CN109428414A - 一种旁路分流式永磁体 - Google Patents

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应红亮
陆欢
王朋
孙龙纲
许冬
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SHANGHAI AUTOMOBILE EORIVE CO Ltd
Shanghai Automobile Eorive Engineering Technology Research Center Co ltd
Shanghai Edrive Co Ltd
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SHANGHAI AUTOMOBILE EORIVE CO Ltd
Shanghai Automobile Eorive Engineering Technology Research Center Co ltd
Shanghai Edrive Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种旁路分流式永磁体，所述旁路分流式永磁体包括永磁体主体和局部镀层，所述局部镀层完全覆盖永磁体主体的所有顶角且不完全覆盖永磁体主体，所述局部镀层为含镍镀层。与现有技术相比，本发明具有提高永磁体的抗去磁能力、减小永磁体的矫顽力需求以及节省成本等优点。

Description

一种旁路分流式永磁体
技术领域
本发明涉及新能源汽车永磁同步电机本体设计领域，尤其是涉及一种旁路分流式永磁体。
背景技术
近年来随着新能源汽车行业的高速发展，烧结钕铁硼永磁同步电机是车用驱动电机的首选。随着车用驱动电机的功率密度越来越高，转矩密度越来越大，烧结钕铁硼永磁体存在温度系数较高，导致转子中永磁体温度严重升高，甚至出现不可逆退磁现象。
目前对于提高永磁体抗退磁能力主要通过提高永磁体矫顽力，通过化学制备的方法增加永磁体厚度，增加镀层厚度或采用镍铜含镍镀层，这无疑都增加了电机设计的成本。在高温、强退磁磁场下，永磁体两侧部分的工作点较中间区域更低，更易发生不可逆退磁现象。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题提供一种旁路分流式永磁体。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种旁路分流式永磁体，所述旁路分流式永磁体包括永磁体主体和局部镀层，所述局部镀层完全覆盖永磁体主体的所有顶角且不完全覆盖永磁体主体，所述局部镀层为含镍镀层。
所述局部镀层的厚度为5-20μm。
所述局部镀层的宽度小于永磁体主体宽度。
所述局部镀层包括第一局部镀层和第二局部镀层，所述第一局部镀层和第二局部镀层分布位于永磁体主体的左右两侧，分别对永磁体的左侧所有顶角和右侧所有顶角实现完全覆盖。
所述第一局部镀层和第二局部镀层的尺寸相同，且沿永磁体主体的中轴线对称分布。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)通过在永磁体主体上覆盖局部镀层，优化镀层结构来提高永磁体抗退磁能力，具体即通过完全覆盖永磁体主体所有顶角的局部含镍镀层，来作为导磁旁路，缓解永磁体边角处的反向退磁磁场，提高电机永磁体的抗退磁性能，相应的可以减小永磁体的矫顽力需求，减少甚至消除重稀土元素的使用。
(2)第一局部镀层与第二局部镀层沿中轴线对称分布，有利于镀层工艺，永磁体可常规充磁不用区分正反面，且在一定程度上减小转矩脉动。
(3)局部镀层厚度设置为5-20μm，既能保证电机永磁体的抗退磁能力，而且可以控制电镀的材料成本。
附图说明
图1为旁路分流式永磁体的结构剖分示意图；
图2为永磁体主体的结构剖分示意图；
图3为局部镀层的结构剖分示意图；
其中，1为永磁体主体，2为第一局部镀层，3为第二局部镀层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
本申请提供了一种旁路分流式永磁体，如图1所示，包括永磁体主体1(如图2所示)和局部镀层(如图3所示)，局部镀层完全覆盖永磁体主体1的所有顶角且不完全覆盖永磁体主体1，局部镀层为含镍镀层。
实施例1
本实施例中，局部镀层的厚度为10μm。局部镀层的宽度为永磁体主体1宽度的1/2。局部镀层包括第一局部镀层2和第二局部镀层3，第一局部镀层2和第二局部镀层3分布位于永磁体主体1的左右两侧，分别对永磁体的左侧所有顶角和右侧所有顶角实现完全覆盖。第一局部镀层2和第二局部镀层3的尺寸相同，且沿永磁体主体的中轴线对称分布。第一局部镀层2的宽度为永磁体主体1宽度的1/4。第二局部镀层3的宽度为永磁体主体1宽度的1/4。
由于第一局部镀层2和第二局部镀层3为含镍镀层，而镍为导磁材料，利用左右局部含镍镀层作为导磁旁路，能缓解永磁体边角处的反向退磁磁场，改善电机永磁体的抗退磁能力。相应的它可减小永磁体的矫顽力需求，减少甚至消除重稀土元素的使用。与整体电镀镍层的技术不同，它仅需要边角处进行镀镍，电镀的材料成本得以控制。该结构永磁体既能保证与整体镀层一样的转矩性能，又能提高永磁体抗退磁能力，还一定程度降低了电机的转矩脉动，因此旁路法永磁体抗退磁技术具有鲜明的高性价特点。
实施例2
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中的局部镀层厚度为5μm。
实施例3
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中的局部镀层厚度为20μm。
实施例4
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的宽度均为永磁体主体宽度的1/3。
实施例5
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的宽度均为永磁体主体宽度的1/5。
实施例6
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的厚度均为5μm，宽度均为永磁体主体宽度的1/3。
实施例7
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的厚度均为20μm，宽度均为永磁体主体宽度的1/3。
实施例8
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的厚度均为5μm，宽度均为永磁体主体宽度的1/5。
实施例9
本实施例中的旁路分流式永磁体结构与实施例1中的大致相同，区别在于本实施例中第一局部镀层和第二局部镀层的厚度均为20μm，宽度均为永磁体主体宽度的1/5。

Claims (5)

1.一种旁路分流式永磁体，其特征在于，所述旁路分流式永磁体包括永磁体主体和局部镀层，所述局部镀层完全覆盖永磁体主体的所有顶角且不完全覆盖永磁体主体，所述局部镀层为含镍镀层。
2.根据权利要求1所述的旁路分流式永磁体，其特征在于，所述局部镀层的厚度为5-20μm。
3.根据权利要求1所述的旁路分流式永磁体，其特征在于，所述局部镀层的宽度小于永磁体主体宽度。
4.根据权利要求1所述的旁路分流式永磁体，其特征在于，所述局部镀层包括第一局部镀层和第二局部镀层，所述第一局部镀层和第二局部镀层分别位于永磁体主体的左右两侧，分别对永磁体的左侧所有顶角和右侧所有顶角实现完全覆盖。
5.根据权利要求4所述的旁路分流式永磁体，其特征在于，所述第一局部镀层和第二局部镀层的尺寸相同，且沿永磁体主体的中轴线对称分布。
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