CN109309023A - 一种通用的监测离子束流分布的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种通用的监测离子束流分布的方法,这种方法通过一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流,通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通,I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集,控制器(5)通过信息整合,实现监测离子束流形状及分布的功能。本方法可以监测离子束流的分布及状态变化,提高束流检测的实时性及可观性;且实现一个束流采集电路对多个小法拉第杯(6)的束流采集,大大简化了采集转换电路。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体装备制造领域,特别涉及一种离子注入机监测离子束流分布的方法。
背景技术
随着半导体集成电路制造工艺的发展,对半导体制造设备的性能提出更高要求。离子束注入机是半导体器件制造中核心的搀杂设备,当晶圆片尺寸进入 300mm时代,器件制造工艺迈入特征尺寸22nm以下,为了保证整个晶圆片上器件性能的一致性,必须对离子注入搀杂工艺中的均匀性指标提出更高的要求。因此,实时并精确检测离子注入束流的形状和分布变得尤为重要。本发明基于上述需求,提出一种通用的监测离子束流分布的方法,实现了对离子束流形状及分布的监测。
发明内容
本发明是针对现有的离子注入机技术中,提出了一种新的离子束流分布监测方法,对离子束流分布的确定及状态诊断提供直接可观化的处理。
本发明通过以下方案实现:
1.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于:利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流,通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2) 实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通,I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集,控制器(5)通过信息整合,实现监测离子束流分布的功能。
2.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于:二维法拉第阵列(1) 由多个小矩形法拉第杯在X和Y方向进行等距规律的紧密排列构成。当离子束流投射到二维法拉第阵列时,能够实时的通过每一个小矩形法拉第杯(6)采集束流的局部信息。
3.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于:通道选择控制电路 (3)为通道选择电路(2)提供控制逻辑,保证二维法拉第阵列(1)上的小法拉第杯(6)按一定逻辑循环逐一开启束流选通通道。实现通过一个I/V转换电路(4)对多个小法拉第杯(6)的束流采集,大大简化了采集转换电路。
4.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于:I/V转换电路(4) 作用为将法拉第杯采集到的离子束电流值转化为相应的电压值,并传给控制器 (5)。对应不同范围的束流值,I/V转换电路(4)具有多个转换档位,用以保证精度要求。档位控制信号由控制器(5)提供。
5.一种通用的监测离子束流分布的方法。其特征在于:控制器(5)根据通道选择时序及由I/V转换电路(4)上传的由小法拉第杯(6)采集的束流局部信息,整合得到二维法拉第阵列(1)上束流的整体信息,进而得到束流在二维上的分布,并且结合不同小法拉第杯(6)采集束流大小,得到束流在二维上的密度分布。
本发明具有如下显著优点:
1)可以检测离子束的分布及状态变化,提高束流检测的实时性及可观性;
2)通过通道选择的逻辑控制,实现一条束流采集转换电路对多个小法拉第杯的采集,大大节约了I/V转换电路;
3)本发明可拓展性极强,通过调整二维法拉第阵列密度或尺寸,调整通道选择电路及其控制电路,可实现任意束流分布的监测;
4)通过调整二维法拉第阵列密度,可提高束流分布监测的分辨率,使束流监测更加真实准确。
附图说明
图1本发明所涉及到的方法示意图
图2二维法拉第阵列示意图
具体实施方式
下面结合附图的具体实施例对本发明作进一步介绍。
参见图1,二维法拉第阵列(1)实时接收离子束流,通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通,通道选择控制电路(3)为通道选择电路(2)提供控制逻辑,保证二维法拉第阵列(1) 上的小法拉第杯(6)按一定逻辑循环逐一开启束流选通通道。实现一个I/V转换电路(4)对多个小法拉第杯(6)的束流采集。I/V转换电路(4)作用为将法拉第杯采集到的离子束电流值转化为相应的电压值,并传给控制器(5)。对应不同范围的束流值,I/V转换电路(4)具有多个转换档位,用以保证采集精度要求。精度档位控制信号由控制器(5)提供。控制器(5)根据通道选择时序及由I/V转换电路(4)上传的由小法拉第杯采集的束流局部信息,整合得到二维法拉第阵列(1)上束流的整体信息,进而得到束流在二维上的形状,并且结合不同小法拉第杯(6)采集束流大小,得到束流在二维上的密度分布。
参见图2,二维法拉第阵列(1)由多个小矩形法拉第杯(6)在X和Y方向进行等距规律的紧密排列构成,小法拉第杯(6)之间相互独立不干涉。当离子束流投射到二维法拉第阵列(1)时,能够实时的通过每一个小矩形法拉第杯 (6)采集离子束流的局部信息,此局部信息分为两部分,一是检测是否有束流信息,二是能够采集束流通过后续电路处理得到束流大小。为实现束流分布信息的采集提供硬件基础。
以上所述已对本发明的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (5)
1.一种通用的监测离子束流分布的方法,其特征在于:利用一个二维法拉第阵列(1)接收离子束流,通过通道选择控制电路(3)控制通道选择电路(2)实现逐一对小法拉第杯(6)进行选通,I/V转换电路(4)将离子束流转换为电压信号供控制器(5)采集,控制器(5)通过信息整合,实现监测离子束流分布的功能。
2.一种通用的监测离子束流分布的方法,其特征在于:二维法拉第阵列(1)由多个小矩形法拉第杯在X和Y方向进行等距规律的紧密排列构成,当离子束流投射到二维法拉第阵列时,能够实时的通过每一个小矩形法拉第杯(6)采集束流的局部信息。
3.一种通用的监测离子束流分布的方法,其特征在于:通道选择控制电路(3)为通道选择电路(2)提供控制逻辑,保证二维法拉第阵列(1)上的小法拉第杯(6)按一定逻辑循环逐一开启束流选通通道。实现通过一个I/V转换电路(4)对多个小法拉第杯(6)的束流采集,大大简化了采集转换电路。
4.一种通用的监测离子束流分布的方法,其特征在于:I/V转换电路(4)作用为将法拉第杯采集到的离子束电流值转化为相应的电压值,并传给控制器(5)。对应不同范围的束流值,I/V转换电路(4)具有多个转换档位,用以保证精度要求。档位控制信号由控制器(5)提供。
5.一种通用的监测离子束流分布的方法,其特征在于:控制器(5)根据通道选择时序及由I/V转换电路(4)上传的由小法拉第杯(6)采集的束流局部信息,整合得到二维法拉第阵列(1)上束流的整体信息,进而得到束流在二维上的分布,并且结合不同小法拉第杯(6)采集束流大小,得到束流在二维上的密度分布。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109841472A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-06-04 | 德淮半导体有限公司 | 离子束检测系统及方法、离子注入机 |
CN114334591A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 离子束流分布的测定方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040262532A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Christian Krueger | Advanced ion beam measurement tool for an ion implantation apparatus |
CN102646567A (zh) * | 2011-02-16 | 2012-08-22 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种离子植入机用离子束监测装置 |
CN102867722A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种实时检测离子束剖面密度分布和离子束均匀性分布的装置 |
CN103137409A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种简易的束流检测系统 |
CN104332377A (zh) * | 2014-09-10 | 2015-02-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种离子注入机束流与剂量测控装置及剂量控制方法 |
CN104576273A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种束流采集电路在离子注入机中的应用 |
US9218938B2 (en) * | 2011-09-23 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Beam monitoring device, method, and system |
CN106653545A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-05-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种多通道束流选择与采集系统 |
-
2017
- 2017-07-26 CN CN201710618833.8A patent/CN109309023A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040262532A1 (en) * | 2003-06-30 | 2004-12-30 | Christian Krueger | Advanced ion beam measurement tool for an ion implantation apparatus |
CN102646567A (zh) * | 2011-02-16 | 2012-08-22 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 一种离子植入机用离子束监测装置 |
CN102867722A (zh) * | 2011-07-05 | 2013-01-09 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种实时检测离子束剖面密度分布和离子束均匀性分布的装置 |
US9218938B2 (en) * | 2011-09-23 | 2015-12-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Beam monitoring device, method, and system |
CN103137409A (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-05 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种简易的束流检测系统 |
CN104576273A (zh) * | 2013-10-24 | 2015-04-29 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种束流采集电路在离子注入机中的应用 |
CN104332377A (zh) * | 2014-09-10 | 2015-02-04 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种离子注入机束流与剂量测控装置及剂量控制方法 |
CN106653545A (zh) * | 2015-10-28 | 2017-05-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种多通道束流选择与采集系统 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109841472A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-06-04 | 德淮半导体有限公司 | 离子束检测系统及方法、离子注入机 |
CN114334591A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 离子束流分布的测定方法 |
CN114334591B (zh) * | 2021-12-30 | 2024-03-08 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 离子束流分布的测定方法 |
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