CN109353036A - 亲水基硅胶表面处理工艺 - Google Patents

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C71/00After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
    • B29C71/04After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. for curing or vulcanising preformed articles

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  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开一种亲水基硅胶表面处理工艺,包括以下步骤,(1)将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中;(2)启动亲水基机,进行排热气;(3)多根亲水基灯管由冷状态开启,隧道炉内的照度和温度开始爬升;(4)输送带将放料治具运输到隧道炉内,亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行照射,亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子,其反应方程式为,O2→O+O;同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式得到CH3,击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶反应生成亲水基CHO‑、OH‑、COH‑。经本发明处理后的硅胶件表面变光滑,触摸起来手感更好,同时,硅胶件表面贴合度、防污性大大提高,且亲水基制程中,完全不产生污染,更加环保。

Description

亲水基硅胶表面处理工艺
技术领域
本发明涉及硅胶产品领域技术,尤其是指一种亲水基硅胶表面处理工艺。
背景技术
硅胶(Silica gel; Silica)别名:硅酸凝胶是一种高活性吸附材料,属非晶态物质,其化学分子式为mSiO2·nH2O;除强碱、氢氟酸外不与任何物质发生反应,不溶于水和任何溶剂,无毒无味,化学性质稳定。各种型号的硅胶因其制造方法不同而形成不同的微孔结构。硅胶的化学组份和物理结构,决定了它具有许多其他同类材料难以取代的特点:吸附性能高、热稳定性好、化学性质稳定、有较高的机械强度等。
硅胶产品越来越多的应用于我们的生活中,例如:键盘按键、手机保护壳等,这些硅胶产品在我们生活中都会接触到。传统的这些硅胶产品大都通过设备成型出冷却后,即应用于产品上和我们的生活中,这些硅胶产品表面让人摸起来感觉不光滑,有种黏黏、油油、较为沾手的感觉,给人的舒适度较差。
发明内容
有鉴于此,本发明针对现有技术存在之缺失,其主要目的是提供一种亲水基硅胶表面处理工艺,其通过对硅胶产品进行改性,从而有效解决了现有之硅胶产品面让人摸起来感觉不光滑,有种黏黏、油油、较为沾手的感觉,给人的舒适度较差的问题。
为实现上述目的,本发明采用如下之技术方案:
一种亲水基硅胶表面处理工艺,包括有以下步骤,
(1)将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中,间隔摆放能使多个硅胶件的侧面也能照射到;
(2)于亲水基机控制系统中设定好温度、输送带传输速率和照射时间,再启动亲水基机,亲水基机的输送带开始运转,且亲水基机的抽风系统将亲水基机之隧道炉内的热空气排出,同时常温空气进入隧道炉内;
(3)隧道炉内的热空气完全排出后,抽风系统停止工作,此时隧道炉内的多根亲水基灯管由冷状态开启,隧道炉内的照度和温度开始爬升,照度爬升达标后,抽风系统继续工作,抽风系统将隧道炉内的热空气稳定排出,使隧道炉内温度不过高;
(4)将步骤(1)中定位好硅胶件的放料治具放置在亲水基机的输送带上,输送带将放料治具运输到隧道炉内,亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行全面照射,亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子,其反应方程式为,O2→O+O;同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式得到CH3,甲基乙烯基硅橡胶的方程式为,
击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO-、OH-、COH-;
(5)输送带将照射完成的硅胶件运输出隧道炉外,人员再将照射完成的硅胶件从放料治具取下,加工完成。
作为一种优选方案,所述放料治具采用透明材质制成。
作为一种优选方案,所述透明材质为钢化玻璃或亚克力板。
作为一种优选方案,所述步骤(1)中再将多个硅胶件间隔定位于放料治具时,放料治具的右下角处取消摆放硅胶件,此处的硅胶件照射出来的光滑度低。
作为一种优选方案,所述亲水基灯管的数量为20~50根之间,这些亲水基灯管均匀间隔设置于隧道炉内并与输送带上下相正对,且相邻两亲水基灯管的中心距为4.5~9.0cm之间。
作为一种优选方案,所述亲水基灯管与硅胶件的照射距离,根据硅胶件的厚度不同进行调节,其照射距离为0.8cm-4cm。
作为一种优选方案,使用照度计对刚照射完成的硅胶件表面进行能量测量,其能量值需大于10000mJ/cm2
作为一种优选方案,使用红外线感温器对刚照射完成的硅胶件表面进行温度检测,其温度值需小于85℃。
本发明与现有手感油喷涂技术相比具有明显的优点和有益效果,具体而言,由上述技术方案可知:
通过将硅胶件放入亲水基机中,亲水基机中的亲水基灯管照射出来的高能光子击断空气中的氧原子,同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式,击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO-、OH-、COH-,从而使硅胶件表面改性变的光滑,触摸起来手感更好,同时,硅胶件表面贴合度、耐化性、防污性大大提高,且亲水基制程中,完全不产生污染,更加环保,也节约了企业的环保设备投入成本
为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效,下面结合具体实施例来对本发明进行详细说明。
具体实施方式
一种亲水基硅胶表面处理工艺,包括有以下步骤,
(1)将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中,间隔摆放能使多个硅胶件的侧面也能照射到;
(2)于亲水基机控制系统中设定好温度、输送带传输速率和照射时间,再启动亲水基机,亲水基机的输送带开始运转,且亲水基机的抽风系统将亲水基机之隧道炉内的热空气排出,同时常温空气进入隧道炉内;
(3)隧道炉内的热空气完全排出后,抽风系统停止工作,此时隧道炉内的多根亲水基灯管由冷状态开启,隧道炉内的照度和温度开始爬升,照度爬升达标后,抽风系统继续工作,抽风系统将隧道炉内的热空气稳定排出,使隧道炉内温度不过高;
(4)将步骤(1)中定位好硅胶件的放料治具放置在亲水基机的输送带上,输送带将放料治具运输到隧道炉内,亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行全面照射,亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子,其反应方程式为,O2→O+O;同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式的侧键得到CH3,甲基乙烯基硅橡胶的方程式为,
击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO-、OH-、COH-;亲水基摸起来的舒适感更好:
(5)输送带将照射完成的硅胶件运输出隧道炉外,人员再将照射完成的硅胶件从放料治具取下,加工完成。
所述放料治具采用透明材质制成,使硅胶件能全面照射到,透明材质为钢化玻璃或亚克力板。在所述步骤一中再将多个硅胶件间隔定位于放料治具时,放料治具的右下角处取消摆放硅胶件,此处的硅胶件照射出来的光滑度较低。
所述亲水基灯管的数量为20~50根之间,20~50根之间亲水基灯管均匀间隔设置于隧道炉内并与输送带上下相正对,且相邻两亲水基灯管的中心距为4.5~9.0cm之间,亲水基灯管以入射角90度照射到硅胶件表面,达到最佳效果。且亲水基灯管与硅胶件的照射距离,根据硅胶件的厚度不同进行调节,其照射距离为0.8cm-4cm,优选的为2cm。
使用照度计对刚照射完成的硅胶件表面进行能量测量,其能量值需大于10000mJ/cm2,才能达标。使用红外线感温器对刚照射完成的硅胶件表面进行温度检测,其温度值需小于85℃。每周使用酒精对亲水基灯管进行擦拭。所述亲水基灯管的连续开启,使用倒数计时器手工控制。
抽风系统采用变频抽风系统,可自由设定隧道炉内温度在55-130度区间内。控制系统显示各支亲水基灯管点亮情况,没有正常点亮时报警提示。
本发明的设计重点在于:
通过将硅胶件放入亲水基机中,亲水基机中的亲水基灯管照射出来的高能光子击断空气中的氧原子,同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式,击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO-、OH-、COH-,从而使硅胶件表面改性变的光滑,触摸起来手感更好,同时,硅胶件表面贴合度、耐化性、防污性大大提高,且亲水基制程中,完全不产生污染,更加环保,也节约了企业的环保设备投入成本。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明的技术范围作任何限制,故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (8)

1.一种亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:包括有以下步骤,
(1)将多个硅胶件间隔摆放于放料治具中,间隔摆放能使多个硅胶件的侧面也能照射到;
(2)于亲水基机控制系统中设定好温度、输送带传输速率和照射时间,再启动亲水基机,亲水基机的输送带开始运转,且亲水基机的抽风系统将亲水基机之隧道炉内的热空气排出,同时常温空气进入隧道炉内;
(3)隧道炉内的热空气完全排出后,抽风系统停止工作,此时隧道炉内的多根亲水基灯管由冷状态开启,隧道炉内的照度和温度开始爬升,照度爬升达标后,抽风系统继续工作,抽风系统将隧道炉内的热空气稳定排出,使隧道炉内温度不过高;
(4)将步骤(1)中定位好硅胶件的放料治具放置在亲水基机的输送带上,输送带将放料治具运输到隧道炉内,亲水基灯管对放料治具上的多个硅胶件的外表面进行全面照射,亲水基灯管照射出的高能光子击断空气中的氧原子,其反应方程式为,O2→O+O;同时,高能光子击断硅胶件中的甲基乙烯基硅橡胶结构式得到CH3,甲基乙烯基硅橡胶的结构式为,
击断的氧原子和甲基乙烯基硅橡胶结构式反应生成亲水基CHO-、OH-、COH-;
(5)输送带将照射完成的硅胶件运输出隧道炉外,人员再将照射完成的硅胶件从放料治具取下,加工完成。
2.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:所述放料治具采用透明材质制成。
3.根据权利要求2所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:所述透明材质为钢化玻璃或亚克力板。
4.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:所述步骤(1)中再将多个硅胶件间隔定位于放料治具时,放料治具的右下角处取消摆放硅胶件,此处的硅胶件照射出来的光滑度低。
5.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:所述亲水基灯管的数量为20~50根之间,这些亲水基灯管均匀间隔设置于隧道炉内并与输送带上下相正对,且相邻两亲水基灯管的中心距为4.5~9.0cm之间。
6.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:所述亲水基灯管与硅胶件的照射距离,根据硅胶件的厚度不同进行调节,其照射距离为0.8cm-4cm。
7.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:使用照度计对刚照射完成的硅胶件表面进行能量测量,其能量值需大于10000mJ/cm2
8.根据权利要求1所述的亲水基硅胶表面处理工艺,其特征在于:使用红外线感温器对刚照射完成的硅胶件表面进行温度检测,其温度值需小于85℃。
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