CN1093682C - 气隙连续可调的磁芯 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种适用于高频功率电感器或功率变压器的气隙连续可调的磁芯。磁芯由封闭的四方形外框(1)和内柱(3)组成,外框上横梁下表面加工有一段斜槽(4),外框的厚度大于内柱的厚度;内柱上平面也加工成斜面,与外框的斜槽组成气隙(2);当内柱沿左右移动时,气隙(2)的尺寸便得到调整,其气隙调整量决定于斜度和移动量的大小。本发明的磁芯能够方便地调整气隙的大小和线圈的电感量,对磁芯气隙处和密接处的边缘泄露磁场有自屏蔽作用,使边缘泄露磁场对外界的影响比现有技术的边缘泄露磁场对外界的影响小。
Description
技术领域:
本发明涉及一种适用于高频功率电感器或功率变压器的气隙连续可调的磁芯。
背景技术:
现有技术中,在制造高频电感器或变压器时,一般都选用EE型磁芯或EI型磁芯,如果电感器或变压器的功率较大时,磁芯容易饱和。为避免磁饱和的发生,一般都在磁回路中加上气隙。加气隙的方法有两种:1、用非磁性绝缘片垫隙;2、在磁芯的中脚磨隙。但是,在用这两种方法时,若要调整气隙尺寸则非常困难;连续调整气隙尺寸更不可能,这给电感器和变压器的制造带来困难。
中国专利ZL93227021.2公开了“可调气隙”技术,其结构和调整方式与本发明截然不同。
发明内容:
本发明的目的在于提供一种通过调整气隙的大小和线圈的电感量,减少边缘泄露磁场对外界的干扰和影响的气隙无级连续可调的磁芯。
本发明的目的是这样实现的:
一种气隙可调的磁芯,由外框、内柱、斜槽、气隙、斜面等组成,包括一个中空整体封闭框架结构的外框(1)、外框(1)的上横梁内表面有一斜槽(4),在外框(1)的中心位置设置一活动内柱(3),内柱(3)的上表面有一与斜槽(4)相平行的斜面(5),内柱(3)的下表面与外框(1)的下横梁底面密接,并可在前后方向上任意移动;外框(1)上横梁内表面的斜槽(4)与内柱(3)的上斜面(5)之间形成气隙(2)。
外框(1)的截面厚度大于内柱(3)的截面厚度。
气隙的调整量是根据斜槽(4)和斜面(5)的斜度与内柱移动量决定的,并可连续调整。
由于外框的厚度大于内柱厚度,当内柱在厚度差范围内调整时,外框对内柱与线圈的漏磁有一定的自屏蔽作用,也减小了漏磁对外界的干扰和影响。
本发明的优点在于:除了能够方便地调整气隙的大小和线圈的电感量以外,由于外框是一个整体,而且其厚度大于内柱厚度,对磁芯气隙处和密接处的边缘泄露磁场有自屏蔽作用,因而其边缘泄露磁场对外界的影响比现有技术的边缘泄露磁场对外界的影响要小。
附图说明:
图1是本发明磁芯的结构主视图;
图2是本发明磁芯的结构侧剖视图。
图中:1、外框,2、气隙,3、内柱,4、斜槽,5、斜面。
具体实施方式:
如图1、2所示:用磁钢片组成中空的整体封闭框架结构的外框1,外框1的上横梁内表面加工一斜槽4,在其中心位置连接一个内柱(3),内柱的上表面加工成与外框1的斜槽4相平行的斜面5,内柱的下表面与外框1的下横梁内底面密接,并可在前后方向上任意移动。
外框1的上横梁4与内柱3的上斜面5之间形成气隙2;外框1的截面厚度大于内柱3的截面厚度。
Claims (3)
1、一种气隙可调的磁芯,由外框、内柱、斜槽、气隙、斜面等组成,其特征在于:有一个中空整体封闭框架结构的外框(1)、外框(1)的上横梁内表面有一斜槽(4),在外框(1)的中心位置设置一活动内柱(3),内柱(3)的上表面有一与斜槽(4)相平行的斜面(5),内柱(3)的下表面与外框(1)的下横梁底面密接,并可在前后方向上任意移动;外框(1)上横梁内表面的斜槽(4)与内柱(3)的上斜面(5)之间形成气隙(2)。
2、根据权利要求1所述的气隙可调的磁芯,其特征在于:外框(1)的截面厚度大于内柱(3)的截面厚度。
3、根据权利要求1所述的气隙可调的磁芯,其特征在于:气隙的调整量是根据斜槽(4)和斜面(5)的斜度与内柱移动量决定的,并可连续调整。
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1999
- 1999-06-28 CN CN99109344A patent/CN1093682C/zh not_active Expired - Fee Related
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