CN108982374B - 一种测量一维材料复极化率的装置及方法 - Google Patents

一种测量一维材料复极化率的装置及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108982374B
CN108982374B CN201810676430.3A CN201810676430A CN108982374B CN 108982374 B CN108982374 B CN 108982374B CN 201810676430 A CN201810676430 A CN 201810676430A CN 108982374 B CN108982374 B CN 108982374B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
polarization maintaining
sample
maintaining lens
dimensional material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810676430.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108982374A (zh
Inventor
刘开辉
姚凤蕊
刘灿
陈成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Peking University
Original Assignee
Peking University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Peking University filed Critical Peking University
Priority to CN201810676430.3A priority Critical patent/CN108982374B/zh
Publication of CN108982374A publication Critical patent/CN108982374A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108982374B publication Critical patent/CN108982374B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
    • G01N21/45—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length using interferometric methods; using Schlieren methods
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N2021/216—Polarisation-affecting properties using circular polarised light
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers

Abstract

本发明提供了一种测量一维材料复极化率的装置及方法。所述方法分别利用左‑(右‑)旋椭圆偏振光与一维材料散射光的干涉，在两组结果中复极化率实部(虚部)贡献相反(相同)，从而定量测量一维材料的复极化率。所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪。或者，所述装置包括光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪。本发明首次实现了对一维材料复极化率的测量，具有测量速度快、测量频带广(1.6eV‑2.7eV)、不破坏被测样品、操作简单、设备易得等特点。

Description

一种测量一维材料复极化率的装置及方法
技术领域
本发明属于光谱学及光电子技术领域，涉及一种测量一维材料的复极化率的光学方法。
背景技术
一维材料是指材料有两个维度处于纳米尺寸(尺寸小于100纳米)，如纳米线、纳米棒、纳米纤维、纳米管等。光学复极化率
Figure BDA0001709916710000011
是表征材料与光相互作用最基本的参数之一，它对更好地理解材料的光电性能及具体应用具备非常重要的意义。对于传统的三维材料或二维薄膜材料，光学复极化率可以依靠传统的衍射或反射用椭偏仪来测量。然而，在一维材料光谱学中，并没有反射和衍射的概念(Snell’s方程失效)，这使得传统测量方法无法实现对一维材料复极化率的测量。另一方面，由于克莱默-克朗尼格关系计算的积分范围需要从0到正无穷，这导致理论上也无法精确计算出复极化率实部信息。截至目前，国内外还未见报道测量一维材料光学复极化率的技术，因此，发展一种广泛用于测量一维材料光学复极化率的技术显得尤为重要。
发明内容
针对目前测一维材料复极化率测量技术的缺失，本技术提出了一种基于椭圆偏光的零差检测方法来测量一维材料的光学复极化率的装置及方法。该方法基于精确控制左-(右-)旋椭圆偏振光与一维材料散射光的干涉，结果在两组光谱中复极化率实部(虚部)贡献相反(相同)，从而通过两组光谱结果定量测量一维材料的复极化率。这种针对一维材料的复极化率测量会加速它们在未来光子、光电、光电和生物成像设备上的精确设计和应用，提供一个新的可检测参数来监控诸如电荷掺杂、应变等外部调制。
一种测量一维材料复极化率的装置，包括光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪。光源发出的光依次经过第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片，最终被光谱仪接收。
一种测量一维材料复极化率的装置，包括光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪。光源发出的光依次经过第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品，再次先后经过保偏镜头和分光镜，然后经过第二偏振片和反射镜，最终被光谱仪接收。
一种测量一维材料复极化率的方法，包括如下步骤：
1)在第一保偏镜头和第二保偏镜头的焦点处，放置被测一维材料样品，被测一维材料样品的轴向为竖直方向，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，两块偏振片的光轴相对于竖直方向分别为+π/4和-π/4，其中，第一保偏镜头的焦点和第二保偏镜头的焦点位于同一位置；
