CN109378560A - 一种硅基腔体屏蔽滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种硅基腔体屏蔽滤波器，采用MEMS工艺制成；包括第一基片、第二基片、中间层和金属悬置电路，第一基片和第二基片分别采用高阻硅基片，第一基片、中间层和第二基片依次层叠设置并结合成一硅腔结构；中间层上设有微波接地电极，硅腔结构的外表面上设有与微波接地电极连接的金属屏蔽层；第一基片与中间层之间形成有第一空气腔，和/或第二基片与中间层之间形成有第二空气腔；金属悬置电路设置在中间层的表面且悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中。本发明的硅基腔体屏蔽滤波器，采用硅基MEMS工艺制成，使最终得到滤波器具有体积小、品质因子高、性能优异、集成性好、批量化等优点，可以实现更高集成度和更小体积的系统集成。

Description

一种硅基腔体屏蔽滤波器

技术领域

本发明涉及一种多层结构的硅基微屏蔽MEMS滤波器，属于微机械(MEMS)系统、微波电路、微电子和交叉技术领域，主要涉及微波工作频段中的滤波器。

背景技术

微波滤波器是重要的微波元器件之一。尤其是在接收机前端，微波滤波器性能的优劣直接影响到接收机整体性能的好坏。随着微波通信技术的发展，尤其是卫星通信和移动通信系统，越来越要求微波滤波器具有更小体积、更高集成度、更低损耗、更高性能的特点。

传统平面形式的微波滤波器，如微带、带状线、基片集成波导等结构损耗大、品质因数低；非平面的金属腔体、金属波导或金属悬置线结构等具有较低的损耗和较高的品质因数，但其重量大、体积大、加工成本高、不能进行高密度集成等劣势显著。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是平面形式的微波滤波器结构损耗大、品质因数低，而非平面形式的金属腔体重量大、体积大、加工成本高、不能进行高密度集成等劣势。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种硅基腔体屏蔽滤波器，采用MEMS工艺制成；包括第一基片、第二基片、中间层和金属悬置电路，所述第一基片和第二基片分别采用高阻硅基片，所述第一基片、中间层和第二基片依次层叠设置并结合成一硅腔结构；所述中间层上设有微波接地电极，所述硅腔结构的外表面上设有与所述微波接地电极连接的金属屏蔽层；

所述第一基片与所述中间层之间形成有第一空气腔，和/或所述第二基片与所述中间层之间形成有第二空气腔；所述金属悬置电路设置在所述中间层的表面且悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中。

本发明的有益效果是：本发明的硅基腔体屏蔽滤波器，基片采用高阻硅，整体为采用MEMS工艺制成的多层结构；使最终得到滤波器具有体积小、品质因子高、性能优异、集成性好、批量化等优点，可以实现更高集成度和更小体积的系统集成；另外，第一空气腔和第二空气腔的设置，可有效降低基底损耗，将金属悬置电路悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中，使得金属悬置电路具有更高的品质因子。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述硅腔结构上设有将所述金属屏蔽层与所述微波接地电极连接且导通的金属化通孔；所述金属化通孔内侧壁的金属采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种。

采用上述进一步方案的有益效果是：金属化通孔和金属屏蔽层一起对金属悬置电路构成电磁屏蔽结构，能够起到很好的电磁屏蔽效果。

进一步，所述金属化通孔包括设置在所述第一基片上的第一金属化通孔、设置在所述第二基片上的第二金属化通孔以及设置在所述中间层上的第三金属化通孔。

采用上述进一步方案的有益效果是：通过在第一基片、中间层以及第二基片上分别设置金属化通孔，利用金属化通孔就能够将屏蔽层与中间层导通，有效节省了占用空间。

进一步，所述金属悬置电路包括谐振器组件以及与所述谐振器组件连接的第一电极组件，所述第一基片或第二基片上设有第二电极组件，所述第一电极组件分别与所述第二电极组件对应连接且导通。

