CN109408886B - 一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质 - Google Patents

一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN109408886B
CN109408886B CN201811102723.7A CN201811102723A CN109408886B CN 109408886 B CN109408886 B CN 109408886B CN 201811102723 A CN201811102723 A CN 201811102723A CN 109408886 B CN109408886 B CN 109408886B
Authority
CN
China
Prior art keywords
frequency
cut
capacitance
adjusting
cutoff
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811102723.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109408886A (zh
Inventor
吕叶靖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Original Assignee
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vivo Mobile Communication Co Ltd filed Critical Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority to CN201811102723.7A priority Critical patent/CN109408886B/zh
Publication of CN109408886A publication Critical patent/CN109408886A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109408886B publication Critical patent/CN109408886B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/32—Circuit design at the digital level
    • G06F30/327—Logic synthesis; Behaviour synthesis, e.g. mapping logic, HDL to netlist, high-level language to RTL or netlist
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
    • Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电路性能的优化方法，应用于终端领域，以优化电路性能。所述方法包括：获取射频开关通路的工作频率的值；获取所述射频开关通路的截止频率的值；基于所述工作频率的值与所述截止频率的值之间的大小关系，调整所述截止频率的值以调整插入损耗或隔离度。本发明用于电路性能优化。

Description

一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质
技术领域
本发明实施例涉及终端领域，尤其涉及一种电路性能的优化方法、终端及存储介质。
背景技术
随着通信技术的发展，手机终端需要支持的射频(Radio Frequency,RF)频段越来越多。在终端需要在某个射频频段下工作时，可以通过射频开关与这一射频频段对应的端口进行连接。
在射频开关与端口连接之后，随着射频开关的加入会对电路性能产生影响。因而，如何对电路性能进行优化是一个需要解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质，以对电路性能进行优化。
第一方面，一种电路性能的优化方法，应用于终端，其特征在于，包括：
获取射频开关通路的工作频率；
获取所述射频开关通路的第一截止频率；
基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。
第二方面，提供了一种移动终端，包括：
获取模块，用于获取射频开关通路的工作频率；以及获取射频开关通路的第一截止频率；
调整模块，用于基于所述获取模块获取的所述工作频率与所述获取模块获取的所述截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。
第三方面，提供一种移动终端，包括处理器和存储器，所述存储器上存储计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器运行时，实现如第一方面所述的方法的步骤。
第四方面，提供了一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率和第一截止频率，并基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。以此方式，可以优化电路性能，例如减小插入损耗或者增大隔离度。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种终端内的射频前端的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种电路性能的优化方法的流程图；
