CN109427950A - 白光芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种白光芯片及其制备方法，包括：S1在倒装蓝光LED芯片表面制备铜电极；S2将LED芯片以阵列方式排列在支撑基板上；S3在LED芯片四周设置透明硅胶并固化；S4在相邻LED芯片之间的透明硅胶表面填充高反胶，直到高反胶的高度超出铜电极的高度，固化高反胶；S5研磨高反胶，直到露出铜电极；S6在露出的铜电极表面镀金；S7去除支撑基板，将荧光膜片置于LED芯片发光面一侧；S8沿切割道切割荧光膜片和高反胶，得到白光芯片。LED芯片侧面的高反胶成碗杯状，使得蓝宝石侧面光成为有效光输出，光斑较传统的LED芯片更均匀，避免了漏蓝光的现象。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光二极管领域，特别涉及一种白光芯片及其制备方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其发光原理是电激发光，即在PN结上加正向电流后，自由电子与空穴复合而发光，从而直接把电能转化为光能。LED,尤其是白光LED，作为一种新的照明光源材料被广泛应用着，它具有反应速度快、抗震性好、寿命长、节能环保等优点而快速发展，目前已被广泛应用于景观美化及室内外照明等领域。
目前白光LED的制备主要采用的是在蓝光芯片上涂覆黄色荧光粉的工艺制得，即在蓝光LED芯片表面直涂或喷涂一层荧光粉胶，按上述工艺制得的白光LED芯片存在如下两个问题：一是只是在蓝光LED芯片表面涂覆一层荧光粉胶，而芯片侧面并未涂覆有荧光胶，因此会出现芯片四周漏蓝光现象，导致最后封装成的白光LED器件白光颜色不均匀，往往带有黄色或蓝色光斑；二是以上方法制备的白光LED芯片为五面出光，大部分侧面光成为无效光，光的利用率没有得到有效提高。另外，在一些要求LED产品具有小型化、集成化、发光角度更小等特点的应用领域，譬如闪光灯、电视背光等产品，传统方法制备的LED芯片是达不到这些领域的要求的。因此，有必要提供一种新的LED芯片制备方法来解决上述问题。
发明内容
针对上述问题，本发明旨在提供一种白光芯片及其制备方法，其制备的白光芯片发出的白光颜色均匀，不会出现漏蓝光的现象，且出光效率高、发光角度小。
为达到上述目的，本发明提供的技术方案如下：
一种白光芯片制备方法，包括：
S1在倒装蓝光LED芯片表面制备铜电极；
S2将LED芯片以阵列方式排列在支撑基板上；
S3在LED芯片四周设置透明硅胶并固化；
S4在相邻LED芯片之间的透明硅胶表面填充高反胶，直到高反胶的高度超出铜电极的高度，固化所述高反胶；
S5研磨所述高反胶，直到露出铜电极；
S6在露出的铜电极表面镀金；
S7去除支撑基板，将荧光膜片置于LED芯片发光面一侧；
S8沿切割道切割荧光膜片和高反胶，得到白光芯片。
进一步优选地，在步骤S1中，采用电镀或化学镀的方式在倒装蓝光LED芯片表面制备铜电极。
进一步优选地，在步骤S3中，采用混喷胶机或者点胶机，将透明硅胶设于倒装蓝光芯片周围。
进一步优选地，在步骤S6中，采用电镀或化学镀的方式在铜电极表面镀金。
进一步优选地，所述铜电极的厚度范围为40～200μm。
进一步优选地，沿所述LED芯片的任意一侧，所述透明硅胶的高度范围为10～150μm，宽度范围为10～1000μm。
本发明还提供了一种白光芯片，包括：
一表面设有铜电极的倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、高反胶以及荧光膜片；其中，
所述荧光膜片设于所述倒装蓝光LED芯片中与所述铜电极相对的一侧贴于所述倒装蓝光LED芯片表面，且所述铜电极表面镀金；
所述透明硅胶表面呈下凹弧状设于所述倒装蓝光LED芯片四周，且所述透明硅胶设于所述蓝光LED芯片和所述荧光膜片的相接表面；
所述高反胶沿所述透明硅胶表面设于所述倒装蓝光LED芯片四周，且高度与铜电极齐平。
进一步优选地，所述铜电极的厚度范围为40～200μm。
进一步优选地，沿所述LED芯片的任意一侧，所述透明硅胶的高度范围为10～150μm，宽度范围为10～1000μm。
本发明提供的白光芯片制备方法，由其制备的白光芯片四周设置有高反胶(高反射率白胶)，以此从侧面发出的光被该高反胶反射回去，形成单面出光的LED芯片；且侧面的高反胶成碗杯状，使得蓝宝石侧面光成为有效光输出，光斑较传统的LED芯片更均匀，避免了漏蓝光的现象；另外，在铜电极表面镀金，提高电极焊接的牢固度；最后，制备的LED芯片不仅能从整体上提高光的利用率，还具有导热性好、发光角度小、成本低的优势，从而提高LED的应用范围和使用的便捷性。
附图说明
图1至图5为本发明白光芯片制备过程示意图。
图中标识说明：
1-倒装蓝光LED芯片，2-透明硅胶，3-荧光膜片，4-支撑基板，5-高反胶，6-金。
具体实施方式
本实施例采用如下步骤：
在倒装蓝光LED芯片1的电极上电镀铜之后，将倒装蓝光芯片1放置支撑基板4上，如图1所示；
在倒装芯片周围点上或者喷射上透明硅胶2，并在150°的温度下烘烤2小时，使相邻两颗倒装蓝光LED芯片之间的透明硅胶2呈现下凹碗状；之后，在相邻两颗倒装蓝光LED芯片1之间的透明硅胶表面填充高反胶5，直到所述高反胶5的高度超过铜电极高度；之后，通过研磨设备，研磨高反胶5，直至铜电极露出为止，如图2所示；
研磨完成后，在铜电极表面进行化学镀金6，如图3所示；
将支撑膜进行转移，贴上荧光膜片3，具体，将支撑基底4去除，将荧光膜片3替换上去，如图4所示；
沿着设于相邻两颗倒装蓝光LED芯片的沟槽进行切割，得到单颗高亮度单面出光的白光芯片，如图5所示。
Claims (9)
1.一种白光芯片制备方法，其特征在于，所述白光芯片制备方法中包括：
S1在倒装蓝光LED芯片表面制备铜电极；
S2将LED芯片以阵列方式排列在支撑基板上；
S3在LED芯片四周设置透明硅胶并固化；
S4在相邻LED芯片之间的透明硅胶表面填充高反胶，直到高反胶的高度超出铜电极的高度，固化所述高反胶；
S5研磨所述高反胶，直到露出铜电极；
S6在露出的铜电极表面镀金；
S7去除支撑基板，将荧光膜片置于LED芯片发光面一侧；
S8沿切割道切割荧光膜片和高反胶，得到白光芯片。
2.如权利要求1所的白光芯片制备方法，其特征在于，在步骤S1中，采用电镀或化学镀的方式在倒装蓝光LED芯片表面制备铜电极。
3.如权利要求1所的白光芯片制备方法，其特征在于，在步骤S3中，采用混喷胶机或者点胶机，将透明硅胶设于倒装蓝光芯片周围。
4.如权利要求1所的白光芯片制备方法，其特征在于，在步骤S6中，采用电镀或化学镀的方式在铜电极表面镀金。
5.如权利要求1-4任意一项所述的白光芯片制备方法，其特征在于，所述铜电极的厚度范围为40～200μm。
6.如权利要求1-4任意一项所述的白光芯片制备方法，其特征在于，沿所述LED芯片的任意一侧，所述透明硅胶的高度范围为10～150μm，宽度范围为10～1000μm。
7.一种白光芯片，其特征在于，在所述白光芯片中包括：
一表面设有铜电极的倒装蓝光LED芯片、透明硅胶、高反胶以及荧光膜片；其中，
所述荧光膜片设于所述倒装蓝光LED芯片中与所述铜电极相对的一侧贴于所述倒装蓝光LED芯片表面，且所述铜电极表面镀金；
所述透明硅胶表面呈下凹弧状设于所述倒装蓝光LED芯片四周，且所述透明硅胶设于所述蓝光LED芯片和所述荧光膜片的相接表面；
所述高反胶沿所述透明硅胶表面设于所述倒装蓝光LED芯片四周，且高度与铜电极齐平。
8.如权利要求7所述的白光芯片，其特征在于，所述铜电极的厚度范围为40～200μm。
9.如权利要求7所述的白光芯片，其特征在于，沿所述LED芯片的任意一侧，所述透明硅胶的高度范围为10～150μm，宽度范围为10～1000μm。
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