CN109326742A - 显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN109326742A CN201810842483.8A CN201810842483A CN109326742A CN 109326742 A CN109326742 A CN 109326742A CN 201810842483 A CN201810842483 A CN 201810842483A CN 109326742 A CN109326742 A CN 109326742A
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文炳禄
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Abstract

本发明的一实施例的显示装置的制造方法包括以下步骤：提供包括显示区域和第一周边区域及第二周边区域的基板，第一周边区域及第二周边区域界定在显示区域的外侧并且隔着显示区域彼此相对；在基板上形成电路层；在显示区域上形成元件层；以及以覆盖元件层的方式形成封装层，形成封装层的步骤包括：将第一沉积用掩模配置为与第一周边区域的一部分重叠，第一沉积用掩模包括第一中心部及从第一中心部沿第一方向延伸的第一分支部；将第二沉积用掩模配置为与第二周边区域的一部分重叠，第二沉积用掩模包括第二中心部及从第二中心部沿与第一方向相反的方向延伸的第二分支部；以及利用第一沉积用掩模及第二沉积用掩模，在元件层上沉积第一封装膜。

Description

显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示装置的制造方法，更详细而言，涉及一种如下的显示装置的制造方法，该方法通过利用形成有阶梯的沉积用掩模来沉积封装层，从而在显示装置的驱动时减少色差。
背景技术
通常，在如智能手机、平板个人电脑、膝上型电脑、数码相机、摄像机或便携式信息终端等的移动装置或者如超薄型电视机或广告板等的电子装置中可利用有机发光显示装置(organic light emitting display apparatus)。
有机发光显示装置在阳极与阴极之间设置有有机发光层。有机发光显示装置包括用于保护有机发光层的薄膜封装(thin film encapsulation，TFE)。
薄膜封装可通过薄膜沉积工艺来形成。薄膜沉积工艺包括化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)和物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)等。
发明内容
本发明涉及一种显示装置的制造方法，更详细而言，涉及一种如下的显示装置的制造方法，该方法通过利用形成有阶梯的沉积用掩模来沉积封装层，从而在显示装置的驱动时减少色差。
本发明的一实施例的显示装置的制造方法包括以下步骤：提供包括显示区域和第一周边区域及第二周边区域的基板，所述第一周边区域及所述第二周边区域界定在所述显示区域的外侧并且隔着所述显示区域彼此相对；在所述基板上形成电路层；在所述显示区域上形成元件层；以及以覆盖所述元件层的方式形成封装层，形成所述封装层的步骤包括：将第一沉积用掩模配置为与所述第一周边区域的一部分重叠，所述第一沉积用掩模包括第一中心部及从所述第一中心部沿第一方向延伸的第一分支部；将第二沉积用掩模配置为与所述第二周边区域的一部分重叠，所述第二沉积用掩模包括第二中心部及从所述第二中心部沿与所述第一方向相反的方向延伸的第二分支部；以及利用所述第一沉积用掩模及所述第二沉积用掩模，在所述元件层上沉积第一封装膜，在配置所述第一沉积用掩模的步骤中，以所述第一分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第一沉积用掩模，在配置所述第二沉积用掩模的步骤中，以所述第二分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第二沉积用掩模，所述第一分支部的厚度小于所述第一中心部的厚度，所述第二分支部的厚度小于所述第二中心部的厚度，所述第一沉积用掩模与所述第二沉积用掩模之间的在所述第一方向上的相隔距离大于所述第一沉积用掩模或所述第二沉积用掩模在所述第一方向上的宽度。
所述基板进一步包括：第三周边区域，用于连接所述第一周边区域和所述第二周边区域；以及第四周边区域，隔着所述显示区域与所述第三周边区域相对，形成所述封装层的步骤进一步包括：将第三沉积用掩模配置为与所述第三周边区域重叠，所述第三沉积用掩模包括第三中心部及从所述第三中心部沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第三分支部；以及将第四沉积用掩模配置为与所述第四周边区域重叠，所述第四沉积用掩模包括第四中心部及从所述第四中心部沿与所述第二方向相反的方向延伸的第四分支部，在配置所述第三沉积用掩模的步骤中，以所述第三分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第三沉积用掩模，在配置所述第四沉积用掩模的步骤中，以所述第四分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第四沉积用掩模，所述第三分支部的厚度小于所述第三中心部的厚度，所述第四分支部的厚度小于所述第四中心部的厚度，所述第三沉积用掩模与所述第四沉积用掩模之间的在所述第二方向上的相隔距离大于所述第三沉积用掩模或所述第四沉积用掩模在所述第二方向上的宽度。
所述第一沉积用掩模至所述第四沉积用掩模为一体。
所述第一沉积用掩模及所述第二沉积用掩模沿所述第二方向延伸，所述第三沉积用掩模及所述第四沉积用掩模沿所述第一方向延伸。
所述第一封装膜包含无机物质。
所述第一分支部的厚度等于或小于所述第一分支部在所述第一方向上的宽度，所述第二分支部的厚度等于或小于所述第二分支部在所述第一方向上的宽度。
所述第一分支部的厚度等于或小于60um，所述第二分支部的厚度等于或小于60um。
所述第一分支部在所述第一方向上的宽度等于或大于700um，所述第二分支部在所述第一方向上的宽度等于或大于700um。
所述第一分支部的厚度为所述第一中心部的厚度的0.8倍以下，所述第二分支部的厚度为所述第二中心部的厚度的0.8倍以下。
所述第一分支部包括第一子分支部和第二子分支部，所述第一子分支部用于连接所述第一中心部与所述第二子分支部，所述第一子分支部的厚度大于所述第二子分支部的厚度。
所述第一分支部的厚度沿所述第一方向连续减小。
所述第一沉积用掩模与所述第二沉积用掩模之间的在所述第一方向上的所述相隔距离等于或大于1mm。
在所述元件层上沉积第一封装膜的步骤中，以CVD(chemical vapor deposition)沉积方式沉积所述第一封装膜。
所述第一中心部的下表面和所述第一分支部的下表面相连形成一个平面，所述第二中心部的下表面和所述第二分支部的下表面相连形成一个平面，在配置所述第一沉积用掩模的步骤中，所述第一中心部的下表面配置为与所述第一中心部的上表面相比更接近所述元件层，在配置所述第二沉积用掩模的步骤中，所述第二中心部的下表面被配置为与所述第二中心部的上表面相比更接近所述元件层。
形成所述封装层的步骤包括：在所述第一封装膜上形成第二封装膜；以及在所述第二封装膜上沉积第三封装膜，所述第二封装膜包含有机物质，所述第三封装膜包含无机物质。
在沉积所述第一封装膜的步骤中，与所述第一周边区域及所述第二周边区域相比在所述显示区域上沉积更厚的所述第一封装膜。
所述第一分支部及所述第二分支部的厚度越小，沉积在所述第一周边区域及所述第二周边区域上的所述第一封装膜的厚度与沉积在所述显示区域上的所述第一封装膜的厚度之差越小。
在本发明中，通过利用形成有阶梯的沉积用掩模来沉积封装膜，能够改善因沉积用掩模发生的吸引力等阻碍沉积物质的移动，从而未以均匀的厚度沉积第一封装膜的现象。通过改善这种现象，能够缓解显示装置按区域输出的图像的色差现象。
附图说明
图1是用于示意地说明本发明的一实施例的显示装置的制造方法的俯视图。
图2a是沿图1所示的A-A'剖切线剖切的剖面图。
图2b是用于说明利用本发明的一实施例的沉积用掩模来形成封装层的剖面图。
图3是用于说明本发明的一实施例的显示装置的制造方法的顺序图。
图4是用于说明本发明的一实施例的形成封装层的方法的顺序图。
图5是用于说明本发明的一实施例的第一沉积用掩模及第二沉积用掩模的示意性剖面图。
图6a及图6b是用于说明由本发明的一实施例的显示装置的制造方法带来的效果的图表。
图7是本发明的一实施例的封装层的剖面图。
图8a及图8b是本发明的另一实施例的第一沉积用掩模的剖面图。
图9是本发明的另一实施例的第一沉积用掩模的剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施例进行说明。在本说明书中，当提到某结构要素(或者区域、层或部分等)“位于”、“连接到”或“结合到”其他结构要素的“上方”时，这表示可直接连接/结合到其他结构要素上或者在它们之间也可以配置有第三结构要素。
相同的附图标记指相同的结构要素。此外，在附图中，为了有效地说明技术内容，夸大了结构要素的厚度、比率及尺寸。“和/或”包含相关联的结构所能够定义的一个以上的所有组合。
虽然第一、第二等用语可用于说明多种结构要素，但所述结构要素并非由所述用语限定。所述用语可用于将一个结构要素与其他结构要素区别的目的。例如，在不脱离本发明的权利范围的情况下，第一结构要素可命名为第二结构要素，类似地第二结构要素也可以命名为第一结构要素。关于单数形式的表述，如果在文章中的含义不是明确地表示其他含义，则该单数形式的表述也包括复数形式的含义。
此外，“在下方”、“在下侧”、“在上方”及“在上侧”等用语为了说明图中所示的结构的相关关系而使用。所述用语为相对概念，以图中所示的方向为基准进行说明。
应理解“包括”或“具有”等用语是为了指定说明书中记载的特征、数字、步骤、操作、结构要素、部件或其组合的存在，并不是用来事先排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、操作、结构要素、部件或其组合的存在或附加的可能性。
图1是用于示意地说明本发明的一实施例的显示装置的制造方法的俯视图。图2a是沿图1所示的A-A'剖切线剖切的剖面图。图2b是用于说明利用本发明的一实施例的沉积用掩模来形成封装层的剖面图。图3是用于说明本发明的一实施例的显示装置的制造方法的顺序图。图4是用于说明本发明的一实施例的形成封装层的方法的顺序图。图5是用于说明本发明的一实施例的第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160的示意性剖面图。图6a及图6b是用于说明由本发明的一实施例的显示装置的制造方法带来的效果的图表。
参照图1至图4，为了制造本发明的一实施例的显示装置，可提供基板201(S701)。基板201可具有板形状。基板201可以是晶体硅(crystalline silicon，LTPS)基板、玻璃基板或塑料基板。
基板201可包括显示区域AA及周边区域NA。周边区域NA可包括第一周边区域NA1、第二周边区域NA2、第三周边区域NA3及第四周边区域NA4。第一周边区域NA1可从显示区域AA沿与第一方向D1相反的方向配置。第二周边区域NA2可从显示区域AA沿第一方向D1配置。在第一周边区域NA1与第二周边区域NA2之间可配置有显示区域AA。第三周边区域NA3可从显示区域AA沿与第二方向D2相反的方向配置。第四周边区域NA4可从显示区域AA沿第二方向D2配置。在第三周边区域NA3与第四周边区域NA4之间可配置有显示区域AA。
在基板201上可形成电路层(S702)。电路层可包括用于驱动后述的多个像素PX的薄膜晶体管300。
参照图1及图2a，在电路层上可形成有元件层。元件层可包括多个像素PX。多个像素PX中的每一个像素可包括子像素P1～P3。作为本发明的一例，子像素P1～P3可包含发出红光的红子像素P1、发出绿光的绿子像素P2及发出蓝光的蓝子像素P3。
每一个子像素(P1～P3)可分别包括第一电极130、发光层(200R、200G、200B)及第二电极131。
第一电极130可以是反射电极。第一电极130可包括反射层与功函数高的透明电极层的层压结构。第一电极130可以是单层或多层结构，并且能够进行多种变形。第一电极130能够作为阳极(anode)电极来发挥功能。
在第一电极130上可配置有像素界定膜132，该像素界定膜132覆盖第一电极130的边缘，并且包括用于使第一电极130的中央部露出的规定的开口部。像素界定膜132例如可由如聚酰亚胺等有机物形成。
发光层200R、200G、200B可配置在第一电极130上。发光层200R、200G、200B可包括用于输出光的有机发光层(未图示)。发光层200R、200G、200B可使用低分子有机物或高分子有机物。在有机发光层中，可以以由低分子有机物形成的低分子有机层的有机发光层为中心，朝向第一电极130配置有空穴传输层(hole transport layer：HTL)及空穴注入层(holeinjection layer：HIL)等，并且朝向第二电极131配置有电子传输层(electron transportlayer：ETL)及电子注入层(electron injection layer：EIL)等。当然，除空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层以外，可层压有其他功能层。
发光层200R、200G、200B可以与显示区域AA重叠，并且与周边区域NA不重叠。能够通过由发光层200R、200G、200B输出光而将图像显示到外部。
第二电极131可由透射型电极形成。第二电极131可以是将功函数小的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或Ag等金属和/或金属化合物形成为较薄厚度的半透射膜。第二电极131能够作为阴极(cathode)来发挥功能。
在元件层上可形成封装层20(在图7中示出)(S704)。
为了形成封装层20，可配置第一至第四沉积用掩模150、160、170、180(S811、S812)。
第一沉积用掩模150可包括第一中心部151及第一分支部152，第二沉积用掩模160可包括第二中心部161及第二分支部162。第三沉积用掩模170可包括第三中心部171及第三分支部172，第四沉积用掩模180可包括第四中心部181及第四分支部182。
参照图1，第一至第四沉积用掩模150、160、170、180可以与显示区域AA不重叠，并且与周边区域NA部分重叠。作为本发明的一例，第一沉积用掩模150可以与第一周边区域NA1部分重叠，第二沉积用掩模160可以与第二周边区域NA2部分重叠。第三沉积用掩模170可以与第三周边区域NA3部分重叠，第四沉积用掩模180可以与第四周边区域NA4部分重叠。第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160可配置为沿第二方向D2延伸，第三沉积用掩模170及第四沉积用掩模180可配置为沿第一方向D1延伸。第一至第四分支部152、162、172、182可配置为朝向显示区域AA侧。
在本发明的一例中，如图1所示，可由第一沉积用掩模150、第二沉积用掩模160、第三沉积用掩模170及第四沉积用掩模180一体形成一个开口。
可通过由第一至第四沉积用掩模150、160、170、180形成的开口来形成封装层20。下面，对形成封装层20的过程进行说明。
参照图5，第一沉积用掩模150可通过蚀刻(etching)过程而形成为第一分支部152的厚度TH2小于第一中心部151的厚度TH1+TH2。作为本发明的一例，第一分支部152的厚度TH2可以是第一中心部151的厚度TH1+TH2的0.8倍以下。
第一分支部152的厚度TH2可以是第一分支部152在第一方向D1上的宽度PD1以下。作为本发明的一例，第一分支部152的厚度TH2可以是60um，第一分支部152在第一方向D1上的宽度PD1可以是700um。但并不限定于此，第一分支部152的厚度TH2可以小于60um，第一分支部152在第一方向D1上的宽度PD1可以大于700um。
第二沉积用掩模160可通过蚀刻(etching)过程而形成为第二分支部162的厚度TH2小于第二中心部161的厚度TH1+TH2。作为本发明的一例，第二分支部162的厚度TH2可以是第二中心部161的厚度TH1+TH2的0.8倍以下。
第二分支部162的厚度TH2可以是第二分支部162在第一方向D1上的宽度PD1以下。作为本发明的一例，第二分支部162的厚度TH2可以是60um，第二分支部162在第一方向D1上的宽度PD1可以是700um。但并不限定于此，第二分支部162的厚度TH2可以小于60um，第二分支部162在第一方向D1上的宽度PD1可以大于700um。
第一沉积用掩模150与第二沉积用掩模160之间的在第一方向D1上的相隔距离PD2可以大于第一沉积用掩模150或第二沉积用掩模160在第一方向D1上的宽度。作为本发明的一例，第一沉积用掩模150与第二沉积用掩模160之间的在第一方向D1上的相隔距离PD2可以是1mm以上。
在第一沉积用掩模150中，第一中心部151的下表面和第一分支部152的下表面可相连形成一个平面。即，第一中心部151的下表面和第一分支部152的下表面可以是同一个面的一部分。第一中心部151的下表面可配置为与第一中心部151的上表面相比更接近元件层。即，第一中心部151的下表面与基板201之间的距离可以小于第一中心部151的上表面与基板201之间的距离。
在第二沉积用掩模160中，第二中心部161的下表面和第二分支部162的下表面可相连形成一个平面。即，第二中心部161的下表面和第二分支部162的下表面可以是同一个面的一部分。第二中心部161的下表面可配置为与第二中心部161的上表面相比更接近元件层。即，第二中心部161的下表面与基板201之间的距离可以小于第二中心部161的上表面与基板201之间的距离。
在图5中为了方便说明，省略了电路层及元件层，只图示了基板201和第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160。此外，在图5中对利用第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160来形成封装层20的过程进行说明，该内容同样也可以应用到第三沉积用掩模170及第四沉积用掩模180。即，参照图1，第三沉积用掩模170可通过蚀刻(etching)过程而形成为第三分支部172的厚度小于第三中心部171的厚度，第四沉积用掩模180可通过蚀刻(etching)过程而形成为第四分支部182的厚度小于第四中心部181的厚度。此外，第三沉积用掩模170与第四沉积用掩模180之间的在第二方向D2上的相隔距离可以大于第三沉积用掩模170或第四沉积用掩模180在第二方向D2上的宽度。关于第三沉积用掩模170及第四沉积用掩模180的其他内容与在第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160中说明的内容相同，因此以下省略说明。
参照图2b、图4及图5，可通过由第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160形成的开口来沉积第一封装膜230(S813)。更进一步具体说明，可通过沉积来在元件层中的未与第一沉积用掩模150及第二沉积用掩模160重叠的部分(即，显示区域AA及与周边区域NA的一部分重叠的部分)形成第一封装膜230。作为本发明的一例，可通过CVD(chemical vapordeposition)方式沉积第一封装膜230。
如此，通过利用形成有阶梯的沉积用掩模150、160、170、180来沉积第一封装膜230，能够改善因沉积用掩模发生的吸引力等阻碍沉积物质的移动，从而未以均匀的厚度沉积第一封装膜230的现象。更进一步具体说明，能够通过形成有阶梯的沉积用掩模，来改善与周边区域相比在显示区域AA上沉积更厚的第一封装膜230的现象。在图6a及图6b中可确认第一封装膜230的厚度随着从中心部朝向边缘则与使用未形成阶梯的沉积用掩模的情况相比使用形成有阶梯的沉积用掩模时的偏差越来越小(从-10.4％缩小至-7.1％及从-9.6％缩小至-6.7％，在图6a及图6b的图表中X轴表示在剖面中的基板上的位置，Y轴表示第一封装膜230的厚度)。其结果，通过改善这种现象，能够缓解显示装置按区域输出的图像的色差现象。
下面，在图7中对第一封装膜230进行详细说明。
图7是本发明的一实施例的封装层20的剖面图。
如图7所示，可通过前述的形成封装层20的过程，来形成第一封装膜230、第二封装膜240及第三封装膜250。第一封装膜230可包含无机物质。作为本发明的一例，第一封装膜230可包含氮化硅(SiNx)。第一封装膜230可以从外部阻断水分或空气。如前述，可通过CVD方式沉积第一封装膜230。
在第一封装膜230上可形成第二封装膜240。第二封装膜240可包含有机物质。第二封装膜240可包含包括单体的高分子物质。作为本发明的一例，第二封装膜240可包含聚酰亚胺(PI)。第二封装膜240可使下部层平坦化。第二封装膜240的厚度可以大于第一封装膜230及后述的第三封装膜250的厚度。
在第二封装膜240上可形成第三封装膜250。第三封装膜250可包含无机物质。作为本发明的一例，第三封装膜250可包含氧化硅(SiOx)。第三封装膜250可以从外部阻断水分或空气。如第一封装膜230那样，可通过CVD方式在第二封装膜240上沉积第三封装膜250。
封装层20并不限定于图7所示的结构，可以以多种方式变形封装层20。例如，封装层20可具有交替配置含有有机物质的膜和含有无机物质的膜的结构。
图8a、图8b及图9是本发明的另一实施例的第一沉积用掩模150'、150”、150”'的剖面图。
下面，虽然在图8a、图8b及图9中对第一沉积用掩模150'、150”、150”'的结构进行说明，但当然也可以在第二沉积用掩模160、第三沉积用掩模170及第四沉积用掩模180中应用该内容。
参照图8a，在第一沉积用掩模150'中，第一分支部152'可包括第一子分支部1521及第二子分支部1522。第一子分支部1521可配置在第一中心部151与第二子分支部1522之间。第一子分支部1521的厚度可大于第二子分支部1522的厚度。即，第一子分支部1521和第二子分支部1522可形成一个阶梯。剩余内容与图3中的内容相同，因此省略说明。
图8b的第一沉积用掩模150”可以是在图8a的结构中进一步设置有第三子分支部1523的结构。在第三子分支部1523与第一子分支部1521之间可配置有第二子分支部1522。第三子分支部1523的厚度可以小于第一子分支部1521的厚度及第二子分支部1522的厚度。即，可由第一子分支部1521、第二子分支部1522及第三子分支部1523形成两个阶梯。剩余内容与图3中的内容相同，因此省略说明。
虽然在图8a及图8b中图示了分别形成一个阶梯及两个阶梯的第一分支部152，但第一分支部152并不限定于此，当然可具有三个以上的阶梯。
在图9中，第一分支部152”'可具有倾斜面。即，第一分支部152”'的厚度可以沿第一方向D1连续减小。但第一分支部152”'的形状也并不限定于此，可变形为多种形状。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但应理解为本技术领域的熟练技术人员或具有本技术领域一般知识的人员在不脱离所附的权利要求书中记载的本发明的思想及技术领域的范围内可以以多种方式修改及变更本发明。
因此，本发明的技术范围并非由说明书的详细说明中记载的内容来限定，而是应由权利要求书的范围来限定。
附图标记说明
150：第一沉积用掩模 230：第一封装膜
151：第一中心部 240：第二封装膜
152：第一分支部 250：第三封装膜

Claims (10)

1.一种显示装置的制造方法，包括以下步骤：
提供包括显示区域和第一周边区域及第二周边区域的基板，所述第一周边区域及所述第二周边区域界定在所述显示区域的外侧并且隔着所述显示区域彼此相对；
在所述基板上形成电路层；
在所述显示区域上形成元件层；以及
以覆盖所述元件层的方式形成封装层，
形成所述封装层的步骤包括：
将第一沉积用掩模配置为与所述第一周边区域的一部分重叠，所述第一沉积用掩模包括第一中心部及从所述第一中心部沿第一方向延伸的第一分支部；
将第二沉积用掩模配置为与所述第二周边区域的一部分重叠，所述第二沉积用掩模包括第二中心部及从所述第二中心部沿与所述第一方向相反的方向延伸的第二分支部；以及
利用所述第一沉积用掩模及所述第二沉积用掩模，在所述元件层上沉积第一封装膜，
在配置所述第一沉积用掩模的步骤中，以所述第一分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第一沉积用掩模，
在配置所述第二沉积用掩模的步骤中，以所述第二分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第二沉积用掩模，
所述第一分支部的厚度小于所述第一中心部的厚度，
所述第二分支部的厚度小于所述第二中心部的厚度，
所述第一沉积用掩模与所述第二沉积用掩模之间的在所述第一方向上的相隔距离大于所述第一沉积用掩模或所述第二沉积用掩模在所述第一方向上的宽度。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述基板进一步包括：第三周边区域，用于连接所述第一周边区域和所述第二周边区域；以及第四周边区域，隔着所述显示区域与所述第三周边区域相对，
形成所述封装层的步骤进一步包括：
将第三沉积用掩模配置为与所述第三周边区域重叠，所述第三沉积用掩模包括第三中心部及从所述第三中心部沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第三分支部；以及
将第四沉积用掩模配置为与所述第四周边区域重叠，所述第四沉积用掩模包括第四中心部及从所述第四中心部沿与所述第二方向相反的方向延伸的第四分支部，
在配置所述第三沉积用掩模的步骤中，以所述第三分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第三沉积用掩模，
在配置所述第四沉积用掩模的步骤中，以所述第四分支部朝向所述显示区域侧的方式配置所述第四沉积用掩模，
所述第三分支部的厚度小于所述第三中心部的厚度，
所述第四分支部的厚度小于所述第四中心部的厚度，
所述第三沉积用掩模与所述第四沉积用掩模之间的在所述第二方向上的相隔距离大于所述第三沉积用掩模或所述第四沉积用掩模在所述第二方向上的宽度。
3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一沉积用掩模至所述第四沉积用掩模为一体。
4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一沉积用掩模及所述第二沉积用掩模沿所述第二方向延伸，所述第三沉积用掩模及所述第四沉积用掩模沿所述第一方向延伸。
5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一封装膜包含无机物质。
6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一分支部的厚度等于或小于所述第一分支部在所述第一方向上的宽度，
所述第二分支部的厚度等于或小于所述第二分支部在所述第一方向上的宽度。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一分支部的厚度等于或小于60um，
所述第二分支部的厚度等于或小于60um。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一分支部在所述第一方向上的宽度等于或大于700um，
所述第二分支部在所述第一方向上的宽度等于或大于700um。
9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一分支部的厚度为所述第一中心部的厚度的0.8倍以下，
所述第二分支部的厚度为所述第二中心部的厚度的0.8倍以下。
10.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，
所述第一分支部包括第一子分支部和第二子分支部，
所述第一子分支部用于连接所述第一中心部与所述第二子分支部，
所述第一子分支部的厚度大于所述第二子分支部的厚度。
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