CN109003995A - 图像传感器、电子装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。本公开涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括像素传感器阵列；栅格，布置在所述像素传感器阵列之上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器的光量。
Description
技术领域
本公开一般涉及半导体技术领域，更具体地，涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。
背景技术
近年来，诸如视频相机或数字静态相机的固态图像传感器通常使用CCD图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，其不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机、手机摄像头、摄像机和数码单反中，而且在汽车电子、监控、生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。
随着对像素大小的要求与日俱增，图像传感器中像素的数目正迅速增加，或者图像传感器的大小正迅速缩减。然而，随着像素数目的增加或大小的缩减，图像传感器中的相邻像素之间的间隔变小，从而产生了一个被称为高光溢出的新问题，即像素饱和之后电荷泄漏到相邻像素。溢出到相邻像素中的电荷会使得相邻像素输出不能体现其真实入射光量的电信号。
此外，为了在黑暗的地方获得更明亮的拍摄图像，除了红色(R)像素、绿色(G)像素和蓝色(B)像素之外，还设计了包括白色(W)像素的图像传感器装置。由于白光是由不同颜色(即，不同频率)的光混合而成，因此白光的光谱自然要比彩色光的光谱宽。在相同光照条件下，白色像素由于会接受到更多数量的光子，会比其他彩色像素更早饱和，而白色像素在饱和后所产生的电荷会溢出到相邻的像素中，因此像素之间发生了电荷泄漏。泄漏到周围彩色像素(即，R像素、G像素以及B像素)的电荷会不期望地使这些彩色像素着色，从而导致发生画面的失真。
因此，需要改善这种着色以及失真现象，并且抑制图像质量的下降。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的一个或多个缺陷，本公开提供一种本领域的新技术。
由于白光是由不同颜色(即，不同频率)的光混合而成，因此在包括RGBW像素的图像传感器中，白色(W)像素会接受更宽光谱范围内的光，因此在相同的光照条件下白色像素相较于其他彩色像素会接受更多的光子，从而产生更多的光生载流子，由此白像素会比其他彩色像素更早饱和。而白色像素在饱和后所产生的电荷会溢出到相邻彩色像素中，泄漏到相邻彩色像素的电荷会不期望地使该彩色像素着色，从而导致画面的失真。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种改进的图像传感器结构从而减少甚至避免白色像素传感器中所产生的电荷泄漏到相邻的彩色像素传感器。在相同入射光的情况下，相对于彩色像素传感器本发明有意地减少白色像素传感器的进光量，从而降低白色像素传感器的光电转化效率，减少由白色像素传感器产生的光生载流子，进而减少由于满阱容量的不足所导致的电荷溢出。具体来说，可以使白色像素传感器上的栅格的厚度更宽，由此栅格所包围的面积也就越小，进而栅格中容纳的白色滤色器的受光面积比其他彩色滤色器的受光面积相比要更小，进而与其他彩色像素传感器相比减少进入到白色像素传感器中的光量。或者，可以在白色像素传感器之上设置光阻挡件，以部分地阻挡进入到白色像素传感器中的光量。
本公开的方面可以包括图像传感器、图像传感器的制造方法、包括该图像传感器的电子装置中的至少一个。
根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括像素传感器阵列；栅格，布置在所述像素传感器阵列上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器的光量。
根据本公开的第二方面，提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括像素传感器阵列；第一栅格，布置在所述像素传感器阵列上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；光阻挡件，布置在容纳所述白色滤色器的开口中，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量。
根据本公开的第三方面，提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：形成像素传感器阵列；在所述像素传感器阵列上形成栅格，所述栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口，其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度被形成为较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器的光量；以及在所述栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
根据本公开的第四方面，提供了一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：形成像素传感器阵列；在所述像素传感器阵列上形成第一栅格，所述第一栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；在容纳所述白色滤色器的开口中形成光阻挡件，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量；以及在所述栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
图1A示出了RGB(拜耳阵列)像素阵列；
图1B示出了除了RGB像素，还包括白(W)像素的像素阵列；
图2示出了白色像素和相邻彩色像素之间发生电荷溢出后的图像传感器的势能图；
图3示出了根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图；
图4A、图4B和图4C示出了根据本发明的另一些实施例的图像传感器的截面图；
图5提供了一种制造根据本发明图3的实施例所示的图像传感器的流程图；
图6提供了一种制造根据本发明图4C的实施例所示的图像传感器的流程图。
注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为本说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
图1A为拜耳阵列的像素阵列，其中G元素被放置在方格图案中，并且R像素和B元素交替设置在剩余部分的每一行中。在图1B中，W像素被添加到RGB像素中，这样在黑暗的环境中W像素可以吸收白光从而获得更明亮的拍摄图像。在包括W像素的这种像素阵列中(图1B)，由于作为高灵敏像素的W像素比其他像素更早饱和，所以电荷从W像素溢出到其他相邻像素，这样其他像素会产生失真现象。
图2为白像素传感器和相邻彩色像素传感器之间发生电荷溢出后的图像传感器的势能图。彩色像素传感器和白色像素传感器根据经过滤色器过滤的入射光量产生电荷，由于白色像素传感器会接收到更宽光谱的光，因此其接收到的光子数量要大于彩色像素传感器接收到的光子数量。因此，在同时面向入射光的情况下白色像素传感器会比彩色像素传感器更早饱和。在饱和之后，由于转移门此时还处于关闭状态，因此白色像素传感器中溢出的光生载流子不会达到浮动扩散区，而是会越过白色像素传感器和彩色像素传感器之间的隔离区的势垒而溢出到相邻的彩色像素传感器中，这样使得邻近的彩色像素传感器由于接收到了溢出的电荷而输出与事实不符的像素值。
图3示出了根据本发明的一个实施例的图像传感器的截面图。在实施例中，该图像传感器30可以包含衬底304，在衬底304中形成像素传感器阵列300，像素传感器阵列300中包括白色像素传感器300B和彩色像素传感器300A和300C，彩色像素传感器例如包括红色像素传感器、绿色像素传感器以及蓝色像素传感器。注意，在该截面图中，为了简单起见，仅示出了三个像素传感器；然而，在实际器件中，将提供成千上万个或更多或更少个像素传感器的阵列，通常布置为行和列。此外，像素传感器也可以不按照图3所示的顺序进行布置。
优选地，每个像素传感器包括布置在衬底304中的被配置为将入射辐射转换成电信号的光敏元件以及的相应的放大器(未示出)，光敏元件例如是光电二极管，放大器例如是晶体管。例如，光电二极管可以包括衬底304内的具有第一掺杂类型(例如，n型掺杂)的对应的第一区域(未示出)，和衬底304内的第一区域上面的具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型(例如，p型掺杂)的对应的第二区域(未示出)。
优选地，衬底304还可以包括其它器件，包括在衬底的另一部分中形成的有源晶体管、二极管、电容器、电阻器、存储器单元、模拟器件、过滤器、收发器等电子连接件，以用于将来自光敏元件的信号传输到读出电子器件。而且，在形成本发明所述的图像传感器之后，封装材料可以设置在衬底上方，以形成完整微电子组件，诸如，集成电路、太阳能电池、处理器等。
在图像传感器30中，还包括栅格302，布置在所述像素传感器阵列300上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口305。优选地，这些开口集中于像素传感器的中心或略有偏移。栅格302可以由任意合适的不透光材料形成，例如金属，包括但不限于钨、铜或铝铜，或者例如电介质，例如氧化物(诸如，氧化硅)、氮化物(诸如，氮化硅)以及氧氮化物(诸如，氧氮化硅)等，或者例如金属和电介质的组合。在图3所示的实施例中，栅格具有矩形截面。在不脱离本发明的范围的情况下，栅格可以具有不同形状的截面，例如梯形、三角形或其他多边形和/或弯形状。
在图像传感器中，像素区的栅格对提高各像素区接收光的均匀性以及防止光学串扰有重要作用。通过利用栅格的不透光性或者吸光性，使得入射到滤色器的光由于滤色器之间的栅格的阻拦而无法进入到相邻滤色器或者像素传感器，从而防止不同像素之间的光的串扰。栅格的厚度被设置为有助于减少光学串扰。
在图像传感器300中，包括容纳在栅格302的开口中的滤色器阵列301。滤色器阵列301包括白色滤色器301B和彩色滤色器301A、301C(彩色滤色器例如包括红色滤色器、绿色滤色器以及蓝色滤色器的拜耳模版彩色滤色器，例如还可以根据需要包括其他滤色器模版以及颜色(例如，青色、黄色、洋红色)，并且按照需要滤色器阵列301可以以其它任何合适的排列方式来排列。滤色器阵列301可以包括着色或染色的材料，诸如丙烯酸。例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或丙二醇单硬脂酸酯(“PGMS”)是合适的材料，可利用它们增加颜料或染料来形成滤色器。然而，还可以使用其它材料。
栅格302形成在相邻滤色器之间，以抑制相邻滤色器之间的光的透射。在没有栅格的情况下，来自外界的光可以进入到与图像传感器阵列的一个像素相关联的滤色器，并且在达到图像传感器的光接收面之前，还有可能入射到与上一滤色器相邻的滤色器中。该过程会导致相邻像素之间的光学串扰。一般来讲，栅格用于抑制这种串扰以提供改善的色彩清晰度以及分辨率。
滤色器阵列301布置在传感器阵列300之上并且每个滤色器与每个像素传感器对应(例如，彩色滤色器301A与彩色像素传感器300A对应、白色滤色器301B与白色像素传感器300B对应、彩色滤色器301C与彩色像素传感器301C对应等)。滤色器阵列301容纳在所述栅格的开口305中。例如，彩色滤色器301A容纳在开口305A中，白色滤色器301B容纳在开口305B中，另一个滤色器301C容纳在开口305C中。
如上文所提到，由于白光的光谱相比于彩色光的光谱要更宽，因此入射到白色像素传感器中的光子数量要多于入射到彩色像素传感器中的光子数量，由此造成了在相同光照条件下白色像素传感器的过早饱和。由此，在本发明中，希望减少进入到白色像素传感器中的光子的数量。
在本发明的一个实施例中，为了减少进入到白色像素传感器中的光子的数量，使得容纳所述白色滤色器的栅格开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的栅格开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器的光量，换句话说减少进入到白色像素传感器中的光子的数量。
如图3中所示，栅格中容纳白色滤色器的栅格开口305B的侧壁厚度比容纳其他彩色滤色器的栅格开口(例如，开口305A和开口305C)的侧壁厚度更厚。在图3中示出了栅格开口305B的两个侧壁厚度有所增加。但是本发明不限于两侧，栅格开口305B的一个或者多个侧壁厚度均可以增加。
栅格在侧壁厚度上的增加导致由栅格所包围的开口的截面积的减小，进而在后续沉积过程中，沉积在截面积较小的栅格开口中的白色滤色器就要比沉积在截面积较大的栅格开口的彩色滤色器具有更小的受光面积。由于受光面积减小了，在相同光照条件下，由白色滤色器所接收到的光的总量便会减少。既然入射光的总量变小，那么由白色像素传感器所产生的光生载流子的总量自然会比改进之前有所减少。
优选地，滤色器阵列301上形成有微透镜阵列303。微透镜阵列303可以由透明的有机材料、无机化合物材料制成，并且具有凸形上表面。微透镜阵列303可以集中在像素传感器的中心或略有偏移。微透镜阵列303用于聚焦光线，使经过微透镜结构的入射光能够照射到该透镜结构所对应的像素传感器上。
图4A、图4B和图4C示出了根据本发明的另一个实施例的像素传感器的截面图。与图3所示的本发明的实施例不同的是，取代增加栅格开口的侧壁厚度，图4A、图4B和图4C所示的实施例在容纳白色滤色器的开口402B中布置了光阻挡件405，以减少进入到与白色滤色器401B对应的像素传感器400B的光量。
在图4A所示的实施例中，光阻挡件405A布置在白色滤色器401之上，例如，形成在白色滤色器401与微透镜403之间。在图4B所示的实施例中，所述光阻挡件405A布置在白色滤色器401之下，例如形成在白色滤色器401与衬底404之间。优选地，所述光阻挡件405的受光面积可以小于所述白色滤色器401B的受光面积，所述光阻挡件405的受光面积也可以等于所述白色滤色器401B的受光面积。优选地，所述光阻挡件405可以是不透光或者半透光的材料。优选地，当所述光阻挡件由不透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于所述白色滤色器的受光面积；当所述光阻挡件由半透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于或者等于所述白色滤色器的受光面积。
在图4C所示的实施例中，所述光阻挡件为在容纳白色滤色器的开口中形成的第二栅格402’。该第二栅格402’阻挡了一部分的白光，使之不能进入到白色滤色器对应的像素传感器400B中，由此减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器400B的光量。所述第二栅格的图案不限于图4C所示的图案，还可以采用任何其他可以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器400B的光量的图案。此外，在图4C所示的实施例中，第二栅格402’的高度大约等于栅格402的高度，但是本发明不限于此，第二栅格402’的高度可以大于小于或者等于栅格402的高度。
虽然图3和图4A-4C所示的像素传感器是前照式图像传感器，但是本发明不限于此，例如还可以应用于背照式图像传感器。图3和图4A-4C所示的图像传感器仅仅是用于说明本发明的一个示例，但不限制本发明的范围。
图5提供了一种制造根据本发明图3的实施例所示的像素传感器的流程图。
在步骤S501中，提供衬底，衬底可以是硅衬底或者其它半导体材料。可以使用砷化镓、锗、碳化硅、砷化铟或磷化铟或合金半导体，诸如，碳化硅锗、磷化铟镓、砷化铟镓等。衬底通常可以是半导体材料的晶圆。在其它实施例中，衬底可以被提供为在绝缘体上的外延层，诸如“SOI”层。半导体材料的晶圆可以接合或堆叠，并且衬底可以是这些层之一。衬底通常通过晶圆研磨方法减薄，诸如，化学机械抛光(“CMP”)、机械晶圆研磨或半导体刻蚀。优选地，可以在衬底的中形成浅槽隔离STI，以隔绝将衬底中将要形成的各个像素传感器。
在步骤S502中，在衬底中形成像素传感器阵列。优选地，像素传感器阵列包括光电二极管以及光电二极管耗尽区。形成方法为通过进行杂质离子注入及退火工艺等常规工艺来完成，包括在光电二极管区域进行杂质离子注入形成掺杂区，掺杂区与半导体衬底之间构成PN结，以形成光电二极管及光电二极管耗尽区。光电二极管及光电二极管耗尽区的形成方法为本领域技术人员所熟知，在此不作详述。
在步骤S503中，在所述像素传感器阵列上形成栅格，所述栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口。优选地，可以通过溅射技术形成栅格膜，然后在栅格膜上形成具有栅格图案的光刻胶，之后进行蚀刻以形成栅格。其中栅格中容纳白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚。
在步骤S504中，在栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
在步骤S505中，在滤色器阵列上方形成微透镜。
图6提供了一种制造根据本发明图4C的实施例所示的像素传感器的流程图。
与步骤S501类似的是，在步骤S601中，提供衬底，衬底可以是硅衬底或者其它半导体材料。
与步骤S501类似的是，在步骤S602中，在衬底中形成像素传感器阵列。
在步骤S503类似的是，在步骤S603中，在所述像素传感器阵列上形成第一栅格，所述第一栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口。
在步骤S604中，在将容纳白色滤色器的开口中形成第二栅格，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量。步骤S603和步骤S604可以先后进行，也可以同时进行。第二栅格的高度可以大于小于或者等于第一栅格的高度。
在步骤S605中，在栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
在步骤S606中，在滤色器阵列上方形成微透镜。
在图4C所述的实施例中，优选地，第二栅格可以与第一栅格一体形成。
本发明公开了一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括像素传感器阵列；栅格，布置在所述像素传感器阵列上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器对应的像素传感器的光量。
本发明还公开了一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括像素传感器阵列；第一栅格，布置在所述像素传感器阵列上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述第一栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；光阻挡件，布置在容纳所述白色滤色器的开口中，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量。
优选地，所述光阻挡件是布置在所述像素传感器阵列上且在容纳白色滤色器的开口中形成的第二栅格。
优选地，所述第二栅格与所述第一栅格一体形成。
优选地，所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之上。
优选地，所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之下。
优选地，当所述光阻挡件由不透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于所述白色滤色器的受光面积。
优选地，当所述光阻挡件由半透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于或者等于所述白色滤色器的受光面积。
优选地，所述彩色滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
优选地，所述图像传感器包括微透镜，具有凸形上表面和基本平坦的下表面，所述下表面与所述滤色器的上表面邻接。
本发明还公开了一种电子装置，其特征在于所述电子装置包括以上所述的图像传感器。
本发明还公开了一种制造图像传感器的方法，其特征在于所述方法包括：形成像素传感器阵列；在所述像素传感器阵列上形成栅格，所述栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口，其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度被形成为较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器的光量；以及在所述栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
本发明还公开了一种制造图像传感器的方法，其特征在于所述方法包括：形成像素传感器阵列；在所述像素传感器阵列上形成第一栅格，所述第一栅格具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；在容纳所述白色滤色器的开口中形成光阻挡件，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量；以及在所述第一栅格的开口中形成滤色器阵列，每个开口中形成一个滤色器，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器。
优选地，所述光阻挡件布置在所述像素传感器阵列上且所述光阻挡件是容纳白色滤色器的开口中形成的第二栅格。
优选地，第二栅格与所述第一栅格一体形成。
优选地，在所述白色滤色器之上形成光阻挡件。
优选地，在所述白色滤色器之下形成光阻挡件。
优选地，当所述光阻挡件由不透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于所述白色滤色器的受光面积。
优选地，当所述光阻挡件由半透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于或者等于所述白色滤色器的受光面积。
优选地，所述彩色滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
优选地，在所述滤色器阵列之上形成微透镜，所述微透镜具有凸形上表面和基本平坦的下表面。
本发明还公开一种制造电子装置的方法，所述方法包括使用上述方法来制造图像传感器。
在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其它取向上操作。
如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。
如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。
上述描述可以指示被“连接”或“耦合”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。
另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。
还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。
在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。
本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其它各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括：
像素传感器阵列；
栅格，布置在所述像素传感器阵列之上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；
滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；
其中容纳所述白色滤色器的开口的一个或者多个侧壁的厚度较容纳所述彩色滤色器的开口的侧壁厚度更厚，使得白色滤色器的受光面积比彩色滤色器的受光面积更小，以减少进入到与所述白色滤色器对应的像素传感器的光量。
2.一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括：
像素传感器阵列；
第一栅格，布置在所述像素传感器阵列之上且具有对应于所述像素传感器阵列中的像素传感器的开口；
滤色器阵列，每个滤色器容纳在所述第一栅格的一个开口中，所述滤色器阵列包括白色滤色器和彩色滤色器；
光阻挡件，布置在容纳所述白色滤色器的开口中，以减少进入到与白色滤色器对应的像素传感器的光量。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述光阻挡件是布置在所述像素传感器阵列上且在容纳所述白色滤色器的开口中形成的第二栅格。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，所述第二栅格与所述第一栅格一体形成。
5.根据权利要求2所述的图像传感器，所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之上。
6.根据权利要求2所述的图像传感器，所述光阻挡件形成在所述白色滤色器之下。
7.根据权利要求2所述的图像传感器，当所述光阻挡件由不透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于所述白色滤色器的受光面积。
8.根据权利要求2所述的图像传感器，当所述光阻挡件由半透明材料形成时，所述光阻挡件的受光面积小于或者等于所述白色滤色器的受光面积。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的图像传感器，所述彩色滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的图像传感器，所述图像传感器包括微透镜，具有凸形上表面和基本平坦的下表面，所述下表面与所述滤色器的上表面邻接。
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