2)旋转1/4波片使其快轴方向与第一偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片后变为左旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为0-π/4；
3)光在经过被测一维材料样品，其中一部分激发样品散射信号，另一部分形成透射信号，散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，干涉信号被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；最终处理后得到左旋信号
Figure BDA0001709916710000021
其中，EL为透射的左旋光振幅，ES为样品散射光振幅；
4)旋转1/4波片使其快轴方向与第二偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片后变为右旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为与步骤2)中的夹角θ相同；
5)光在经过被测一维材料样品，其中一部分激发样品散射信号，另一部分形成透射信号，散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；最终处理后得到，得到右旋信号
Figure BDA0001709916710000022
其中，ER为透射的右旋光振幅，ES为样品散射光振幅；
6)结合步骤3)所述左旋信号和步骤5)中所述右旋信号，代入如下公式：
Figure BDA0001709916710000023
其中，χ1、χ2分别为样品的复极化率的实部和虚部，β是探测系数，最终分别得到样品的复极化率的实部和虚部。
一种测量一维材料复极化率的方法，包括如下步骤：
1)在保偏镜头的焦点处，放置样品及其衬底，并使样品轴向在xy平面内为45°放置，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，其中所述第一偏振片的方向为竖直方向，所述第二偏振片的方向为水平方向；
2)旋转1/4波片使其与第一偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为左旋椭圆偏光；然后经过分光镜反射，经过保偏镜头聚焦在样品上，其中夹角θ的弧度为0-π/4；
3)衬底反射光与激发的样品散射光的干涉信号透过所述保偏镜头后再经过上述分光镜，最后被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头收集，再透过分光镜和第二偏振片后，最终得到左旋信号
Figure BDA0001709916710000031
其中EL为反射的左旋光振幅，Es为样品散射光振幅；
4)旋转1/4波片使其与第二偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为右旋椭圆偏光，然后经过分光镜反射，经过保偏镜头聚焦在样品上，其中夹角θ与步骤2)中的夹角θ相同；
5)衬底反射光与激发的样品散射光的干涉信号透过所述保偏镜头、分光镜，被光谱仪探测，之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头收集，再透过分光镜、第二偏振片后，被光谱仪探测；最终得到右旋信号
Figure BDA0001709916710000032
其中ER为反射的右旋光振幅，Es为样品散射光振幅；
6)结合步骤3)所述左旋信号和步骤5)中所述右旋信号，代入如下公式：
Figure BDA0001709916710000033
其中，χ1、χ2分别为样品的极化率的实部和虚部，β是探测系数，r为样品所用衬底的反射率，最终分别得到样品的极化率的实部和虚部。
本发明实现了对一维材料复极化率的测量，具有测量速度快、频带广(1.6eV-2.7eV)、不破坏被测样品、操作简单、设备易得等特点。本发明首次实现了对一维材料，以单根碳纳米管为例的复极化率(可分别解出实部和虚部)的测量，对其在光电子、微电子等领域的应用具有极大的帮助。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所述的一维材料复极化率测量方法的透射式光路示意图；
图标：1-光源；2-第一偏振片；3-1/4波片；4-第一保偏镜头；5-悬空的被测一维材料样品；6-第二保偏镜头；7-第二偏振片；8-光谱仪。
图2为本发明所述的一维材料复极化率测量方法的反射式光路示意图；
图标：1-光源；2-第一偏振片；3-1/4波片；4-分光镜；5-保偏镜头；6-被测一维材料样品及其衬底；7-第二偏振片；8-反射镜；9-光谱仪
图3为利用本发明所述测量方法测得的单根碳纳米管极化率虚部和实部数据；
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进一步阐述，但本发明并不限于以下实施例。所述方法如无特别说明均为常规方法。所述原材料如无特别说明均能从公开商业途径获得。
下面介绍两例利用本发明所述的方法测量单根碳纳米管复极化率的实施例。
实施例1
利用透射法测量单根碳纳米管复极化率包括如下步骤：
1)如图1所示，光路包括光源1、第一偏振片2、1/4波片3、第一保偏镜头4、悬空的被测一维材料样品5、第二保偏镜头6、第二偏振片7、和光谱仪8。其中，光源1可为超连续白激光(波长范围400-2000nm)，悬空的被测一维材料样品例如是悬空碳纳米管。
沿着所述光源的光线射出方向，所述光源、所述第一偏振片、所述1/4波片、所述第一保偏镜头、悬空的被测一维材料样品、所述第二保偏镜头、所述第二偏振片、所述光谱仪依次设置。
2)在第一保偏镜头4和第二保偏镜头6的焦点处，放置悬空碳纳米管，碳纳米管的轴向为竖直方向，进一步的，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，两块偏振片的光轴相对于竖直方向(碳纳米管轴向)分别的+π/4和-π/4，其中，第一保偏镜头4的焦点和第二保偏镜头6的焦点位于同一位置。
3)旋转1/4波片3使其快轴方向与第一偏振片2的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片3后变为左旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为0-π/4；
4)光在经过碳纳米管后其中一部分会散射形成碳纳米管散射信号，另一部分形成透射信号，碳纳米管散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，干涉信号被所述第二保偏镜头6收集，再经过第二偏振片7后，被光谱仪8探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头6收集，再经过第二偏振片7后，被光谱仪8探测。最终处理后得到左旋信号