进一步，所述第一基片或第二基片上开设有金属互联通孔，所述第一电极组件分别通过所述金属互联通孔与所述第二电极组件连接且导通。

采用上述进一步方案的有益效果是：将金属互联通孔设置在第二基片上，使第一电极组件通过金属互联通孔与第二电极组件连接且导通，降低了滤波器的体积，可以满足滤波器的表贴型应用，降低互联长度，减小寄生效应。

进一步，所述谐振器组件采用交指耦合结构、平行线耦合结构、交叉耦合结构、差指换能器结构、阶梯级联结构或网络级联结构。

采用上述进一步方案的有益效果是：灵活的谐振器组件结构设置，可以实现微波、微声、微机械等不同机制的滤波器。

进一步，所述第一电极组件和第二电极组件分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并分别通过物理气相沉积和/或电镀工艺分别沉积在所述中间层以及所述第一基片或所述第二基片的表面。

进一步，所述第一基片、中间层和第二基片通过晶圆级键合、物理气相沉积或化学气相沉积工艺实现结合；

或/和，所述中间层采用减薄抛光工艺进行减薄到预设厚度；

或/和，所述中间层为电介质层，采用高阻硅、AlN、LiNiO₃、SiO₂或Si₃N₄中的一种或几种材料制成。

进一步，所述金属悬置电路采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述中间层的表面。

进一步，所述金属屏蔽层以及微波接地电极分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述硅腔结构以及所述中间层上。

附图说明

图1为本发明的实施例的分层结构示意图；

图2为本发明的实施例的悬置电路结构示意图；

图3为本发明的实施例的第一基片金属屏蔽层外观示意图；

图4为本发明的实施例的第二基片金属屏蔽层和输入输出电极外观示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

100、中间层；101、金属悬置电路；102、第三金属化通孔；101a、谐振器组件；101b、第一电极组件；103、微波接地电极；

200、第一基片；201、第一空气腔；202、第一金属化通孔；203、第一金属屏蔽层；

300、第二基片；301、第二空气腔；302、第二金属化通孔；303、第二金属屏蔽层；304、第二电极组件；305、金属互联通孔。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。

如图1-图4所示，本实施例的一种硅基腔体屏蔽滤波器，采用MEMS工艺制成；包括第一基片200、第二基片300、中间层100和金属悬置电路101，所述第一基片200和第二基片300分别采用高阻硅基片，所述第一基片200、中间层100和第二基片300依次层叠设置并结合成一硅腔结构；所述中间层100上设有微波接地电极103，所述硅腔结构的外表面上设有与所述微波接地电极103连接的金属屏蔽层；

所述第一基片200与所述中间层100之间形成有第一空气腔201，和/或所述第二基片300与所述中间层100之间形成有第二空气腔301；所述金属悬置电路101设置在所述中间层100的表面且悬置在第一空气腔201或/和第二空气腔301中。

其中，当所述第一基片200与所述中间层100之间形成有第一空气腔201，而第二基片300与中间层100之间未形成有第二空气腔301时，所述金属悬置电路101设置在所述第一空气腔201中；当所述第一基片200未与所述中间层100之间形成有第一空气腔201，而第二基片300与中间层100之间形成有第二空气腔301时，所述金属悬置电路101设置在所述第二空气腔301中；当所述第一基片200与所述中间层100之间形成有第一空气腔201，而且第二基片300与中间层100之间也形成有第二空气腔301时，所述金属悬置电路101可以只设置在所述第一空气腔201中，也可以只设置在所述第二空气腔301中，也可以在第一空气腔201和第二空气腔301中均设置。

其中，MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)制造工艺，即微电子机械系统制造工艺是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术。起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。

本实施例的硅基腔体屏蔽滤波器，基片采用硅基MEMS工艺制成，使最终得到滤波器具有体积小、品质因子高、性能优异、集成性好、批量化等优点，可以实现更高集成度和更小体积的系统集成；另外，将金属悬置电路悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中，使得金属悬置电路具有更高的品质因子。

如图1-图4所示，本实施例的所述硅腔结构上设有将所述金属屏蔽层与所述微波接地电极103连接且导通的金属化通孔。金属化通孔和金属屏蔽层一起对金属悬置电路构成电磁屏蔽结构，能够起到很好的电磁屏蔽效果。

本实施例的一个具体方案为，如图1所示，所述第一基片200远离所述中间层100的一侧面上设有一层第一金属屏蔽层203，所述第二基片300远离所述中间层100的一侧面上设有一层第二金属屏蔽层303。

本实施例的一个优选方案为，如图1-图4所示，所述金属化通孔包括设置在所述第一基片200上的第一金属化通孔202、设置在所述第二基片300上的第二金属化通孔302以及设置在所述中间层100上的第三金属化通孔102。由于第一基片200和第二基片300上分别设置有金属屏蔽层，因此，第一金属化通孔202实际上也是贯通第一金属屏蔽层203设置，第二金属化通孔302贯通第二金属屏蔽层303设置的，即当在第一基片200或第二基片300上分别通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积金属屏蔽层时，第一基片200上的第一金属屏蔽层203并没有将第一金属化通孔202覆盖住，第二基片300上的第二金属屏蔽层303也没有将第二金属化通孔302覆盖住。

其中，所述第一金属化通孔202是贯通所述第一基片200的两侧面设置的，按图1中的方位，第一金属化通孔202应贯通所述第一基片200上下表面设置。第二金属化通孔302是贯通所述第二基片300的两侧面设置的，按图1中的方位，第二金属化通孔302应贯通所述第二基片300上下表面设置。第三金属化通孔102是贯通所述中间层100的两侧面设置，按图1中的方位，第三金属化通孔102是贯通中间层100上下表面设置。

而且，需要说明的是，本实施例的第一金属化通孔202、第二金属化通孔302和第三金属化通孔102的孔径可以相同或不同，而且也可以任意角度开设，只要能够贯穿连通即可，而且第一金属化通孔202、第二金属化通孔302和第三金属化通孔102的横截面可以采用圆形、长方形、正方形或多边形等任意形状。为了方便工艺制作以及安装的结构紧凑，使整个滤波器的屏蔽性能达到最佳，如图1所示，本实施例的一个优选方案为，第一金属化通孔202、第二金属化通孔302和第三金属化通孔102的孔径一致、轴线重合、内侧壁都位于同一个面上。

本实施例通过在第一基片200、中间层100以及第二基片300上分别设置金属化通孔，利用金属化通孔就能够将屏蔽层与中间层100导通，有效节省了占用空间，而且第一金属化通孔202、第二金属化通孔302、第三金属化通孔102、第一金属屏蔽层203和第二金属屏蔽层303共同形成了对中间层100上金属悬置电路101的电磁屏蔽结构，具有较好的屏蔽效果。

本实施例的一个优选方案为，如图1和图2所示，所述第一金属化通孔202为多个且围绕所述第一空气腔201设置，第二金属化通孔302为多个且围绕所述第二空气腔301设置。而且第一金属化通孔202的个数、所述第二金属化通孔302以及所述第三金属化通孔102的个数相同，而且一一对应设置。

本实施例的滤波器优选为立方体结构，如图2-图4所示，所述第一基片200、第二基片300分别优选采用方形基片。而且第一空气腔201和第二空气腔301优选采用底部较小的梯形腔或者方形腔或其他任意形状的型腔均可。其中当第一基片200和第二基片300采用方形基片时，第一基片200和第二基片300的长边上各优选设置5个金属化通孔，在短边上优选设置4个金属化通孔，长边和相邻短边共用有一个金属化通孔。

本实施例中的微波接地电极103为两个且呈U型结构，如图2所示，两个U型结构的开口端相对布置，而且两个微波接地电极103围绕所述第一空气腔201和第二空气腔301的四周设置。两个微波接地电极103分别为第一微波接地电极和第二微波接地电极，第一微波接地电极的两端和第二微波接地电极的两端相对设置，第一微波接地电极的两端分别与所述第二微波接地电极的两端之间预留有用于沉积所述第一电极组件101b的间隙，第一电极组件101b包括第一输入电极和第一输出电极，所述第一输入电极和第一输出电极分别对应设置在两个间隙中且不与所述微波接地电极103接触。中间层100上的第三金属化通孔102都设置在与所述微波接地电极103对应的位置，即微波接地电极103都设置在所述中间层100的第三金属化通孔102的四周。

本实施例的一个具体方案为，如图2所示，所述金属悬置电路101包括谐振器组件101a以及与所述谐振器组件101a连接的第一电极组件101b，所述第一基片200或第二基片300上设有第二电极组件304，所述第一电极组件101b分别与所述第二电极组件304对应连接且导通。

其中，所述谐振器组件101a采用交指耦合结构、平行线耦合结构、交叉耦合结构、叉指换能器结构、阶梯级联结构或网络级联结构。灵活的谐振器组件结构设置，可以实现微波、微声、微机械等不同机制的滤波器。

耦合结构是微波信号传输或能量耦合过程的一种关键部件，是实现微波射频系统的重要单元。

叉指换能器就是在压电基片表面上形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案，它的作用是实现声一电换能。声表面波器件的工作原理是，基片左端的换能器(输入换能器)通过逆压电效应将输入的电信号转变成声信号，此声信号沿基片表面传播，最终由基片右边的换能器(输出换能器)将声信号转变成电信号输出。整个声表面波器件的功能是通过对在压电基片上传播的声信号进行各种处理，并利用声一电换能器的特性来完成的。

如图1所示，如图1所示，本实施例的所述第一基片200或第二基片300上开设有金属互联通孔305，所述第一电极组件101b分别通过所述金属互联通孔305与所述第二电极组件304连接且导通。将金属互联通孔设置在第二基片上，使第一电极组件通过金属互联通孔与第二电极组件连接且导通，降低了滤波器的体积，可以满足滤波器的表贴型应用，降低互联长度，减小寄生效应。

具体的，如图1所示，本实施例的第一电极组件101b设置在所述中间层100的一侧面上且与所述金属互联通孔305对应设置，即如图1所示，当在第二基片300上开设金属互联通孔305时，所述第一电极组件101b设在所述中间层100的下表面上；当在第一基片200上开设金属互联通孔305时，所述第一电极组件101b设在中间层100的上表面上。

本实施例的第二电极组件304包括第二输入电极和第二输出电极，所述第二输入电极和第二输出电极分别设置在第一基片200远离所述中间层100的一侧面上或者设置在第二基片300远离所述中间层100的一侧面上。所述第二输入电极与所述第一输出电极对应设置且通过金属互联通孔305连接，所述第二输出电极与所述第一输入电极对应设置且通过金属互联通孔305连接。

本实施例的一个优选方案为，为了使信号传输更加灵敏，使第一电极组件的信号能够更好的传输，所述金属互联通孔305设置为锥形结构或直线型结构均可，以金属互联通孔305为锥形结构为例，金属互联通孔305包括大口端和小口端，所述小口端与所述第一电极组件101b连接，所述大口端与所述第二电极组件304连接。

本实施例中，可以同时在第二金属化通孔302、第二金属屏蔽层303、第二电极组件304和金属互联通孔305上进行沉积。

当然，在进行第二电极组件304和金属屏蔽层的沉积时，第二电极组件304和金属屏蔽层之间并不接触，即第二电极组件304和金属屏蔽层之间还预留有间隔，该间隔是根据50Ω阻抗匹配原则设计的输入输出电极，具体如图4所示。

本实施例的一个具体方案为，所述第一电极组件101b和第二电极组件304分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并分别通过物理气相沉积和/或电镀工艺分别沉积在所述中间层100以及所述第一基片200或所述第二基片300的表面。

本实施例的一个具体方案为，所述第一基片200、中间层100和第二基片300通过晶圆级键合、物理气相沉积或化学气相沉积工艺实现结合；

本实施例的一个具体方案为，所述中间层100采用减薄抛光工艺进行减薄到预设厚度；

本实施例的一个具体方案为，所述中间层100为电介质层，采用高阻硅、AlN、LiNiO₃、SiO₂或Si₃N₄中的一种或几种材料制成。

本实施例的一个具体方案为，所述金属悬置电路101采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述中间层100的表面。

本实施例的一个具体方案为，所述金属屏蔽层以及微波接地电极103分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述硅腔结构以及所述中间层100的表面；

本实施例的一个具体方案为，所述金属化通孔内侧壁的金属采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种。

其中，物理气相沉积为在真空条件下，采用物理方法，将材料源--固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。

化学气相沉积是一种气相反应过程，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。目前，在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀积温度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度与淀积时间成正比，均匀性与重复性好，台阶覆盖好，操作方便等优点。其中淀积温度低和台阶覆盖好对超大规模集成电路的制造十分有利。因此是目前集成电路生产过程中最重要的薄膜淀积方法。目前常用的有常压化学气相淀积、低压化学气相淀积以及等离子体增强化学气相淀积等。

电镀工艺沉积就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，达到金属化加厚的目的。

本实施例的硅基腔体屏蔽滤波器，采用MEMS工艺制备而成，使最终得到滤波器具有体积小、品质因子高、性能优异、集成性好、批量化等优点，可以实现更高集成度和更小体积的系统集成；另外，将金属悬置电路悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中，使得金属悬置电路具有更高的品质因子。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，采用MEMS工艺制成；包括第一基片、第二基片、中间层和金属悬置电路，所述第一基片和第二基片分别采用高阻硅基片，所述第一基片、中间层和第二基片依次层叠设置并结合成一硅腔结构；所述中间层上设有微波接地电极，所述硅腔结构的外表面上设有与所述微波接地电极连接的金属屏蔽层；

所述第一基片与所述中间层之间形成有第一空气腔，和/或所述第二基片与所述中间层之间形成有第二空气腔；所述金属悬置电路设置在所述中间层的表面且悬置在第一空气腔或/和第二空气腔中。

2.根据权利要求1所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述硅腔结构上设有将所述金属屏蔽层与所述微波接地电极连接且导通的金属化通孔；所述金属化通孔内侧壁的金属采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述金属化通孔包括设置在所述第一基片上的第一金属化通孔、设置在所述第二基片上的第二金属化通孔以及设置在所述中间层上的第三金属化通孔。

4.根据权利要求1至3任一项所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述金属悬置电路包括谐振器组件以及与所述谐振器组件连接的第一电极组件，所述第一基片或第二基片上设有第二电极组件，所述第一电极组件分别与所述第二电极组件对应连接且导通。

5.根据权利要求4所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述第一基片或第二基片上开设有金属互联通孔，所述第一电极组件分别通过所述金属互联通孔与所述第二电极组件连接且导通。

6.根据权利要求4所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述谐振器组件采用交指耦合结构、平行线耦合结构、交叉耦合结构、差指换能器结构、阶梯级联结构或网络级联结构。

7.根据权利要求4所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述第一电极组件和第二电极组件分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并分别通过物理气相沉积和/或电镀工艺分别沉积在所述中间层以及所述第一基片或所述第二基片的表面。

8.根据权利要求1所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述第一基片、中间层和第二基片通过晶圆级键合、物理气相沉积或化学气相沉积工艺实现结合；

或/和，所述中间层采用减薄抛光工艺进行减薄到预设厚度；

或/和，所述中间层为电介质层，采用高阻硅、AlN、LiNiO₃、SiO₂或Si₃N₄中的一种或几种材料制成。

9.根据权利要求1所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述金属悬置电路采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述中间层的表面。

10.根据权利要求1所述一种硅基腔体屏蔽滤波器，其特征在于，所述金属屏蔽层以及微波接地电极分别采用金、铜、钛、钨、铝、镍、铬、钼中的一种或几种作为原料，并通过物理气相沉积和/或电镀工艺沉积在所述硅腔结构以及所述中间层上。