，地径生长提高了10.26%。
对比例3
与实施例1基本一样，所不同的在于，所述苗木培育池的水中添加硝酸铵100g/L、磷酸二氢钾10g/L、硝酸钾120g/L、硫酸亚铁30mg/L、硼酸10mg/L、硝酸镧0.1mg/L, 榔榆苗木年生长量比普通容器播种育苗，苗高生长提高了18.38%，地径生长提高了13.65%。
以上述依据本发明理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (9)

1.一种促榔榆容器苗快速生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）建苗木培育池，加水；
（2）取容器育苗盘，将经过消毒灭菌含有泥炭土和珍珠岩按照体积比为5-7：3-5的混合基质，装入容器育苗盘，再将经过处理的榔榆种子播种入容器育苗盘；
（3）将步骤（2）播种后的容器育苗盘放置于步骤（1）的苗木培育池中培育，待出苗后在苗木培育池的水中添加硝酸铵125-205g/L、磷酸二氢钾15-35g/L、硝酸钾150-280g/L、硫酸亚铁50-80mg/L、硼酸12-20mg/L、硝酸镧0.2mg/L,每7天添加1次；
（4）培养至榔榆根茎1cm以上、根长4-8cm。
2.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（2）中所述榔榆种子处理方法为将榔榆种子用水浸泡12-36h，浸泡温度为20-30℃。
3.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：所述步骤（2）中浸泡时间20h，浸泡温度为25℃。
4.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（2）中所述泥炭土和珍珠岩体积比为7:3。
5.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（3）中所述培育条件为：温度15-30℃，湿度40-85%。
6.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（3）中所述培育条件为：温度为20-28℃，湿度50-80%。
7.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（3）中在所述培育期间，修剪叶片和根系。
8.如权利要求7所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：在所述培育期间，修剪叶片和根系的方法是：真叶长出后，将子叶叶片剪去1/3；播种60d后，将伸出育苗盘的根去除；播种75d时，将子叶全部剪去，控制育苗盘的须根长4-8cm。
9.如权利要求1所述的一种促进榔榆容器播种苗快速生长方法，其特征在于：步骤（3）中所述培育期间，榔榆苗株高达3cm时，进行间苗和补苗。
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