Figure BDA0001709916710000041
其中，EL为透射的左旋光振幅，ES为碳纳米管散射光振幅。
5)旋转1/4波片3使其快轴方向与第二偏振片7的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片3后变为右旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为与步骤3)中的夹角θ相同；
6)光在经过碳纳米管后其中一部分会散射形成碳纳米管散射信号，另一部分形成透射信号，碳纳米管散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，被所述第二保偏镜头6收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪8探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头6收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测。最终处理后得到，得到右旋信号
Figure BDA0001709916710000051
其中，ER为透射的右旋光振幅，ES为碳纳米管散射光振幅。
7)结合步骤4)所述光谱数据和步骤6)中所述光谱数据，代入如下公式：
Figure BDA0001709916710000052
χ1、χ2分别为所探测的极化率的实部和虚部，β是探测系数。最终分别得到碳纳米管的极化率的实部和虚部。以此测得的一组极化率虚部和实部数据如图3所示。
实施例2
利用反射法测量单根碳纳米管复极化率包括如下步骤：
1)如图2所示，光路包括光源1、第一偏振片2、1/4波片3、分光镜4、保偏镜头5、被测一维材料样品及其衬底6、第二偏振片7、反射镜8、光谱仪9,其中，光源1可为超连续白激光，被测一维材料样品为碳纳米管。
沿着所述光源的光线射出方向，所述光源、所述第一偏振片、所述1/4波片、所述分光镜、所述保偏镜头、被测一维材料样品及其衬底、所述保偏镜头、所述分光镜、所述第二偏振片、所述反射镜、所述光谱仪依次设置。
2)在保偏镜头5的焦点处，放置碳纳米管及其衬底，并使碳纳米管轴向在xy平面内为45°放置，进一步的，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，其中所述第一偏振片2的方向为竖直方向(y轴方向)，所述第二偏振片的方向为水平方向(x轴方向)。
3)旋转1/4波片3使其与第一偏振片2的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为左旋椭圆偏光；然后经过分光镜反射，经过保偏镜头5聚焦在碳纳米管上，其中夹角θ的弧度为0-π/4。
4)衬底反射光与激发的碳管散射光的干涉信号透过所述保偏镜头5后再经过上述分光镜4，最后被光谱仪9探测；之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头5收集，再透过分光镜，第二偏振片7后，最终得到左旋信号
Figure BDA0001709916710000053
其中EL为反射的左旋光振幅，Es为碳纳米管散射光振幅
5)旋转1/4波片使其与第二偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为左旋椭圆偏光；然后经过分光镜反射，经过镜头聚焦在碳纳米管上，其中夹角θ与步骤4)中的夹角θ相同。
6)衬底反射光与激发的碳管散射光的干涉信号透过所述保偏镜头，上述分光镜，被光谱仪探测，之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头收集，再透过分光镜，第二偏振片后，被光谱仪9探测。最终得到右旋信号
Figure BDA0001709916710000061
其中ER为反射的右旋光振幅，Es为碳纳米管散射光振幅。
7)结合步骤5)所述光谱数据和步骤7)中所述光谱数据，代入如下公式：
Figure BDA0001709916710000062
χ1、χ2分别为所探测的极化率的实部和虚部，β是探测系数，r为碳纳米管所用衬底的反射率。最终分别得到碳纳米管极化率的实部和虚部。
以上所述，仅为本发明在一维碳纳米管上的具体实施方式，但本发明同样适用于其他一维材料，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化和替换，都应涵盖在本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种测量一维材料复极化率的方法，其中，测量所述一维材料复极化率的装置包括：光源、第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片和光谱仪；所述方法包括如下步骤：
1)在第一保偏镜头和第二保偏镜头的焦点处，放置被测一维材料样品，被测一维材料样品的轴向为竖直方向，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，两块偏振片的光轴相对于竖直方向分别为+π/4和-π/4，其中，第一保偏镜头的焦点和第二保偏镜头的焦点位于同一位置；
2)旋转1/4波片使其快轴方向与第一偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片后变为左旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为0-π/4；
3)光在经过被测一维材料样品后其中一部分散射形成散射信号，另一部分形成透射信号，散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，干涉信号被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；最终处理后得到左旋信号
Figure FDA0002404318970000011
其中，EL为透射的左旋光振幅，Es为散射光振幅；
4)旋转1/4波片使其快轴方向与第二偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经1/4波片后变为右旋椭圆偏光，其中夹角θ的弧度为与步骤2)中的夹角θ相同；
5)光在经过被测一维材料样品后其中一部分散射形成散射信号，另一部分形成透射信号，散射信号与透射信号干涉之后形成干涉信号，被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使透射光被所述第二保偏镜头收集，再经过第二偏振片后，被光谱仪探测；最终处理后得到，得到右旋信号
Figure FDA0002404318970000012
其中，ER为透射的右旋光振幅，ES为散射光振幅；
6)结合步骤3)所述左旋信号和步骤5)中所述右旋信号，代入如下公式：
Figure FDA0002404318970000013
其中，χ1、χ2分别为样品的极化率的实部和虚部，β是探测系数，最终分别得到样品的极化率的实部和虚部。
2.根据权利要求1所述的方法，光源发出的光依次经过第一偏振片、1/4波片、第一保偏镜头、被测一维材料样品、第二保偏镜头、第二偏振片，最终被光谱仪接收。
3.根据权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，被测一维材料样品位于第一保偏镜头和第二保偏镜头的焦点处，第一保偏镜头的焦点和第二保偏镜头的焦点位于同一位置。
4.一种测量一维材料复极化率的方法，其中，测量所述一维材料复极化率的装置包括：光源、第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品、第二偏振片、反射镜和光谱仪；
所述方法包括如下步骤：
1)在保偏镜头的焦点处，放置样品及其衬底，并使样品轴向在xy平面内为45°放置，再旋转两块偏振片的偏振方向使两块偏振片的光轴完全垂直，其中所述第一偏振片的方向为竖直方向，所述第二偏振片的方向为水平方向；
2)旋转1/4波片使其与第一偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为左旋椭圆偏光；然后经过分光镜反射，经过保偏镜头聚焦在样品上，其中夹角θ的弧度为0-π/4；
3)衬底反射光与激发的样品散射光的干涉信号透过所述保偏镜头后再经过上述分光镜，最后被光谱仪探测；之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头收集，再透过分光镜和第二偏振片后，最终得到左旋信号
Figure FDA0002404318970000021
其中EL为反射的左旋光振幅，Es为散射光振幅；
4)旋转1/4波片使其与第二偏振片的光轴方向有一个夹角θ，入射光经波片后变为右旋椭圆偏光，然后经过分光镜反射，经过保偏镜头聚焦在样品上，其中夹角θ与步骤2)中的夹角θ相同；
5)衬底反射光与激发的样品散射光的干涉信号透过所述保偏镜头、分光镜，被光谱仪探测，之后将样品移出焦点，使反射光被所述保偏镜头收集，再透过分光镜、第二偏振片后，被光谱仪探测；最终得到右旋信号
Figure FDA0002404318970000022
其中ER为反射的右旋光振幅，Es为散射光振幅；
6)结合步骤3)所述左旋信号和步骤5)中所述右旋信号，代入如下公式：
Figure FDA0002404318970000023
其中，χ1、χ2分别为样品的极化率的实部和虚部，β是探测系数，r为样品所用衬底的反射率，最终分别得到样品的极化率的实部和虚部。
5.根据权利要求4所述的方法，光源发出的光依次经过第一偏振片、1/4波片、分光镜、保偏镜头、被测一维材料样品，再次先后经过保偏镜头和分光镜，然后经过第二偏振片和反射镜，最终被光谱仪接收。
6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的方法，其特征在于，所述的光源为超连续白激光。
7.根据权利要求4-5任一项所述的方法，其特征在于，被测一维材料样品位于保偏镜头的焦点处。
CN201810676430.3A 2018-06-27 2018-06-27 一种测量一维材料复极化率的装置及方法 Active CN108982374B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810676430.3A CN108982374B (zh) 2018-06-27 2018-06-27 一种测量一维材料复极化率的装置及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810676430.3A CN108982374B (zh) 2018-06-27 2018-06-27 一种测量一维材料复极化率的装置及方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108982374A CN108982374A (zh) 2018-12-11
CN108982374B true CN108982374B (zh) 2020-05-05

Family

ID=64539118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810676430.3A Active CN108982374B (zh) 2018-06-27 2018-06-27 一种测量一维材料复极化率的装置及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108982374B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109883346B (zh) * 2019-03-14 2020-09-22 北京大学 一种基于光学三倍频测量二维材料三阶非线性光弹张量的装置及方法
CN109883347B (zh) * 2019-03-14 2020-07-28 北京大学 一种基于光学三倍频的测量二维材料中应变张量的装置及方法
CN112782122B (zh) * 2019-11-04 2022-03-11 北京大学 一种测量一维材料手性的装置及方法
CN113125437B (zh) * 2021-04-22 2023-07-18 华中科技大学 基于光学干涉散射显微技术的检测系统和方法
CN117471674B (zh) * 2023-12-28 2024-04-12 浙江大学 基于一维纳米线可视化的高精度、低成本转移操纵平台

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340585B1 (ko) * 1995-12-30 2002-09-26 주식회사 포스코 1차원 광산란장치 및 그 제어방법
CN101581672A (zh) * 2008-05-14 2009-11-18 中国科学院半导体研究所 测量电致自旋荧光的显微测量系统
CN104215553A (zh) * 2014-09-05 2014-12-17 北京航空航天大学 一种碱金属蒸汽的原子密度与极化率一体化测量装置
CN104677508A (zh) * 2015-03-16 2015-06-03 北京航空航天大学 一种基于圆偏振探测光的原子自旋进动检测方法及装置
CN106385283A (zh) * 2016-09-20 2017-02-08 北京航空航天大学 一种应用于原子自旋进动检测的抽运光调制解调系统及方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100340585B1 (ko) * 1995-12-30 2002-09-26 주식회사 포스코 1차원 광산란장치 및 그 제어방법
CN101581672A (zh) * 2008-05-14 2009-11-18 中国科学院半导体研究所 测量电致自旋荧光的显微测量系统
CN104215553A (zh) * 2014-09-05 2014-12-17 北京航空航天大学 一种碱金属蒸汽的原子密度与极化率一体化测量装置
CN104677508A (zh) * 2015-03-16 2015-06-03 北京航空航天大学 一种基于圆偏振探测光的原子自旋进动检测方法及装置
CN106385283A (zh) * 2016-09-20 2017-02-08 北京航空航天大学 一种应用于原子自旋进动检测的抽运光调制解调系统及方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
High-Throughput Optical Imaging and Spectroscopy of One Dimensional Materials;Fengrui Yao等;《ChemPubSoc Europe》;20170731;第9703-9710页 *
Polarization and polarizability in extended one-dimensional;Anna Painelli等;《Chemical Physics》;20061231;第48-59页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN108982374A (zh) 2018-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108982374B (zh) 一种测量一维材料复极化率的装置及方法
Doeleman et al. Experimental observation of a polarization vortex at an optical bound state in the continuum
Taminiau et al. Quantifying the magnetic nature of light emission
Muskens et al. Single metal nanoparticle absorption spectroscopy and optical characterization
Oates et al. Highly anisotropic effective dielectric functions of silver nanoparticle arrays
KR101811209B1 (ko) 주파수 빗 및 나노플라즈모닉스 기술을 이용한 광자 발생기 및 광자 발생 방법
CN204666496U (zh) 微悬臂梁热振动信号测量装置
US9841376B2 (en) High sensitivity metamaterial nano-sensing system with ultra-narrow line width spectral response
Wang et al. Refractive index and dielectric constant evolution of ultra-thin gold from clusters to films
Krug et al. Probing plasmonic breathing modes optically
Chen et al. Imaging Mueller matrix ellipsometry with sub-micron resolution based on back focal plane scanning
CN109490278A (zh) 三角形微棱镜旋转式spr测试光学芯片
JP2012132886A (ja) 金属薄膜上誘電体の光学特性測定方法及び金属薄膜上誘電体の光学特性測定装置
CN108519155B (zh) 动量空间光谱测量系统
Aas et al. Optical properties of biaxial nanopatterned gold plasmonic nanowired grid polarizer
Yao et al. Probing subwavelength in-plane anisotropy with antenna-assisted infrared nano-spectroscopy
Kenaz et al. Mapping spectroscopic micro-ellipsometry with sub-5 microns lateral resolution and simultaneous broadband acquisition at multiple angles
Wu et al. Terahertz characterization of multi-walled carbon nanotube films
Kesaev et al. Nanopatterned silicon exhibiting partial polarization and chirality
Dai et al. Hybridized Radial and Edge Coupled 3D Plasmon Modes in Self‐Assembled Graphene Nanocylinders
Gao et al. Spatially polarization-modulated ellipsometry based on the vectorial optical field and image processing
Bu et al. Configurable circular-polarization-dependent optoelectronic silent state for ultrahigh light ellipticity discrimination
Honda et al. Size dependence of surface plasmon modes in one-dimensional plasmonic crystal cavities
Jung et al. Multi spectral holographic ellipsometry for a complex 3D nanostructure
CN109883347A (zh) 一种基于光学三倍频的测量二维材料中应变张量的装置及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant