CN109068558A - 屏蔽罩和终端 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种屏蔽罩和终端,屏蔽罩包括:多个金属层,多个金属层中相邻的第一金属层和第二金属层均呈凹陷状,第二金属层置于第一金属层的凹陷中,第一金属层的至少一部分与第二金属层的至少一部分相平行;多个绝缘层,多个绝缘层中位于第一金属层和第二金属层中的第一绝缘层;第一金属层、第二金属层和第一绝缘层形成电容,第一金属层和第二金属层之一连接至终端内供电模块正极的供电线路形成电容正极,另一连接至终端内供电模块负极的供电线路形成电容负极。根据本发明,设计多层屏蔽罩作为电容的载体,当终端设备掉电时,利用存储的电量,使掉电时电压随时间变化趋缓,重要数据利用存储的电量备份操作。

Description

屏蔽罩和终端
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种屏蔽罩和终端。
背景技术
在终端设备内部,在模块突发性掉电时,电压迅速从+3.5V左右,掉到电压0V,设备内部有部分电器元件突然受到电压变化的冲击,容易受损,拔电或突然掉电对设备是有害的。
通常情况下,设备在低压区域持续一定的时间,会认为是低压,触发掉电中断,设备对一些重要的数据做备份或者关闭一些掉电易损耗的元器件。但是对于拨掉电源或者其它突发掉电引起的掉电,设备的电压突然从高电压变成0V,中间时间很短,无法触发掉电中断,掉电保护功能无法起到保护作用,对设备是有害的。
因此,需要一种新的技术方案,来克服掉电情况对设备元器件的不利影响。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种屏蔽罩和终端,旨在掉电情况对终端设备元器件不利的电压影响。
为实现上述目的,本发明提供了一种屏蔽罩,设置在终端中,所述屏蔽罩包括:多个金属层,所述多个金属层中相邻的第一金属层和第二金属层均呈凹陷状,所述第二金属层置于所述第一金属层的凹陷中,所述第一金属层的至少一部分与所述第二金属层的至少一部分相平行;多个绝缘层,所述多个绝缘层中位于所述第一金属层和所述第二金属层中的第一绝缘层,所述第一绝缘层的两表面分别贴在所述第一金属层和所述第二金属层的表面上;所述第一金属层、所述第二金属层和所述第一绝缘层形成电容,所述第一金属层和所述第二金属层之一连接至所述终端内供电模块正极的供电线路形成电容正极,另一连接至所述终端内供电模块负极的供电线路形成电容负极。
可选地,前述的屏蔽罩,所述第一金属层由多个第一平板组成,所述第二金属层由所述多个第二平板组成,所述多个第一平板与所述多个第二平板之间一一对应地平行。
可选地,前述的屏蔽罩,所述多个金属层中包括多个形成电容正极的金属层,所述多个形成电容正极的金属层之间电连接;所述多个金属层中包括多个形成电容负极的金属层,所述多个形成电容负极的金属层之间电连接。
可选地,前述的屏蔽罩,所述多个金属层中至少两个金属层由一块金属片卷曲得到。
可选地,前述的屏蔽罩,所述第一绝缘层为符合预设标准的导热材料,所述屏蔽罩对应的器件所产生的热量可经所述第二金属层、所述第一绝缘层、所述第一金属层进行传导。
可选地,前述的屏蔽罩,所述供电模块正极的供电线路上设置有单向导电器件,所述供电模块的电荷经所述单向导电器件传输至所述屏蔽罩。
为实现上述目的,本发明还提供了一种终端,包括如前述的屏蔽罩。
根据以上技术方案,可知本发明的屏蔽罩和终端至少具有以下优点:
根据本发明的技术方案,利用屏蔽罩本身作为载体,设计多层屏蔽罩作为电容的载体,既能起到屏蔽的作用,同时还可以存储电量;当终端设备掉电时,利用存储的电量,使掉电时电压随时间变化趋缓,对设备有一定的保护作用,重要数据利用存储的电量备份操作。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的屏蔽罩的示意图;
图2是根据本发明的一个实施例的屏蔽罩的示意图;
图3是根据本发明的一个实施例的屏蔽罩的示意图;
图4是根据本发明的一个实施例的屏蔽罩的示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
在后续的描述中,使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本发明的说明,其本身没有特有的意义。因此,“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
如图1所示,本发明的一个实施例中提供了一种屏蔽罩,设置在终端中,屏蔽罩包括:
多个金属层,多个金属层中相邻的第一金属层110和第二金属层120均呈凹陷状,第二金属层120置于第一金属层110的凹陷中,第一金属层110的至少一部分与第二金属层120的至少一部分相平行。
在本实施例中,对金属层的材质不进行限制,目前用于制作屏蔽罩的金属材料均适用于本实施例的技术方案。
多个绝缘层,多个绝缘层中位于第一金属层110和第二金属层120中的第一绝缘层130,第一绝缘层130的两表面分别贴在第一金属层110和第二金属层120的表面上。
在本实施例中,对绝缘层的材质不进行限制,目前绝缘的材料均适用于本实施例的技术方案。
第一金属层110、第二金属层120和第一绝缘层130形成电容,第一金属层110和第二金属层120之一连接至终端内供电模块正极的供电线路形成电容正极,另一连接至终端内供电模块负极的供电线路形成电容负极。
在本实施例中,金属层越薄,同样厚度的屏蔽罩集成的金属层数越多,存储的电量越大。使用越精细的工艺,做出来的金属层越多,则越优,但成本会提高。金属层之间可以存储电量,同样因为电压波动本身较小,所以自身的电压变化和电量波动形成的波频率很低,对屏蔽罩的屏蔽对象并不产生干扰。因为是多层金属屏蔽,屏蔽效果不减少。
根据本实施例的技术方案,涉及到终端屏蔽罩的优化问题,通过该技术,可以为模块提供一定量的外置电量储能,同时也可以用于减少模块电流或电路毛刺,对于突发掉电,电压变化极快的情况下,可以优化设备掉电功能,增强设备性能,本实施例的技术方案将屏蔽罩作成薄膜电容,对于终端模块的稳定性也有一定的提升。
如图1所示,本发明的另一个实施例中提供了一种屏蔽罩,相比于前述的实施例,在本实施例中,第一金属层110由多个第一平板111组成,第二金属层120由多个第二平板121组成,多个第一平板111与多个第二平板122之间一一对应地平行。
在本实施例中,平行的第一平板111和第二平板121与期间的第一绝缘层130形成平行电容。
在本实施例中,和传统的金属薄膜电容原理类似,平行电容计算公式:
其中表示介电常数,S是平行板(第一平板或第二平板)面积,d是平行板间间距,k是静电力常量;4πk=4*3.14*9*10^9=1.13*10^11
常见物质相对介电常数,如下所示,常用物质相对介电常数表:
二氧化钡(固态):106
硅(固态):11.9
H2O(蒸馏水):78.5
本例子以二氧化钡为例,假设有一个0.02M*0.02M面积的薄膜电容,假如d=0.001米。那么
假如我们提高工艺,薄膜距离变为10微米,d=0.00001米=10微米,采用卷缩式电容,10层叠加(面积相加),那么电容容量变化C=375(uF)。此时假设单层金属薄膜电容厚度为4倍的薄膜厚度(两层金属厚度+金属膜间的厚度+单层金属电容与单层金属电容之间的厚度),则总厚度为10*0.00001*4=0.4毫米。
采用100纳米技术,d=0.0000001米,10层叠加,电容容量C=37.5(mf),总厚度为:10*0.0000001*4=4微米。
如果增加厚度,将厚度提升到1毫米。可以叠加2500层金属薄膜的厚度,C=9.37(f),但是厚度只有1毫米,而且电容容量惊人。
对于公司终端产品设备,待机情况下,假设待机电流20mA,电压3.5V,保存一个FLASH块数据为20mS时间,则需要电量大概为:3.5V*0.02A*0.02S=0.0014,大约需要1.4mf的电量。
即10层100纳米技术叠加的二氧化钡介质为例,就可以完全满足一个块数据的备份操作。
如图2所示,本发明的另一个实施例中提供了一种屏蔽罩,相比于前述的实施例,在本实施例中,多个金属层中包括多个形成电容正极的金属层,多个形成电容正极的金属层之间电连接;多个金属层中包括多个形成电容负极的金属层,多个形成电容负极的金属层之间电连接。
在本实施例中,与传统屏蔽罩相比,电容屏蔽罩采用多层屏蔽罩,每层屏蔽罩都很薄,并且中间有夹层,填充绝缘材料,并且将所有的正极相连,负极相连,增加电容的表面积,提高电容的存储量。
如图3所示,本发明的另一个实施例中提供了一种屏蔽罩,相比于前述的实施例,在本实施例中,多个金属层中至少两个金属层由一块金属片卷曲得到。
在本实施例中,也可以采用卷缩式的电容设计,这种方式也可以增加电容的表面积,提高电容的存储量。
本发明的另一个实施例中提供了一种屏蔽罩,相比于前述的实施例,在本实施例中,第一绝缘层130为符合预设标准的导热材料,屏蔽罩对应的器件所产生的热量可经第二金属层120、第一绝缘层130、第一金属层110进行传导。
在本实施例中,对第一绝缘层的材料不进行限制,目前绝缘、易导热的材料均适用于本实施例的技术方案,所以在本实施例的技术方案,屏蔽罩还能较好地实现终端设备散热功能。
如图4所示,本发明的另一个实施例中提供了一种屏蔽罩,相比于前述的实施例,在本实施例中,供电模块正极的供电线路上设置有单向导电器件410,供电模块的电荷经单向导电器件传输至屏蔽罩。
在本实施例中,单向导电器件即为PN结,采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。通过PN结,可以保证掉电时,只为模块提供电流。
本发明的另一个实施例中提供了一种终端,包括以上实施例中的屏蔽罩。在本实施例的终端中,可以设计多层超簿的屏蔽罩,屏蔽罩中间使用非导电介质隔开;将屏蔽罩的所有正极相联,负极相联,扩展电容面积;将正极和负极引出,作为模块供电的接口。利用屏蔽罩本身作为载体,设计多层屏蔽罩作为电容的载体,既能起到屏蔽的作用,同时还可以存储电量;当模块掉电时,利用存储的电量,使掉电时电压随时间变化趋缓,对设备有一定的保护作用。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本发明的保护之内。

Claims (7)

1.一种屏蔽罩,设置在终端中,其特征在于,所述屏蔽罩包括:
多个金属层,所述多个金属层中相邻的第一金属层和第二金属层均呈凹陷状,所述第二金属层置于所述第一金属层的凹陷中,所述第一金属层的至少一部分与所述第二金属层的至少一部分相平行;
多个绝缘层,所述多个绝缘层中位于所述第一金属层和所述第二金属层中的第一绝缘层,所述第一绝缘层的两表面分别贴在所述第一金属层和所述第二金属层的表面上;
所述第一金属层、所述第二金属层和所述第一绝缘层形成电容,所述第一金属层和所述第二金属层之一连接至所述终端内供电模块正极的供电线路形成电容正极,另一连接至所述终端内供电模块负极的供电线路形成电容负极。
2.根据权利要求1所述的屏蔽罩,其特征在于,
所述第一金属层由多个第一平板组成,所述第二金属层由所述多个第二平板组成,所述多个第一平板与所述多个第二平板之间一一对应地平行。
3.根据权利要求1所述的屏蔽罩,其特征在于,
所述多个金属层中包括多个形成电容正极的金属层,所述多个形成电容正极的金属层之间电连接;
所述多个金属层中包括多个形成电容负极的金属层,所述多个形成电容负极的金属层之间电连接。
4.根据权利要求1所述的屏蔽罩,其特征在于,
所述多个金属层中至少两个金属层由一块金属片卷曲得到。
5.根据权利要求1所述的屏蔽罩,其特征在于,
所述第一绝缘层为符合预设标准的导热材料,所述屏蔽罩对应的器件所产生的热量可经所述第二金属层、所述第一绝缘层、所述第一金属层进行传导。
6.根据权利要求1所述的屏蔽罩,其特征在于,
所述供电模块正极的供电线路上设置有单向导电器件,所述供电模块的电荷经所述单向导电器件传输至所述屏蔽罩。
7.一种终端,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的屏蔽罩。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954807A (en) * 1987-10-30 1990-09-04 Vdo Adolf Schindling Ag Combination instrument for automotive vehicles
CN1463451A (zh) * 2001-06-08 2003-12-24 松下电器产业株式会社 层叠薄膜电容器及其制造方法
CN1469475A (zh) * 2002-06-28 2004-01-21 三洋电机株式会社 半导体装置
US6903918B1 (en) * 2004-04-20 2005-06-07 Texas Instruments Incorporated Shielded planar capacitor
US20100244190A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Toshihiko Nakano Semiconductor device and manufacturing method
CN206835541U (zh) * 2016-04-25 2018-01-02 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 板级屏蔽件、电子装置、系统级封装模块和屏蔽模块

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954807A (en) * 1987-10-30 1990-09-04 Vdo Adolf Schindling Ag Combination instrument for automotive vehicles
CN1463451A (zh) * 2001-06-08 2003-12-24 松下电器产业株式会社 层叠薄膜电容器及其制造方法
CN1469475A (zh) * 2002-06-28 2004-01-21 三洋电机株式会社 半导体装置
US6903918B1 (en) * 2004-04-20 2005-06-07 Texas Instruments Incorporated Shielded planar capacitor
US20100244190A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 Toshihiko Nakano Semiconductor device and manufacturing method
CN206835541U (zh) * 2016-04-25 2018-01-02 莱尔德电子材料(深圳)有限公司 板级屏蔽件、电子装置、系统级封装模块和屏蔽模块

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