CN109327142A - 具峰值功率保护功能的回授电路 - Google Patents

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CN109327142A CN201710636146.9A CN201710636146A CN109327142A CN 109327142 A CN109327142 A CN 109327142A CN 201710636146 A CN201710636146 A CN 201710636146A CN 109327142 A CN109327142 A CN 109327142A
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Abstract

不同于现有的回授电路在电源供应器输出峰值功率(peak power)时通过闩锁电路关闭电源供应器的输出电流，本发明特别提出由一输出电流感测单元、一误差放大器单元、一第一光耦合器、一延时单元、与一参考电压产生单元所组成的一种具峰值功率保护功能的回授电路；并且，此回授电路能够在电源供应器输出峰值功率时立即提升其输出电流，并在预设的延时时间经过之后再恢复电源供应器的输出电流的正常输出。可想而知，相对于现有的回授电路必须以手动方式重启电源供应器才能够使其恢复正常工作，本发明的回授电路显示出实际应用上的便利性。

Description

具峰值功率保护功能的回授电路
技术领域
本发明是关于电子电路技术领域，尤指应用于电源转换器与/或电源供应器之中的一种具峰值功率保护功能的回授电路。
背景技术
手工具机、喷墨式打印机及硬盘机等负载启动瞬间需要较高的启动电流，故此类产品的电源供应器必须提供瞬间高功率(peak power)输出。然而，这些负载平时工作时所需的功率又远低于所述瞬间高功率，因此电源供应器仍必须具备峰值功率保护功能，进而可以在瞬间高功率持续特定时间之后，关闭电源供应器的功率输出，避免因为电源供应器的高功率输出的持续时间过久，造成后端负载或主板上的电路组件的毁坏。
请参阅图1，为现有的一种具峰值功率保护功能的电源供应器的电路示意图。如图1所示，现有的具峰值功率保护功能的电源供应器1’包括：耦接电压源VS’的一整流单元11’、一PFC单元12’(功率因素修正单元)、一功率开关单元13’、一变压器单元14’、一输出滤波整流单元15’、一电流侦测电阻Rsen’、一信号采样电阻Rsam’、一回授单元16’、一PWM控制单元17’、以及一峰值功率保护单元18’；其中，该回授单元16’通常由一电流误差放大器161’与一光耦合器162’所构成。
在正常工作模式下，电流侦测电阻Rsen’、信号采样电阻Rsam’、回授单元16’、与PWM控制单元17’可以提供对于电源供应器1’的过载保护(Over load protection,OLP)。具体的运行方式如下：电流误差放大器161’通过由电流侦测电阻Rsen’与信号采样电阻Rsam’组成的电流采样单元CSU’而自电源供应器1’的电源输出端取得电流采样信号；进一步地，电流误差放大器161’通过光耦合器162’输出一电流误差信号至PWM控制单元17’，使得该PWM控制单元17’能够对应地输出一脉宽调变信号以控制该功率开关单元13’的开关，从而达到稳定电源供应器1’的输出电流的效果。
并且，熟悉电源供应器设计与制造的工程师可以通过美国专利公告号US9,160,160所揭示的峰值功率保护技术得知，图1所示峰值功率保护单元18’包括一比较器181’、一闩锁电路182’与一微处理器183’。其中，比较器181’用以监控是否所述电流误差信号的电压值超过一参考电压VREF’；若是，则表示电源供应器1’的输出电流已经超过警戒值。此时，闩锁电路182’会输出一闩锁信号(latch-up signal)至微处理器183’。并且，当输出电流超过警戒值的状况持续达到特定时间之后，微处理器183’通过关闭PWM控制器17’的方式，停止电源供应器1’输出电流至外部的负载2’。
另一方面，熟悉电源供应器设计与制造的工程师应该知道可以通过增设电压采样单元与电压误差放大器的方式，而后通过稳定电源供应器1’的输出电压的方式，达到过载保护的目的。即使如此，现有的具峰值功率保护功能的电源供应器1’在实务上仍显示出诸多缺陷，整理如下：
(1)当微处理器183’停止电源供应器1’输出电流之后，必须重启电源供应器1’才能够恢复正常工作模式；
(2)为了令电源供应器1’具备峰值功率保护的功能，现有技术在主板上增设了三个集成电路芯片，即：微处理器183’、闩锁电路182’与比较器181’；可想而知，额外增设的集成电路芯片提升了所述电源供应器1’的制造成本。
因此，如何在低成本的情况下令电源供应器1’具备峰值功率保护的功能成为电源供应器制造商的主要研究课题。此外，如何令电源供应器1’停止输出电流持续一段时间之后便自行恢复至正常工作模式，也是研究课题必须列入考虑的。有鉴于此，本案发明人对此极力加以研究发明，而终于研发完成本发明的一种具峰值功率保护功能的回授电路。
发明内容
有鉴于前述说明指出现有的回授电路在实际应用上显示出诸多缺陷，本发明的主要目的，在于提供一种具峰值功率保护功能的回授电路，其主要由输出电流感测单元、误差放大器单元、第一光耦合器、延时单元、与参考电压产生单元所组成；并且，此回授电路能够在电源供应器输出峰值功率时立即提升其输出电流，并在预设的延时时间经过之后再恢复电源供应器的输出电流的正常输出。可想而知，相对于现有的回授电路必须以手动方式重启电源供应器才能够使其恢复正常工作，本发明的回授电路显示出实际应用上的便利性。另一方面，除了误差放大器单元属于微电路芯片以外，本发明以基础电子零件组成延时单元与参考电压产生单元；因此，相对于现有的回授电路同时使用多个微电路芯片，本发明的回授电路显示出低制造成本的优势。
为了达成上述本发明的主要目的，本案的发明人提供所述具峰值功率保护功能的回授电路的实施例，其设置在电源供应器内，其中，该电源供应器至少包括：整流单元、功率开关单元、变压器单元、输出滤波整流单元、与PWM控制单元；并且，所述回授电路还包括：
输出电流感测单元，电性连接至所述电源供应器的电源输出端，用以自所述电源输出端获取至少一个电流采样信号；
误差放大器单元，电性连接至所述输出电流感测单元以接收所述至少一个电流采样信号，并包括第一电流误差放大器与第二电流误差放大器；
第一光耦合器，电性连接至所述第一电流误差放大器与所述PWM控制单元，用以将所述第一电流误差放大器所输出的第一电流误差信号传送至所述PWM控制单元；
延时单元，电性连接至所述第二电流误差放大器；以及
参考电压产生单元，通过所述延时单元而电性连接至所述第二电流误差放大器，用以产生第一参考电压；并且，所述参考电压产生单元还同时电性连接至所述输出电流感测单元，以在所述输出电流包含突波而导致所述电源供应器输出峰值功率时，对应地改变第二参考电压；
其中，在所述电源供应器输出峰值功率时，根据所述电流采样信号与所述第二参考电压，所述第二电流误差放大器启用所述延时单元执行延时程序，使得所述电源供应器在特定延时时间内改变输出其输出电流；同时，所述参考电压产生单元改变所述第一参考电压；并且，当所述延时程序结束后，所述参考电压产生单元通过所述延时单元，改变输出所述第一参考电压至所述第一电流误差放大器；
其中，根据所述电流采样信号与所述第一参考电压，所述第一电流误差放大器输出所述第一电流误差信号至所述PWM控制单元，使得所述PWM控制单元对应地输出第一脉宽调变信号以控制所述功率开关单元。
附图说明
图1显示现有的一种具峰值功率保护功能的电源供应器的电路示意图；
图2显示包含有本发明的一种具峰值功率保护功能的回授电路的电源供应器的电路示意图；
图3显示本发明的回授电路的第一实施例的电路架构图；
图4显示包含有本发明的回授电路的电源供应器的电路示意图；
图5显示本发明的回授电路的第二实施例的电路架构图；
图6显示包含有本发明的回授电路的电源供应器的电路示意图；
图7显示本发明的回授电路的第三实施例的电路架构图。
图中主要符号说明：
2 电源供应器
21 整流单元
22 功率因素修正单元
23 功率开关单元
24 变压器单元
25 输出滤波整流单元
27 PWM控制单元
1 具峰值功率保护功能的回授
Csu 输电出路电流感测单元
10 误差放大器单元
11 第一光耦合器
13 延时单元
14 参考电压产生单元
J100 电流侦测电阻
R127 第一信号采样电阻
R128 第二信号采样电阻
101 第一电流误差放大器
102 第二电流误差放大器
VREF1 第一参考电压
VREF2 第二参考电压
3 负载
R132 充电电阻
R134 充放电电阻
D106 放电二极管
R136 漏电流消除电阻
C104 充放电电容
Q105 MOS晶体管
GND 地端
ZD102 齐纳二极管
141 第一参考电压产生器
142 第二参考电压产生器
Q106 MOS晶体管
R139、R107 电阻
R145、R146 电阻
R143、R144 电阻
R140、R141 电阻
Vsu 输出电压感测单元
18 电压调整单元
R122、R125 电阻
Vin 输入电压
ZDR2 齐纳二极管
C109、C121 电容
R121 电阻
Vr 可变电阻
15 切换频率调整单元
12 第二光耦合器
Q102 MOS晶体管
R106、R138 电阻
1’ 电源供应器
VS’ 电压源
11’ 整流单元
12’ PFC单元
13’ 功率开关单元
14’ 变压器单元
15’ 输出滤波整流单元
Rsen’ 电流侦测电阻
Rsam’ 信号采样电阻
16’ 回授单元
17’ PWM控制单元
18’ 峰值功率保护单元
161’ 电流误差放大器
162’ 光耦合器
CSU’ 电流采样单元
181’ 比较器
182’ 闩锁电路
183’ 微处理器
VREF’ 参考电压
2’ 负载
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本发明所提出的具峰值功率保护功能的回授电路，以下将配合图式，详尽说明本发明的较佳实施例。
第一实施例
请同时参阅图2，显示了包含有本发明的一种具峰值功率保护功能的回授电路的电源供应器的电路示意图。如图2所示，电源供应器(Power supply device)2通常包括：整流单元21、功率因素修正单元22、功率开关单元23、变压器单元24、输出滤波整流单元25、以及PWM控制单元27。本发明所提出的具峰值功率保护功能的回授电路1(下文简称“回授电路”)即设置在该电源供应器2之中，用以配合PWM控制单元27达到提供对于电源供应器2的过载保护(Over load protection,OLP)的目的。同时，在配合PWM控制单元27的情况下，本发明的回授电路1可以在电源供应器2输出峰值功率(peak power)的瞬间，立即停止该电源供应器2继续输出电流/电压，直至默认的延时时间经过之后，才允许电源供应器2继续输出电流/电压。
继续参阅图2，并请同时参阅图3所显示的本发明的回授电路的第一实施例的电路架构图。如图2与图3所示，本发明的回授电路1是在该基础上还包括：输出电流感测单元Csu、误差放大器单元10、第一光耦合器11、延时单元13、与参考电压产生单元14。其中，该输出电流感测单元Csu包括一电流侦测电阻J100、一第一信号采样电阻R127与一第二信号采样电阻R128。并且，由图3可知该电流侦测电阻J100的一端电性连接至电源供应器2的一电源输出端，且第一信号采样电阻R127的两端分别电性连接至该电流侦测电阻J100的另一端与误差放大器单元10内的一第一电流误差放大器101的负输入端。另一方面，第二信号采样电阻R128的两端则分别电性连接至该电流侦测电阻J100与误差放大器单元10内的一第二电流误差放大器102的负输入端。
在本发明中，输出电流感测单元Csu用以自该电源输出端获取电流采样信号，并接着将电流采样信号输入该误差放大器单元10。再者，第一光耦合器11电性连接至该第一电流误差放大器101与该PWM控制单元27，用以将第一电流误差放大器101所输出的第一电流误差信号传送至该PWM控制单元27。另一方面，所述参考电压产生单元14是通过延时单元13而电性连接至该第二电流误差放大器102；并且，该参考电压产生单元14同时电性连接至该输出电流感测单元Csu，以在电源供应器2的输出电流包含突波而导致该电源供应器2输出峰值功率(peak power)时，对应地改变第二参考电压VREF2的值。在此，必须先行说明的是，本发明的主要技术特征包括以下电路上的具体操作：
(i)利用参考电压产生单元14提供第一参考电压VREF1至误差放大器单元10内的第一电流误差放大器101，使得该第一电流误差放大器101根据电流采样信号与第一参考电压VREF1而输出所述第一电流误差信号至该PWM控制单元27；如此，PWM控制单元27会对应地输出一第一脉宽调变信号以控制该功率开关单元23的开/关，由此方式稳定该电源供应器2的该输出电流；
(ii)当电源供应器2的输出电流因包含突波而导致该电源供应器2输出峰值功率(peak power)时，参考电压产生单元14根据电源供应器2的输出电流而输出第二参考电压VREF2，以令第二电流误差放大器102根据电流采样信号与第二参考电压VREF2而输出第二电流误差信号，进而启动该延时单元13执行延时程序；值得注意的是，在预设的延时时间内所述参考电压产生单元14改变第一参考电压VREF1的值，使得该电源供应器2在所述预设的延时时间之内改变其输出至后端的负载3的输出电流；以及
(iii)当延时程序结束后，该参考电压产生单元14即通过延时单元13接收所述第二电流误差信号，进而再次对应地改变第一参考电压VREF1的值，并提供所述第一参考电压VREF1至该第一电流误差放大器101，以恢复该电源供应器2继续地提供输出电流/电压至后端的负载3。
如图2与图3所示，该延时单元13主要包括：充电电阻R132、充放电电阻R134、放电二极管D106、充放电电容C104、以及MOS晶体管Q105。其中，充电电阻R132同时连接第二电流误差放大器102的输出端与充放电电阻R134，且放电二极管D106电性连接于该充放电电阻R134与该第二电流误差放大器102的输出端之间。熟悉电子电路设计的工程师应该知道，第二电流误差放大器102所输出的第二电流误差信号是通过充电电阻R132与充放电电阻R134对RC充放电单元的充放电电容C104充电。并且，放电时，充放电电容C104系透过充放电电阻R134与放电二极体D106而完成放电程序。另外，MOS晶体管Q105的闸极电性连接至电容C104与第二充电电阻R134之间，且其汲极与源极则分别电性连接至该第二电流误差放大器102的输出端与地端GND。
于此，必须补充说明的是，所述延时单元13中进一步设有齐纳二极管ZD102，其电性连接于漏电流消除电阻R136与充放电电容C104之间，用以提升电容C104的充电电压。值得说明的是，设置漏电流消除电阻R136之目的在于消除齐纳二极体ZD102的漏电流。并且，根据图3的电路图可以推知，所述预设的延时时间的长度决定于充放电电容C104的容量以及充放电电阻R134的阻值。请再继续参阅图2与图3，所述参考电压产生单元14包括第一参考电压产生器141与第二参考电压产生器142。其中，第一参考电压产生器141由MOS晶体管Q106、由电阻R139和电阻R107组成的第一分压单元、由电阻R145和电阻R146组成的第一电流-电压转换单元、与由电阻R143和电阻R144组成的第二分压单元构成。
承上述说明，第一分压单元(R139,R107)是通过该延时单元13而电性连接至第二电流误差放大器102，并同时电性连接MOS晶体管Q106的闸极。并且，MOS晶体管Q106的汲极与源极分别电性连接至该电流-电压转换单元与该第二分压单元(R143,R144)，以令第二分压单元(R143,R144)根据该MOS晶体管Q106的导通程度而输出所述第一参考电压VREF1至第一电流误差放大器1012的正输入端。另一方面，第二参考电压产生器142包括由电阻R140和电阻R141组成的第三分压单元以及电压参考单元；其中，所述电压参考单元由齐纳二极管ZDR1、电容C114、与电阻R147所组成；并且，电压参考单元通过第一分压单元(R139,R107)而电性连接至该MOS晶体管Q106的汲极，并同时电性连接至该第三分压单元(R140,R141)。
第二实施例
请再同时参阅图4与图5，其中图4显示包含有本发明的回授电路的电源供应器的电路示意图，且图5显示本发明的回授电路的第二实施例的电路架构图。比较图4与图2可以得知，通过增加输出电压感测单元Vsu与电压调整单元18至第一实施例的电路架构之中，即可获得本发明的回授电路1的第二实施例。如图4与图5所示，所述输出电压感测单元Vsu为由电阻R122与电阻R125组成的分压单元，电性连接至该电源供应器2的电源输出端，用以自该电源输出端获取至少一个电压采样信号。另一方面，电压调整单元18的输入端电性连接至电阻R122与电阻R125之间，用以接收输入电压Vin。如此，根据该输入电压Vin，所述电压调整单元18产生电压调整信号，并通过该第一光耦合器11将所述电压调整信号传送至该PWM控制单元27，使得该PWM控制单元27对应地输出第二脉宽调变信号以控制该功率开关单元23的开/关，由此方式稳定该电源供应器2的输出电压。
值得说明的是，所述电压参考单元由齐纳二极管ZDR2、电容C109、电阻R121、以及电容C121所组成，且其输入端与输出端分别电性连接至分压单元(R122,R125)与该第一光耦合器11。并且，如图5所示，可变电阻vR电性连接至分压单元中的电阻R125；如此，通过调整可变电阻vR的阻值便能够改变用以输入所述电压参考单元的输入电压Vin，达到适应性的改变所述电压调整信号的目的。
第三实施例
请再同时参阅图6与图7，其中图6显示包含有本发明的回授电路的电源供应器的电路示意图，且图7所显示的本发明的回授电路的第三实施例的电路架构图。比较图6与图4可以得知，通过增加切换频率调整单元15与第二光耦合器12至第二实施例的电路架构之中，即可获得本发明的回授电路1的第三实施例。如图6与图7所示，所述切换频率调整单元15电性连接至该第二电流误差放大器102，用以接收所述第二电流误差信号。调整切换频率是指调整工作开关的切换频率，本案调整工作开关的切换频率可以稳定输出。特别地，本发明是以MOS晶体管Q102和由电阻R106及电阻R138所组成的分压单元构成此切换频率调整单元15。如此设置，根据第二电流误差放大器102所输出的第二电流误差信号，切换频率调整单元15通过该第二光耦合器12输出切换频率调整信号至该PWM控制单元27，使得该PWM控制单元27对应地输出第三脉宽调变信号以调整该功率开关单元23的开关切换频率。
如此，上述系已完整且清楚地说明本发明的具峰值功率保护功能的回授电路的所有实施例的电路架构，经由上述，可以得知本发明具有下列的优点：
(1)不同于现有的回授电路在电源供应器输出峰值功率(peak power)时即利用闩锁电路关闭电源供应器的输出电流/电压，本发明特别提出由输出电流感测单元Csu、误差放大器单元10、第一光耦合器11、延时单元13、与参考电压产生单元14所组成的一种具峰值功率保护功能的回授电路；并且，此回授电路能够在电源供应器输出峰值功率之时关闭其输出，并于预设的延时时间经过之后再度恢复电源供应器的输出。可想而知，相对于现有的回授电路必须以手动方式重启电源供应器才能够使其恢复正常工作，本发明的回授电路显示出实际应用上的便利性。
(2)另一方面，除了误差放大器单元10属于微电路芯片以外，本发明以基础电子零件组成延时单元13与参考电压产生单元14；因此，相对于现有的回授电路同时使用多个微电路芯片，本发明的回授电路显示出低制造成本的优势。
必须加以强调的是，上述的详细说明是针对本发明可行实施例的具体说明，然而该实施例并非用以限制本发明的专利范围，凡未脱离本发明技艺精神所为的等效实施或变更，均应包含在本案的专利范围中。

Claims (10)

1.一种具峰值功率保护功能的回授电路，设置在一电源供应器内，其中该电源供应器至少包括：整流单元、功率开关单元、变压器单元、输出滤波整流单元、与PWM控制单元，其特征在于，所述具峰值功率保护功能的回授电路包括：
输出电流感测单元，电性连接至所述电源供应器的电源输出端，用以自所述电源输出端获取至少一个电流采样信号；
误差放大器单元，电性连接至所述输出电流感测单元以接收所述至少一个电流采样信号，并包括第一电流误差放大器与第二电流误差放大器；
第一光耦合器，电性连接至所述第一电流误差放大器与所述PWM控制单元，用以将所述第一电流误差放大器所输出的第一电流误差信号传送至所述PWM控制单元；
延时单元，电性连接至所述第二电流误差放大器；以及
参考电压产生单元，通过所述延时单元而电性连接至所述第二电流误差放大器，用以产生第一参考电压；并且，所述参考电压产生单元还同时电性连接至所述输出电流感测单元，以在所述输出电流包含突波而导致所述电源供应器输出峰值功率时，对应地改变第二参考电压；
其中，在所述电源供应器输出峰值功率时，根据所述电流采样信号与所述第二参考电压VREF2，所述第二电流误差放大器启用所述延时单元执行延时程序，使得所述电源供应器在特定延时时间内改变其输出电流；同时，所述参考电压产生单元改变所述第一参考电压；并且，当所述延时程序结束后，所述参考电压产生单元通过所述延时单元，改变输出所述第一参考电压VREF1至所述第一电流误差放大器；
其中，根据所述电流采样信号与所述第一参考电压，所述第一电流误差放大器输出所述第一电流误差信号至所述PWM控制单元，使得所述PWM控制单元对应地输出第一脉宽调变信号以控制所述功率开关单元。
2.根据权利要求1所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，还包括：
输出电压感测单元，电性连接至所述电源供应器的所述电源输出端，用以自所述电源输出端获取至少一个电压采样信号；以及
电压调整单元，电性连接至所述输出电压感测单元与所述第一光耦合器，用以接收所述电压采样信号；其中，根据所述电压采样信号，所述电压调整单元通过所述第一光耦合器11输出一电压调整信号至所述PWM控制单元，使得所述PWM控制单元对应地输出第二脉宽调变信号以控制所述功率开关单元的开/关，由此方式稳定所述电源供应器的输出电压。
3.根据权利要求2所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，还包括：
切换频率调整单元，电性连接至所述第二电流误差放大器，用以接收所述第二电流误差放大器所输出的第二电流误差信号；以及
第二光耦合器，电性连接所述切换频率调整单元与所述PWM控制单元；其中，根据所接收的所述第二电流误差信号，所述切换频率调整单元通过所述第二光耦合器输出切换频率调整信号至所述PWM控制单元，使得所述PWM控制单元对应地输出第三脉宽调变信号以调整所述功率开关单元的开关切换频率。
4.根据权利要求1所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述输出电流感测单元包括：
电流侦测电阻，其一端电性连接至所述电源输出端；
第一信号采样电阻，其一端电性连接至所述电流侦测电阻的另一端，且其另一端电性连接至所述第一电流误差放大器的负输入端；以及
第二信号采样电阻，其一端电性连接至所述第二电流误差放大器的负输入端，且其另一端电性连接至所述第一信号采样电阻的另一端。
5.根据权利要求1所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述延时单元包括：
至少一个充电电阻，电性连接至所述第二电流误差放大器的输出端；
二极管，电性连接在所述充电电阻与所述第二电流误差放大器之间；
RC充放电单元，电性连接至开关；以及
MOS晶体管，其闸极电性连接至所述充电电阻与所述RC充放电单元之间，且其汲极与源极则分别电性连接至所述第二电流误差放大器的输出端与地端。
6.根据权利要求5所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述RC充放电单元中进一步设有齐纳二极管，用以提升所述RC充放电单元的充电电压。
7.根据权利要求1所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述参考电压产生单元包括：
第一参考电压产生器，系包括：
MOS晶体管；
第一分压单元，通过所述延时单元而电性连接至所述第二电流误差放大器，并同时电性连接所述MOS晶体管的闸极；
至少一个电流-电压转换单元，电性连接所述MOS晶体管的汲极；及
第二分压单元，电性连接所述MOS晶体管的源极，用以输出所述第一参考电压VREF1至所述第一电流误差放大器；以及
第二参考电压产生器，包括：
第三分压单元，电性连接至所述电源供应器的所述电源输出端，并同时通过所述第一分压单元而电性连接至所述MOS晶体管的汲极；及
包含齐纳二极管的电压参考单元，通过所述第一分压单元而电性连接至所述MOS晶体管的汲极，并同时电性连接至所述第三分压单元。
8.根据权利要求2所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述输出电压感测单元包括：
分压单元，电性连接至所述电源供应器的所述电源输出端；以及
可变电阻，电性连接至所述分压单元。
9.根据权利要求8所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述电压调整单元包括：
包含齐纳二极管的电压参考单元，电性连接至所述分压单元，并同时电性连接至所述第一光耦合器。
10.根据权利要求3所述的具峰值功率保护功能的回授电路，其特征在于，所述切换频率调整单元包括：
MOS晶体管；以及
分压单元，电性连接至所述第二电流误差放大器，并同时电性连接所述MOS晶体管的闸极。
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