CN109037364B - 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法 - Google Patents

分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109037364B
CN109037364B CN201810878291.2A CN201810878291A CN109037364B CN 109037364 B CN109037364 B CN 109037364B CN 201810878291 A CN201810878291 A CN 201810878291A CN 109037364 B CN109037364 B CN 109037364B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar cell
silicon wafer
electrode
transverse
grids
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810878291.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109037364A (zh
Inventor
方结彬
林纲正
陈刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Original Assignee
Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd, Guangdong Aiko Solar Energy Technology Co Ltd filed Critical Zhejiang Aiko Solar Energy Technology Co Ltd
Priority to CN201810878291.2A priority Critical patent/CN109037364B/zh
Publication of CN109037364A publication Critical patent/CN109037364A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109037364B publication Critical patent/CN109037364B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
    • H01L31/188—Apparatus specially adapted for automatic interconnection of solar cells in a module
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，包括太阳能电池片,其为经过预处理后的1/2或1/4硅片；所述太阳能电池片包括第一太阳能电池片，其第一正面电极、第一背面电极均设有横向主栅和纵向副栅，所述第一正面电极、第一背面电极中的至少之一设有触点；所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，贯穿孔的四周设有隔离带；相邻的太阳能电池片的长边重叠，形成面接触；相邻的太阳能电池片通过共用触点连接，然后对贯穿孔灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串。相应的，本发明还提供上述太阳能电池组件的制备方法。采用本发明，结构简单，电池片间间隙小,减少焊带损耗，组件内部损耗少，且电池组件的可靠性高，光电转换效率高。

Description

分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件及其制备方法。
背景技术
传统晶硅组件电池片基本都采用金属焊带连接。这种连接方式有三个比较明显的缺陷：一是金属焊带和电池片间隙占用组件正面的受光面积；二是金属焊带存在线损；三是焊带受温度变化周期热胀冷缩容易发生断裂和腐蚀，这三种方式均对组件的转换效率和性能稳定性有较大的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，结构简单，电池片间间隙小,减少焊带损耗，组件内部损耗少，且电池组件的可靠性高，光电转换效率高。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，简化工艺流程，减少工艺步骤，成本较低，易于推广，光电转换效率高。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，包括至少两个太阳能电池片，所述太阳能电池片依次层叠排布，形成电池串，其中，所述太阳能电池片为经过预处理后的1/2或1/4硅片；所述太阳能电池片至少包括第一太阳能电池片；
所述第一太阳能电池片包括第一正面电极和第一背面电极，所述第一正面电极、第一背面电极均设有横向主栅和纵向副栅，所述第一正面电极、第一背面电极中的至少之一设有触点，所述触点设于横向主栅的端部；
所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，贯穿孔将纵向副栅隔断，所述第一太阳能电池片沿着所述贯穿孔的四周设有隔离带；
相邻的太阳能电池片的长边重叠，形成面接触；
相邻的太阳能电池片通过共用触点连接，然后对贯穿孔灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串。
作为上述方案的优选方式，所述预处理依次包括：在1/2或1/4硅片的正背面形成绒面、扩散形成PN结、掺杂、背面抛光、正背面沉积钝化膜、背面开槽。
作为上述方案的优选方式，所述第一太阳能电池片的正面电极上设有触点，所述触点设于横向正面主栅的端部，所述贯穿孔设于触点上或触点所在的纵向副栅上，所述第一太阳能电池片的背面沿着所述贯穿孔的四周设有隔离带；
每一太阳能电池片的正面电极的触点设于前一片太阳能电池片的背面，与前一片太阳能电池片的横向背面主栅连接。
作为上述方案的优选方式，所述触点为圆形触点、矩形触点、正多边形触点或线形触点。
作为上述方案的优选方式，所述太阳能电池片还包括第二太阳能电池片，第二太阳能电池片包括第二正面电极和第二背面电极，所述第二正面电极、第二背面电极均设有横向主栅，所述第二正面电极、第二背面电极中的至少之一设有纵向主栅，所述纵向主栅与横向主栅连接。
作为上述方案的优选方式，所述太阳能电池片包括第二太阳能电池片A、第二太阳能电池片B和第一太阳能电池片；
所述第二太阳能电池片A的正面电极包括多条横向正面主栅、1条纵向正面主栅和多条纵向正面副栅，背面电极包括多条横向背面主栅和多条背面副栅；
所述第二太阳能电池片B的正面电极包括多条横向正面主栅和多条纵向正面副栅，所述横向正面主栅的端部设有触点，所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，背面电极包括多条横向背面主栅、1条纵向背面主栅和多条背面副栅；
所述第一太阳能电池片的正面电极包括多条横向正面主栅、设于横向正面主栅端部的触点和多条纵向正面副栅，所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，背面电极包括多条横向背面主栅和多条背面副栅；
第二太阳能电池片A、第一太阳能电池片、第二太阳能电池片B依次层叠连接。
作为上述方案的优选方式，所述触点的宽度比横向主栅的宽度至少大20％。
相邻的太阳能电池片的重叠区域的面积为单片太阳能电池片面积的0.5-20％。
相应的，本发明还公开一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，包括：
(1)对硅片进行预处理，并在硅片表面印刷正面电极和背面电极；
(2)将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片；
(3)对太阳能电池片进行打孔；
(4)将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串；
(5)对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
(6)对电池串进行高温烧结，使浆料固化；
(7)根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
(8)对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
相应的，本发明还公开另一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，包括：
(1)对硅片进行预处理，再将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片；
(2)在太阳能电池片表面印刷正面电极和背面电极；
(3)对太阳能电池片进行打孔；
(4)将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串；
(5)对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
(6)对电池串进行高温烧结，使浆料固化；
(7)根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
(8)对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
作为上述方案的优选方式，对硅片进行预处理，所述预处理包括：
(1.1)在硅片正面和背面形成绒面；
(1.2)在硅片正面进行高方阻扩散，形成PN结；
(1.3)对硅片正面进行选择性激光掺杂；
(1.4)去除扩散过程形成的副产物和周边PN结，并对硅片背面进行抛光；
(1.5)在硅片背面沉积钝化膜和保护膜；
(1.6)在硅片正面沉积钝化膜和减反膜；
(1.7)对硅片背面的钝化膜和保护膜进行激光开槽。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，包括至少两个太阳能电池片，所述太阳能电池片为经过预处理后的1/2或1/4硅片,相邻的太阳能电池片的长边重叠，形成面接触；且相邻的太阳能电池片通过共用触点连接，然后对贯穿孔灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串，具有以下优点：
1、传统组件的电池片之间全部由焊带连接，本发明的电池串内部的太阳能电池片之间通过共用触点和贯孔浆料将相邻电池片的正负极直接相连，大幅度减少了焊带的用量，电池片间也没有间隙，充分利用了组件表面可使用的面积，减少传统金属焊带的线损，因此大幅提升了组件的转换效率；
2、传统的金属焊带连接方式为线连接，而本发明组件则为面连接，有效提升了电池片间的连接力，使组件更可靠；
3、本发明相邻分片之间通过共用触点连接，取代常规分片之间的焊带连接，大大简化了双面组件的制造流程，降低设备成本和生产成本；
4、本发明相邻分片之间通过共用触点连接，与导电胶连接的方式相比，降低了串联电阻和电阻损耗，显著提升双面组件的功率；
5、本发明在相邻分片之间的连接采用对贯穿孔灌注主栅浆料，进一步增加了连接的稳固性，降低了串联电阻和电阻损耗，增强电流的传导能力，显著提升双面组件的功率；