图3是本发明实施例提供的一种射频开关的示例电路示意图；
图4是图3所示电路的简化示意图；
图5是图4所示电路的RC电路图；
图6是转移电压比与频率的关系的示意图；
图7是本发明实施例提供的终端的结构框图；
图8是实现本发明实施例提供的一种终端的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的一种电路性能的优化方法可由终端来执行，在本发明实施例中，终端可以为各种移动终端，例如手机、平板电脑、个人数字助理等。
以下结合附图，详细说明本发明各实施例提供的技术方案。
图1是本发明实施例提供的一种终端内的射频前端的结构示意图。需了解的是，图1中所示部件只是示例而并非限制，射频前端的结构中可以包括比图1中所示部件更多或更少的部件。
参照图1，本发明实施例提供的射频前端可以包括低噪声放大器(Low NoiseAmplifier,LNA)11、功率放大器(Power Amplifier,PA)12、滤波器13以及射频开关14。射频开关14的一端可以与滤波器13相连，另一端可以与天线15相连。开关16和开关17可以与收发器(图未示出)相连，收发器可以与基带芯片(图未示出)相连。这样，由收发器发出的信号可以经由开关17传输至PA 12，由PA 12对信号进行功率放大后可经由开关18传输至滤波器13，以进行滤波处理，滤波处理后的信号可以传输至射频开关14，并由射频开关14传输至天线15，以通过天线15发出信号。相应地，天线15在接收到信号之后，可依次经由射频开关14、滤波器13以及开关18，并可在经过LNA 11进行处理之后，经由开关16返回给收发器。
本发明实施例中的电路性能优化可以为插入损耗的优化，也可以为隔离度的优化。以插入损耗的优化为例，本发明实施例提供的电路性能的优化方法可用于降低将射频开关引入电路中所引起的插入损耗。插入损耗可指在传输系统的某处由于元件或器件的插入而发生的负载功率的损耗，它表示为该元件或器件插入前负载上所接收到的功率与插入后同一负载上所接收到的功率以分贝(dB)为单位的比值。
插入损耗可表示为：IL＝-10log(Po/Pi)，其中，IL(Insertion loss)为插入损耗，Po为插入前负载接收功率，Pi为插入后负载接收功率。当然，若用双端口传输线理论，插入损耗可表示为：IL＝-20log(S21)，其中，IL(Insertion loss)为插入损耗，S21是传输系数。
以最为常见的印刷电路板(PCB)微带线损耗为例，微带线的损耗以导体损耗为主。
其中，趋肤深度
Figure BDA0001807080780000041
u是电导率，σ是磁导率，f是频率。射频损耗电阻
Figure BDA0001807080780000042
其中w为微带线宽度。
由上述公式可知，射频下的欧姆电阻R是随
Figure BDA0001807080780000043
而成正比变化的。也就是说，射频频率越高，射频下的欧姆电阻越大，进而欧姆损耗也越大。由于插入损耗与欧姆损耗也是成正比的，因而射频频率越高，引入的插入损耗也越大。
本发明实施例提供的优化插入损耗的方法可降低插入损耗，例如降低高射频频率下的插入损耗。
本发明实施例提供的电路性能的优化方法还可以提高端口之间的隔离度。在本发明实施例中，隔离度为射频信号泄漏到其他端口的功率与输入功率之比，单位分贝(dB)。由于射频开关集成了大量的端口，端口间的隔离度越高，理论上某一射频通路工作时，对另外的端口的影响越小。
下面结合图2对本发明实施例提供的电路性能的优化方法进行说明。
图2是本发明实施例提供的一种电路性能的优化方法的流程图。参照图2，本发明实施例提供的电路性能的优化方法可应用于终端，且可包括：
步骤210，获取射频开关通路的工作频率。
在本发明实施例中，可以对终端所使用的频段进行细分，每一个细分的频段都有一个端口与之对应，这样通过连接到相应端口，即可使用该端口对应的细分频段。例如，终端所使用的射频频段为1GHz～2GHz，则可以将1GHz～2GHz的射频频段例如细分为10个子频段：1GHz～1.1GHz(例如，其对应于端口TRX1)、1.1GHz～1.2GHz(例如，其对应于端口TRX2)、1.2GHz～1.3GHz(例如，其对应于端口TRX3)...1.9GHz～2GHz(例如，其对应于端口TRX10)。这样，每一个端口都对应于一个子频段。如果要使用的频段例如为1.5GHz～1.6GHz，则可以连接到端口TRX6。需了解的是，这里提到的射频频段范围和划分方式仅是举例说明。
在本发明实施例中，射频开关通路为射频开关与一个端口相连时所形成的通路。例如，射频开关与端口TRX6相连时形成的通路可为一种射频开关通路。当然，射频开关与另一端口(例如，TRX5)相连时所形成的通路也可为一种射频开关通路。
射频开关在与一个端口相连之后，即可在此端口对应的频段范围内的频率下工作。相应地，终端可获取射频开关通路的工作频率的值。例如，还是以上面的示例进行说明。射频开关在连接到端口TRX6之后，即可使用TRX6对应的频段1.5GHz～1.6GHz内的一频率作为工作频率。例如，1.55GHz作为工作频率。
步骤220，获取所述射频开关通路的第一截止频率。
在本发明实施例中，获取所述射频开关通路的第一截止频率可以包括：获取所述射频开关通路连接到天线端时的导通电阻和断开电容；基于所述导通电阻和所述断开电容，确定所述射频开关通路的第一截止频率。其中，第一截止频率可以为射频开关在与端口连通后的初始截止频率。
在本发明实施例中，导通电阻可以用Ron表示，断开电容可以用Coff表示。射频开关通路的截止频率(包括第一截止频率)可以用fc表示，fc＝1/2πRonCoff，其中2πRonCoff为分母。因而，获知了Ron和Coff，即可计算出射频开关通路的截止频率fc。在本发明实施例中，可以利用矢量网络分析仪测量Ron和Coff，例如，通过矢量网络分析仪双端口测量，一端接端口，另一端接天线，可精准测量到截止频率Ron和Coff。此种确定截止频率的方式操作简单，测量的精度也较高。
步骤230，基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率和第一截止频率，并基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。以此方式，可以优化电路性能，例如减小插入损耗或者增大隔离度。
在本发明实施例中，如果电路性能优化为插入损耗的优化，则基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗可以包括：如果所述工作频率大于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第二截止频率，其中，所述第二截止频率不小于所述工作频率。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率和第一截止频率，并在工作频率大于第一截止频率的情况下，调整所述第一截止频率，使得调整后得到的所述第二截止频率不小于所述工作频率。由于工作频率与截止频率(包括第一截止频率和第二截止频率)之间的比值越小，插入损耗则越小，因而在工作频率不变的情况下通过增大第一截止频率可以减小插入损耗。
在本发明实施例中，由于在射频开关与端口连通的情况下，导电电阻可以保持不变，因而在优化插入损耗的情况下，将所述第一截止频率调整(增大)至第二截止频率可以包括：调小所述断开电容以将所述第一截止频率调整至第二截止频率。
在本发明实施例中，射频开关中的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应)管的通断可以由逻辑控制信号发生器(Logic Control SignalGeneration)发出的逻辑控制信号来控制，其中逻辑控制信号发生器可以位于射频开关内。同时，所述断开电容由至少一个电容组成。因而，调小所述断开电容可以包括：通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，增加所述至少一个电容中的导通电容的数目来减小所述断开电容。本发明实施例通过逻辑控制信号来控制各个电容的导通以及导通电容的数目，如此可以方便地对导通电容的数目进行控制。在需要减小断开电容时，可以通过增加导通电容的数目来完成，如此操作方便简洁，效率较高。
在本发明实施例中，如果电路性能优化为隔离度的优化，则基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述截止频率以控制隔离度可以包括：如果所述工作频率小于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第三截止频率，其中，所述第三截止频率不大于所述工作频率。以此方式，可增大端口之间的隔离度。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率和第一截止频率，并在工作频率小于第一截止频率的情况下，调整所述第一截止频率，使得调整后得到的所述第三截止频率不大于所述工作频率。由于工作频率与截止频率(包括第一截止频率和第三截止频率)之间的比值越大，隔离度越大，因而在工作频率不变的情况下通过减小第一截止频率可以增大隔离度。
在本发明实施例中，由于导电电阻可以保持不变，因而在电路性能优化为隔离度的优化的情况下，如果所述工作频率小于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调整(减小)至第三截止频率可以包括：如果所述工作频率小于所述第一截止频率，增大所述断开电容以将所述第一截止频率减小至第三截止频率。
在本发明实施例中，射频开关中的MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应)管的通断可以由逻辑控制信号发生器(Logic Control SignalGeneration)发出的逻辑控制信号来控制，其中逻辑控制信号发生器可以位于射频开关内。同时，所述断开电容由至少一个电容组成。因而，增大所述断开电容可以包括：通过调整逻辑控制信号发生器输出的、用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，减小所述至少一个电容中的导通电容的数目来增大所述断开电容。本发明实施例通过逻辑控制信号来控制各个电容的导通以及导通电容的数目，如此可以方便地对导通电容的数目进行控制。在需要增大断开电容时，可以通过减少导通电容的数目来完成，如此操作方便简洁，效率较高。
在本发明实施例中，可以在工作频率大于第一截止频率的情况下，增大所述第一截止频率，以减小插入损耗；同时，可以在工作频率小于所述第一截止频率的情况下，减小第一截止频率，以增大隔离度。如此，可以实现对电路性能的按需优化。
需了解的是，在本发明实施例中，射频开关在不同射频频率下工作所产生的插入损耗会有所不同。一般而言，射频开关工作在高频率下所产生的插入损耗会大于工作在低频率下所产生的插入损耗。因而，在电路性能优化为插入损耗的优化的情况下，基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述截止频率以优化插入损耗的过程可以具体为：通过调整逻辑控制信号发生器输出的、用于断开电容的逻辑控制信号来增加导通电容的数目(导通电容数目增加，断开电容减小)，以增大截止频率；确定增大后的截止频率是否不小于所述工作频率；如果增大后的截止频率(例如，第二截止频率)不小于所述工作频率，保持所述逻辑控制信号；如果增大后的截止频率仍小于所述工作频率，继续调整所述逻辑控制信号发生器输出的、用于断开电容的逻辑控制信号以增加导通电容的数目，从而继续增大截止频率，直至得到的截止频率不小于所述工作频率。
相应地，在电路性能优化为隔离度的优化的情况下，基于所述工作频率与所述截止频率之间的大小关系，调整所述截止频率以优化隔离度的过程可以具体为：通过调整逻辑控制信号发生器输出的、用于断开电容的逻辑控制信号来减小导通电容的数目(导通电容数目减小，断开电容增大)，以减小截止频率；确定减小后的所述截止频率是否不大于所述工作频率；如果减小后的截止频率(例如，第三截止频率)不大于工作频率，保持所述逻辑控制信号；如果减小后的截止频率仍大于所述工作频率，继续调整所述逻辑控制信号发生器输出的、用于断开电容的逻辑控制信号以减小导通电容的数目，从而继续减小所述截止频率，直至得到的截止频率不大于所述工作频率。
图3是本发明实施例提供的一种射频开关的示例电路原理图。在图3，M1～M6为MOS管，R1～R12为电阻，VB1、VB2、VG1、VG2为逻辑控制信号发生器输出的逻辑控制信号，RF_PORT为射频开关所连接的端口，ANT为天线。其中，VB1、VG1为用于控制导通电阻的逻辑控制信号，VB2、VG2为用于控制断开电容的逻辑控制信号。需了解的是，图3中所示逻辑控制信号的数目和电阻的数目仅是示例，并不意为限制。
射频开关工作时的具体实现过程可如下：
在向RF_PORT输入某一射频信号前，射频开关会先接收到处理器发出的射频开关状态控制指令，射频开关状态控制指令会经过射频开关内部的逻辑控制信号发生器，逻辑控制信号发生器会将此射频开关状态控制指令转换为针对电路的逻辑控制信号(VG1、VB1、VG2和VB2)，并输出。
若图3中的RF_PORT接收到指令是要从接地的(OFF)状态切换到ANT的(ON)状态，则
在OFF状态下，逻辑控制信号发生器输出的各个逻辑控制信号的值可如下：VG1＝VSS，VB1＝GND，VG2＝VDD，VB2＝GND。其中，在电路中，VDD为射频开关中的正向偏置电压，VSS为射频开关中的反向偏置电压，GND为接地。
在ON状态下，逻辑控制信号发生器输出的各个逻辑控制信号的值可如下：VG1＝VDD，VB1＝GND，VG2＝VSS，VB2＝GND。其中，在电路中，VDD为射频开关中的正向偏置电压，VSS为射频开关中的反向偏置电压，GND为接地。
根据金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理，当MOS管的栅极提供正向偏置电压VDD(以N型MOS为例)时，源级和漏级之间导通。而当MOS管的栅极提供反向偏置电压VSS，而源级和漏级之间呈开路状态。由于MOS管特性可知，当MOS管导通时，源级和漏级两端短接，而MOS断开时，源级和漏级两端开路，相当于一个电容器。
从OFF到ON状态的切换可等效于RF_PORT从与GND接通到RF_PORT与ANT连通的切换。而控制这一切换的就是逻辑控制信发生器输出的逻辑控制信号，例如VG1、VB1、VG2和VB2。
由前文可知，截止频率fc＝1/2πRonCoff。因而，对于射频开关的插入损耗，影响因素包括Ron和Coff。其中，导通电阻Ron可表示RF_PORT切换到ANT端后，该通路上的固有损耗值。断开电容Coff可表示RF_PORT从GND切换到ANT端后，RF_PORT到ANT这条通路相对于GND的原有通路的寄生电容。
在本发明实施例中，可以分别单独控制RF_PORT对地的Coff通路的数个MOS端的不同通断状态。例如，逻辑控制信号VG2可由OFF状态下的VDD切换到ON状态下的VSS，逻辑控制信号VG1可由OFF状态下的VSS切换到ON状态下的VDD。如此就可以控制通路上Coff的容值大小。通过减小Coff，增大当前通路截止频率fc，从而减小在这一通路上的插入损耗。
虽然图3中是以逻辑控制信号VG1控制三个MOS管M1～M3，以逻辑控制信号VG2控制三个MOS管M4～M6，但本领域技术人员了解的是，在本发明实施例中，一个逻辑控制信号也可以控制两个MOS管或者一个MOS管，当然，一个逻辑控制信号也可以控制三个以上的MOS管。在本发明实施例中，逻辑控制信号与MOS管的数量之间并不存在必然的对应关系。例如，可以通过三个逻辑控制信号来分别控制MOS管M1～M3，即一个逻辑控制信号控制一个MOS管。又例如，可以通过两个逻辑控制信号来分别控制MOS管M4～M6，比如一个逻辑控制信号控制MOS管M4和M5，另一个逻辑控制信号控制MOS管M6；又比如，一个逻辑控制信号控制MOS管M4，另一个逻辑控制信号控制MOS管M5和M6。
图4是对图3所示电路的简化示意图。对于图4所示一阶RC滤波电路来说，Ron*Coff＝τ，其中，τ为充放电时间常数。
图5是图4所示示意图的RC电路图。在图5中，Ron用电阻R表示，Coff用电容C表示，u2表示电容C两端的电压，u1表示电容C和电阻R的总电压。
图6是转移电压比与频率的关系的示意图。在图6中，H(jf)可表示u2/u1的转移电压比，转移电压比越高，通路的插入损耗越小。其中，j为虚部，f为工作频率，fc为截止频率。由图6可知，在工作频率保持固定的情况下，通过增大截止频率可以提高转移电压比，从而减小插入损耗。在本发明实施例中，截止频率可由Ron和Coff两个参数决定，因而，在Ron保持固定的情况下，通过分别控制通路中MOS管的通断状态，可以改变通路中Coff可以改变截止频率。
需要了解的是，上面是以电路性能优化涉及插入损耗的优化为例进行的进一步阐释，本领域技术人员需了解的是，在电路性能优化涉及隔离度的优化的情况下，当工作频率f小于截止频率fc时，端口之间的间隔离度较小；当工作频率f大于截止频率fc时，端口之间的间隔离度随频率升高而明显增大。因而，隔离度的情形和插入损耗相反，当判定工作频率f小于截止频率fc时，需要通过调整通路Coff改变fc，使得工作频率f大于截止频率fc，从而获得端口之间较好的隔离度状态。
图7是本发明实施例提供的一种终端的结构框图。参照图7，本发明实施例提供的终端700可以为移动终端，且可包括获取模块710和调整模块720。其中：
获取模块710，用于获取射频开关通路的工作频率；以及获取射频开关通路的第一截止频率；
调整模块720，用于基于所述获取模块获取的所述工作频率与所述获取模块获取的所述截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率和第一截止频率，并基于所述工作频率与所述第一截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度。以此方式，可以优化电路性能，例如减小插入损耗或者增大隔离度。
可选地，在本发明的一个实施例中，所述获取模块710在获取射频开关通路的第一截止频率时，具体用于：
获取所述射频开关通路连接到天线端时的导通电阻和断开电容；
基于所述导通电阻和所述断开电容，确定所述射频开关通路的第一截止频率。
可选地，在本发明的一个实施例中，所述调整模块720在调整所述第一截止频率以调整插入损耗时具体用于：
如果所述工作频率大于所述第一截止频率，调小所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第二截止频率，其中，所述第二截止频率不小于所述工作频率。
可选地，在本发明的一个实施例中，所述断开电容由至少一个电容组成，所述调整模块720在调小所述断开电容时具体用于：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，增加所述至少一个电容中的导通电容的数目来减小所述断开电容。
可选地，在本发明的一个实施例中，所述调整模块720在调整所述第一截止频率以调整隔离度时具体用于：
如果所述工作频率小于所述第一截止频率，增大所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第三截止频率，其中，所述第三截止频率不大于所述工作频率。
可选地，在本发明的一个实施例中，所述断开电容由至少一个电容组成，所述调整模块720在调小所述断开电容时具体用于：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，减小所述至少一个电容中的导通电容的数目来增大所述断开电容。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率的值和截止频率的值，并基于所述工作频率的值与所述截止频率的值之间的大小关系，调整所述截止频率的值以调整插入损耗或隔离度。如此一来，若电路性能优化为插入损耗的优化，可以在工作频率的值大于截止频率的值的情况下，调整所述截止频率的值；若电路性能优化为隔离度的优化，可以在工作频率的值小于所述截止频率的值的情况下，调整截止频率的值。以此方式，可以优化电路性能，例如减小插入损耗或者增大隔离度。
需了解的是，本文中的终端可以为下文中提到的终端。
图8为实现本发明各个实施例的一种终端的硬件结构示意图。
该终端800包括但不限于：射频单元801、网络模块802、音频输出单元803、输入单元804、传感器805、显示单元806、用户输入单元807、接口单元808、存储器809、处理器810、以及电源811等部件。本领域技术人员可以理解，图8中示出的终端结构并不构成对终端的限定，终端可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，终端包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑等。
其中，处理器810，可用于获取与语言相关的输入；根据所述输入，确定出目标语言；将在所述终端内所使用的语言修改为所述目标语言。
应理解的是，本发明实施例中，射频单元801可用于收发信息或通话过程中，信号的接收和发送，具体的，将来自基站的下行数据接收后，给处理器810处理；另外，将上行的数据发送给基站。通常，射频单元801包括但不限于天线、至少一个放大器、收发信机、耦合器、低噪声放大器、双工器等。此外，射频单元801还可以通过无线通信系统与网络和其他设备通信。
终端通过网络模块802为用户提供了无线的宽带互联网访问，如帮助用户收发电子邮件、浏览网页和访问流式媒体等。
音频输出单元803可以将射频单元801或网络模块802接收的或者在存储器809中存储的音频数据转换成音频信号并且输出为声音。而且，音频输出单元803还可以提供与终端800执行的特定功能相关的音频输出(例如，呼叫信号接收声音、消息接收声音等等)。音频输出单元803包括扬声器、蜂鸣器以及受话器等。
输入单元804用于接收音频或视频信号。输入单元804可以包括图形处理器(Graphics Processing Unit，GPU)8041和麦克风8042，图形处理器8041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。处理后的图像帧可以显示在显示单元806上。经图形处理器8041处理后的图像帧可以存储在存储器809(或其它存储介质)中或者经由射频单元801或网络模块802进行发送。麦克风8042可以接收声音，并且能够将这样的声音处理为音频数据。处理后的音频数据可以在电话通话模式的情况下转换为可经由射频单元801发送到移动通信基站的格式输出。
终端800还可包括至少一种传感器805，比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示面板8061的亮度，接近传感器可在终端800移动到耳边时，关闭显示面板8061和/或背光。作为运动传感器的一种，加速计传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别终端姿态(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；传感器805还可以包括指纹传感器、压力传感器、虹膜传感器、分子传感器、陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等，在此不再赘述。
显示单元806用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息。显示单元806可包括显示面板8061，可以采用液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)等形式来配置显示面板8061。
用户输入单元807可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与终端的用户设置以及功能控制有关的键信号输入。具体地，用户输入单元807包括触控面板8071以及其他输入设备8072。触控面板8071，也称为触摸屏，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触控面板8071上或在触控面板8071附近的操作)。触控面板8071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触摸控制器；触摸控制器从触摸检测装置上接收触摸信息，并将它转换成触点坐标，再送给处理器810，接收处理器810发来的命令并加以执行。此外，可以采用电阻式、电容式、红外线以及表面声波等多种类型实现触控面板8071。除了触控面板8071，用户输入单元807还可以包括其他输入设备8072。具体地，其他输入设备8072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。
进一步的，触控面板8071可覆盖在显示面板8061上，当触控面板8071检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器810以确定触摸事件的类型，随后处理器810根据触摸事件的类型在显示面板8061上提供相应的视觉输出。虽然在图8中，触控面板8071与显示面板8061是作为两个独立的部件来实现终端的输入和输出功能，但是在某些实施例中，可以将触控面板8071与显示面板8061集成而实现终端的输入和输出功能，具体此处不做限定。
接口单元808为外部装置与终端800连接的接口。例如，外部装置可以包括有线或无线头戴式耳机端口、外部电源(或电池充电器)端口、有线或无线数据端口、存储卡端口、用于连接具有识别模块的装置的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频I/O端口、耳机端口等等。接口单元808可以用于接收来自外部装置的输入(例如，数据信息、电力等等)并且将接收到的输入传输到终端800内的一个或多个元件或者可以用于在终端800和外部装置之间传输数据。
存储器809可用于存储软件程序以及各种数据。存储器809可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器809可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
处理器810是终端的控制中心，利用各种接口和线路连接整个终端的各个部分，通过运行或执行存储在存储器809内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器809内的数据，执行终端的各种功能和处理数据，从而对终端进行整体监控。处理器810可包括一个或多个处理单元；优选的，处理器810可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器810中。
终端800还可以包括给各个部件供电的电源811(比如电池)，优选的，电源811可以通过电源管理系统与处理器810逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。
另外，终端800包括一些未示出的功能模块，在此不再赘述。
优选的，本发明实施例还提供一种终端，包括处理器810，存储器809，存储在存储器809上并可在所述处理器810上运行的计算机程序，该计算机程序被处理器810执行时实现上文中提及的任一种电路性能的优化方法中的步骤，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
在本发明实施例中，通过获取射频开关通路的工作频率的值和截止频率的值，并基于所述工作频率的值与所述截止频率的值之间的大小关系，调整所述截止频率的值以调整插入损耗或隔离度。如此一来，若电路性能优化为插入损耗的优化，可以在工作频率的值大于截止频率的值的情况下，调整所述截止频率的值；若电路性能优化为隔离度的优化，可以在工作频率的值小于所述截止频率的值的情况下，调整截止频率的值。以此方式，可以优化电路性能，例如减小插入损耗或者增大隔离度。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上面所描述的任一种设置语言的方法中的步骤，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。其中，所述的计算机可读存储介质，如只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，简称RAM)、磁碟或者光盘等。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
在一个典型的配置中，计算设备包括一个或多个处理器(CPU)、输入/输出接口、网络接口和内存。
内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。
计算机可读介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储。信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据。计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息。按照本文中的界定，计算机可读介质不包括暂存电脑可读媒体(transitorymedia)，如调制的数据信号和载波。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本领域技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (12)

1.一种电路性能的优化方法，应用于终端，其特征在于，包括：
获取射频开关通路的工作频率；
获取所述射频开关通路连接到天线端时的导通电阻和断开电容；
基于所述导通电阻和所述断开电容，确定所述射频开关通路的第一截止频率；
如果所述工作频率大于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第二截止频率以减小插入损耗，其中，所述第二截止频率不小于所述工作频率；
如果所述工作频率小于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第三截止频率以增大隔离度，其中，所述第三截止频率不大于所述工作频率。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述如果所述工作频率大于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第二截止频率以减小插入损耗包括：
如果所述工作频率大于所述第一截止频率，调小所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第二截止频率。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述断开电容由至少一个电容组成，所述调小所述断开电容包括：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，增加所述至少一个电容中的导通电容的数目来减小所述断开电容。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述如果所述工作频率小于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第三截止频率以增大隔离度包括：
如果所述工作频率小于所述第一截止频率，增大所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第三截止频率。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述断开电容由至少一个电容组成，所述增大所述断开电容包括：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，减小所述至少一个电容中的导通电容的数目来增大所述断开电容。
6.一种移动终端，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取射频开关通路的工作频率；以及获取射频开关通路的第一截止频率；
调整模块，用于基于所述获取模块获取的所述工作频率与所述获取模块获取的所述截止频率之间的大小关系，调整所述第一截止频率以调整插入损耗或隔离度；
所述获取模块在获取射频开关通路的第一截止频率时，具体用于：获取所述射频开关通路连接到天线端时的导通电阻和断开电容；基于所述导通电阻和所述断开电容，确定所述射频开关通路的第一截止频率；
所述调整模块在调整所述第一截止频率以调整插入损耗时具体用于：如果所述工作频率大于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第二截止频率以减小插入损耗，其中，所述第二截止频率不小于所述工作频率；
所述调整模块在调整所述第一截止频率以调整隔离度时具体用于：如果所述工作频率小于所述第一截止频率，将所述第一截止频率调节至第三截止频率以增大隔离度，其中，所述第三截止频率不大于所述工作频率。
7.根据权利要求6所述的移动终端，其特征在于，所述调整模块在调整所述第一截止频率以调整插入损耗时具体用于：
如果所述工作频率大于所述第一截止频率，调小所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第二截止频率。
8.根据权利要求7所述的移动终端，其特征在于，所述断开电容由至少一个电容组成，所述调整模块在调小所述断开电容时具体用于：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，增加所述至少一个电容中的导通电容的数目来减小所述断开电容。
9.根据权利要求6所述的移动终端，其特征在于，所述调整模块在调整所述第一截止频率以调整隔离度时具体用于：
如果所述工作频率小于所述第一截止频率，增大所述断开电容以将所述第一截止频率调节至第三截止频率。
10.根据权利要求9所述的移动终端，其特征在于，所述断开电容由至少一个电容组成，所述调整模块在调小所述断开电容时具体用于：
通过调整用于控制所述断开电容的逻辑控制信号，减小所述至少一个电容中的导通电容的数目来增大所述断开电容。
11.一种移动终端，包括处理器和存储器，所述存储器上存储计算机程序，当所述计算机程序被所述处理器运行时，实现根据权利要求1至5任一所述的方法中的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的方法中的步骤。
CN201811102723.7A 2018-09-20 2018-09-20 一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质 Active CN109408886B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811102723.7A CN109408886B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811102723.7A CN109408886B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109408886A CN109408886A (zh) 2019-03-01
CN109408886B true CN109408886B (zh) 2023-04-18

Family

ID=65466026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811102723.7A Active CN109408886B (zh) 2018-09-20 2018-09-20 一种电路性能的优化方法、移动终端及存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109408886B (zh)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3512949B2 (ja) * 1996-06-18 2004-03-31 オークマ株式会社 工作機械の切粉回収装置
CN204304995U (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 成都创客之家科技有限公司 一种射频测量仪器中的宽带射频发射电路
CN105915262A (zh) * 2016-06-30 2016-08-31 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 一种射频发射电路及移动终端
CN108462500A (zh) * 2018-03-28 2018-08-28 努比亚技术有限公司 一种降低辐射杂散的方法、装置、终端及可读存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN109408886A (zh) 2019-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109768810B (zh) 一种信号处理电路、终端设备及信号处理方法
CN110890897B (zh) 一种供电电路、供电方法及电子设备
CN110289885B (zh) 一种天线调谐方法及终端
CN109348504B (zh) 功率检测方法、移动终端及功率检测电路
CN110289883B (zh) 一种射频电路、终端设备及电路控制方法
CN110855313B (zh) 一种信号控制方法及电子设备
CN110971262B (zh) 射频电路、天线装置及移动终端
CN110336623B (zh) 功率检测方法、装置及移动终端
CN108649991B (zh) 一种谐波干扰的处理方法及移动终端
CN110266323B (zh) 一种信号控制电路、终端设备和信号控制方法
CN110381544B (zh) 一种数据传输控制方法、装置及终端设备
CN104393848A (zh) 音量调节方法及装置
CN111525941A (zh) 一种信号处理电路、方法和电子设备
CN108881558B (zh) 移动终端及其fm抗干扰电路
CN110798235A (zh) 一种终端控制方法及电子设备
CN111313915A (zh) 一种电子设备
CN110557166B (zh) 一种通信电路的调整方法及终端
CN112332093A (zh) 一种天线调谐装置及移动终端
CN110099434B (zh) 一种功率调整方法、终端设备及计算机可读存储介质
CN105611446A (zh) 自拍杆及自拍杆识别方法、装置及移动终端
CN109698711B (zh) 一种射频模组及终端设备
CN111211421A (zh) 天线调谐电路及移动终端
CN109041190B (zh) 一种功率控制方法和终端
CN112653965B (zh) 音频播放控制电路及其方法、装置、电子设备和存储介质
CN110636530B (zh) 邻频干扰处理方法和终端设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant