CN109120077A - 一种磁体、充磁方法及硬盘马达 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种磁体,所述的磁体包括:磁体N和磁体S,磁体N和磁体S之间设有气隙,所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构,磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称;磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。盖茨提既满足硬盘驱动器磁体的设计要求,又大大降低了材料成本。本发明还提供了该磁体的充磁方法,以及安装有该磁体的硬盘马达。
Description
技术领域
本发明涉及硬盘存储设计领域,更具体地说,涉及一种磁体、充磁方法及硬盘马达。
背景技术
目前,全球已进入信息化时代,随着磁存储技术和硬盘驱动技术的日臻完善和发展,以及计算机产业和消费类电子产品的需求不断增加,全球硬盘需求量也将持续增加。
现阶段,硬盘马达的磁体材料为粘结钕铁硼,该材料加工制造工艺复杂,易氧化,价格昂贵。
发明内容
针对以上缺点,本发明提出了一种磁体、充磁方法及硬盘马达,既满足硬盘驱动器磁体的设计要求,又大大降低了材料成本。
本发明实施例提供了一种磁体,所述的磁体包括:磁体N和磁体S,磁体 N和磁体S之间设有气隙,所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构,磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称;磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
进一步的,构成磁体N和磁体S的磁体均为铁氧体。
进一步的,磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。
进一步的,磁体N中左、右段磁体的充磁方向为45度角,且指向气隙方向。
本发明实施例还提供了一种充磁方法,所述的方法为:
设置磁体N与磁体S的位置;
按照设置位置的水平方向,分别给磁体N和磁体S的中间段进行充磁;
沿45度角给磁体N的左、右段磁体进行充磁,且磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;
沿45度角给磁体S的左、右段磁体进行充磁,且磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称,磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
进一步的,给磁体N和磁体S的中间段充磁后,磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。
本发明实施例还提供了一种硬盘马达,所述的马达包括转子和定子,所述转子和定子之间安装有上述的磁体。
发明内容中提供的效果仅仅是实施例的效果,而不是发明所有的全部效果,上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果:
本发明满足硬盘马达磁体的设计要求,特殊之处在于磁体材料改为廉价的铁氧体,整个磁体改为三段(以三段为例),三段的充磁方向为Halbach 阵列,这种排列后可使得单侧气隙磁场强度B,增加为平行充磁的1.5倍,保证与采用钕铁硼材料时的气隙磁场强度B相一致,可有效降低材料成本,提高气隙磁场强度。
附图说明
图1是本发明实施例的磁体原理图;
图2是本发明实施例充磁方法流程图;
图3是本发明实施例硬盘马达的部分结构原理图;
图4是本发明利用硬盘马达存储的方法流程图。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点,下面通过具体实施方式,并结合其附图,对本发明进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意,在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本发明省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本发明。
实施例
如图1所示,本发明实施例1提供了一种磁体,所述的磁体包括:磁体N 和磁体S,磁体N和磁体S之间设有气隙,所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构,磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称;磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
除此之外,对于磁体的充磁方向,还要满足以下要求,才能达到最佳的效果:磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。磁体N中左、右段磁体的充磁方向为45度角,且指向气隙方向。
需要注意的是,经过上述设计后,对于构成磁体N和磁体S的磁体,可以采用铁氧体,这种排列后可使得单侧气隙磁场强度B,增加为平行充磁的 1.5倍,即使是使用铁氧体,也能保证与采用钕铁硼材料时的气隙磁场强度B 相一致,因此可有效降低材料成本,提高气隙磁场强度。
如图2所示,基于图1的磁体,本发明实施例还提供了一种充磁方法,所述的方法为:
1)设置磁体N与磁体S的位置。常规情况下,如果对于磁体N和磁体S 的设置,是在平面上设置,按照图1的结构任意摆放即可,组成磁体的各个部分是没有什么区别的。如果使用的特定的场景或部件中,组成磁体的各部分大小、形状可能会发生变化,只能采用符合要求的排列方式。
2)按照设置位置的水平方向,分别给磁体N和磁体S的中间段进行充磁。给磁体N和磁体S的中间段充磁后,磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。
3)沿45度角给磁体N的左、右段磁体进行充磁,且磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称。
4)沿45度角给磁体S的左、右段磁体进行充磁,且磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称,磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
如图3所示为硬盘马达的部分结构,所述的马达的核心部件包括转子和定子,所述转子和定子之间安装有图1所示的磁体,安装完成后,马达中各个磁体的磁体方向如图3中所示,沿中心轴对称排列,且两个相邻的磁体应当是相反的磁体方向。如图4所示,本发明利用硬盘马达实现了存储的方法。
尽管说明书及附图和实施例对本发明创造已进行了详细的说明,但是,本领域技术人员应当理解,仍然可以对本发明创造进行修改或者等同替换;而一切不脱离本发明创造的精神和范围的技术方案及其改进,其均涵盖在本发明创造专利的保护范围当中。
Claims (7)
1.一种磁体,其特征是:所述的磁体包括:磁体N和磁体S,磁体N和磁体S之间设有气隙,所述的磁体N和磁体S均采用三段磁体相连的结构,磁体N的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;磁体S的中间段磁体沿水平方向充磁,磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称;磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
2.根据权利要求1所述的一种磁体,其特征是:构成磁体N和磁体S的磁体均为铁氧体。
3.根据权利要求1或2所述的一种磁体,其特征是:磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。
4.根据权利要求1或2所述的一种磁体,其特征是:磁体N中左、右段磁体的充磁方向为45度角,且指向气隙方向。
5.一种充磁方法,其特征是:所述的方法为:
设置磁体N与磁体S的位置;
按照设置位置的水平方向,分别给磁体N和磁体S的中间段进行充磁;
沿45度角给磁体N的左、右段磁体进行充磁,且磁体N的左、右段磁体的充磁方向沿磁体N中间段的充磁方向镜像对称;
沿45度角给磁体S的左、右段磁体进行充磁,且磁体S的左、右段磁体的充磁方向沿磁体S中间段的充磁方向镜像对称,磁体N的左、右段磁体的充磁方向与磁体S的左、右段磁体的充磁方向,沿气隙镜像对称。
6.根据权利要求5所述的一种充磁方法,其特征是:给磁体N和磁体S的中间段充磁后,磁体N中间段的充磁方向指向气隙,且磁体S中间段的充磁方向远离气隙。
7.一种硬盘马达,所述的马达包括转子和定子,其特征是:所述转子和定子之间安装有权利要求1-4所述的的磁体。
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CN101834476A (zh) * | 2010-01-05 | 2010-09-15 | 陆美娟 | 一种利用霍尔巴克磁阵列的永磁发电机内转子 |
CN106531197A (zh) * | 2016-11-01 | 2017-03-22 | 广东浪潮大数据研究有限公司 | 一种定位设备、硬盘驱动器及充磁方法 |
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