6、本发明相邻分片之间共用触点，通过烧结即可以形成电池串，即把电池串的制备工艺融入普通太阳能电池制造过程中，进一步减小电池片间间隙,减少焊带损耗；
7、本发明的工艺流程较为简单，每一工艺步骤都较为成熟，而且融入普通太阳能电池制造过程中，减少制作过程中出错的几率，增加产品的可靠性。
8、本发明太阳能电池片为经过预处理后的1/2或1/4硅片(即分片)，与整片硅片相比，分片上通过的电流要小于整片的电流，降低了电池组件内部的内阻损耗，提升组件的功率；且与普通叠瓦组件的分片相比，本发明太阳能电池片的面积较大，避免层叠数量过多带来的成本高、稳定性差等问题。
附图说明
图1是本发明第一太阳能电池片的正面结构的分割示意图；
图2是本发明第一太阳能电池片的背面结构的分割示意图；
图3是图1所示贯穿孔的正面的局部放大图；
图4是图2所示贯穿孔的背面的局部放大图；
图5是本发明组件第一实施例在层叠过程的示意图；
图6是本发明组件第一实施例的正面结构示意图；
图7是本发明组件第一实施例的背面结构示意图；
图8是图5所示组件的截面图；
图9是本发明第二太阳能电池片A的正面结构的分割示意图；
图10是本发明第二太阳能电池片A的背面结构的分割示意图；
图11是本发明第二太阳能电池片B的正面结构的分割示意图；
图12是本发明第二太阳能电池片B的背面结构的分割示意图；
图13是图11所示贯穿孔的正面的局部放大图；
图14是图12所示贯穿孔的背面的局部放大图；
图15是本发明组件第二实施例在层叠过程的示意图；
图16是本发明组件第二实施例的正面结构示意图；
图17是本发明组件第二实施例的背面结构示意图；
图18是本发明组件第二实施例的截面图；
图19是本发明分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法的流程图；
图20是本发明分片贯孔双面直连太阳能电池组件的另一制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
本发明提供了一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其包括至少两个太阳能电池片，所述太阳能电池片依次层叠排布，形成电池串。所述太阳能电池片为经过预处理后的1/2或1/4硅片(即分片)，与整片硅片相比，分片上通过的电流要小于整片的电流，降低了电池组件内部的内阻损耗，提升组件的功率；且与普通叠瓦组件的分片相比，本发明太阳能电池片的面积较大，避免层叠数量过多带来的成本高、稳定性差等问题。
下面以太阳能电池片为经过预处理后的1/4硅片为例，结合图1-14来阐述本发明，所述太阳能电池片至少包括第一太阳能电池片。
如图1、2所示，所述第一太阳能电池片1A为经过预处理后的1/4硅片，每个第一太阳能电池片1A包括第一正面电极和第一背面电极，所述第一正面电极、第一背面电极均设有横向主栅和纵向副栅，所述第一正面电极、第一背面电极中的至少之一设有触点，所述触点设于横向主栅的端部。
具体的，所示第一太阳能电池片的电极有多种实施方式，包括：
(1)所述第一太阳能电池片1A的正面电极包括多条横向正面主栅11、设于横向正面主栅11端部的触点111和多条纵向正面副栅13；背面电极包括多条横向背面主栅14和多条背面副栅16，图1、2所示的实施例属于第(1)中情况。
(2)所述第一太阳能电池片的正面电极包括多条横向正面主栅和多条纵向正面副栅；背面电极包括多条横向背面主栅、设于横向背面主栅端部的触点和多条背面副栅；
(3)所述第一太阳能电池片的正面电极包括多条横向正面主栅、设于横向正面主栅端部的触点和多条纵向正面副栅；背面电极包括多条横向背面主栅、设于横向背面主栅端部的触点和多条背面副栅。
即，第一正面电极设有触点，或者第一背面电极设有触点，或者第一正面电极、第一背面电极均设有触点。
优选的，所述触点111为圆形触点、矩形触点、正多边形触点或线形触点。所述线形触点可以包括多种形态的线形，例如直线、曲线、弧线等。
需要说明的是，所述触点除了上述形状，其还可以设置为其他形状，例如菱形，半圆形，或其他不规则形状，其实施例并不局限于本发明所举实施例。
需要说明的是，本发明的主栅和副栅可以是直线、分段、曲线等形式，激光切割线也可以是直线或曲线，且并不以此为限。而且，本发明除了主栅、副栅之外，还可以设有脊骨，所述太阳能电池组件的实施方式多样，本发明实施方式并不局限于所举实施例。
在本实施例中，所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔2，贯穿孔2将纵向副栅隔断，贯穿孔2可以设置在触点111所在的纵向副栅方向上的任意位置，包括触点111，以及触点111所在的纵向副栅上。
如图3、4所示，所述第一太阳能电池片沿着所述贯穿孔2的四周设有隔离带3。
隔离带3用于断开贯穿孔2内的浆料与正面电极和/或背面电极的导通关系，避免电池片内部的正负极导通导致短路。具体的隔离设置应当视不同结构的太阳能电池片和不同的应用场合而定。在本实施例中,所述第一太阳能电池片的背面沿着所述贯穿孔的四周设有隔离带即可。
如图5所示，本发明在层叠排布过程中，相邻的太阳能电池片1通过共用触点111连接，每一太阳能电池片1的正面电极的触点111设于前一片太阳能电池片1的背面，与前一片太阳能电池片1的横向背面主栅14连接。
本发明电池串内部太阳能电池片采用前后层叠的方式连接，表面没有金属焊带，电池片间也没有间隙，充分利用了组件表面可使用的面积，减少传统金属焊带的线损，因此大幅提升了组件的转换效率；
传统的金属焊带连接方式为线连接，而本发明组件则为面连接，有效提升了电池片间的连接力，使组件更可靠。
如图6、图7、图8所示，相邻的太阳能电池片1的长边重叠，形成面接触20；相邻的太阳能电池片1通过共用触点111连接，然后对贯穿孔2灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串10。
本行业的整片硅片，一般长宽相等，尺寸多为156±2mm，本发明采用1/2或1/4硅片层叠，简单方便，生产效率高。
本发明相邻分片之间通过共用触点连接，取代常规分片之间的焊带连接，不需要切片，并省去焊带的连接，大大简化了双面组件的制造流程，降低设备成本和生产成本。
本发明相邻分片之间通过共用触点连接，与导电胶连接的方式相比，降低了串联电阻和电阻损耗，显著提升双面组件的功率。
本发明相邻分片之间共用触点，通过烧结即可以形成电池串，即把电池串的制备工艺融入普通太阳能电池制造过程中，进一步电池片间间隙小,减少焊带损耗。
本发明在相邻整片之间的连接采用对贯穿孔灌注主栅浆料，进一步增加了连接的稳固性，降低了串联电阻和电阻损耗，增强电流的传导能力，显著提升双面组件的功率。
本发明的电池串10可以设置为一排或多排电池串，每排电池串10的太阳能电池片1之间通过串联连接。而当电池串10设置为多排时，单排电池串10的太阳能电池片1之间通过串联连接；不同排电池串10之间通过并联或者其他方式连接，其连接方式多样，本发明不对此进行限定。优选的，不同排电池串10之间通过焊带并联或串联连接纵向主栅或横向主栅即可，连接简单，可靠性强。
如图9至15所示，本发明还提供了分片贯孔双面直连太阳能电池组件的第二实施例，此时还包括所述第二太阳能电池片，所述第二太阳能电池片为经过预处理后的1/4硅片；
如图9和图10、图11和图12所示，所述第二太阳能电池片包括第二正面电极和第二背面电极，所述第二正面电极、第二背面电极均设有横向主栅，所述第二正面电极、第二背面电极中的至少之一设有纵向主栅，所述纵向主栅与横向主栅连接。
具体的，所示第二太阳能电池片的电极有多种实施方式，包括：
(1)如图9和图10所示，所述第二太阳能电池片1B为经过预处理后的1/4硅片，所述第二太阳能电池片1B的正面电极包括多条横向正面主栅11、1条纵向正面主栅12和多条纵向正面副栅13，背面电极包括多条横向背面主栅14和多条背面副栅16，命名为第二太阳能电池片A；
(2)如图11和图12所示，所述第二太阳能电池片1C为经过预处理后的1/4硅片，所述第二太阳能电池片1C的正面电极包括多条横向正面主栅11和多条纵向正面副栅13，所述横向正面主栅11的端部设有触点111，所述触点111所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔2，背面电极包括多条横向背面主栅14、1条纵向背面主栅15和多条背面副栅16，命名为第二太阳能电池片B。
需要说明的是，所述贯穿孔2的四周还设置有隔离带3，如图13和图14所示，在第二太阳能电池片B的背面，沿着贯穿孔2的四周设置隔离带3，设置原则同第一太阳能电池，在此不再赘述。
如图15-18所示，本发明的电池串10可以设置为一排或多排电池串，每排电池串包括一个第二太阳能电池片1B、一个或多个第一太阳能电池片1A和一个第二太阳能电池片1C，第二太阳能电池片1B、第一太阳能电池片1A、第二太阳能电池片1C依次层叠连接。第二太阳能电池片1B、第二太阳能电池片1C的纵向主栅用作电池串的正负极。
本发明在层叠排布过程中，相邻的太阳能电池片1通过共用触点111连接，每一太阳能电池片1的正面电极的触点111设于前一片太阳能电池片1的背面，与前一片太阳能电池片1的横向背面主栅14连接。相邻的太阳能电池片1的长边重叠，形成面接触20；相邻的太阳能电池片1通过共用触点111连接，然后对贯穿孔2灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串10。
每排电池串10的太阳能电池片1之间通过串联连接。而当电池串10设置为多排时，单排电池串10的太阳能电池片1之间通过串联连接；不同排电池串10之间通过并联或者其他方式连接，其连接方式多样，本发明不对此进行限定。优选的，不同排电池串10之间通过焊带并联或串联连接纵向主栅或横向主栅即可，连接简单，可靠性强。
进一步，结合图1-18所示的不同实施例，所述太阳能电池片1均为经过预处理后的1/2或1/4硅片。所述预处理依次包括：在1/2或1/4硅片的正背面形成绒面、扩散形成PN结、掺杂、背面抛光、正背面沉积钝化膜、背面开槽。
本发明把电池串的制备工艺融入普通太阳能电池制造过程中，在普通太阳能电池的烧结步骤之前即可以完成电池串的叠层，最后通过一次烧结，就可以实现电池串的连接，进一步电池片间间隙小,减少焊带损耗。
本发明的工艺流程较为简单，每一工艺步骤都较为成熟，而且融入普通太阳能电池制造过程中，减少制作过程中出错的几率，增加产品的可靠性。
优选的，所述触点111的宽度比横向主栅的宽度至少大20％。当所述触点111的宽度比横向主栅的宽度大20％时，可以保证相邻的太阳能电池片通过横向主栅相连的稳定性，降低了串联电阻和电阻损耗。当触点111的宽度大至一定比例时，触点111与触点111之间相连，形成一条纵向主栅。
更佳的，所述触点111的宽度比横向主栅的宽度大20-50％，可以保证相邻的太阳能电池片1通过横向主栅相连的稳定性，降低了串联电阻和电阻损耗，显著提升组件的功率。而且，还可以简化制备工艺的难度，节省重叠区域的浆料，使以较低的成本实施。当触点的宽度比横向主栅的宽度大20-50％时，串联电阻和电阻损耗可以在本发明基础方案的前提下，额外降低25％。
相邻的太阳能电池片的重叠区域的面积为单片太阳能电池片面积的0.5-20％。可以保证相邻的所述太阳能电池片通过触点相连的稳定性，降低了串联电阻和电阻损耗，显著提升组件的功率。
相应的，本发明还公开一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，如图19所示，包括：
S101、对硅片进行预处理，并在硅片表面印刷正面电极和背面电极。
具体的，依照电极的图案设计，在硅片印刷正面电极和背面电极。在印刷顺序方面，先在硅片表面印刷背面电极，烘干，再印刷正面电极，这样可以避免硅片层叠时的浆料粘连。
S102、将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片。
S103、对太阳能电池片进行打孔。
需要说明的是，打孔也可以在层叠排布之前的任一步骤。
S104、将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串。
S105、对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
S106、对电池串进行高温烧结，使浆料固化；
S107、根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
S108、对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
需要说明的是，抗LID退火就是指抗光致衰减退火。
分档测试后，将相同档位的电池封装到同一个组件，保证组件输出最大功率以及保证功率输出的稳定性。
相应的，本发明还公开另一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，如图16所示，包括：
S201、对硅片进行预处理，再将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片；
S202、在太阳能电池片表面印刷正面电极和背面电极；
S203、对太阳能电池片进行打孔；
需要说明的是，打孔也可以在层叠排布之前的任一步骤。
S204、将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串；
S205、对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
S206、对电池串进行高温烧结，使浆料固化。
S207、根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
S208、对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
进一步，所述预处理包括：
(1.1)在硅片正面和背面形成绒面；
所述硅片可以选用P型硅或者N型硅。
(1.2)在硅片正面进行高方阻扩散，形成PN结；
方阻一般优选为80-200Ω/□，但不限于此。
(1.3)对硅片正面进行选择性激光掺杂；
激光掺杂图案需要与后续的正面电极副栅图案相对应，其采用现有技术设计即可。
(1.4)去除扩散过程形成的副产物和周边PN结，并对硅片背面进行抛光；
若采用磷扩散在硅片正面形成N型硅，副产物为磷硅玻璃；
若采用硼扩散在硅片正面形成P型硅,副产物为硼硅玻璃。
(1.5)在硅片背面沉积钝化膜和保护膜；
所述钝化膜优选为二氧化硅膜、三氧化二铝膜或氮化硅膜，而保护膜优选为氮化硅膜、氮氧化硅膜、二氧化硅膜或由上述膜组成的复合膜，但不限于此。
(1.6)在硅片正面沉积钝化膜和减反膜；
所述钝化膜优选为二氧化硅膜、三氧化二铝膜或氮化硅膜；所述减反膜优选为氮化硅膜或二氧化硅膜，但不限于此。
(1.7)对硅片背面的钝化膜和保护膜进行激光开槽。
激光开槽图案与后续的背面副栅线图案对应，一般为直线型或线段型。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种分片贯孔双面直连太阳能电池组件，包括至少两个太阳能电池片，所述太阳能电池片依次层叠排布，形成电池串，其特征在于，所述太阳能电池片为经过预处理后的1/2或1/4硅片；
所述太阳能电池片包括第一太阳能电池片；
所述第一太阳能电池片包括第一正面电极和第一背面电极，所述第一正面电极、第一背面电极均设有横向主栅和纵向副栅，所述第一正面电极、第一背面电极中的至少之一设有触点，所述触点设于横向主栅的端部；
所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，贯穿孔将纵向副栅隔断，所述第一太阳能电池片沿着所述贯穿孔的四周设有隔离带；
相邻的太阳能电池片的长边重叠，形成面接触；
相邻的太阳能电池片通过共用触点连接，然后对贯穿孔灌注主栅浆料，并通过烧结形成电池串。
2.如权利要求1所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其特征在于，所述第一太阳能电池片的正面电极上设有触点，所述触点设于横向正面主栅的端部，所述贯穿孔设于触点上或触点所在的纵向副栅上，所述第一太阳能电池片的背面沿着所述贯穿孔的四周设有隔离带；
每一太阳能电池片的正面电极的触点设于前一片太阳能电池片的背面，与前一片太阳能电池片的横向背面主栅连接。
3.如权利要求2所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其特征在于，所述触点为圆形触点、矩形触点、正多边形触点或线形触点。
4.如权利要求1所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池片还包括第二太阳能电池片，第二太阳能电池片包括第二正面电极和第二背面电极，所述第二正面电极、第二背面电极均设有横向主栅，所述第二正面电极、第二背面电极中的至少之一设有纵向主栅，所述纵向主栅与横向主栅连接。
5.如权利要求4所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池片包括第二太阳能电池片A、第二太阳能电池片B和第一太阳能电池片；
所述第二太阳能电池片A的正面电极包括多条横向正面主栅、1条纵向正面主栅和多条纵向正面副栅，背面电极包括多条横向背面主栅和多条背面副栅；
所述第二太阳能电池片B的正面电极包括多条横向正面主栅和多条纵向正面副栅，所述横向正面主栅的端部设有触点，所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，背面电极包括多条横向背面主栅、1条纵向背面主栅和多条背面副栅；
所述第一太阳能电池片的正面电极包括多条横向正面主栅、设于横向正面主栅端部的触点和多条纵向正面副栅，所述触点所在的纵向副栅方向上设有贯穿孔，背面电极包括多条横向背面主栅和多条背面副栅；
第二太阳能电池片A、第一太阳能电池片、第二太阳能电池片B依次层叠连接。
6.如权利要求1所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件，其特征在于，所述触点的宽度比横向主栅的宽度至少大20％；
相邻的太阳能电池片的重叠区域的面积为单片太阳能电池片面积的0.5-20％。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括：
(1)对硅片进行预处理，并在硅片表面印刷正面电极和背面电极；
(2)将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片；
(3)对太阳能电池片进行打孔；
(4)将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串；
(5)对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
(6)对电池串进行高温烧结，使浆料固化；
(7)根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
(8)对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
8.如权利要求7所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，对硅片进行预处理，所述预处理包括：
(1.1)在硅片正面和背面形成绒面；
(1.2)在硅片正面进行高方阻扩散，形成PN结；
(1.3)对硅片正面进行选择性激光掺杂；
(1.4)去除扩散过程形成的副产物和周边PN结，并对硅片背面进行抛光；
(1.5)在硅片背面沉积钝化膜和保护膜；
(1.6)在硅片正面沉积钝化膜和减反膜；
(1.7)对硅片背面的钝化膜和保护膜进行激光开槽。
9.一种如权利要求1-6任一项所述的分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括：
(1)对硅片进行预处理，再将整片硅片切割成1/2或1/4片，得到太阳能电池片；
(2)在太阳能电池片表面印刷正面电极和背面电极；
(3)对太阳能电池片进行打孔；
(4)将太阳能电池片逐个层叠排布，相邻的太阳能电池片通过触点连接，形成电池串；
(5)对贯穿孔灌注主栅浆料，并烘干；
(6)对电池串进行高温烧结，使浆料固化；
(7)根据需要对贯穿孔的周围进行激光隔离；
(8)对电池串进行抗LID退火，分档测试后，封装成组件。
10.如权利要求9所述分片贯孔双面直连太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，对硅片进行预处理，所述预处理包括：
(1.1)在硅片正面和背面形成绒面；
(1.2)在硅片正面进行高方阻扩散，形成PN结；
(1.3)对硅片正面进行选择性激光掺杂；
(1.4)去除扩散过程形成的副产物和周边PN结，并对硅片背面进行抛光；
(1.5)在硅片背面沉积钝化膜和保护膜；
(1.6)在硅片正面沉积钝化膜和减反膜；
(1.7)对硅片背面的钝化膜和保护膜进行激光开槽。
CN201810878291.2A 2018-08-03 2018-08-03 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法 Active CN109037364B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810878291.2A CN109037364B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810878291.2A CN109037364B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109037364A CN109037364A (zh) 2018-12-18
CN109037364B true CN109037364B (zh) 2024-05-07

Family

ID=64649293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810878291.2A Active CN109037364B (zh) 2018-08-03 2018-08-03 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109037364B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109830555A (zh) * 2018-12-24 2019-05-31 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 太阳能电池板及其制作方法
CN110459624A (zh) * 2019-08-15 2019-11-15 东方环晟光伏（江苏）有限公司 一种大尺寸叠瓦电池结构

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202712196U (zh) * 2012-05-27 2013-01-30 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构
CN103474485A (zh) * 2013-09-17 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
CN104919597A (zh) * 2012-11-08 2015-09-16 科根纳太阳能公司 用于太阳能电池串的高效配置
CN106298987A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种mwt太阳能电池组件
CN208674136U (zh) * 2018-08-03 2019-03-29 浙江爱旭太阳能科技有限公司 分片贯孔双面直连太阳能电池组件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101676750B1 (ko) * 2010-07-28 2016-11-17 주성엔지니어링(주) 기판형 태양전지 및 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202712196U (zh) * 2012-05-27 2013-01-30 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种n型背接触双面太阳能电池的背面电极结构
CN104919597A (zh) * 2012-11-08 2015-09-16 科根纳太阳能公司 用于太阳能电池串的高效配置
CN103474485A (zh) * 2013-09-17 2013-12-25 北京汉能创昱科技有限公司 一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法
CN106298987A (zh) * 2016-09-30 2017-01-04 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种mwt太阳能电池组件
CN208674136U (zh) * 2018-08-03 2019-03-29 浙江爱旭太阳能科技有限公司 分片贯孔双面直连太阳能电池组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN109037364A (zh) 2018-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6495649B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
CN108922929A (zh) 贯孔双面叠瓦太阳能电池组件及制备方法
EP2393122B2 (en) Photoelectric conversion cell, photoelectric conversion module, and method for manufacturing photoelectric conversion cell
CN108987516A (zh) 网格状双面直连太阳能电池组件及制备方法
CN108922934B (zh) 双面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109037364B (zh) 分片贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法
CN110690308A (zh) 一种背接触异质结太阳能电池及其模组
US20190131475A1 (en) Photovoltaic cell, photovoltaic cell array, solar cell, and method for preparing photovoltaic cell
CN110277463B (zh) 一种太阳能电池结构制作方法
CN209843720U (zh) 一种太阳能电池结构
CN208674136U (zh) 分片贯孔双面直连太阳能电池组件
CN116632075A (zh) 电池片及光伏组件
KR20180079425A (ko) 후면 전극형 태양전지 기판, 이의 제조방법 및 후면 전극형 태양전지
CN209804686U (zh) 分片贯孔单面直连太阳能电池组件
CN209804669U (zh) 贯孔双面直连太阳能电池组件
CN108987507A (zh) 分片单面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109037365A (zh) 贯孔单面叠瓦太阳能电池组件及制备方法
CN209804677U (zh) 单面直连太阳能电池组件
CN209785957U (zh) 双面直连太阳能电池组件
CN208674135U (zh) 分片双面直连太阳能电池组件
CN108987515A (zh) 分片贯孔单面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109216475B (zh) 一种太阳能电池板组件
CN110931589A (zh) 一种太阳能电池片、电池串及太阳能电池组件
CN109244154A (zh) 贯孔双面直连太阳能电池组件及制备方法
CN109244155A (zh) 分片双面直连太阳能电池组件及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant