CN109361363A - 一种宽带全差分低噪声放大器 - Google Patents

一种宽带全差分低噪声放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN109361363A
CN109361363A CN201811058208.3A CN201811058208A CN109361363A CN 109361363 A CN109361363 A CN 109361363A CN 201811058208 A CN201811058208 A CN 201811058208A CN 109361363 A CN109361363 A CN 109361363A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
grid
connect
drain electrode
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811058208.3A
Other languages
English (en)
Inventor
张为
李泰安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201811058208.3A priority Critical patent/CN109361363A/zh
Publication of CN109361363A publication Critical patent/CN109361363A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45134—Indexing scheme relating to differential amplifiers the whole differential amplifier together with other coupled stages being fully differential realised

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明涉及一种宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，包括：该放大器分为两级，包括输入匹配级电路和噪声抵消级电路；所述输入匹配级电路，其输入端接收信号输入端的信号(IN1/IN2)，产生相位相反的两路信号，分别通过电容电阻组成的高通滤波器输出到后级噪声抵消级电路；所述噪声抵消级电路，该噪声抵消级电路两边各有三个输入端，三个输出端，其中一路输入连接输入匹配级的输出，两路输入接收差分信号输入端的信号(IN1/IN2)，输出两路差分信号(OUT1/OUT2)。

Description

一种宽带全差分低噪声放大器
技术领域
本发明为射频集成电路技术领域，具体涉及一种500M～1.5GHz宽带全差分低噪声放大器。
背景技术
随着无线通信的发展，射频接收技术在军用和民用领域的作用愈发重要。宽带通讯系统是当今无线通讯技术的发展趋势，也是国内外研究的热点。射频低噪声放大器(LNA)是电子对抗、宽带通信以及宽带仪器设备中的关键部件。LNA的信号直接来源于天线，为了实现最大功率传输，LNA输入和天线之间要求阻抗匹配。它在射频电路中除了放大从天线接收的微弱信号从而提高电路的整体增益外，还有改善噪声特性，提高信噪比的作用。
宽带LNA的设计带来了许多挑战。窄带LNA中使用的传统技术，例如在
负载处添加电感器以在某一点产生谐振频率，是不适合宽带LNA的。其次，因
为LNA是连接到接收器中的片外组件的第一级，宽带输入阻抗匹配和低噪声特
性在整个工作带宽内必须实现。对于一个宽带LNA，小的芯片面积也是首选，尤其是对于一个芯片级系统的应用而言，这样是为了降低制造成本。
目前存在多种宽带低噪声放大器设计方法。共栅放大器利用输入管的跨导实现宽带匹配，噪声系数与工作频率和带宽关系不大而相对平坦，电路具有极好的反向隔离性能和较高的线性度，但噪声系数较高。共栅放大器的另一个缺点是低频应用中，外部电感L非常大，且大电感器不能容纳高频信号。电阻并联反馈共源放大器降低输入端的品质因子从而实现带宽拓展和增益平坦化，但电阻本身会引入噪声，会恶化输入端的噪声特性。而噪声消除技术可以有效消除热噪声和闪烁噪声，它利用两个极性相反的信号加和以消除噪声信号。
发明内容
本发明提供一种工作在500M～1.5GHz宽带全差分低噪声放大器，将两种独立的技术：噪声抵消技术和推挽技术应用于同一个电路中，在宽带同时实现良好的输入匹配和低噪声性能，同时具有差分输入差分输出的功能，结构简单，具有较小的芯片面积。本发明放大器采用CMOS 0.18um工艺实现，设计具有可复制性。技术方案如下：
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种工作在500M～1.5GHz频段的宽带全差分低噪声放大器，包括：输入匹配级电路和噪声抵消级电路；
所述输入匹配级电路，该输入匹配级电路的输入端接收信号输入端的信号，产生两路相位相反的信号；
所述噪声抵消级电路，该噪声抵消级电路两边各有三个输入端，三个输出端，其中一路输入连接输入匹配级的输出，两路输入接收差分信号输入端的信号(IN1/IN2)，输出两路差分信号(OUT1/OUT2)。
所述输入匹配级电路包括：第一晶体管(M1)，第二晶体管(M2)，第三晶体管(M3)，第八晶体管(M8)，第九晶体管(M9)；
其中，所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端连接；所述第八晶体管(M8)的栅极分别与第九晶体管(M9)的栅极、第三电阻(R3)的第一端连接；
所述的第一晶体管(M1)的漏极分别与第二晶体管(M2)的漏极、第一电阻(R1)的第二端连接；所述的第八晶体管(M8)的漏极分别与第九晶体管(M9)的漏极、第三电阻(R1)的第二端连接；
所述的第二晶体管(M2)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；所述的第九晶体管(M9)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接。
所述噪声抵消级电路包括：第四晶体管(M4)，第五晶体管(M5)，第六晶体管(M6)，第七晶体管(M7)，第十晶体管(M10)，第十一晶体管(M11)，第十二晶体管(M12)，第十三晶体管(M13)；
其中所述第四晶体管(M4)的栅极分别与第一电阻的第一端和第二电容(C2)的第一端连接；第十晶体管(M10)的栅极分别与第三电阻的第一端和第四电容(C4)的第一端连接；
所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接；第十晶体管(M10)的漏极与第十一晶体管(M11)的源极连接；
所述第五晶体管(M5)的漏极分别与第六晶体管(M6)的源极、第七晶体管(M7)的漏极连接；第十一晶体管(M11)的漏极分别与第十二晶体管(M12)的源极、第十三晶体管(M13)的漏极连接；
所述第六晶体管(M6)的栅极与第二电阻(R2)的第一端和第一电容(C1)的第二端连接；第十二晶体管(M12)的栅极与第四电阻(R4)的第一端和第三电容(C3)的第二端连接；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端连接；第十三晶体管(M13)的栅极与第四电容(C4)的第二端连接。
所述的第一晶体管(M1)和第八晶体管(M8)的源极和地连接，第三晶体管(M3)的漏极接电源VDD，栅极接偏置电压Vbias1；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端和偏置电压Vbias2连接；第十三晶体管(M13)的栅极分别与第四电容(C4)的第二端和偏置电压Vbias2连接；
所述第六晶体管(M6)的漏极与电源VDD连接；第十二晶体管(M12)的漏极电源VDD连接；
所述第七晶体管(M7)的源极与电源VDD连接；第十三晶体管(M13)的源极与电源VDD连接；
所述第五晶体管(M5)的栅极与偏置电压Vbias3连接；第十一晶体管(M11)的栅极与偏置电压Vbias3连接；
所述第一晶体管(M1)、第四晶体管(M4)、第八晶体管(M8)和第十晶体管(M10)的源级均和地连接。
所述信号输入端(IN1)连接第一电阻(C1)的第一端、第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的栅极、第四晶体管的栅极以及第二电容(C2)的第一端；
所述信号输入端(IN2)连接第三电阻(C3)的第一端、第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)的栅极、第十晶体管的栅极以及第四电容(C4)的第一端；
所述第五晶体管(M5)的漏极连接第一信号输出端(OUT1)；
所述第十一晶体管(M11)的漏极连接第二信号输出端(OUT2)。
所述第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第七晶体管(M7)、第九晶体管(M9)和第十三晶体管(M13)均为PMOS晶体管，其余均为NMOS晶体管。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案的有益效果是：
(1)本发明采用电流复用技术，不增加电路功耗的情况下，提高了增益和线性度、改善了噪声性能。
(2)本发明采用噪声抵消技术，在宽带实现良好的输入匹配和较低的噪声。
(3)本发明采用推挽技术，M4和M7、M10和M13的推挽结构进一步降低了功耗。
(4)本发明中使用的器件主要包括MOS管、电阻和电容，整体电路不含电感，从而节省芯片面积，降低了成本。
(5)本发明采用深亚微米0.18umCMOS工艺实现，1V低电源电压供电，直流功耗仅1.8mW，功耗较低。
(6)本发明的实现采用主流CMOS工艺，可以与普通采用CMOS工艺的数字基带电路集成在同一块芯片上，容易实现片上系统集成。
附图说明
图1是本发明差分低噪声放大器的电路结构图；
图2为本发明差分低噪声放大器的噪声系数的仿真结果图；
图3是本发明差分低噪声放大器的S参数的仿真结果图；
图4是本发明差分低噪声放大器的两端口输出信号相位的仿真结果图；
图5是本发明差分低噪声放大器的线性度的仿真结果图；
图6是本发明差分低噪声放大器的稳定性因数的仿真结果图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图1所示，所述输入匹配级电路包括：第一晶体管(M1)，第二晶体管(M2)，第三晶体管(M3)，第八晶体管(M8)，第九晶体管(M9)；
其中，所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端连接；所述第八晶体管(M8)的栅极分别与第九晶体管(M9)的栅极、第三电阻(R3)的第一端连接；
所述的第一晶体管(M1)的漏极分别与第二晶体管(M2)的漏极、第一电阻(R1)的第二端连接；第八晶体管(M8)的漏极分别与第九晶体管(M9)的漏极、第三电阻(R1)的第二端连接；
所述的第二晶体管(M2)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；第九晶体管(M9)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接。
本发明的实施例中，由于两路差分信号所输入的电路结构是对称的，以单边为例，第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)和第一电阻(R1)构成电阻并联反馈的电流复用结构，利用互补共栅极晶体管跨导提供输入阻抗，保证在较宽的频带内具有良好的输入匹配特性，在相同的偏置电流下，层叠的NMOS管和PMOS管将单管跨导增大到两管跨导之和。输入级晶体管M1和M2的噪声电流流经第一电阻(R1)和电源内阻从而在X和Y点形成同相噪声电压，同时由于共源放大器的反相放大特性，X和Y点有反相有用信号电压，这种差别正是噪声抵消的关键。
如图1所示，所述噪声抵消级电路包括：第四晶体管(M4)，第五晶体管(M5)，第六晶体管(M6)，第七晶体管(M7)，第十晶体管(M10)，第十一晶体管(M11)，第十二晶体管(M12)，第十三晶体管(M13)；
其中所述第四晶体管(M4)的栅极分别与第一电阻的第一端和第二电容(C2)的第一端连接；第十晶体管(M10)的栅极分别与第三电阻的第一端和第四电容(C4)的第一端连接；
所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接；第十晶体管(M10)的漏极与第十一晶体管(M11)的源极连接；
所述第五晶体管(M5)的漏极分别与第六晶体管(M6)的源极、第七晶体管(M7)的漏极连接；第十一晶体管(M11)的漏极分别与第十二晶体管(M12)的源极、第十三晶体管(M13)的漏极连接；
所述第六晶体管(M6)的栅极与第二电阻(R2)的第一端和第一电容(C1)的第二端连接；第十二晶体管(M12)的栅极与第四电阻(R4)的第一端和第三电容(C3)的第二端连接；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端连接；第十三晶体管(M13)的栅极与第四电容(C4)的第二端连接。
本发明的实施例中，信号经过R2和C1形成的高通滤波器交流耦合到M6，源跟随器M6将Y点噪声电压同相放大，M4和M5共源共栅放大器将X点噪声电压信号反相放大，同时X点噪声也通过M7反相放大，在M7漏极和M8源极进行叠加，噪声可以在输出端OUT1处抵消；同理，另一路信号经过相同的放大处理，最后在输出端OUT2处抵消。同时对于有用信号，M6将Y点信号同相放大因而与X点相位相反，M4和M5共源共栅放大器和M7共源放大器将X点反相放大，在输出端OUT1处得以加强；M12把与输入信号相位相反的有用信号同相放大，M10和M11共源共栅放大器和M13把有用信号反相放大，在输出端OUT2处得以加强，且与输出端OUT1的信号相位相反。共源共栅晶体管M5和M11提高了绝缘性和通过减少来自M4和M10的密勒效应来降低了输入电容。只要仔细设计MOS管跨导值就可以实现在两个端口处分别抵消输入级噪声并形成差分输出信号，并实现100欧姆的输出电阻匹配。
本发明的实施例中，第三晶体管(M3)的栅极接偏置电压Vbias1；所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端和偏置电压Vbias2连接；第十三晶体管(M13)的栅极分别与第四电容(C4)的第二端和偏置电压Vbias2连接；所述第五晶体管(M5)的栅极与偏置电压Vbias3连接；第十一晶体管(M11)的栅极与偏置电压Vbias3连接；所述的第一晶体管(M1)和第八晶体管(M8)的源极，第一晶体管(M1)、第四晶体管(M4)、第八晶体管(M8)和第十晶体管(M10)的源级均和地连接；所述第三晶体管(M3)的漏极、第六晶体管(M6)的漏极、第十二晶体管(M12)的漏极、第七晶体管(M7)的源极、第十三晶体管(M13)的源极均接电源VDD；
所述信号输入端(IN1)连接第一电阻(C1)的第一端、第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的栅极、第四晶体管的栅极以及第二电容(C2)的第一端；
所述信号输入端(IN2)连接第三电阻(C3)的第一端、第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)的栅极、第十晶体管的栅极以及第四电容(C4)的第一端；
所述第五晶体管(M5)的漏极连接第一信号输出端(OUT1)；所述第十一晶体管(M11)的漏极连接第二信号输出端(OUT2)。
本文采用HHNEC CMOS 0.18um工艺，利用Cadence RF Spectre对电路进行仿真验证。
图2为本发明所述500M～1.5GHz宽带低噪声放大器噪声系数的仿真结果。由此可以看出，在500M～1.5GHz频带范围内，噪声系数在3.47～3.55dB，表明本发明的低噪声放大器在整个频带内具有良好的噪声系数。
图3为本发明所述500M～1.5GHz宽带低噪声放大器S参数的仿真结果。由此可以看出，在500M～1.5GHz频带范围内，S11<-14dB，S22<-16dB，表明本发明的低噪声放大器在整个频带内实现了良好的输入输出匹配；S12<-31dB，表明本发明的低噪声放大器具有良好的反向隔离性能；S21最大值为9.7dB，表明本发明的低噪声放大器具有较高的增益。
图4为本发明所述500M～1.5GHz宽带低噪声放大器两输出端口的相位和增益的仿真结果。由此可以看出，在500M～1.5GHz频带范围内，相位误差为约为0，证明输出信号具有很好的差分特性。
图5为本发明所述500M～1.5GHz宽带低噪声放大器端口的线性度的仿真结果。由此可以看出，在频率为1G时输入1dB压缩点为-3.8dBm，表明本发明的低噪声放大器具有良好的线性度。
图6为本发明所述500M～1.5GHz宽带低噪声放大器的稳定性因数。由此可以看出，Kf＞5.8，表明本发明的低噪声放大器具有无条件稳定性。
本发明有益效果在于：利用了两对推挽式PMOS/NMOS结构，在M7和M13的作用下，可降低M4和M10晶体管所需跨导，同时实现了功耗、增益、面积的优化。同时，利用噪声抵消技术，在输出端抵消输入匹配级的噪声并加强有用信号，形成相位相反幅值相等的差分信号，并且由源跟随器的跨导提供输出阻抗使得在较宽频带范围内具有良好的输出匹配。
以上实施例仅用以说明本发明的电路结构，而非对其限制。此外，根据上述配置的示例性实施方式可有本领域技术人员理解和实施；可以对前述各实施例所记载的电路结构进行修改，或者对其中部分电路结构进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应电路结构的本质脱离本发明各实施例技术方案的基本特征。本发明的范围应根据权利要求来解释。

Claims (3)

1.一种宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，包括：
该放大器分为两级，包括输入匹配级电路和噪声抵消级电路；
所述输入匹配级电路，其输入端接收信号输入端的信号(IN1/IN2)，产生相位相反的两路信号，分别通过电容电阻组成的高通滤波器输出到后级噪声抵消级电路；
所述噪声抵消级电路，该噪声抵消级电路两边各有三个输入端，三个输出端，其中一路输入连接输入匹配级的输出，两路输入接收差分信号输入端的信号(IN1/IN2)，输出两路差分信号(OUT1/OUT2)。
所述输入匹配级电路包括：第一晶体管(M1)，第二晶体管(M2)，第三晶体管(M3)，第八晶体管(M8)，第九晶体管(M9)；
其中，所述第一晶体管(M1)的栅极分别与第二晶体管(M2)的栅极、第一电阻(R1)的第一端连接；所述第八晶体管(M8)的栅极分别与第九晶体管(M9)的栅极、第三电阻(R3)的第一端连接；
所述的第一晶体管(M1)的漏极分别与第二晶体管(M2)的漏极、第一电阻(R1)的第二端连接；所述的第八晶体管(M8)的漏极分别与第九晶体管(M9)的漏极、第三电阻(R1)的第二端连接；
所述的第二晶体管(M2)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；所述的第九晶体管(M9)的源极分别与第三晶体管(M3)的漏极连接；
所述噪声抵消级电路包括：第四晶体管(M4)，第五晶体管(M5)，第六晶体管(M6)，第七晶体管(M7)，第十晶体管(M10)，第十一晶体管(M11)，第十二晶体管(M12)，第十三晶体管(M13)；
其中，所述第四晶体管(M4)的栅极分别与第一电阻的第一端和第二电容(C2)的第一端连接；第十晶体管(M10)的栅极分别与第三电阻的第一端和第四电容(C4)的第一端连接；
所述第四晶体管(M4)的漏极与第五晶体管(M5)的源极连接；第十晶体管(M10)的漏极与第十一晶体管(M11)的源极连接；
所述第五晶体管(M5)的漏极分别与第六晶体管(M6)的源极、第七晶体管(M7)的漏极连接；第十一晶体管(M11)的漏极分别与第十二晶体管(M12)的源极、第十三晶体管(M13)的漏极连接；
所述第六晶体管(M6)的栅极与第二电阻(R2)的第一端和第一电容(C1)的第二端连接；第十二晶体管(M12)的栅极与第四电阻(R4)的第一端和第三电容(C3)的第二端连接；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端连接；第十三晶体管(M13)的栅极与第四电容(C4)的第二端连接；
所述的第一晶体管(M1)和第八晶体管(M8)的源极和地连接，第三晶体管(M3)的漏极接电源VDD，栅极接偏置电压Vbias1；
所述第七晶体管(M7)的栅极与第二电容(C2)的第二端和偏置电压Vbias2连接；第十三晶体管(M13)的栅极分别与第四电容(C4)的第二端和偏置电压Vbias2连接；
所述第六晶体管(M6)的漏极与电源VDD连接；第十二晶体管(M12)的漏极电源VDD连接；
所述第七晶体管(M7)的源极与电源VDD连接；第十三晶体管(M13)的源极与电源VDD连接；
所述第五晶体管(M5)的栅极与偏置电压Vbias3连接；第十一晶体管(M11)的栅极与偏置电压Vbias3连接；
所述第一晶体管(M1)、第四晶体管(M4)、第八晶体管(M8)和第十晶体管(M10)的源级均和地连接；
所述信号输入端(IN1)连接第一电阻(C1)的第一端、第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)的栅极、第四晶体管的栅极以及第二电容(C2)的第一端；
所述信号输入端(IN2)连接第三电阻(C3)的第一端、第八晶体管(M8)和第九晶体管(M9)的栅极、第十晶体管的栅极以及第四电容(C4)的第一端；
所述第五晶体管(M5)的漏极连接第一信号输出端(OUT1)；
所述第十一晶体管(M11)的漏极连接第二信号输出端(OUT2)。
2.根据权利要求1所述的宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，所述第二晶体管(M2)、第三晶体管(M3)、第七晶体管(M7)、第九晶体管(M9)和第十三晶体管(M13)均为PMOS晶体管，其余均为NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的宽带全差分低噪声放大器，其特征在于，电源(VDD)提供直流偏置电压，且电压值为1.8V。
CN201811058208.3A 2018-09-11 2018-09-11 一种宽带全差分低噪声放大器 Pending CN109361363A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811058208.3A CN109361363A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种宽带全差分低噪声放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811058208.3A CN109361363A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种宽带全差分低噪声放大器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109361363A true CN109361363A (zh) 2019-02-19

Family

ID=65350805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811058208.3A Pending CN109361363A (zh) 2018-09-11 2018-09-11 一种宽带全差分低噪声放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109361363A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112671350A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 北京力通通信有限公司 低噪声大带宽放大器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100237946A1 (en) * 2006-10-04 2010-09-23 Nanyang Technological University Low Noise Amplifier Circuit with Noise Cancellation and Increased Gain
US20120013404A1 (en) * 2010-07-13 2012-01-19 Entropic Communications, Inc. Method and Apparatus for Broadband Input Matching with Noise and Non-Linearity Cancellation in Power Amplifiers
CN102394571A (zh) * 2011-10-28 2012-03-28 电子科技大学 一种片内集成低噪声放大器
CN103633947A (zh) * 2013-12-03 2014-03-12 天津大学 一种无电感高增益cmos宽带低噪声放大器
CN104539244A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 天津大学 基于失真和噪声抵消的高线性度cmos宽带低噪声放大器
CN107196611A (zh) * 2017-04-21 2017-09-22 天津大学 宽带单端转差分低噪声放大器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100237946A1 (en) * 2006-10-04 2010-09-23 Nanyang Technological University Low Noise Amplifier Circuit with Noise Cancellation and Increased Gain
US20120013404A1 (en) * 2010-07-13 2012-01-19 Entropic Communications, Inc. Method and Apparatus for Broadband Input Matching with Noise and Non-Linearity Cancellation in Power Amplifiers
CN102394571A (zh) * 2011-10-28 2012-03-28 电子科技大学 一种片内集成低噪声放大器
CN103633947A (zh) * 2013-12-03 2014-03-12 天津大学 一种无电感高增益cmos宽带低噪声放大器
CN104539244A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 天津大学 基于失真和噪声抵消的高线性度cmos宽带低噪声放大器
CN107196611A (zh) * 2017-04-21 2017-09-22 天津大学 宽带单端转差分低噪声放大器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHIJIAN PAN等: "A Low Power Inductorless Wideband LNA With Gm Enhancement and Noise Cancellation", 《IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS》 *
杨开拓: "采用噪声抵消技术的无电感宽带低噪声放大器", 《微电子学》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112671350A (zh) * 2020-12-28 2021-04-16 北京力通通信有限公司 低噪声大带宽放大器
CN112671350B (zh) * 2020-12-28 2022-01-04 北京力通通信有限公司 低噪声大带宽放大器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105262443B (zh) 一种高线性低噪声跨导放大器
US7834698B2 (en) Amplifier with improved linearization
CN107196611B (zh) 宽带单端转差分低噪声放大器
CN105305981B (zh) 一种线性化宽带低噪声放大器
CN107248850B (zh) 一种无电感低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器
CN104242830B (zh) 基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器
CN111478671B (zh) 一种应用于Sub-GHz频段的新型低噪声放大器
CN111245373B (zh) 一种采用部分有源负反馈技术及正反馈技术的超宽带低噪声放大器
CN110557130A (zh) 一种带外线性度增强的电流模结构的接收机前端电路
CN110729974A (zh) 超宽带高增益低噪声放大器
CN110034738B (zh) 一种基于改进型阻抗匹配网络的超宽带低噪声放大器
CN111934627A (zh) 一种cmos低失真低噪声放大器电路
CN101669289B (zh) Rf输入跨导器级
CN107733375A (zh) 超宽带低噪声放大器
CN111987998A (zh) 一种噪声抵消低噪声放大器
CN105680802B (zh) 一种低功耗单片集成宽带低噪声放大器
CN112953419A (zh) 一种基于共源共栅结构的非线性抵消功率放大器
CN109361363A (zh) 一种宽带全差分低噪声放大器
CN106936399B (zh) 一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器
CN110798162A (zh) 射频超宽带驱动放大器芯片
CN112968674B (zh) 一种低噪声放大器的双路噪声抵消电路
CN212695961U (zh) 一种噪声抵消低噪声放大器
CN210745089U (zh) 射频超宽带驱动放大器芯片
CN110198156B (zh) 一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器
KR20080025910A (ko) 저잡음 차동 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190219