CN109315060A - 具有格栅区段的靶组件和同位素产生系统 - Google Patents

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Abstract

一种靶组件包括具有产生室和射束通道的靶体。所述靶体包括布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。所述靶组件还包括定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和第二格栅区段中的每一者都具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。

Description

具有格栅区段的靶组件和同位素产生系统
背景技术
本文公开的主题总体上涉及同位素产生系统，并且更具体地涉及具有用粒子束辐射的靶材料的同位素产生系统。
放射性同位素(也被称为放射性核素)在医学治疗、成像和研究以及其他非医学相关的应用中具有若干应用。产生放射性同位素的系统通常包括粒子加速器，比如回旋加速器，所述回旋加速器加速带电粒子束(例如，H-离子)并将所述带电粒子束引导到靶材料中以生成同位素。回旋加速器是一种复杂的系统，其使用电场和磁场沿加速室内的预定轨道来加速和导向带电粒子。当所述粒子到达轨道的外部时，带电粒子形成粒子束，所述粒子束被引导朝向靶组件，所述靶组件固持用于同位素产生的靶材料。
通常是液体、气体或固体的靶材料包含在靶组件的腔室内。靶组件形成射束通道，所述射束通道接收粒子束并允许粒子束入射在腔室中的靶材料上。为了将靶材料包含在腔室内，射束通道通过一个或多个箔与腔室分开。例如，所述腔室可以由靶体内的空隙限定。靶箔在一侧上覆盖空隙，并且靶组件的区段可以覆盖空隙的相反侧，以在所述靶箔与所述靶组件的区段之间限定腔室。粒子束穿过靶箔并在相对较小体积的靶材料内积聚相对大量的功率，从而导致在腔室内生成大量的热能。这种热能的一部分被传递至靶箔。
至少一些已知的系统使用由冷却室分开的两个箔。第一箔将回旋加速器的加速室中的真空与冷却室分开，并且第二箔(或靶箔)将冷却室与靶材料所在的腔室分开。如上所述，第二箔吸收来自腔室的热能。当粒子束入射在第一箔上时，第一箔也可以生成热能。
将热能传递离开所述箔是重要的。除了升高的温度之外，所述箔可能经历不同的压力。由温度和不同压力引起的应力使得箔易受到破裂、熔化或其他损坏。如果所述箔被损坏，则进入产生室的能量水平增大。较大的能量水平可能生成不希望的同位素或使得靶材料不可用的其他杂质。因此，通过降低箔中的热能可以延长箔的寿命。
为了解决这一挑战，常规系统包括将热能传递离开第一箔和第二箔的冷却系统。冷却系统将冷却介质(例如，氦)引导通过冷却室，所述冷却介质吸收来自箔的热能。然而，这种冷却系统的组装和操作可能是复杂、昂贵且耗时的。
发明内容
在实施例中，提供了一种用于同位素产生系统的靶组件。所述靶组件包括具有产生室和射束通道的靶体。所述产生室被定位成接收被引导穿过所述射束通道的粒子束。所述产生室被配置成固持靶材料。所述靶组件还包括所述靶体的布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。所述靶组件还包括在所述接口处定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。
在一些实施例中，所述第二格栅区段具有围绕所述射束通道并限定所述射束通道的一部分的轮廓的径向表面。所述径向表面可以不具有流体耦接至本体通道的端口。
在一些实施例中，冷却通道延伸穿过所述靶体。所述冷却通道被配置成具有穿其而过流动的冷却介质，所述冷却介质吸收来自所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的热能并将所述热能传递离开所述第一格栅区段和所述第二格栅区段。
在一些实施例中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件还包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。可选地，所述第二箔形成限定所述产生室的内表面。
可选地，所述第一格栅区段的所述内壁可以与所述第一箔和所述第二箔接合。在特定实施例中，所述第一箔比所述第二箔厚至少5倍和/或所述第一箔被配置成将所述粒子束的射束能量降低至少10％。然而，应当理解的是，在其他实施例中，所述第一箔的厚度可以比所述第二箔的厚度小5倍，并且在其他实施例中，所述第一箔可以被配置成将所述粒子束的射束能量降低小于10％。
在实施例中，提供了一种同位素产生系统，所述同位素产生系统包括被配置成生成粒子束的粒子加速器。所述同位素产生系统包括靶组件，所述靶组件具有产生室和与所述产生室对准的射束通道。所述产生室被配置成固持靶材料。所述射束通道被配置成接收被引导朝向所述产生室的粒子束。所述靶组件还包括布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。所述同位素产生系统还包括沿所述接口定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有将格栅通道限定于其间的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔接合。
在实施例中，提供了一种生成放射性同位素的方法。所述方法包括：将靶材料提供到靶组件的产生室中。所述靶组件具有射束通道，所述射束通道接收所述粒子束并允许所述粒子束入射在所述靶材料上。所述靶组件还包括布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。所述方法还包括：将所述粒子束引导到所述靶介质上。所述粒子束穿过在所述接口处定位在所述第一格栅区段与第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。
在一些实施例中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。所述粒子束穿过所述第二箔。可选地，所述方法不包括在所述第一箔与第二箔之间引导冷却介质。可选地，所述靶材料被配置成生成68Ga同位素。
附图说明
图1是根据实施例的同位素产生系统的框图。
图2是根据实施例的靶组件的后透视图。
图3是图2的靶组件的前透视图。
图4是图2的靶组件的分解视图。
图5是靶组件的横向于Z轴截取的截面视图，展示了吸收靶组件的热能的冷却通道。
图6是图2的靶组件的横向于X轴截取的截面图。
图7是图2的靶组件的横向于Y轴截取的截面图。
图8是根据实施例的第一格栅区段和第二格栅区段的透视图。
图9是被定位成抵靠图8的第二格栅区段的前侧的箔的放大视图。
图10是展示了生成放射性同位素的方法的框图。
具体实施方式
当结合附图阅读时，将更好地理解某些实施例的以上概述和以下具体实施方式。在附图图示出各实施例的框图的程度上，所述框不一定指示硬件之间的划分。因此，例如，一个或多个框可以在单件硬件或多件硬件中实现。应当理解的是，各实施例不限于附图中所示的安排和手段。
如本文中所使用的，以单数引用的并且用词语“一个(a)”或“一种(an)”继续引用的元件或步骤应被理解为不排除所述元件或步骤的复数，除非明确阐明这种排除。此外，对“一个实施例”的引用不旨在被解释为排除存在也结合了所引用的特征的附加实施例。而且，除非明确相反阐明，否则实施例“包括(comprising)”或“具有(having)”拥有特定特性的一个元件或多个元件的实施例可以包括不具有那种特性的另外的这种元件。
图1是根据实施例形成的同位素产生系统100的框图。同位素产生系统100包括具有若干子系统的粒子加速器102(例如，回旋加速器)，所述子系统包括离子源系统104、电场系统106、磁场系统108、真空系统110、冷却系统122、以及流体控制系统125。在使用同位素产生系统100期间，将靶材料116(例如，靶液体或靶气体)提供到靶系统114的指定产生室120。可以通过流体控制系统125将靶材料116提供到产生室120。流体控制系统125可以控制靶材料116穿过一个或多个泵和阀(未示出)到产生室120的流动。流体控制系统125还可以通过将惰性气体提供到产生室120中来控制在产生室120内经历的压力。
在粒子加速器102的操作期间，通过离子源系统104将带电粒子放置在粒子加速器102内或者注入到所述粒子加速器中。磁场系统108和电场系统106生成对应的场，所述场在产生带电粒子的粒子束112时彼此协作。
同样如图1所示，同位素产生系统100具有提取系统115。靶系统114可以被定位成与粒子加速器102相邻。为了生成同位素，粒子束112由粒子加速器102引导穿过提取系统115、沿束路径117并进入靶系统114中，使得粒子束112入射在位于指定产生室120处的靶材料116上。应当注意的是，在一些实施例中，粒子加速器102和靶系统114没有被空间或间隙分开(例如，分开一段距离)和/或不是分开的零件。因此，在这些实施例中，粒子加速器102和靶系统114可以形成单个部件或零件，以使得不提供这些部件或零件之间的束路径117。
同位素产生系统100被配置成产生放射性同位素(也被称为放射性核素)，所述放射性同位素可以用于医学成像、研究和治疗中，以及用于其他非医学相关的应用，比如科学研究或分析。当用于医学目的时，比如在核医学(NM)成像或正电子发射断层扫描(PET)成像中，放射性同位素还可以被称为示踪剂。同位素产生系统100可以产生预定量或批次的同位素，比如用于医学成像或治疗的个体剂量。举例来讲，同位素产生系统100可以从包括硝酸中的68Zn硝酸盐的靶液体生成68Ga同位素。同位素产生系统100还可以被配置成生成质子以制备液体形式的18F-同位素。用于制备这些同位素的靶材料可以富含18O水或16O水。在一些实施例中，同位素产生系统100还可以生成质子或氘核以便产生15O标记的水。可以提供具有不同活化水平的同位素。
在一些实施例中，同位素产生系统100使用1H-技术并使带电粒子达到具有约10μA至30μA的束电流的低能量(例如，约8MeV或约14MeV)。在这种实施例中，负氢离子被加速并导向穿过粒子加速器102并进入提取系统115中。然后，负氢离子可以撞击提取系统115的剥离箔(图1中未示出)，从而移除电子对，并使所述粒子成为正离子1H+。然而，在替代实施例中，带电粒子可以是正离子，比如1H+、2H+和3He+。在这种替代实施例中，提取系统115可以包括静电偏转器，所述静电偏转器产生将粒子束导向朝向靶材料116的电场。应当注意的是，各实施例不限于在较低能量系统中使用，而是可以用于较高能量系统中，例如，最高达25MeV和更高的束电流。
同位素产生系统100可以包括冷却系统122，所述冷却系统将冷却流体(例如，水或气体，比如氦)输送至不同系统的各个部件，以便吸收由对应部件生成的热量。例如，一个或多个冷却通道可以靠近产生室120延伸并从所述产生室吸收热能。同位素产生系统100还可以包括控制系统118，所述控制系统可以用于控制各个系统和部件的操作。控制系统118可以包括用于自动控制同位素产生系统100和/或允许手动控制某些功能的必要电路系统。例如，控制系统118可以包括一个或多个处理器或其他基于逻辑的电路系统。控制系统118可以包括位于粒子加速器102和靶系统114附近或远离所述粒子加速器和所述靶系统的一个或多个用户界面。尽管未在图1中示出，但同位素产生系统100还可以包括用于粒子加速器102和靶系统114的一个或多个辐射和/或磁屏蔽。
同位素产生系统100可以被配置成将带电粒子加速到预定能量水平。例如，本文所描述的一些实施例将带电粒子加速到约18MeV或更低的能量。在其他实施例中，同位素产生系统100将带电粒子加速到约16.5MeV或更低的能量。在特定实施例中，同位素产生系统100将带电粒子加速到约9.6MeV或更低的能量。在更多特定实施例中，同位素产生系统100将带电粒子加速到约7.8MeV或更低的能量。然而，本文所描述的实施例还可以具有高于18MeV的能量。例如，实施例可以具有高于100MeV、500MeV或更高的能量。同样地，实施例可以利用各种束电流值。举例来讲，束电流可以在大约10μA至30μA之间。在其他实施例中，束电流可以高于30μA、高于50μA或高于70μA。在又其他实施例中，束电流可以高于100μA、高于150μA或高于200μA。
同位素产生系统100可以具有不同的靶材料116A至116C所位于的多个产生室120。可以使用移位装置或系统(未示出)使产生室120相对于粒子束112移位，以使得粒子束112入射在不同的靶材料116上。可替代地，粒子加速器102和提取系统115可以不仅沿一条路径引导粒子束112，而是可以沿用于每个不同的产生室120A至120C的唯一路径引导粒子束112。此外，束路径117可以从粒子加速器102到产生室120基本上是直线的，或者可替代地，束路径117可以在沿所述束路径的一个或多个点处弯曲或转向。例如，定位在束路径117旁边的磁体可以被配置成沿不同的路径重新引导粒子束112。
靶系统114包括多个靶组件130，但在其他实施例中，靶系统114可以仅包括一个靶组件130。靶组件130包括具有多个本体段134、135、136的靶体132。靶组件130还被配置成具有一个或多个箔，粒子束在与靶材料碰撞之前穿过所述箔。例如，靶组件130包括第一箔138和第二箔140。如下文更详细描述的，第一箔138和第二箔140可以各自与靶组件130的格栅区段(图1中未示出)接合。
特定实施例可以不具有用于第一箔和第二箔的引导冷却系统。常规靶系统引导冷却介质(例如，氦)通过存在于第一箔与第二箔之间的空间。冷却介质接触第一箔和第二箔并直接从第一箔和第二箔吸收热能并将热能传递离开第一箔和第二箔。本文中阐述的实施例可以不具有这种冷却系统。例如，围绕此空间的径向表面可以不具有流体耦接至通道的端口。然而，应当理解的是，冷却系统122可以冷却靶系统114的其他物体。例如，冷却系统122可以引导冷却水通过本体段136以从产生室120吸收热能。然而，应当理解的是，实施例可以包括沿径向表面的端口。这些端口可以用于提供冷却介质以便冷却第一箔138和第二箔140或抽空第一箔138与第二箔140之间的空间。
具有本文所描述的子系统中的一个或多个的同位素产生系统和/或回旋加速器的示例可以在美国专利申请公开号2011/0255646中找到，所述美国专利申请通过引用以其全文结合在此。此外，可以与本文所描述的实施例一起使用的同位素产生系统和/或回旋加速器也在美国专利申请号12/492,200；12/435,903；12/435,949；12/435,931和美国专利申请号14/754,878中进行了描述，上述美国专利申请中的每一个通过引用以其文结合在此。
图2和3分别是根据实施例形成的靶组件200的后透视图和前透视图。图4是靶组件200的分解视图。靶组件200被配置用于在诸如同位素产生系统100(图1)等同位素产生系统中使用。例如，靶组件200可以与同位素产生系统100的靶组件130(图1)类似或相同。靶组件200包括靶体201，所述靶体在图2和图3中是完全组装的。
靶体201由三个本体段202、204、206、靶插入件220(图4)和格栅区段225(图4)形成。本体段202、204、206限定靶体201的外部结构或外部。具体地，靶体201的外部结构由本体段202(其可以被称为前本体段或凸缘)、本体段204(其可以被称为中间本体段)和本体段206(其可以被称为后本体段)形成。本体段202、204和206包括具有通道和凹槽的刚性材料块，以形成各种特征。通道和凹槽可以固持靶组件200的一个或多个部件。
靶插入件220和格栅区段225(图4)还包括具有通道和凹槽的刚性材料块，以形成各种特征。本体段202、204、206、靶插入件220和格栅区段225可以通过合适的紧固件彼此固定，所述紧固件被展示为多个螺栓208(图3和图4)，每个螺栓具有相应的垫圈(未示出)。当彼此固定时，本体段202、204、206、靶插入件220和格栅区段225形成密封的靶体201。密封的靶体201被充分地构造成防止或严格地限制流体或气体从靶体201中泄漏。
如图2所示，靶组件200包括沿后表面213定位的多个配件212。配件212可以作为提供进入靶体201的流体通路的端口进行操作。配件212被配置成可操作地耦接至流体控制系统，比如流体控制系统125(图1)。配件212可以为氦和/或冷却水提供流体通路。除了由配件212形成的端口之外，靶组件200还可以包括第一材料端口214和第二材料端口215(图6中所示)。第一材料端口214和第二材料端口215与靶组件200的产生室218(图4)处于流动连通。第一材料端口214和第二材料端口215可操作地耦接至流体控制系统。在示例性实施例中，第二材料端口215可以向产生室218提供靶材料，并且第一材料端口214可以提供工作气体(例如，惰性气体)以控制产生室218内的靶液体所经历的压力。然而，在其他实施例中，第一材料端口214可以提供靶材料，并且第二材料端口215可以提供工作气体。
靶体201形成射束通道221，所述射束通道允许粒子束(例如，质子束)入射在产生室218内的靶材料上。粒子束(由图3中的箭头P所指示的)可以通过通道开口219(图3和图4)进入靶体201。粒子束从通道开口219穿过靶组件200行进到产生室218(图4)。在操作期间，产生室218填充有靶液体或靶气体。例如，靶液体可以是包括指定同位素(例如，H2 18O)的约2.5毫升(ml)的水。产生室218被限定在靶插入件220内，所述靶插入件可以包括例如具有空腔222(图4)的铌材料，所述空腔在靶插入件220的一侧上开口。靶插入件220包括第一材料端口214和第二材料端口215。第一材料端口214和第二材料端口215被配置成接收例如配件或喷嘴。
关于图4，靶插入件220在本体段206与本体段204之间对准。靶组件200可以包括被定位在本体段206与靶插入件220之间的密封环226。靶组件200还包括靶箔228和密封边界236(例如，边界)。靶箔228可以是金属合金盘，所述金属合金盘包括例如可热处理的钴基合金，比如靶箔228被定位在本体段204与靶插入件220之间并且覆盖空腔222，从而封闭产生室218。本体段206还包括空腔230(图4)，所述空腔的大小和形状设计成在其中接纳密封环226、以及靶插入件220的一部分。
靶组件200的前箔240可以被定位在本体段204与本体段202之间。前箔240可以是与靶箔228类似的合金盘。前箔240与本体段204的格栅区段238对准。前箔240和靶箔228可以在靶组件228中具有不同的功能。在一些实施例中，前箔240可以被称为降低粒子束P的能量的降能器箔。例如，前箔240可以将粒子束的能量降低至少10％。入射在靶材料上的粒子束的能量可以是约12MeV至约18MeV。在更多特定实施例中，入射在靶材料上的粒子束的能量可以是约13MeV至约15MeV。前箔240和靶箔228可以诸如在权利要求中分别被称为第一箔和第二箔。
应当注意的是，靶箔228和前箔240不限于盘或圆形，并且可以以不同的形状、配置和安排来提供。例如，靶箔228和前箔240中之一或两者或者附加箔可以是正方形、矩形或椭圆形等。而且，应当注意的是，靶箔228和前箔240不限于由特定材料形成，而是在各实施例中由活化材料形成，比如可以具有在其中诱导的放射性的中等或高活化材料，如本文更详细描述的。在一些实施例中，靶箔228和前箔240是金属的并且由一种或多种金属形成。
在操作期间，当粒子束从本体段202穿过靶组件200进入产生室218时，靶箔228和前箔240可能被严重活化(例如，在其中诱导放射性)。靶箔228和前箔240将加速器室内的真空与空腔222中的靶材料隔离。格栅区段238可以布置在靶箔228与前箔240之间，并与所述靶箔和所述前箔中的每一者接合。可选地，靶组件200未被配置成允许冷却介质在靶箔228与前箔240之间传递。应当注意的是，靶箔228和前箔240被配置成具有允许粒子束在其中穿过的厚度。因此，靶箔228和前箔240可以变得高度辐射和活化。
一些实施例提供了靶组件200的自屏蔽，其主动屏蔽靶组件200以屏蔽和/或防止来自活化的靶箔228和前箔240的辐射离开靶组件200。因此，靶箔228和前箔240由有效的辐射屏蔽件来封装。具体地，并且在一些实施例中，所有本体段202、204和206中的至少一个由使靶组件200内的辐射——并且具体地，来自靶箔228和前箔240的辐射——减弱的材料形成。应当注意的是，本体段202、204和206可以由相同的材料、不同的材料、或不同数量、或者相同或不同材料的组合形成。例如，本体段202和204可以由相同的材料形成，比如铝，并且本体段206可以由铝和钨的组合形成。
形成本体段202、本体段204和/或本体段206，以使得每一者的厚度、尤其是在靶箔228和前箔240与靶组件200的外部之间的厚度能够提供屏蔽以降低从其发射的辐射。应当注意的是，本体段202、本体段204和/或本体段206可以由其密度值大于铝的密度值的任何材料形成。而且，本体段202、本体段204和/或本体段206中的每一者可以由不同的材料或组合或材料形成，如本文更详细描述的。
图5是靶组件200的截面视图。作为参考，靶组件200相对于相互垂直的X轴、Y轴和Z轴定向。截面视图由横向于Z轴并穿过本体段204定向的平面290形成。在所展示的实施例中，本体段204是基本上均匀的材料块，其形状被设计成包括格栅区段238和冷却网络242。例如，本体段204可以被模制或压铸以包括本文所描述的物理特征。在其他实施例中，本体段204可以包括彼此固定的两个或更多个元件。例如，格栅区段238可以与格栅区段225(图4)类似地成形，并且相对于本体段204的其余部分是单独且分立的。在这个替代实施例中，格栅区段238可以被定位在其余部分的空隙或空腔内。
如图所示，穿过本体段204的平面290与格栅区段238和冷却网络242相交。冷却网络242包括冷却通道243-248，所述冷却通道彼此互连以形成冷却网络242。冷却网络242还包括端口249、250，所述端口与靶体201的其他通道(未示出)处于流动连通。冷却网络242被配置成接收冷却介质(例如，冷却水)，所述冷却介质从靶体201吸收热能并将热能传递离开靶体201。例如，冷却网络242可以被配置成从格栅区段238或靶室218(图4)中的至少一者中吸收热能。如图所示，冷却通道244、246靠近格栅区段238延伸，使得对应的热路径252、254(总体上由虚线表示的)形成在格栅区段238与冷却通道244、246之间。例如，格栅区段238与冷却通道244、246之间的间隙可以小于10mm、小于8mm、小于6mm、或者在某些实施例中小于4mm。可以在实验设置期间使用例如建模软件或热成像来识别热路径。
格栅区段238包括内壁256的安排，所述内壁彼此耦接以形成格栅或框架结构。内壁256可以被配置成(a)为靶箔228和前箔240(图4)提供足够的支撑，以及(b)与靶箔228和前箔240紧密接合，使得热能可以从靶箔228和前箔240传递到内壁256和格栅区段238的外围区域或本体段204。
图6和图7是分别横向于X轴和Y轴截取的靶组件200的截面视图。如图所示，靶组件200处于可操作状态，其中，本体段202、204、206、靶插入件220和格栅区段225沿Z轴相对于彼此堆叠并且彼此固定。应当理解的是，图中所示的靶体201是可以如何配置和组装靶体的一个特定示例。设想了包括可操作特征(例如，(多个)格栅区段)的其他靶体设计。
靶体201包括粒子束P延伸穿过的一系列空腔或空隙。例如，靶体201包括产生室218和射束通道221。产生室218被配置成在操作期间固持靶材料(未示出)。靶材料可以通过例如第一材料端口214流入和流出产生室218。产生室218被定位成接收被引导穿过射束通道221的粒子束P。从诸如粒子加速器102(图1)等粒子加速器(未示出)接收粒子束P，所述粒子加速器在示例性实施例中为回旋加速器。
射束通道221包括从通道开口219延伸到前箔240的第一通道段(或前通道段)260。射束通道221还包括在前箔240与靶箔228之间延伸的第二通道段(或后通道段)262。为了说明的目的，前箔240和靶箔228已经被加厚以易于识别。格栅区段225被定位在第一通道段260的一端。格栅区段238限定整个第二通道段262。在所展示的实施例中，格栅区段238是本体段204的整体部分，并且格栅区段225是夹在本体段202与本体段204之间的单独且分立的元件。
因此，靶体201的格栅区段225、238布置在射束通道221中。如图6所示，格栅区段225具有前侧270和后侧272。格栅区段238也具有前侧274和后侧276。格栅区段225的后侧272与格栅区段238的前侧274通过其间的接口280彼此邻接。格栅区段238的后侧276面向产生室218。在所展示的实施例中，格栅区段238的后侧276与靶箔228接合。前箔240在接口280处定位在格栅区段225、238之间。
还如图6所示，格栅区段225具有围绕射束通道221并限定射束通道221的一部分的轮廓的径向表面281。所述轮廓平行于由X轴和Y轴限定的平面而延伸。格栅区段238具有围绕射束通道221并限定射束通道221的一部分的轮廓的径向表面283。所述轮廓平行于由X轴和Y轴限定的平面而延伸。在所展示的实施例中，径向表面283不具有流体耦接至所述靶体的通道的端口。更具体地，在一些实施例中，第二通道段262可以不具有通过所述第二通道段泵送的、用于冷却靶箔228和前箔240的强制流体。然而，在替代实施例中，可以通过所述第二通道段泵送冷却介质。在又其他实施例中，端口可以用于抽空第二通道段262。
格栅区段225、238具有对应的内壁282、284，所述内壁限定通过这些格栅区段的格栅通道286、288。格栅区段225、238的内壁282、284分别与前箔240的相反两侧相接合。格栅区段238的内壁284与靶箔228和前箔240接合。格栅区段225的内壁282仅与前箔240接合。前箔240和靶箔228横向于粒子束P的束路径定向。粒子束P被配置成朝向产生室218穿过格栅通道286、288。
在一些实施例中，由内壁282形成的格栅结构和由内壁284形成的格栅结构是相同的，使得格栅通道286、288能够彼此对准。然而，实施例不需要具有相同的格栅结构。例如，格栅区段225可以不包括内壁282中的一个或多个和/或内壁282中的一个或多个可以不与相应的内壁284对准，或者反之亦然。此外，可以设想，在其他实施例中，内壁282和内壁284可以具有不同的尺寸。
在一些实施例中，前箔240被配置成当粒子束P入射在前箔240上时大幅降低粒子束P的能量水平。更具体地，粒子束P可以在第一通道段260中具有第一能量水平并且在第二通道段262中具有第二能量水平，其中，所述第二能量水平明显小于所述第一能量水平。例如，第二能量水平可以比第一能量水平小5％以上(或第一能量水平的95％或更低)。在某些实施例中，第二能量水平可以比第一能量水平小10％以上(或第一能量水平的90％或更低)。在又更多特定实施例中，第二能量水平可以比第一能量水平小15％以上(或第一能量水平的85％或更低)。在又更多特定实施例中，第二能量水平可以比第一能量水平小20％以上(或第一能量水平的80％或更低)。举例来讲，第一能量水平可以是大约18MeV，第二能量水平可以是大约14MeV。然而，应当理解的是，在其他实施例中，第一能量水平可以具有不同的值，并且在其他实施例中，第二能量水平可以具有不同的值。
在前箔240大幅降低粒子束P的能量水平的这种实施例中，前箔240可以被表征为降能器箔。降能器箔240可以具有当粒子束P穿过前箔240时产生大量损失的厚度和/或成分。例如，前箔240和靶箔228可以具有不同的成分和/或厚度。前箔240可以包括铝，并且靶箔228可以包括或铌，但是也可以设想用于箔的其他材料。
在特定实施例中，前箔240和靶箔228具有明显不同的厚度。例如，前箔240的厚度可以为至少0.10毫米(mm)。在特定实施例中，前箔240的厚度在0.15mm至0.50mm之间。关于靶箔228，靶箔228的厚度可以在0.01mm至0.05mm之间。在特定实施例中，靶箔228的厚度可以在0.02mm至0.03mm之间。在一些实施例中，前箔240比靶箔228厚至少三倍(3X)或者比靶箔228厚至少五倍(5X)。然而，前箔240可以具有其他厚度，比如比靶箔228厚小于5倍或小于3倍。
尽管在一些实施例中，前箔240可以被表征为降能器箔，但是在其他实施例中，前箔240可以不是降能器箔。例如，前箔240可以基本上不降低或仅仅名义上降低粒子束P的能量水平。在这种情况下，前箔240可以具有与靶箔228的特性类似的特性(例如，厚度和/或成分)。
前箔240中的损耗与在前箔240内生成的热能相对应。在前箔240内生成的热能可以被本体段204——包括格栅区段238——吸收，并且传送到冷却网络242，其中，热能从靶体201传递。
尽管当粒子束入射在靶箔228上时可能在所述靶箔内生成一些热能，但是来自靶箔228的大部分热能可以在粒子束P入射在靶材料上时在产生室218内生成。产生室218由靶插入件220的内表面266和靶箔228限定。当粒子束P与靶材料碰撞时，生成热能。这种热能可以通过靶箔228传送或传递到本体段204中，并且由流过冷却网络242的冷却介质吸收。
在靶组件200的操作期间，不同的空腔可以经历不同的压力。例如，当粒子束P入射在靶材料上时，第一通道段260可以具有第一操作压力，第二通道段262可以具有第二操作压力，并且产生室218可以具有第三操作压力。第一通道段262与可以被抽空的粒子加速器处于流动连通。由于产生室218内生成的热能和气泡，第三操作压力可能非常大。在所展示的实施例中，第二操作压力可以是格栅区段238的操作温度的函数。因此，第一操作压力可以小于第二操作压力，并且第二操作压力可以小于第三操作压力。
格栅区段225、238被配置成与前箔240的相反两侧紧密地接合。另外，内壁282可以防止第二通道段262与第一通道段260之间的压力差使前箔240移动远离内壁284。内壁284可以防止产生室218与第二通道段262之间的压力差使靶箔228移动到第二通道段262中。产生室218中的较大压力迫使靶箔228抵靠内壁284。因此，内壁284可以与前箔240和靶箔228紧密地接合并从其吸收热能。还在图6和图7中示出，周围的本体段204也可以与前箔240和靶箔228紧密地接合并从其吸收热能。
在特定实施例中，靶组件200被配置成生成同位素，所述同位素布置在可能对粒子加速器有害的液体内。例如，用于生成68Ga同位素的原材料可以包括高度酸性溶液。为了阻止这种溶液的流动，前箔240可以完全覆盖射束通道221，使得第一通道段260和第二通道段262不处于流动连通。以这种方式，不希望的酸性材料可能不会无意地从产生室218流过第二通道段262和第一通道段260并进入粒子加速器。为了降低这种可能性，前箔240可以更耐破裂。例如，前箔240可以包括具有较大结构完整性的材料(例如，铝)和降低破裂可能性的厚度。
在其他实施例中，靶组件200不具有靶箔228，但包括前箔240。在这种实施例中，格栅区段238可以形成产生室的一部分。例如，靶材料可以是气体并且位于在前箔240与空腔222之间限定的产生室内。格栅区段238可以布置在产生室中。在这种实施例中，在产生期间仅使用单个箔(例如，前箔240)并且单个箔保持在这两个格栅区段225、238之间。
图8展示了格栅区段300和格栅区段302的透视图，这两个格栅区段可以分别类似于格栅区段225、238(图4)，并且形成诸如靶组件130、200(分别为图1和图3)等靶组件的一部分。图9是抵靠格栅区段300的前侧306定位的箔304的放大视图。在其他实施例中，第二通道段322可以与第一通道段320处于流动连通。第二通道段322由格栅区段300、箔304、以及可以将第二通道段322和产生室(未示出)分开的另一箔(未示出)限定。第一通道段320可以定位在箔304的前面并且由靶组件的本体段(未示出)限定。
关于图9，格栅区段300包括径向表面310和形成格栅结构的内壁312。径向表面310和内壁312被成形为形成格栅通道314。格栅通道314的大小和形状可以与箔304的轮廓或占用空间相关，使得能够存在流动间隙316。更具体地，格栅通道314可以清除箔304的外径。流动间隙316可以使第二通道段322和第一通道段320处于流体耦接。为了流体耦接至中心格栅通道314，可以形成穿过内壁312中限定中心格栅通道314的至少一个内壁的孔324。
图10展示了生成放射性同位素的方法350。所述方法包括在352处将靶材料提供到靶体或靶组件(比如靶本体201或靶组件200)的产生室中。在一些实施例中，靶材料是酸性溶液。在特定实施例中，靶材料被配置成生成68Ga同位素。所述靶体具有射束通道，所述射束通道接收所述粒子束并允许所述粒子束入射在所述靶材料上。所述靶体还分别包括第一格栅区段和第二格栅区段，比如格栅区段238、225。第一格栅区段和第二格栅区段布置在射束通道中。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。
所述方法还包括在354处将所述粒子束引导到所述靶材料上。所述粒子束穿过在所述接口处定位在所述第一格栅区段与第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。可选地，所述箔是第一箔，并且所述靶体包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的后侧接合并面向所述产生室。所述粒子束穿过所述第二箔。可选地，所述方法不包括在所述第一箔与第二箔之间引导冷却介质。
本文所描述的实施例不旨在限于生成用于医学用途的放射性同位素，还可以生成其他同位素并使用其他靶材料。此外，各实施例可以结合具有不同定向(例如，竖直或水平定向)的不同种类的回旋加速器以及不同的加速器来实施，比如，线性加速器或激光诱导加速器而不是螺旋加速器。此外，本文所描述的实施例包括制造如上所述的同位素产生系统、靶系统和回旋加速器的方法。
应理解的是，以上说明旨在是说明性的，而非限制性的。例如，以上所述的实施例(和/或实施例的各方面)可以彼此组合使用。此外，可以进行许多修改，以使具体的情况或材料适应本发明主题的教导而不脱离其范围。本文所描述的材料的维度、类型，各种部件的定向，以及各种部件的数目和位置旨在限定某些实施例的参数，并且绝非限制性的而仅是示例性实施例。对本领域技术人员而言，在阅读了以上说明之后，在权利要求的精神和范围之内的许多其他实施例和修改都将是清楚的。因此，本发明主题的范围应当参考所附权利要求、连同这样的权利要求有权获得的等效物的全部范围来确定。在所附权利要求中，术语“包括(including)”和“其中(in which)”用作对应术语“包括(comprising)”和“其中(wherein)”的通俗英文等价词。而且，在以下权利要求中，术语“第一”、“第二”、和“第三”等仅用作标签，并且不旨在对其对象强加数值要求。进一步地，以下权利要求的限制没有以装置加功能的格式被写入并且并不旨在基于35U.S.C.§112(f)来解释，除非直至这种权利要求限制在没有进一步结构的功能阐述之后明确使用短语“用于……的装置”。
所写的本说明书使用示例来公开各实施例，并且还能够使本领域的普通技术人员实践各实施例，包括制造和使用任何设备或系统、和执行任何结合的方法。各实施例可获得专利的保护范围由权利要求来限定，并且可以包括本领域技术人员能够想到的其他示例。如果这些示例具有与权利要求的字面语言并非不同的结构要素，或如果这些示例包括具有与权利要求的字面语言非实质性差异的等同结构要素，则这些其他示例意图处于权利要求的范围内。
当结合附图阅读时，将更好地理解本发明主题的某些实施例的前述描述。在附图图示出各实施例的功能框图的程度上，功能框不一定指示硬件电路之间的划分。因此，例如，一个或多个功能框(例如，处理器或存储器)可以在单件硬件(例如，通用信号处理器、微处理器、随机存取存储器、硬盘等)中实现。类似地，程序可以是独立的程序，可以作为子例程并入操作系统中，可以是安装的软件包中的功能等。各实施例不限于附图中所示的安排和手段。

Claims (20)

1.一种用于同位素产生系统的靶组件，所述靶组件包括：
靶体，所述靶体具有产生室和射束通道，所述产生室被定位成接收被引导穿过所述射束通道的粒子束，所述产生室被配置成固持靶材料；
所述靶体的第一格栅区段和第二格栅区段，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段布置在所述射束通道中，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧，所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接，所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室；以及
箔，所述箔在所述接口处定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁，所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的所述内壁与所述箔的相反两侧相接合。
2.如权利要求1所述的靶组件，其中，所述第二格栅区段具有围绕所述射束通道并限定所述射束通道的一部分的轮廓的径向表面，所述径向表面不具有流体耦接至所述靶体的本体通道的端口。
3.如权利要求1所述的靶组件，进一步包括延伸穿过所述靶体的冷却通道，所述冷却通道被配置成具有穿其而过流动的冷却介质，所述冷却介质吸收来自所述第二格栅区段的热能并将所述热能传递离开所述第二格栅区段。
4.如权利要求1所述的靶组件，其中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。
5.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第二箔形成限定所述产生室的腔室壁。
6.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一格栅区段的所述内壁与所述第一箔和所述第二箔接合。
7.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一箔比所述第二箔厚至少5倍。
8.如权利要求4所述的靶组件，其中，所述第一箔被配置成将所述粒子束的射束能量降低至少10％。
9.一种同位素产生系统，包括：
粒子加速器，所述粒子加速器被配置成生成粒子束；以及
靶组件，所述靶组件具有产生室和与所述产生室对准的射束通道，所述产生室被配置成固持靶材料，所述射束通道被配置成接收被引导朝向所述产生室的粒子束，所述靶组件还包括：
第一格栅区段和第二格栅区段，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段布置在所述射束通道中，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧，所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接，所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室；以及
箔，所述箔沿所述接口定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者具有将格栅通道限定于其间的内壁，所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的所述内壁与所述箔接合。
10.如权利要求8所述的同位素产生系统，其中，所述第二格栅区段具有围绕所述射束通道并且限定所述射束通道的一部分的轮廓的径向表面，所述径向表面不具有流体耦接至通道的端口。
11.如权利要求8所述的同位素产生系统，进一步包括延伸穿过所述靶体的冷却通道，所述冷却通道被配置成具有穿其而过流动的冷却介质，所述冷却介质吸收来自所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的热能并将所述热能传递离开所述第一格栅区段和所述第二格栅区段。
12.如权利要求8所述的同位素产生系统，其中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室。
13.如权利要求12所述的同位素产生系统，其中，所述第二箔形成限定所述产生室的内表面。
14.如权利要求12所述的同位素产生系统，其中，所述第一格栅区段的所述内壁与所述第一箔和所述第二箔接合。
15.如权利要求12所述的同位素产生系统，其中，所述第一箔比所述第二箔厚至少5倍。
16.如权利要求12所述的同位素产生系统，其中，所述第一箔被配置成将所述粒子束的射束能量降低至少10％。
17.一种生成放射性同位素的方法，所述方法包括：
将靶材料提供到靶组件的产生室中，所述靶组件具有接收粒子束并允许所述粒子束入射在所述靶材料上的射束通道，其中，所述靶组件还包括布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧，所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接，所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室；以及
将所述粒子束引导到所述靶材料上，所述粒子束穿过在所述接口处定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间的箔，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁，所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道，所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述箔是第一箔，并且所述靶组件包括第二箔，所述第二箔与所述第二格栅区段的所述后侧接合并面向所述产生室，所述粒子束穿过所述第二箔。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述方法不包括在所述第一箔与所述第二箔之间引导冷却介质。
20.如权利要求17所述的方法，其中，所述靶材料被配置成生成68Ga同位素。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10109383B1 (en) * 2017-08-15 2018-10-23 General Electric Company Target assembly and nuclide production system
EP3608921B1 (en) * 2018-08-06 2020-12-16 Ion Beam Applications S.A. Capsule for a target material and system for irradiating said target material
US11315700B2 (en) 2019-05-09 2022-04-26 Strangis Radiopharmacy Consulting and Technology Method and apparatus for production of radiometals and other radioisotopes using a particle accelerator
RU2714883C1 (ru) * 2019-07-03 2020-02-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Мишень тормозного излучения электронного ускорителя
CA3198909A1 (en) * 2020-11-16 2022-05-19 Bryce Jared Braun NELSON Cyclotron target and lanthanum theranostic pair for nuclear medicine
US20230298776A1 (en) * 2022-03-21 2023-09-21 Ali A Abbasi Method and Apparatus for Production of Actinium 225 Isotope

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4387679B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 住友重機械工業株式会社 ターゲット装置
CN103621189A (zh) * 2011-06-17 2014-03-05 通用电气公司 一种用于放射性同位素生产系统的靶设备
CN105376924A (zh) * 2009-05-05 2016-03-02 通用电气公司 具有带泵接纳腔的磁轭的同位素生产系统及回旋加速器
US20160141062A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-19 General Electric Company Target body for an isotope production system and method of using the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6319837Y2 (zh) * 1981-03-18 1988-06-02
AU7265096A (en) 1995-08-09 1997-03-12 Newton Scientific, Inc. Production of 64cu and other radionuclides using charged-particle accelerator
US5917874A (en) 1998-01-20 1999-06-29 Brookhaven Science Associates Accelerator target
SE513191C2 (sv) 1998-09-29 2000-07-24 Gems Pet Systems Ab Snabbkoppling
US6359952B1 (en) * 2000-02-24 2002-03-19 Cti, Inc. Target grid assembly
EP1412951A2 (en) 2001-06-13 2004-04-28 The Uni. Of Alberta, the Uni. of British Columbia, Carleton Uni., Simon Fraser Uni., the Uni. of Victoria, d.b.a. TRIUMF Apparatus and method for generating ?18 f-fluoride by ion beams
CA2486722A1 (en) 2002-05-21 2003-12-04 Duke University Batch target and method for producing radionuclide
EP1569243A1 (en) 2004-02-20 2005-08-31 Ion Beam Applications S.A. Target device for producing a radioisotope
KR100648408B1 (ko) 2005-06-21 2006-11-24 한국원자력연구소 표적장치
JP4099187B2 (ja) * 2005-09-30 2008-06-11 株式会社日立製作所 放射性同位元素製造装置、及びターゲットのリサイクル方法
US20090090875A1 (en) 2007-06-22 2009-04-09 Gelbart William Z Higher pressure, modular target system for radioisotope production
KR100887562B1 (ko) * 2007-07-11 2009-03-09 한국원자력연구원 내부 지지구조를 가지는 ｆ―１８ 생산 표적장치
KR100967359B1 (ko) * 2008-04-30 2010-07-05 한국원자력연구원 내부 핀구조를 가지는 동위원소 생산 기체표적
EP2146555A1 (en) 2008-07-18 2010-01-20 Ion Beam Applications S.A. Target apparatus for production of radioisotopes
US9693443B2 (en) 2010-04-19 2017-06-27 General Electric Company Self-shielding target for isotope production systems
EP2393344A1 (en) 2010-06-01 2011-12-07 Ion Beam Applications S.A. Apparatus for producing a radioisotope comprising means for maintenance and method of maintenance for said apparatus
US9894746B2 (en) * 2012-03-30 2018-02-13 General Electric Company Target windows for isotope systems
KR101366689B1 (ko) * 2012-08-20 2014-02-25 한국원자력의학원 열사이펀 기능성 내부 유로가 구비된 방사선 동위원소 액체 표적장치
JP2017521645A (ja) * 2014-05-15 2017-08-03 メイヨ フォンデーシヨン フォー メディカル エジュケーション アンド リサーチ 放射性金属のサイクロトロン生成用の溶液ターゲット

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4387679B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 住友重機械工業株式会社 ターゲット装置
CN105376924A (zh) * 2009-05-05 2016-03-02 通用电气公司 具有带泵接纳腔的磁轭的同位素生产系统及回旋加速器
CN103621189A (zh) * 2011-06-17 2014-03-05 通用电气公司 一种用于放射性同位素生产系统的靶设备
US20160141062A1 (en) * 2014-11-19 2016-05-19 General Electric Company Target body for an isotope production system and method of using the same

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